JPS6197658A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し１次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜ａ２０ｎ■の発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒ　ａ　−５ｉＪ　と略記する）から成
る光受容部材が注目されている。

尚乍ら、光受容層を単層構成のａ−９ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｉ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定のｉｋ範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗Ｔあっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層をａＩ層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭！１７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５１１号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公
報に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／
及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、　ａ　−９ｉ系先光受容材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさはＩＩｉ著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１．と上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

暦の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を′。

として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ 厚差で不均一！あると、反射光ＲＩ　Ｊ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数１反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ　＋
　−）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどち
らに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量
に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法として！±、支持体表面をダ
イヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　ｔｏｏｏ。

人の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１４１２９７５号公報）アルミニウム支持体表
面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカー
ボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設け
る方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、ア
ルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり
、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりし
て、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例え
ば特開昭５７−１１１１５５４号公報）等が提案されて
いる。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−９ｉ
′Ｐを形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成
される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層
がａ　　５　ｉ　ＷＩ影形成際のプラズヤによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に１表
面状態の悪化によるその後のａ−５ｔ層の形成に悪影響
を与えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｔｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１．となる、透
過光Ｉ、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光ＫＩ　Ｊ２　＋に３・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ，
と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然と
して干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１Ｆ
ｆｔ４ｏ２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光
Ｒ１，支持体４０！面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉し
て、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防
止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面ＳＯｔを規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容Ｎ５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分ては入射光は２ｎｄｔ＝ｍλまた
は２ｎｄ＋　＝　（ｍ＋Ｓ４）λが成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄｌ　＋ｄ２　＋ｄ３　＋ｄ４の夫々の差のあるため
明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが出来る電子写真用に適した光受容部材を
提供することでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性な示す第
２の層と１反射防止機能を有する表面層とが支持体側よ
り順に設けられた多層構成の光受容層を有しており、前
記第１の層及び前記第２の暦の少なくとも一方に伝導性
を支配する物質が含有され、かつ前記！ｓｌの層中に於
けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
ありと共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、か
つシ鳶−トレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、
該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一
方向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に突って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように。

第２層１１０２の層厚がｄ５からｄもとＩＩＩ続的に変
化している為に、界面６０３と界面８０４とは互いに傾
向きを有している。従って、この微小部分（シ璽−トレ
ンジ）ｌに入射した可干渉性光は該微小部分ｌに於て干
渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１Ｊｌｊ？０１と第２暦７０２
の界面７０３と第２暦７０２の自由表面７０４とが非平
行であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１ｏに対
する反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに
異る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図の
ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄｙ＝ｄａ）であっても同様に云え
る為、全μＩＩ城に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照゛）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１０に対
して１反射光Ｌ　、ｎ２．Ｒ３Ｒ４ＪＳが存在する。そ
の為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが生
ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹・凸の傾斜面は反射光を一方向へ確
実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ａｓ　−ｄｔ、　）は、照射光の
波長をλとすると。

入 （ｎ：第２Ｎｇ０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する暦は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の暦、第２の暦各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、枝盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ宇形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした１枇構造を有する。逆Ｖ字形突起部の螺鐘
構造は、二重、三重、多重螺第２構造、又は交叉螺ｉｔ
構造とされても差支えない。

或いは、ｎ程構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９ｒ！４に示される
様に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三
角形とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等
辺三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−９ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって１表面状態に応じ
て暦品質は大きく変化する。

従って、ａ−５ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジ。

ンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくはＳＯＯ牌〜０
．３ｐ　、より好ましくは２００牌〜１μ、最適には５
０−〜５脚であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくはＯ，１Ｉｌｊ１〜
５μ、より好ましくは０．３μｓ〜３−９最適には０．
８ｇ〜２メーとされるのが望ましい、支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜！５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μ〜２μ、より好ましくは０．１鱗〜　１．５ｇ、
最適には０．２μ〜１−とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た＠１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防止機能を有する表面
層とが支持体側より順に設けられた多層構成となってお
り、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状
態が層厚方向に不均一となっているため、極めて優れた
電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用
環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは、次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると１反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは。

入 ｄ＝−ｍ（ｍは奇数） 　ｎ が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、その上に表面層を堆積す
る暦の屈折率をｆｌ、とすると、ｎ１気 の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件か加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜ＺＵとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては１例えば、　ＮａＦ７
．　＃２０３　、　ＺｒＯ２，ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　
ＣｅＯ２゜ＣｅＦ２．　ｓｔｏ、、　ｓｔｏ　、　Ｔａ
２Ｏ，、ＡＩＦｇ、　ＮａＦ　、　Ｓｉ３Ｎｍ等のＳ＊
弗化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース
等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は１本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ｐｃｖｏ法）、光ＣｖＤ法、熱ＣＶＯ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は１本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図で多る・ 第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体ｔｏｏｔの上に、光受容部１０００を有し
、該光受容部１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容＠　ｔｏｏｏは支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−９ｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ
）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有す
る第２の暦（Ｓ）　１００３と１反射防止機能を有する
表面層１００Ｂとが順に積層された層構造を看する。

