JPS61110151A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光・（ここでは広義の光で紫外線、可視光線
、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性
のある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー
光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関
する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走・査することにより静電潜像を形成し、
次いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処
理を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は８５０〜８２０ｎ■の発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−ＳｉＪ　と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

烈乍ら、光受容層を単層構成のａ　　Ｓｒ！とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る１０ＱΩｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１Ｅｌ１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−９ｉ系先光受容材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに一以上の暦ｎ 厚差で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数１反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋’
）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１ｏｏｏ。

人の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボ
ン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける
方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アル
ミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、
サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

５乍ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、Ｗ４１の方法は支持体表面を特定の大、きざの凹
凸が多数設けられただけである為、確かに光散乱効果に
よる干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱と
しては依然として正反射光成分が残存している為に、該
正反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支
持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが
生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Ｓｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を儂減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に１例えば入射光■。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■１　となる、
透過光１．は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って１反射光Ｒ
，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１暦
４０２での表面での反射光Ｒ２ｒ第２層での反射光Ｒ１
ｒ支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同−ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄ＋　”　（ｍ＋ｙ２）入が成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ＋　、ｄ２．ｄａ、ｄａの夫々の差のλ 中の最大が一以上である様な層厚の不均一性がｎ あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全′に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る所規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導
電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含
む非晶質材料からなる表面層とが前記支持体側よりこの
順に設けられた多層構成の光受容層とを有しており、前
記ｔｓ１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を
支配する物質が含有されると共に、前記光受容層は、酸
素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なく
とも一種を含有することを複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層はｗ４６図の一部
に拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄｓ
からｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界
面６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この
微小部分（ショートレンジ）ｔに入射した可干渉性光は
該微小部分！に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１暦７０１と第２層７０２の界
面７０３とｗ４２層７０２の自由表面７０４とが非平行
であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対す
る反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
　（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微２一部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２暦８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７”ｐｄｅ）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２暦まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＯに対
して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ。

Ｒ４＋Ｒ５が存在する。その九番々の暦で第７図を似っ
て前記に説明したことが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には回答支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、 入 （ｎ：第２層８０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分！の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する暦は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされて
も差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数項す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を有する支持体におていは、支持体上に形成
されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言うも
のとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ暦は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、、ａ−５ｉ層の層品質の低下を招来しない様に
支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定す
る必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した暦堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００−〜０
．３鱗、より好ましくは２００−〜１μ、最適には５０
．〜５μｓであるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０，１鱗〜５μｓ
、より好ましくは０．３μ〜３μ、最適には０．６μｓ
〜２騨とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッ
チと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線上
突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、
より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｕ〜２−１より好ましくは０．１鱗〜　１．５μｓ
、最適には０．２鱗〜１μｓとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の屑とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とシリコン原子と炭素原子と
を含む非晶質材料からなる第３の層とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっており、優れた電気的、光
学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を
示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料からなる表面
層には、機械的耐久性に対する保護層としての働き、お
よび、光学的には、反射防止層としての働きを主に荷わ
せることが出来る。

上記表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち、表面層の屈折率ｎ、暦層厚ｄ、入射光の波長を入
とすると、 入 ｄ＝− ｎ の時、又は、その奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。

又、＠２の層の屈折率をｎ、とした場合、表面層の屈折
率ｎが、 ｎ＝屓 す時、表面層は１反射防止層として最適である。

ａ−Ｓｉ：Ｈを第２の暦として用いる場合、ａ−９ｉ：
Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層としては、
屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−ＳｉＣ：Ｈは、Ｃの量を調整することにより、この
ような値の屈折率とすることが出来、かつ、機械的耐久
性、層間の密着性、及び電気的特性も十分に満足させる
ことが出来るので１表面層の材料としては最適なもので
ある。

また表面層を、反射防止層としての役割に重点を置く場
合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２ＩＩＪ１
とされるのがより望ましい。

以下、図面に従って１本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１Ｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を宥し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及び／１０ゲン原
子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ
）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒ　ａ−Ｓ
ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性
を有する第２の層（Ｓ）　１００３と、シリコン原子と
炭素原子とを含む非晶質材料からなる表面Ｈｔｏｏｅと
が順に積層された層構造を有する。

第１Ｏ図に示される光受容部材１００４においては、第
２の層１００３上に形成される表面層１００Ｂは、自由
表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的
耐圧性１機械的耐久性、光受容特性において、本発明の
目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層１００Ｅｉは、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と炭素原子（Ｇ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後、’　ａ−（Ｓｔ、　ＣＩ　＋ｌＸ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ
）　＋−ｙ　Ｊと記す、但し、０＜　ｘ、　　ｙ＜　１
）で構成される。

ａ−（ＳｔｘＣ＋　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙで
構成される表面層１００６の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法（ｐｃｖｏ法）、あルイハ光ＣｖＤ法
、熱ＣＶＯ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造
するための作製条件の制御が比較的容易である。シリコ
ン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する表
面５１００Ｇ中に導入するのが容易に行える等の利点か
ら、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適に採用
される。