本発明の光受容部材１０Ｇ４に於いては、少なくとも第
１の暦（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領
域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が含
有される層の一部の層領域に偏在する様に含有されても
良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
７１　（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（
Ｇ）中に含有させる場合には、前記物ｊｔ　（Ｃ）　ノ
含有すレｌ！ｔｌｉｆｉ　（Ｐ　Ｎ）　ハ、　ｍ　１　
ノ層（Ｇ）の端部層領域として設けられるのが望ましい
、殊に、第１の層（Ｇ）の支持体側の端部層領域として
前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、核層領域（
ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその含
有量を所望に応じて適宜選択することによって支持体か
ら第２の層（Ｓ）中への特定の極性の電荷の注入を効果
的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該ｊ！’　ＣＧ）の
全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有さ
せるのが好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ
）に加えて第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ
）中にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層（Ｇ）には含有させずに、第２の暦（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の暦（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の５（５）の第１の層ＣＧ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選択
することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定の極性
の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の暦（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１のＦ！
　ＣＧ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）
を含有させるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
のａ　＜Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、′！Ｌいに接触する様に設けるのが望まし
い。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の！’　ＣＧ）と第２の層（Ｓ）
とに於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その
含有量は各層に於いて、同じでも興っていても良い。

丙午ら１本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
のＷ（Ｇ）又は／及び第２のＭＩ（Ｓ）の中に、伝導特
性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物
質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の暦ＣＧ’）又は第
２のＷ　（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、未
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−５
ｉ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　−５＋Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎＪｌｑ
伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、ｔｊ（フ
ルミニラム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、ＴＩ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該Ｍｆａ城（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、暦債城（ＰＨ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．５＃　Ｉ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔ
ｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＭ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｐ膳ｔｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とするＣ　ｋ　ニヨッＹ
、、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物
の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を
受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を
効果的に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面が０極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＭ）に含有させる実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＭ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定さ　　　　　　　　　　１れるも
にであるが、好ましくは、ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００
ａｔｏ　ｐｐｍ　、より好適には０．０５〜５００　ａ
ｔｏ層ｉｃｐｐｍ　、最適にはＯ，１〜２００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、Ｎ領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくはａ
ｏ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ−以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１のＭ　（ｃ）　１００２の層厚方向には
連続的であって且つ前記支持体１００１の設けられであ
る側とは反対の側（光受容＠　ｔｏｏｌの表面１００５
側）の方に対して前記支持体ｔｏ、ｏｔ側の方に多く分
布した状態となる様に前記第１の暦（Ｇ）　１００２中
に含有される。

本発明の光受容部材においては、ｆｊＳｌの層ＣＧ）中
に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面
と平行な面内方向には均一　　　　−な分布状態とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲル、マニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長
比の全領域の液鼻の光に対して光感度が優れている光受
容部材とし得るものである。

又、第１の暦（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の暦ｎ方向の分＊Ｗ＊Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の暦（Ｓ）との間に於け
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於
いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層ＣＧ’）
と第２のｌ！Ｆ　Ｃ３）とを構成する弊晶寅材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
ｍ層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

第１１ｒ！４乃至第１１１図には１本発明における光受
容部材の第１のｊ！！！）　ＣＧ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示され
る。尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのまま
の値で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端
な形で図示しており、これらの図は模式的なものと理解
されたい、実際の分布としては、本発明の目的が達成さ
れる可く、所望される分布濃度線が得られるように、ｔ
ｉ（１≦Ｉ≦８）又はＣｉ（１≦ｌ≦１７）の値を選ぶ
か、或いは分布カーブ全体に過当な係数を掛けたものを
とるべきである。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の７１　ＣＧ）の層厚
を示し、Ｌ！＋は支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位
置を、１丁は支持体側とは反対側の暦ＣＧ）の端面の位
置を示す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の
層ＣＧ）はｔＢ側より１．側に向って層形成がなされる
。

第１１図には、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

ｇＳ！１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有
される第１のＭ　（Ｇ）が形成される表面と該第１のＷ
　（Ｇ）の表面とが接する界面位ｊ！ｌｔＢよすＬｌの
位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩなる
一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１
の暦ＣＧ＞に含有され１位置１．よりは濃度４より界面
位置ｔτに至るまで徐々に連続的に減少されている。界
面位ｉｔ　ｔｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃは実質的に零とされる（ここで実質的に零とは検出限
界量未満の場合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位！！−より位置ｔ１に至るま
で濃度らから徐々に連続的に減少して位Ｗｂにおいて濃
度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には１位ｉｔ　ｔｓより位置ｔ２までは
。

ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度らと一定値とされ
、位置ｔ２と位１ｔｔｖとの間において、徐々に連続的
に減少され１位置先□において１分布濃度Ｃは実質的に
零とされている 第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位Ｍ　ｔｓより位２ｔｒに至るまで、濃度Ｃ６より初め
連続的に徐々に減少され、位置【３よりは急速に連続的
に減少されて、位１１Ｌｒにおいて実質的に零とされて
いる。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位ｆＩｔｔ４間においては、濃度Ｃ
フと一定値であり１位１１ｔｙに於ては分布濃度Ｃは零
とされる０位１１ｂと位ｊｌｂとの間では１分ｌｒｉ濃
度Ｃは一次関数的に位置ｔ４より位置を丁に至るまで減
少されている。

第１８図に示される例においては１分布濃度Ｃは位ｉｔ
　ｔｓより位ｊｌｔｓまでは濃度Ｃ８の一定値を取り、
位置ｔ５より位１ｔｖまでは濃度Ｃ９より濃度ＣＩＯま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置１１！より位置ｔア
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは。

濃度０１１より実質的に零に至る様に一次関数的に連続
して減少し零に至っている。

第１８図においては、位置１ａより位置ｔもに至るまで
はゲルマニウム原子の分布Ｗａ度Ｃは、濃度ｃｌ。

より濃度０１３まで一次関数的に減少され１位１にと位
！！１１との間においては、濃度ｃＩｓの一定値とされ
た例が示されている。

第１８図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは１位！ｔＢにおいて濃度（’１４であり、
位置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっく
りと減少され、Ｌ７の位置付近においては、急激に減少
されて位ｆｉｆｔｙでは濃度（’Ｉｓとされる。

位１ｔｔｙと位１１ｔｓとの間においては、初め急激に
減少されて、その後は、１やかに徐々に減少されて位！
ｔ８で濃度ｅｔｃとなり１位置ｔ８と位１　ｔｓとの間
では、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度ｃＩｙ
に至る０位置ｔ９と位Ｎｔ７との間においては、濃度Ｃ
Ｉ？より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様Ｋ。

本発明においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子の分′Ｉａ濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ偏にお
いては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べて可成り低く
された部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第１
の層（Ｇ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の層（Ｇ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１８
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
終以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位１ｅｔ
ｓより５終厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）上層領域（Ｉ、）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃ層ａ冨がシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１×１
０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ−以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望゛ましい。

即ち１本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の暦（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５ＩＬ以内
（１日から５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成するｗ４２
の暦（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の景又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
　＃２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有畢としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜状められるが、好まし
くは１〜１１．５Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
より好ましくは１００〜８Ｘ１０’ａｔｏ膳ｉｃ　ＰＰ
ＩＩとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚■１は。

好ましくは３０Ａ〜５０ル、より好ましくは、　４０Ａ
〜４０ｇ、、　＠適には、５０Ａ〜３ｏＩＬとされるの
が望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜ｆ
ｌｏ＃Ｌ、より好ましくは１〜５ｏＩＬ最適には２〜５
０ＩＬとされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ＠と第２の暦（Ｓ）の暦厚Ｔの
和（Ｔ１＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ＠＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００終、より好適
には１〜８０ｉ、最適には２〜５０鉢とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚■■及び層厚Ｔとしては、好ましくは丁１／
Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切
な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｉ−及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、τｉ／Ｔ≦０．８．最適には
τｍ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚τ■及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔａｓｉｃ
ｐｐ−以上の場合には、第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ、とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ＩＬ以下、より好ましくは２５終以下、最適には２０ｘ
以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容部を構成する第１の層（Ｇ）及
び１２の暦（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−９ｉＧ＠（Ｈ，Ｘ）で構成される
ｊＪｌのＦＪ　（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によって、ａ−５ｉＣｓ（Ｈ，Ｘ
）　テ構成される第１の暦（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（ｊＪｌ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
ー圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ−９ｉＧａ（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形
成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中で５１で構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子ＣＸ）導入用のガスをスパッタリン
グ用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、　Ｓ＋＆　、　Ｓ＋２Ｈｂ　ｅＳＬ
３Ｈ６、５ｉＪＩ＋ｏ等のガス状態の又ガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓ＋２Ｈｂ　＊が好ましい
ものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇ＠）
Ｉｓ　、　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇ５３Ｈｅ　＋　ＧｅＪＩ　ｓ
ｏ　、　Ｇｅ５Ｈｔ２＊Ｇｅｔ、Ｈ１４１（ＪｅｔＨ１
６＊　ＧｅｅＩ（＋ｅ　＋　Ｇｅｅｊ１２ｏ等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用
されるものとして挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱
い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で。

ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ＠　、　Ｃｓ３Ｈ＠１が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン窮導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素ノハロゲンガス、　８ｒＦ、αＦ、αＦ３　＊　
ＢｒＦ５１８ｒＦ３　、ＨＦ３　、　ＩＦ７　、Ｉα、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　＋　Ｓ＋２Ｆ　ｓ　＋　Ｓｉα４　、　ＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉｎ＠か
ら成る第１の暦（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の暦（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ，、Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１のＷ　（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望棗混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−ＳｉＧｓ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の暦（Ｇ
）を形成するには１例えばスパッタリング法の場合には
３１から成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二
枚を、或いはＳｉとＧｅかも成るターゲットを使用して
、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、イオンブレーティング法の場合には１例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボー）
Ｋ収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる車で行う
事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、）ＩＦ、ＩＩα、　Ｈａｔ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
Ｉ２　。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨ１ｌ：１３　、５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３　、　ＧｅＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