更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１００６形成し
てもよい。

グロー放電法によって表面層１００Ｂを形成するには、
ａ−（ＳｔＸＣ，ｉｇ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し
、導入されたガスをグロー放電を生起させることにより
ガスプラズマ化して、前記支持体に既に形成されである
第１から第２の層上にａ−（ＳｉＸＣ１−９）、（Ｈ，
Ｘ）、アを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ，−１１）ｙ　（）
１．　Ｘ）　Ｉ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコ
ン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及び
ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原
子として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、　ＣおよびＨの３つを構成原子とする原料
ガス又はＳｉ、　ＣおよびＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて１表面層１００Ｂ中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、α、Ｂｒ、　Ｉ
であり、殊にＦ、αが望ましいものである。

本発明に於いて、表面層１００６を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて１表面層１００６形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｔとＨとを構成原子とする
５ｉ）１．．５ｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈｇ　、　Ｓｉ、Ｈ１
゜等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素原子数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハ
ロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハ
ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げることがで
きる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＯＨ，）
、”−’ｌ　７　（Ｃ２Ｈ４）　、プロパ７（Ｃ３Ｈ［
１）、ｎ−ブタ７　（ｎ−ｃ４１（１０）　、ペンタン
ＣＣ５Ｈ１２）　、エチレン系炭化水素としては、エチ
レン（Ｃ２Ｈ４）　、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン
−１（Ｃａ）ｉｇ　）　、ブテン−２ＣＣａｇ　）　、
インブチレンＣＣ＊Ｈａ　）　、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ
　）　、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（
Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（
０４Ｈ６）　、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素のハロゲンガス、／Ｘロゲン化水素として
は、Ｆｌ（、ＨＩ、　　Ｈα、）ＩＢｒ　、　ハロゲン
間化合物としては、　ＢｒＦ　、αＦ、αＦ３、αＦ５
、ＢｒＦ５゜ＢｒＦ３、ＩＦ７．　　ＩＦＳ、　　Ｉα
、ＩＢｒ　、ハロゲン化硅素としてはＳｉＦ、、Ｓｉ２
Ｆ６　、　Ｓｉα３Ｂｒ、Ｓｉα２Ｂ　ｒ２．５ｉＣ１
Ｂｒ３　、　Ｓｉα３１ＳｉＢｒ４．　ハロゲン置換水
素化硅素としては、ＳｉＨ２Ｆ２．　！１ｉｉＨ２α２
．．　　ＳｉＨα３、ＳｉＨ３α、５ｉＨ３Ｂｒ、　５
ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３水素化硅素としては、Ｓ
ｉＨ４，５ｉ２ＨＢ　、　５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１゜等
のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類１等々を挙げることができ
る。

これ等の他ニ、ＣＦｓ、Ｃα４．　ＣＢｒ、、ＣＨＦ３
、ＣＨ２Ｆ２　、　ＣＨｓＦ　、　ＣＨ３ＣＡ　、ＣＨ
３Ｂｒ　、　ＣＨｓｌ、　Ｃ２Ｈ５α等のハロゲン置換
パラフィン系炭化水素、ＳＦ、、ＳＦ＋、等の７−、素
化硫黄化合物；５ｉ（（Ｈ３）ａ、５ｉ（Ｃ２Ｈ５）ａ
等のケイ化アルキルやＳｉＣ（ＣＨ３）３、Ｓｉα２（
ＣＨ３）　２　、　ＳｉＣ，ｃ　Ｈ，等のハロゲン含有
ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることができる。

これ等の表面ａ１００Ｂ形成物質は、形成される表面層
１００Ｂ中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有される
様に、表面層１００６の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得る５
ｉ（ＣＨｓ）＊と、ハロゲン原子を含有させ６　モ（７
）　トＬ　テｆ）　５ｉＨＣ１ｓ　、　５ｉＨｚＣ！ｚ
　、　５ｉＣ１ａ或いは、ＳｉＯ２Ｃ等を所定の混合比
にしてガス状態で表面層１００８形成用の装置内に導入
してグロー放電を生起させることによってａ−（ＳｉＸ
０１−、　）ｙ　（Ｃｌ　＋　Ｈ）１−７から成る表面
層１００８を形成することができる。

スパッタリング法によって表面層１００６を形成するに
は、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハ
ーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水素原、子又は／及び
ハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリング
することによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原
料ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で
示した表面層１００Ｂ形成用の物質がスパッタリング法
の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面１）１００Ｂをグロー放電法又は
スパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂・希ガス、例えばＨｅ、　Ｍｅ、Ａ「等が
好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００Ｂは、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶から７モルファ長までの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｔ
ＸＣ，＋、ｔ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）１−ｙが形成される様に
、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される０
例えば、表面層１００８を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設ける場合には、ａ−（ＳｌｘＣ＋−ｘ）ｙ（
Ｈ，Ｘ）ｔ−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面！　１００８が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を宥する非晶質材料としてａ−
（Ｓｔ、　ｃｌ　−１１）ｙ　（）１．　Ｘ）　ｒ−ｙ
が作成される。第２の暦１００３の表面上にａ−（Ｓｉ
ＸＣ。