Ｇｅｌα３　、　ｅｓＨ２α２　、　ＧａＨ１α、　Ｇ
＠ＨＢｒ３　＋ＧｅＨ２Ｂｒ２　、、ＧｅＨ３Ｂｒ、　
Ｇｅ１（１３、ＧｅＨ２［２、Ｇ＠Ｈ３１等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、ＧｅＦ、。

Ｏｓα４　＊　ＧｅＢｒｍ　ｌＧ＠１４　＋　ＧｅＦ２
　＋　Ｏｓα２　＋　ＧｅＢｒ２　＋ＧｅＩ２等のハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状　、態の或いはガス
化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質
として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の！　（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので１本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層ＣＧ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＢ２　＋或いは！３ｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６＋　５ｉ４）Ｉｔｓ等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、Ｇｅ）１．　、　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈａ　＋
　ＧｅａＨｔｏ　ｌ　ＧｅｓＨｎ　＋Ｇ＠ｂＨ１４１Ｇ
ｅｔＨ１６１ＧｅｔＡ　ｓｓ　＋　Ｇｅｅｆｉ　２Ｇ等
の水素化ゲルマニウムとＳｒを供給する為のシリコン又
はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０ＩＮ４０
　ａｔａｍｔｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｔｃ％、最適には０．１〜２．５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

第１の７１　ＣＧ）中に含有される水素原子（）Ｉ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲ
ン原子ＣＸ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

本発明に於いて、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
第２のＭ　（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
（第２の暦Ｃ３”）形成用の出発物質（■）〕を使用し
て、第１のＮＩＣＧ）を形成する場合と、同様の方法と
条件に従って行うことが出来る。

即ち１本発明において、　　ａ　−５＋　（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の７１　（Ｓ）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成
される０例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｔ
供給用の原料１□１ ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上にａ　−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる暦を形成
させれば良い、又、スパッタリング法で形成する場合に
は１例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成された
ターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入しておけば良い。

光゛受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子先構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには１層形成の際に、第ｍ族原千尋入用の出
発物質或いは第Ｖ族原千尋入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層な形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い、この様な第ｍ、＃原千尋入用の出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい、その様な第ｍ族原千尋入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、
８２Ｈ＆　、Ｂ４Ｈ□。ＩＢ’１Ｈ９ＢＳＨ１１・ＢＡ
ＨＩｏ“・ＢｓＨ１２１８＆Ｈ１４等の水素化硼素・Ｂ
Ｆ３８Ｃｊ　３　、　ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が
挙げられル、コノ他、　ＡＩαｓ　＊　　ＧａＣｊ　ｓ
　＋　Ｇａ　（ＣＨ３）３　＋Ｉｎｃｈ　３　、　ＴＣ
ｌｓ等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原千尋入用の出発物質として、本発明においた有
効に使用されるのは、燐原、千尋入用としては、ＰＨ３
，Ｐ２Ｈ，等の水素北端、　ＰＨａ！、　ＰＦ３＊ＰＦ
５　、　ＰＣｊ　３　、　ＰＣＡ　ｓ、　ＰＢｒ３．　
ＰＢｒ３．　Ｐ［３等のハロゲン北端が挙げられる。こ
の他、＾ｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣｊ　３　、ＡｇＢｒ３１　ＡｓＦ５　＋　５ｂＨ
ｓ　＋　５ｂＦ３ｒ　５ｂＦｓ　１ＳｂＣｊ３　、　５
ｂＣｊ５　、　ＳｉＨ３，５ｉＣｊ３　、　　Ｂ１８ｒ
３等も第Ｖ族原千尋入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層φには、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（００％
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は１層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ｏｃｍ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＲ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜決められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍ＋ｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｍ＋ａ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、Ｊ
ｌ領域（ＯＣ）ｌ）の層厚Ｔａの光受容層の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には１層領域（ＯＣＮ）に含有
される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より
充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＸ）中に含有される原子（
ＱＣ）ｌ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｅ％以下、最
適には１０ａｔａｓｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、＃ｊす、光受容層の支
持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで
、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが
出来る。

更に、窒素原子の場合には１例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上を高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（０ＯＮ）の層
厚方向の分布状態が不拘ｉな場合の典型的例が示される
。

第２０図乃至第２８５！ｌにおいて、横軸は原子（ＯＣ
Ｎ）の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を
示し、　１．は支持体側の層領域（ＯＣｌｌ）の端面の
位置を、１丁は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）
の端面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＲ）の含有され
る層領域（ＯＣＩＩ）は１．側より１．側に向って層形
成がなされる。