−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙから成る表面層１００
８を形成する際、層形成中の支持体種度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子の一つであって
、本発明においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓ
ｉｘ　ｃｌ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙが所望通
りに作成され得る様に暦作成時の支持体温度が厳密に制
御されるのが望ましい。

本発明に於ける。所望の目的が効果的に達成されるため
の表面！　１００Ｂの形成法に併せて適宜最適′範囲が
選択されて、表面層１００６の形成が実行されるが、好
ましくは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、
最適には１ｏｏ〜３００’Ｏとされるのが望ましいもの
である０表面層１００６の形成には、屑を構成する原子
の組成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易で
ある事等のために、グロー放電法やスパッタリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成性で表面Ｍ１００
Ｇを形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形
成の際の放電パワーが作成されるａ−（ＳｌｘＣ＋−ｘ
）ｙ（）１．Ｘ）＋−ｙ　（’）特性を左右する重要な
因子の一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（ＳｉＸｃｌ−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−
ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条
件としては、好ましくはｌＯ〜ｉｏｏｏｗ、より好適に
は２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるの
が望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜Ｉ　
Ｔｏｒｒ、好適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては表面層１００６を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の暦作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ
−（ＪｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）＋−ｙから成る表面
層１００Ｂが形成されるように相互的有機的関連性に基
づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが望
ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００Ｂに含有され
る炭素原子の量は、表面層１００Ｂの作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００Ｂが形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００Ｂに含有される炭素原子の
量は、表面層１００８を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ，−）ｌ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　＋−ｙで示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（
以後、ｒ　ａ−９ｉ＠Ｃ１−Ｉ　Ｊと記す、但し、Ｏ＜
ａ＜１）、　シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、　　ｒ　ａ−（Ｓｉｂ　ｃ
ｌ　−ｂ　）ａ　Ｈｔ　−ａ　Ｊと記す、但し、Ｏ＜　
ｂ、　ｃ　＜　１）　、シリコン原子と炭素原子とハロ
ゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質
材料（以後　ｒ６−（ＳｉｉＣｔ−ｉ）＊（Ｈ，ＸＬ−
ｅ　Ｊと記す、但し、Ｏ＜ｄ、ｅ＜１）に分類される。

本発明に於いて、表面Ｊｉｊ　１００８がａ−ＳｉｌＣ
Ｉ−１テ構成される場合、表面ｆｉ　１００Ｂに含有さ
れる炭素原子の量は、好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０’　〜
９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏ■ｉ
ｃ％、最適にはｌＯ〜７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましいものである。即ち、先のａ−９ｉ＠ＣＩ−、の
龜の表示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．９９９
９９．より好適には０．２〜０．８９、最適には０．２
５〜０．８である。

一方、本発明に於いて、表面ｙｆ！１００Ｂがａ−（Ｓ
ｔ、Ｃ１−ｂ　）ｅ　Ｈ＋−０で構成される場合、表面
ｆｉ　１００Ｂに含有される炭素原子の量は、好ましく
はｌＸｌ０−３〜９０ａｔｏ腸ｉｃ％とされ、より好ま
しくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａ
ｔａｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原
子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ
％、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には
５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲に水素含有量がある場合に形成される光受容部材
は、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得る
。

即ち、先のＩｎ−Ｃ９１ｈ　Ｃｔ　−ｂ　）ｅＨ＋−ｅ
の表示で行えば。

ｂが好ましくは０．１〜０．９９９９９、より好適には
０．１〜Ｏ，ａａ、最適には０．１５〜０．９、Ｃが好
ましくは０．８　ＮＯ，９＋１、より好適には０，６５
〜０．８Ｂ、最適には０．７〜０．８５であるのが望ま
しい。

表面層１００Ｂが、ａ−（Ｓｉ、Ｃｔ−ｉ）＊（Ｈ，Ｘ
）ｓ−ｍで構成される場合には、表面層１００Ｂ中に含
有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、　ｌ
Ｘｌ０’〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜１３
０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔ口層ｉｃ％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏ鵬ｉｃ％と
されるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有
量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充分適
用させ得るものである。必要に応じて含有される水素原
子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以
下、より好適には１３ａｔｏ層ｉｃ％以下とされるのが
望ましいものである。

即ち、先のａ−（Ｓｌ、Ｃ＋−ｉ）。（Ｈ，Ｘ）＋−ｅ
のｄ、　ｅ　ｃ７）表示で行えば、ｄが好ましくは、０
．１〜０．９９９９９より好適には０．１〜０．９９、
最適には０．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０
．９８、より好適には０．８２〜０．９Ｊ、最適には０
．８５〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００６の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々９層に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０牌、より好適には０．００４〜２
０騨、最適には０．００５〜ｌＯ−とされるのが望まし
いものである。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の！　（Ｇ）　１００２又は／及び第２のｊ！）　（
Ｓ）１００３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有さ
れており、該物質（Ｃ）が含有される暦に所望の伝導特
性が与えられている。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）　１００２又は／及
び第２のＦ！）　（Ｓ）　１００３に含有される伝導特
性を支配する物質（Ｃ）は、物質ＣＣ）が含有される層
の全層領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（
Ｃ）が含有される屑の一部の層領域に偏在する様に含有
されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
暦（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい、殊に、第１の暦（Ｇ）の支持
体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設けられ
る場合には、該層領域（ＰＭ）中に含有される前記物質
（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選択す
ることによって支持体から第２の暦（Ｓ）中への特定の
極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の暦（Ｇ）中に、前記したように該７！　（Ｇ）の全
域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させ
るのが好ましいものであるが、更には、第１の暦（Ｇ）
に加えて第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２の暦（Ｓ）
中にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層（Ｇ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の暦（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層Ｃ
５’）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良
い、偏在させる場合には、第２のＪＷ　（Ｓ）の第１の
層（Ｇ）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、こ
の場合には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適
宜選択することで支持体側から第２の暦（Ｓ）への特定
の極性の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の暦（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜状められる。

本発明に於いては、第２の暦（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１のＭｌ　（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の暦（Ｇ
）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、
第２の暦（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されてい
る層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい
。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１のＦ！Ｆ　（Ｇ）と第２のｙｅ（
Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても良く、又、
その含有量は各層に於いて、同じでも異っていても良い
。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１のｌ
　（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特
性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有
させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成するＳｔ
の暦（Ｇ）又は／及び第２の７！）　（Ｓ）の中に、伝
導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、
該物質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の暦ＣＧ）又は
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−９
ｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対
して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐＨ不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、Ａ７！（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、ＴＩ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触　　　　”界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１＃　５　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、　より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０
３ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物ｊｊ　（Ｃ）の含有
量を、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よ
り好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には
　ｔｏｏ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによっ
て、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物
の場合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を
受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を
効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質
（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受
容層中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る
。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　Ｎ）
に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性と
は別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する
伝導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる
実際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良い
ものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、ｅ領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、　　ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　、
より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　
、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋＊と
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有す・る層領域とを
直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して５空
乏層を設けることが出来る。

第１の暦（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１のｊｉＪ（Ｇ）　１００２の層厚方向及
び支持体の表面と平行な面内方向に連続的であって。

且つ均一な分布状態となゐ様に前記第１のＦｔ　（Ｇ）
１００２中に含有される。

本発明に於いては、第１のＦ）　（Ｇ）上に設けられる
ｗ４２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有され
ておらず、この様ｔＦ！Ｆｔに光受容層を形成すること
によって、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的
短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れてい
る光受容部材として得るものである。

又、第１のＪ！！　（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので、半導体レーザ等を使用した場合の、第
２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止することが
出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の暦（Ｇ）と
第２の暦（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５・ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
より好ましくは１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
−とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１のＲ（Ｇ）の層厚Ｔｌは、好まし
くは３０Ａ〜５０終、より好ましくは、４０Ａ〜４０島
、最適には、５０Ａ〜３０にとされるのが望ましい。

又、第２のＲ（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜８
０ル、より好ましくは１〜８０ＩＬ最適には２〜５０ル
とされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）の層厚丁、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁θ十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（τａ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜ｌｏ。

ル、より好適には１〜８０ＩＬ、最適には２〜５０＃Ｌ
とされるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚Ｔｌ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、／
Ｔ≦１なるｒＡ４Ｊｋを満足する際に、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚丁目及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｉ／Ｔ≦０．８．最適には
Ｔｉ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ
８及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである
。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏ１０５ａｔ
ｏ以上の場合には、第１のＦｔ１（Ｇ）の層厚Ｔ８とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ＩＬ以下、より好ましくは２５ＩＬ以下、最適には２０
勝以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の暦（Ｇ）及
び第２の暦（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の暦（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によって、ａ−！ＪｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）　テ構成される第１の屑（Ｇ）を形成するには、基
本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇａ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
含有−されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）
から成る暦を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｔとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリン
グ用の堆゛　積置に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ｉＲ４、Ｓｉ２８　Ｇ　。

５ｉ３ＨＢ　、　Ｓｉ、Ｈ，。等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｔ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，！９ｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇａ２Ｈ６、Ｇａ３Ｈ６、ＧｅａＨｔｏ　、　Ｇｅ
５Ｈ１ｚ　ｔＧｅ６Ｈ１４＊　Ｇａ７Ｈ１６１Ｇｅ６Ｈ
ｔｅ　ｌ　ＧｅｇＨ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得
る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効
率の良さ等の点で、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ６
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３．ＢｒＦ５゜ＢｒＦ３　
、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、Ｉα、　ＩＢｒ等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。

／ζロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα、　、　５ｉＢｒ
、等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇ’ｅ供給用の原料ガスと共にＳｌを供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−９ｉＧｅ
から成る第１の暦（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ、
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈｚ、Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にしてＭｌのＲ
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独槽のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−９ｉ（ｉｓ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の
暦（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場
合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲッ
トの二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使
用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタ
リングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレ
クトロンど一ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う事が出来る。