第２０図には１層領域（ＯＣｌｌ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１
の典型例が示される。

第２０図に示される例ｆは、原子（ＱＣ）ｌ）の含有さ
れる層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（Ｏ
ＣＮ）の表面とが接する界面位置を日よりり、の位置ま
では、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣ８なる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＲ）が形成される層領域（ＯＣＲ
）に含有され、位置ｔ１よりは濃度もより界面位ｉ２１
　ｉｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面
位置１．においては原子（０（：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃
度５とされる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位２１　ｔｓよりり、に至るまで
濃度Ｃ１から徐々に連続的に減少して位置１．において
濃度ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には１位置１．より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ、位置
ｔ２と位置１．との間において、徐々に連続的に減少さ
れ１位置１丁において１分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣＲ）の分布濃度Ｃは位
置を日より位置１．に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置１丁において、実質的に零とされ
ている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位１１ｔｓと位置１３間においては濃度Ｃ９と一
定値であり、位ｊｉｂにおいては濃度Ｃ３゜とされる０
位１１にと位ＩＩ　ｔｖとの間では１分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している
。

第２５図に示される例においては１分布濃度Ｃは位置１
．より位置ｔ４までは濃度ＣＯの一定値を取り、位１１
ｔ＊より位置１丁までは濃度（＋ｚより濃度ＣＩ３まで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２Ｂ図に示す例においては、位置−より位ＩＩ　ｔｒ
に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２７図においては１位置　Ｌｍより位置ｔ５に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳよりＣ
１＆までの一次関数的に減少され、位置Ｌ５と位置ｔ□
との間においては、濃度ＣＩ＆の一定値とされた例が示
されている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位置１．においては濃度ＣＩフであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、ｔもの位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔもでは濃度０１１１とされる。

位１にと位置１．との間においては、初め急激に減少さ
れて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置１．で
濃度ＣｔＳとなり、位！！ｔｙと位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
（ｔｏに至る０位置１１１と位置ｔ、Ｔの間においては
濃度Ｃ２゜より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＸ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発明
においては、支持体側において、原子（ＱＣ）ｌ）の分
布濃度Ｃの高い部分を墳し、界面ｔＴ側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（０ＯＮ）の含有される層領域（ＯＣＸ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（０ＯＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有する覧ものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受
容層との間の密着性をより一層向上させることが出来る
。

上記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃至第２８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位！ＬＩＩより５路以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
ｏより５終厚までの全領域（Ｌｙ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌｙ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃ■ａ！が、好ましくは５００ａｔｏｓｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｓ＋ｉｃ　ｐｐｍ
以上、最適には１０００ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５＃Ｌ以内
（ｔｓから５終厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ層
ａ！が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、Ｎ領域（ＯＣ￥）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０ＯＮ
）と他の層領域との界面において、屈折高が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光がＰ！Ｊ
接触界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現を
より効果的に防止することが出来る。

又１層領域’（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＸ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続
して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第２０図乃至第２３ｒＭ、第２Ｂ図
、１ 及び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（０
１１：Ｎ）を層領域（ＯＣＸ）中に含有されるのが望ま
しＩ／１゜ 本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
たｅ＊域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＸ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（１１ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化
窒素（Ｎ２Ｑ）、三二酸化窒素（８２０３）　、四二酸
化窒素（Ｎ２０Ａ）、三二酸化窒素（ｌｈＯｓ）、三酸
化窒素（ＮＯｓ）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（）Ｉ）とを構成原子とする１例えばジ
シロキサン（Ｈ３５ｊＯ３ｉＨ３）　、　　トリシクロ
キサン（Ｈ３ＳｉｌＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シク
ロキサン、メタ７（ＣＨ４）　、　ｚタフ　（Ｃ２）＋
６）　、プロパｙ（ｃ３ｏ＝）、ｎ−ブタン（！ｌ−Ｃ
ｍ　Ｈｓｏ　）　、ペンタ７　（Ｃｓ　Ｈ１２）等の炭
素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）。

プロピレン（ちＨも）、ブテン−１（Ｃ，）１口）。

ブテン−２（ＣａＨ＊）　、インブチレン（Ｃｓ　Ｉｓ
　）　、ペンテン（Ｃｓ）Ｉｔｏ）等の炭素数２〜５の
エチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチル
アセチレン（Ｃ３）１ｍ）、ブチン（Ｃａ　Ｉｓ　）等
の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（１２）
、アンモニア・（ＮＨａ）　、　　ヒドラジノ（Ｈ２Ｎ
ＮＨ２）　、　７ジ化水素（）ＩＮり　、アジ化アンモ
ニウム（ＮＨｓＮｓ）　、三弗化窒素（Ｆｉｌ）、四弗
化窒素ＣＦＡＮ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
　５ｉ０２．　Ｓｉ３　Ｈｍ、カーボンブラッり等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