この際、スパー２タリング法、イオンブレーティング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰ｒＭ９Ｌを形成してやれば良いものである
。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈｚ、ｊｉいは前記したシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ
２Ｉ２　。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＣｆｆｉ３　、５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３　、　ＧｅＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ、’Ｇｅ
ＨＣｌ３　、　ＧｅＨ２α２　、　ＧｅＯ２０，ＧｅＨ
Ｂｒ３１ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨ３Ｂｒ、　Ｇ４！
旧３　、　ＧｅＨ２１２、ＧｅＨ３１等の水素化ハロゲ
ン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅα、　、　ＱｅＢｒ４　
、　Ｇｅ１４．　Ｇｌ！Ｆ２．　Ｇｅα２　＋　、Ｇ　
ｅ　Ｂ　ｒ　２　＊ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な
第１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他に馬、或いは５ｉ）１４．　Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、５ｉａＨｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為ノゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｔ１．　ＧｅＪＨ
ｌｏ　ｔ　Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６Ｈ１４＊　Ｇｅ７Ｈ１
＆　ｒ　Ｇｅ８Ｈ１８＊　Ｇｅ９Ｈ２０等の水素化ゲル
マニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化
合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の最の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくはＯ，０１〜４０
　ａｔｏｉｇｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
１２の暦（Ｓ）を形成するには、前記した第１の暦（Ｇ
）形成用の出発物質ＣＩ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の暦（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１のＦ！）　（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法
と条件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、　　ａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の暦（Ｓ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の暦′（Ｓ）を形成するには、基本的
には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｔ供
給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構
成されたターゲットをスパッタリングする際、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ前原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い、この様な第■族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい、その様な第■族原子導入用の
出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ
ＺＨ＆　＋ＢＪＩ　ｓ。、ａ、０９ＢＳＨＩＩ　、Ｂ６
Ｈ１０・Ｂ６Ｈ１２・Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、　Ｂ
Ｆ３ＢＣｌ３　、　ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、Ｍα３．ＧａＣノ３　、　Ｇａ　（
０１３）３１１ｎＣＡ３　、　ＴＣ４３等も挙げること
が出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として１本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ，Ｉ　、　ＰＦ３゜ＰＦ５
　、　ＰＣｊｔ　３　、　ＰＧＡ１　、　ＰＢｒ３．　
ＰＢｒ３．　ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。こ
の他、　ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣ１３、ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３，Ｓ
ｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５ｂＣｊ３　、　５ｂＣ７５、Ｓ
ｉＨ３，５ｉＣ１３、Ｂ１Ｂｒ３等もｗ４ｖ族原子導入
用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、醜素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣ＊）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（００％）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＧＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（０（Ｊ）中に含有される原子（ＯＣに）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、Ｊり領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（００％）の含有量の上限は、前記の値より充
分小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０ＯＮ）の層厚↑０が光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（００％）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
には１０ａｔｏｓｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、歩な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的何が示される
。

第１１図乃至第１８図において、横軸は原子（ｏｃＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＱＣ）ｌ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、１丁は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）は１．側より１．側に向って層形成がなさ
れる。

ＷＩＪ１１図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原
子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第
１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔ８より１８の位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＱＣ：Ｎ
）に含有され、位！ｔ＋よりは濃度ゐより界面位置ｔ１
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
□においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と
される。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｑ
Ｃ：Ｎ）の分布濃度Ｃは位置１．よりＬＴに至るまで濃
度Ｃ０から徐々に連続的に減少して位置ｔ、において濃
度らとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置１．より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、位
置し２と位置１丁との間において、徐々に連続的に減少
され、位置１丁において１分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第１４図の場合には、原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは
位ｆｆ１ｔｓより位Ｊｉｂに至るまで、濃度Ｃ８より連
続的に徐々に減少され、位’Ｉｌｔ丁において、実質的
に零とされている。

第１５図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位ｔｔａと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位！ＩＬＴにおいては濃度ＣＩＯとされる０
位置ｔ３と位置１丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
．より位置し４までは濃度ＣＯの一定値を取り、位置ｔ
４より位置１．までは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３までは
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示すｉにおいては、位置ｔ８より位置ＬＴに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔ８より位！ｔｓに至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ、より０１
６までの一次関数的に減少され１位置し５と位置し工と
の間においては、濃度ＣＩＧの一定値とされた例が示さ
れている。