木、発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣ
Ｎ）の含有される層領域（０ＯＮ）を設ける場合、該層
領域（ＯＣＸ）に含有される原子（０（：Ｎ）の分布濃
度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状５
（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　ｆ　Ｉｅ）を有する層領域（Ｏ
ＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には１分布濃
度Ｃを変化させるぺｓｊ［子（ＯＣＮ）導入用の出発物
質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成
される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＧＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐ七ｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、Ｗ千尋入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｌと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、　ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１゜Ｃｒ、　Ｎｏ、
　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に旧Ｃｒ、Ａ１．　
Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　１ｍ、　Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

１１１２０３　、５ｎ０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ２０Ｂ　＋
５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、旧Ｏｒ、　Ａｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ、
　Ｚｎ、旧、Ａｕ、　Ｃｒ。

）Ｉｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属のｓｉｓを真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが１例えば、第１０図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材として、可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機能的
強度の点から、好ましくは１０＝以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第３９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００８のガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９１１１１％、以下、５ｉ）１４と略す）ボンベ、２
００３はＧｅ）Ｉ４ガス（純度９１１．１１ｆ１９％、
以下ＧｅＨａと略す）ボンベ、　２００４はＮＯガス（
純度９Ｌ１１９１１％、以下ＮＯと略す）ボンベ、　２
００５はＨ２で稀釈された８２Ｈ，ガス（純度９９．９
９１１％、以下８２　Ｈ６／　Ｈ２と略す）ボンベ、２
００ＢはＨ２ガス（純度１１９．９９９％）ボンベであ
る。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２Ｇ１１１、流出バルブ２０
１７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０
次に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０４ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３．流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２０ｏ２より５ｉ）
１４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガス
ボｙへ２００４．１１：すＮＯＯ１２ガスボｙ＜２００
５ヨ’ｌ　８２　）Ｉｓ／　８２ガス、２００ＢよりＨ
２ガスをバルブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２
５．２０２Ｂを開イテ出口圧ゲージ２０２７゜２０２８
、２０２９．２０３０．２０３１の圧をｌにｇ／ｃｔｎ
’に調整し、流入バルブ２０１２．２０１３．２０１４
．２Ｇ１５，２０１８ヲ徐々に開けて、マスプロコント
ローラ２００？。

２００８．２００９．２０１０．２０１１内に夫々流入
させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８，２
Ｇ１１１．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２．
２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に
流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ４ガス
流景、■ガス流量の比が所望の値になるように流出バル
ブ２０１７．２０１８．２０１１１゜２０２０．２０２
１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所望の値
になるように真空計２０３６の読みを見ながらメインバ
ルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２０３７
の温度が加熱ヒーター２０３８により５０−４００℃の
範囲の温度に設定されていることを確認した後、電源２
０４０を所望の電力に設定して反応室２００１内にグロ
ー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率
曲線に従って、ＧｅＨ４ガスの流量を手動あるいは外部
駆動モータ等の方法によってバルブ２０１８．２０２０
の開口を暫時変化させる操作を行って形成される層中に
含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の暦（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の暦（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２のＦ！ｌ　（Ｓ）の各層
には、流出バルブ２０１８あるいは２０２０を適宜開閉
することで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、
含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだ
け酸素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る
。また、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素
原子を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯ
ガスを例えばＮＨ，ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて
１層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成な行なえばよい、Ｆ！）形成を行っている間は層形
成の均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３８
により一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の層（Ｓ）上に反射防止機能を待つ表面層
を堆積させるために、例えば２００８の水素（Ｈ２）ガ
スボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、堆
積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一面
に張る。その後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成した
ものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロ
ー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして、所
望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、方支盤で第１ａ表に示す条件で第２８
図に示す様な表面性に加工シタ、　　（Ｎ４２０１〜２
［１４）次に、ｗＳ１表に示す条件で、第３９図の膜堆
積装置を使用し、所定の操作手順に従つてａ　−８ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。　　（Ｎｏ２０１〜
なお、第１暦ｒｙ）　ａ−８ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　
ＯＭは。

Ｇ＠−および５ｊＨ４の流量を第３０図のようになるよ
うマスフロコントローラー２００７．２００８及び２０
１Ｇをコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。また。

表面層は、第３８図の装置のカソード電極上に本例では
Ｚｒ（１２を一面に張り、第１層およびｔｓ２層形成時
に使用したＨ２ガスをＡｒガスに取りかえた後、装置内
を約５　Ｘ　１０’　ｔｏｏｒの真空とし、次いでＡｒ
ガスを導入して高周波電力を３００Ｗとしてグロー放電
を起し、カソード電極上のＺｒＯ２をスパッタリングす
ることによって形成した。以下の実施例においても、表
面層形成材料を変える以外は、本例と同様にして表面層
の形成を行った。

このようにして作製した光受容部材の第１層と第２Ｍの
層厚を測定したところ第２表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装Ｗ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった。