第１９図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置１．においては濃度ＣＩ７であり、位
置し６に至るまではこの濃度Ｃａｔより初めは緩やかに
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置し６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置し７
で濃度ｃｐ９となり、位置ｔ７と位置し８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
Ｃ２ｏに至る０位置ｔ８と位置ｔ□の間においては濃度
ＣＺＯより実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以北、第１１図乃至第１９図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＱＣ；Ｎ）の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発
明においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ＬＴ側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間ｃ６”ｌ、着性をより一層向上させることが出
来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１１図乃至第１９図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位１ｉｋＢより５牌以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置Ｌ
Ｂより５ル厚までの全領域（１−ｒ　）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（０（：Ｎ）
の層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ
（７）最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏ＋ｗ
−ｉｃ　ＰＰ８以上、より好適には８００ａｔｏ厘ｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１０００ａｔｏ腸ｉｃ　ｐｐ■
以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（０１１１：Ｎ）の含有
される層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５鉢
以内（Ｌａから５ル厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値
Ｃ■ａＸが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（０ＯＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（００％
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が暦接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第１１図乃至第１４図、第１７図及
び第１９図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（０ＯＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（０１１１：Ｎ）を
構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）　、四二酸化
窒素（Ｎ２０ａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸化
窒素　　　　′（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸
素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例
えばジシロキサン（Ｎ３５ｉＯＳｉＨ３）、トリシクロ
キサン（Ｎ３ＳｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シク
ロキサン、メタン（ＣＨ４）　、　工’）　ｙ　（Ｃ２
Ｈ４）　、プロパ７（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ
ａＨｔｏ）　、ペンタン（Ｃ５ＨＩ２）等の炭素数１〜
５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン
（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（（：ａ　Ｈｓ　）、ブテン
−２（ＣａＨｓ）　、イソブチレン（ＣｓＨ＠）、ペン
テン（ＣｓＨ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ
３Ｈ４）、ブチン（Ｃｍ　Ｈｓ　）等の炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎ
）１３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素
（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三
弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙げ
ることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可爺な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｎ、、カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＸ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分′ｌｒＪ
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　１ｌｅ）を有する層領域（Ｏ
ＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃
度Ｃを変化させるべき原子（００％）導入用の出発物質
のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適
宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成さ
れる。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（００％）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　１ｌａ）を形成するには
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。第二にはスパッタリング用のタ
ーゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたター
ゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合
比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａ
ｕ、　Ｎｂ、丁ａ、Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金
属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の暦が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、ＡＩ、
Ｃｒ、Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、
　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２．　Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設け
ることによって導電性が付与され、或いはポリエステル
フィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　
Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃ
ｒ、Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、↑ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐ
ｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として、可撓性が要
求される場合には、支持体としてのｍｔｉ：が充分発揮
される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、
この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機能的強度
の点から、好ましくは１０ｇ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｉＨｎガス（純度９’
８．８”８９％、以下、Ｓｉ）＋４と略す）ボンベ、２
００３はＧｅＨ４ガス（純度９９−９９９％、以下Ｇｅ
Ｈ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９．
１１１１３１３％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５
は＋２で稀釈された８２Ｈ６ガス（純度１３９．Ｈ９％
、以下Ｂ２　Ｈｓ　／　＋２と略す）ボンベ、２００８
は＋２ガス（純度９８．９９θ％）ボンベである。

これらのガスを反応室２ＱＱ１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次
に真空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１０４ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バル
ブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容部を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｉ）
１４ガス、ガスポンベ２０ｏ３よりＧｅＨ４ガス、ガス
′ポンへ２００４ヨリＮＯガス、ガスポンへ２０ｏ５ヨ
リＢ２Ｈ６／　Ｈｚガス、２００８より＋２ガスをバル
ブ２０２２．２ｏ２３１．２０２４．２０２５．２０２
６を開イテ出口圧ゲージ２ｏ２７．２０２８、２０２９
．２０３０．２０３１（Ｆ）圧をＩ　Ｋｇ／ｃゴに調整
し、流入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１
５．２０１Ｅｉヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ
２００７．２００８．２００９．２０１０．２０１１内
に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１？、２
０１８．２０１３．２０２０．２０２１、補助バルブ２
０３２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２
００１に流入させる。このときのＳｉ−ガス流量Ｇｅ）
［４ガス流量、ＮＯガス流量の比が所望の値になるよう
に流出バルブ２０１７．２０１８．２０１３．２０２０
．２０２１を調整し、また１反応室２００１内の圧力が
所望の値になるように真空計２０３８の読みを見ながら
メインバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体
２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後
、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１
内にグロー放電を生起させる。

と記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の暦（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１のＦ！！（Ｇ）が形成された段階に於−Ｃ
１流出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応
じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従っ
て所望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）
上にゲルマニウム原子の実質的に含有さ終ない第２の暦
（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の暦（Ｇ）及び第２のＦ！’　（Ｓ）の各層
には、流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉
することで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、
含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだ
け酸素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る
。また、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素
原子を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯ
ガスを例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて
、層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成を行なえばよい、層形成を行っている間は層形成の
均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３８によ
り一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、上記第２のＪｉ！　（Ｓ）を形成後、例えば２
００Ｂの水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（ＣＨ４）ガ
スボンベに取り換え、マスフローコントローラー２００
７と２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な条
件と手順に従って所望時間グロー放電を維持することで
、ｗ４２の！　（Ｓ）上にシリコン原子と炭素原子から
主に形成される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
をスパッタリングで形成する場合には、例えば２００６
の水素（Ｈ７）ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボン
ベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソード電極上に例
えばＳｉからなるスパッタリング用ターゲットとグラフ
ァイトからなるスパッタリング用ターゲットを、所望の
面積比になるように一面に張る。その後、装置内に第２
のＦ！’　（Ｓ）まで形成したものを設置し、減圧した
後アルゴンガスを導入し、グロー放電を生起させ表面層
材料をスパッタリングして、所望層厚に表面層を形成す
る。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■〕を旋盤で第２１図（Ｂ）に示すような表面性に
加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ−９ｉ系電子写真用光
受容部材を作製した。また、シリコン原子と炭素原子と
から主に形成される表面層の堆積は、次のように行なわ
れた。