実施例２ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８Ｇ＋＋＋ｍ）を、ｉｔ盤で第１ｂ表に示す条件で第
２９図に示す様な表面性に加工し、第１表に示す条件で
、第１層のａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０Ｆｆｔを形成する
際、　ＧｅＨａおよびＳｉＨ４の流量を第３１図のよう
になるように、　Ｇｅ−およ（／５ｉ）Ｉ４のマスフロ
コントローラー２００８及１／２００７をコンピュータ
ー（ＨｐＨ８４５Ｂ）により制御した以外は実施例１と
同様に第３９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従って
ａ　−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。（試料
Ｎｏ３０１〜３０４）このようにして作製した光受容部
材の第１層と第２層の層厚を測定したところ第３表の結
果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ａｍ、スポット
径ｓｏｇ）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３ 実施例１に於て使用したＮｏガスをＭＷ、ガスに変えた
以外は実施例１と同様の条件と手順に従っ゛　　　てａ
−３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ４０１〜４０４） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８Ｇ＋＋■、スポッ
ト径ＳＯ，）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例４ 実施例１に於て使用したＮｏガスをＣ）１４ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−９＋
茶系電子写真光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ５０１〜５０４　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｊｌ（レーザー光の波長７８０！１組スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった・ 実施例５ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍ５）を、姥盤で第１ａ表に示す条件で第２９図に示
す様な表面性に加工し１表面層の材質をＴｉＯ２とした
第４表に示す条件で１行う以外は、実施例１と同様にし
て、第３９図の膜堆積装置で耳々の操作手順に従っての
ａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎ
ｏｆ１０１−８０４　） なお、第１層のａ−８ｉｄｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ暦を
形成する際、　Ｇｌ！Ｈ４およびＳ＋Ｈ４の流量を第３
２図のようになるように、　ＧｅＨｓおよびＳｉＨ４の
マスフロコントローラー２００８および２００７をコン
ピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）によりＮ制御した。

このようにして作製した光受容部材の第１ｆｉと第２Ｗ
Ｊの層厚を測定したところ第５表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４Ｖ４に示
す画像露光装Ｒ（レーザー光の波長７８０ｎｉ＋、スポ
ット径Ｂｏｇ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、）を盤で第１ｂ表に示す条件で第２９
図に示す様な表面性に加工し、表面層の材質を〒ｉ０２
とした第４表に示す条件で、行う以外は、実施例１と同
様にして、第３９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってのａ−８＋系電子写真用光受容部材を作製した。（
試料Ｎｏ７０１〜７０４） なお、第１９ｃｙ）　ａ−８ｉｄｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　
Ｎ層は。

Ｇｅ）１４および５ｉ）Ｌ、の流量を第３３図のように
なるようニ、ＧｅＨ４およヒ５ｉｌ（４のマスフロコン
トローラー２００８および２００７をコンピュータ（Ｍ
Ｐ９８４５Ｂ）より制御した。

このようにして作製した光受容部材の第１層と第２層の
層厚を測定したところ第６表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｍ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例７ 実施例５に於て使用したＮＨ，ガスをＮｏガスに変えた
以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ８０１〜８Ｇ４　） 以りの電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置２（レーザー光の波長７８０ｎ層、スポッ
ト径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例８ 実施例５に於て使用したＮＨ，ガスをＣＨａガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５Ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

（試料）ｉｏ９０１〜９０４　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８ｈａ。

スポット径ａｏＪＩａ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例９ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７＋ｎ、径（ｒ　）
　８０ａｍ）を、孜襲で第１α表に示す条件で第２９図
に示す様な表面性に加工し、表面層の材質をＣｅＯ２と
した第７表に示す条件で１行う以外は、実施例１と同様
にして、第３８図の膜堆ｌＩｉ？ｃＷ１で種々の操作手
順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１ＯＯ１〜１００４　） なお、　Ｉ’ＧＩＭｙ）ａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：
　Ｃ層は、Ｇｅ−および５ｉｎ４の流量を第３０図のよ
うになるように、　ＧｅＨ４およびＳｉ＆のマスプロコ
ントローラー２００８および２００？をコンピュータ（
ＩＰ９８４５Ｂ）により制御した。

また、　０Ｍ４ガスのＧｌ！Ｈ４ガスと５ｉ）１４ガス
との和に対する流量比を＠３５図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１Ｍと第２１！
の層厚を測定したところ第８表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０！ＩＩ＋。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１０ 実施例９に於て使用したＣ）１４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１ｌＯ１−１１０４） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｓ、スポー２
ト径８０牌）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１１ 実施例９に於て使用したＣ）＋４ガスをＮＯ３ガスに変
えた以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１２０１−１２０４　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０＋ＪＩ。

スポット径ａｏｇ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１２ Ｍ支持体（長さくＬ）３５７１１ｍ、径（ｒ　）　８０
ｍｍ）を、ｔｌ盤で第１ａ表に示す条件で第２９図に示
す様な表面性に加工し、表面層の材質をｚｎＳとした第
９表に示す条件で、行う以外は実施例１と同様にして第
３８図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真用
光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１３０１Ｎ１３０４　） なお、第１層ｆ）　ａ　−５ｉＧｅ　：　Ｈ：　Ｂ　：
　ＯＮは。

ＧｅＨ４およびＳｉＨ，の流量を第３２図のようになる
ように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ，のヤスフロコントロー
ラー２００８および２００７をコンピュータ（）ＩＰ９
８４５Ｂ）により制御した。