すなわち、第２層の堆積後、第１表に示したように、Ｃ
Ｈ４ガス流最流量ｉｔ（、ガスの流量に対する流量比が
Ｓ　１）（ａ　／　ＣＨａ　＝　１　／　３０となるよ
うに、これらのガスの各々に対応するマスフロコントロ
ーラーを設定し、高周波電力を３ｏｏｗとしてグロー放
電を生じさせることにより、表面層の形成を行なった。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
１図（Ｃ）に示すようであった。この場合、Ｍ支持体の
中央部と両端部とでの平均層厚の層厚差は、２騨であっ
た。

以上の電子写真用光受容部材について、第２４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった。

実施例２ 次に、第２表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材を作成した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例３ 第３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て８２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−
３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｍｍ、スポット径８０−）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）の表面を、第２１図（Ｂ）、第２２図及び
第２３図に示すような表面性に３種類旋盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　−Ｓｉ系電子写真用光受容部
材を作製した。なお１表面層は実施例１と同様にして形
成した。

これらの電子写真用光受容部材について、第２４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それ　　　゛を現像
、転写して画像を得た。得られた画像は、そのいずれに
も干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例５ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍ＋ｇ、径（ｒ　）　
８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）、第２２図及び第２３図
に示すような表面性に３種類旋盤で加工した。

次に、第５表に示す条件で行なう以外は実施例４と同様
にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っ
てａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０騨）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には、その
いずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例６ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｔｓ）を、第２１図（Ｂ）、第２２図及び第２３図に
示すような表面性に３種類旋盤で加工した。

次に、第６表に示す条件で行なう以外は実施例４と同様
にして、第２０ｒｌ！Ｊの膜堆積装置で種々の操作手順
に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置ｉ（レーザー光の波長７
８０ｎ厘、スポ−／　ト径８０μ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には
、そのいずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例７ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｓ＋ｍ、径（ｒ　）　
８０ａ＋ｇ＋）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第７表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０１ｇの膜堆積装置で
種々の操作手順に従ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部
材を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＣＨ４ガスの５ｉ）１
４ガスに対する流量比を、第２５図のようになるように
、ＯＨ４ガスのマスフロコントローラー２００９をコン
ピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光全行ない、
それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例８ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、ｗＩＪ２１図（Ｂ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第８表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材
を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＮＯガスのＧｅｌ。

ガスとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２６図に
示すようになるようにＮＯガスのマスフロコントローラ
ー２００３をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ　）により
制御してこれを形成した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ層、ス
ポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例９ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７５ｍ、径（ｒ　）　８
０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性に旋盤
で加工した。

次に、この支持体を用いて第９表に示す条件で行なう以
外は実施例１と同様にして、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＮＨ３ガスのＧｅＨ４
ガスとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２７図に
示すようになるようにＮＨ３ガスのマス７０コ　　　　
　゛ントローラー２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４
５Ｂ　）により制御して第１ｙｆｊを形成した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７ＢＯｎ＋＊、
　　スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様
は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例１Ｏ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性に
旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第１０表に示す条件で行なう
以外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
。

なお、ｃＨａガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスとの和
に対する流量比は、第２８図に示すようになるようにＣ
Ｈ４ガスのマスフロコントローラー２００９をコンピュ
ータ（ＨＰ９８４５Ｂ　）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装Ｎ（レーザー光の波長７８０ｎ■、ス
ポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１１ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｔｓ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第１１表に示す条件で行なう
以外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
。

なお、ＮＯガスのＧｅ）（４ガスとＳｉ）＋４ガスとの
和に対する流量比を第２８図のようになるように、ＮＯ
ガスのマスフロコントローラー２００８をコンピュータ
（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観
察されず、実用に十分なものであったφ 実施例１２ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｔｓ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、ｗ４２１図（Ｂ）に示したような表面
性に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第１２表に示す条件で行なう
以外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
。

なお、ＮＨ３ガスのＧｌ！）１４ガスとＳｉＨ４ガスと
の和に対する流量比を第３０図のようになるように、Ｎ
Ｈ３ガスのマスフロコントローラー２００９をコンピュ
ータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０牌）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１３ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第１３表に示す条件で行なう
以外は、実施例１と同様にしてｗＩＪ２０図の堆積装置
で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製
した。

このようにして作製した光受容部材について。

第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０
ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない。

それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には干
渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった― 実施例１４ Ｍ支持体〔長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍ５）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性に旋
盤で加工した。

次に、この支持体を用い第１４表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について。

第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長１Ｂ０
ｎｍ、スギ−２ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞
模様は観察されず、実用に十分なものであった・ 実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＢ２Ｈ６ガスの代わりにＨ２
で３０００マｏｆ　ｐｐｍに稀釈したＰ）＋３ガスを使
用して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の製作条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装ｆｆ１（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径８０μ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。得られた画像のいず
れにも干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例ＩＢ 第２１図（Ｂ）に示すような表面性に、その表面を旋盤
で加工したＭ支持体〔長さくＬ）　３５７ＷＩＩ　、径
（ｒ）８０ｍｍ）を用い、表面層形成時に於ける５ｉ）
１４ガスとＣＨａガスの流量比を第１５表に示すように
それぞれ変化させて、表面層の形成を行なう以外は。

実施例１と同様の条件と手順に従って、ａ　−Ｓｉ系電
子写真用光受容部材を作製した（試料遂２７０１〜２７
０８）　。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｍｍ、スポット径８０μ）で画像露光し、作像、現像
、転写、クリーニングの一連の工程を５万回繰り返した
後、画像評価を行なったところ、８１５表に示したよう
な結果が得られた。

実施例１７ 第２１図（Ｂ）に示すような表面性に、その表面を旋盤
で加工したＭ支持体〔長さくＬ）　３５７ｍｍ　、径（
ｒ）８０ｍｍ）を用い、表面層形成時に於ける原料ガス
を５ｉ）Ｌ４ガス、ＣＨ４及びＳｉＦ４とし、これらガ
スのの流量比を第１８表に示すようにそれぞれ変化させ
て１表面層の形成を行なう以外は、実施例１Ｂと同様の
条件と手順に従って、ａ　−９ｉ系電子写真用光受容部
材を作製した（試料＃１ｉ２８０１〜２８０８）　。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、ｗ４２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７
８１ｎｍ、スポット径８０μ）で画像露光し、作像、現
像、転写、クリーニングの一連の工程を５万回繰り返し
た後、画像評価を行なったところ、第１６表に示したよ
うな結果が得られた。

実施例１８ 第２１図（Ｂ）に示すような表面性に、その表面を旋盤
で加工したＭ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、
径（ｒ）８０腸冒〕を用い、表面層を以下のようにＳｉ
ターゲットとＣターゲットとの面積比を第１７表に示す
ようにそれぞれ変化させる以外は、実施例１と同様の条
件と手順に従って、ａ　−Ｓｉ系電子写真用光受容部材
を作製した（試料、ｉｌｔ　２９０１〜２９０８）。

すなわち、まず第２層の形成後、該層まで形成した支持
体を第２０図の堆積装置内から取り出し、該装置の水素
（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに交
換してから装置内を清掃した後、カソード電極上にＳｉ
からなる厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットとグ
ラファイトからなる厚さ５１層のスパッタリング用ター
ゲットを、その面積比がそれぞれ第１７表に示したよう
になるように一面に張った。その後、装置内に第２暦ま
で形成した支持体を設置し、減圧した後、アルゴンガス
を装置内に導入し、高周波電力を３００　Ｗとしてグロ
ー放電を生起させ、カソード電極上の表面層形成用材料
を、支持体上の第２Ｆ！＆上に更にスパッタリングする
ことにより所定の混合比のシリコン原子と炭素原子とか
らなる表面層をそれぞれ形成した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装ｆｆ１（レーザー光の波長
７Ｂ０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光し１作像、
現像、転写、クリーニングの一連の工程を５万回繰り返
した後、画像評価を行なったところ、８８１７表に示し
たような結果が得られた。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優
れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

ｗ４１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１８図は、それぞれ層領域（ＯＣＮ）中
の原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明
図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１ｅｌ　（Ａ）　、ＣＢ）　、第２２図及ヒ第２３
ｒ！！Ｊｔｔ、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説
明図であり、第２１図（Ｃ）は実施例に於いて形成した
光受容層の表面状態を示した図である。 ＠２４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 ９２５図から第３０図はそれぞれ実施例におけるガス流
量の変化率曲線を示すものある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の暦１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の暦１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面１００８・・・・・・・・
・・・・・・・・・・表面層２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 （Ａｌ　　　　　　　　　　、８゜ 第８図 □Ｃ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 □Ｃ 第１９図 （２ｍ） 第２１図 ＋ＪＪｍ） 第２２図 （）１ｍｌ 第２３図 第２４図 力″入５丸量工乙 第２５７ カ°ス洗童范 第２６図 πス；に量↓Ｌ 第２７図 力″ステ先登よＬ ｊス５え量よし

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の
   層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料から
   なる表面層とが前記支持体側よりこの順に設けられた多
   層構成の光受容層とを有しており、前記第１の層及び第
   ２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有
   されると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、
   窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含有する
   ことを特徴とする光受容部材。
2. （２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
   て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に均一で
   ある特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
3. （３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
   て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に不均一
   である特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
4. （４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
7. （７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
8. （８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容部
   材。
9. （９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記凸部は、機械的加工によって形成されたも
    のである特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
11. （１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
12. （１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項又は同第１１項に記載の光受容部材。
13. （１３）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。
14. （１４）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
    。