また、ＮＯガスのＧｅＨ４ガスとＳｉ）＋４ガスとの和
に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に従って変
化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１Ｍ！と第２暦
の層厚を測定したところ第１Ｏ表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装２（レーザー光の波＆７８０ｎｍ。

スポフ、ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像
、°転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１３ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍｍ）を、穂盤で第１ａ表に示す条件で第２９図に示
す様な表面性に加工し、表面層の材質をＺｎＳとした第
１１表に示す条件で１行う以外は実施例１と同様にして
第３３図の堆Ｍ装置で種々の操作手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１４０１＃１４Ｇ４　） なお、第１層（Ｆ）＆−３ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ
層は。

Ｇｅ１４および５ｉ）１４の流量を第３３図のようにな
るように、Ｇｅ＆お、）：ヒ５ｉ）Ｉ４のマスフロコン
トローラー２００８および２００７をコンピュータ（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

また、　　Ｎ）＋３ガスのＧｅ）Ｉ４ガスとＳｉＨ，＋
ガスとの和に対する流量比を第３７図に示す変化率曲線
に従って変化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１層と第２層の
ＷＪ！Ｘを測定□したところ第１２表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置！（レーーザー光の波長７８０！ＩＩＩ。

スポット径８０−）で画ＩＲ露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様はａ測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、チェ盤で第１ａ表に示す条件でｔＪｓ
２９図に示す様な表面性に加工し、表面層の材質をＺｎ
Ｓとした第１３表に示す条件で１行う以外は実施例１と
同様にして第３９図の堆積装置で種々の操作手順に従っ
て電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１５０１〜１５０４　） なお、第１層のａ−９ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、ＧｅＨ
，およびＳｉＨ４の流量を第３１図のようになるようニ
、ＧｅＨ４おヨｔＪＳ＋Ｈｓのマスフロコントローラー
２００８および２００７をコンピュータ（ＩｐＨ８４５
Ｂ）により制御した。

また、　ＣＨ４ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ，ガスとの
和に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に従って
変化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１層と第２層の
層厚を測定したところ第１４表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置ＩＣレーザー光の波長７８０１■。

スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＢ２Ｈ，ガスの代りにＨ２で
３０００マｏｌ　ＰＰ鵬に稀釈したＰＨ３ガスを使用し
て、電子写真用光受容部材を作製した。　（Ｎｏ１８０
１〜１８５Ｂ　）なお、他の作製条件は実施例１から実
施例１４までと同様にした。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置Ｉ（レーザー光の波長？８ｈｍ、スポー７
ト径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず、実用に十分
なものであった。

実施例ｔＳ 実施例１で用いたｉｌａ表のＢで示される支持体を用い
、表面層材質を第１５表に示す各種の材料とし１表面層
形成時間を２Ｊｌ（１つは実施例１と同じ、もう１つは
実施例のほぼ２倍）採用する以外は、実施例１と同様の
条件と手順に従ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を
作成した（試料、６２７０１〜２７２２）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光装！（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料、ａ２７０１〜２７２２のいずれか
の画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった・ ［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に１本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転時の斑点
の現出を同時にしかも完全に解消することができ、しか
も表面における光反射を低減し、入射光を効率よく利用
できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の先受°容部材の場合の散乱光による干
渉縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（＾）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）　、（Ｃ）は、光受容部材の各層
の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度の比較の説明図である。 ｔＪＳＢ図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞
が現われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図から第１８図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図から第２８図は１層領域（００％）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説、明するための説明図であ
る。 第２’ａ図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説
明図である。 第３０図から第３３図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。 第３４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第３５図から第３８図までは、夫々本発明の実施例にお
（″するガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 第３９図は実施例で用いた光受容層の堆Ｍ装置の説明図
である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層！００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２８０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２８０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２８０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・霧光装置の平面図２８０Ｂ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第！図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 （Ａ）ｃ８） （Ｃ） 第７ｖＡ 第８図 、Ｉ （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 □Ｃ 第２０図 第２１図 第２２図 第２３図 第２４図 第２５図 第２６図 第２７図 □Ｃ 第２８図 第３０図 第３２図 第３４図 乃′人流量↓乙 第３５図 力゛入５九量よし 第３７図 カ′入二先量Ｅし 第３８図

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、反射防
   止機能を有する表面層とが支持体側より順に設けられた
   多層構成の光受容層を有しており、前記第１の層及び前
   記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が
   含有され、かつ前記第１の層中に於けるゲルマニウム原
   子の分布状態が層厚方向に不均一でありと共に、前記光
   受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択
   される少なくとも一種を含有し、かつシヨートレンジ内
   に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層
   厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列して
   いる事を特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
   一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
13. （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
    螺旋構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
    容部材。
14. （１４）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請請求
    の範囲第１３項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
    材。
16. （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
    項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材
20. （２０）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
21. （２１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項及び同第２０項に記載の光受容部材。
22. （２２）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。
23. （２３）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
    。