JPS60208763A

JPS60208763A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS60208763A
Application number: JP59066586A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-04-02
Filing date: 1984-04-02
Publication date: 1985-10-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では。

レーザーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーある
いは半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光
波長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く１社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−９ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

百年ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２ΩＣ■以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度□を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる暦を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、Ａ−８ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある暦に入
射した光ＩＱと上部界面１０２で反射した反射光Ｉ１１
．下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、Ｊ４折率をｎ、光の波長を入として
、ある層の層厚がなだらかに□以上ｎの層厚差で不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ
＝ｍ入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２　ｎ　ｄ　
＝（ｍ”　２　）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の
条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量およ
び透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的＠影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜士ｘｏｏｏｏＸの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体
表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５
７−１６５５４号公報）等が提案されている。

百年ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイｉ・処理程度では、完全吸
収は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。

又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−Ｓｉ層を形
成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光
受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−９
ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によ
るその後のＡ−８ｉ層の形成に悪影響を与えること等の
不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に１例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ、に２．に３　・中となり、
残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出射
光Ｒ３となって外部に出て行く。従って１反射光Ｒ１と
干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄｌ　＝　（ｍ＋３４）　入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄ１．ｄ２．ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大が一
以上である様ｎな層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に蒐した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く電子写真特性に優れた光受容部材を提供するこ
とでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンがｇ明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層を有する光受容部材に於いて、前記第１の層及び前
記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が
含有され且つ前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が層厚方向に不均一であると共に前記光受容
層が酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される
原子の少なくとも一種を含有し、且つショートレンジ内
に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が、
層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し
ている事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、　、該光受容層は第６図の一
部に拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ
５からｄＢと連続的に変化している為に、界面６０３と
界面６０４とは互いに傾向きを有している。従って、こ
の微小部分（ショートレンジ）文に入射した可干渉性光
は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様
を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ、）に示す様に入射光ＩＯに対す
る反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
　（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｃｔ７＼ｃｉＢ）でも同様に云える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ
　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＱ　に
対して、反射光Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在す
る。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ１（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部公
文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄＢ　）は、照射光の波長
をλとすると、ｄ５−ｃｉ６≧　□ ｎ（ｎ：第２層６０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした鎖線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の鎖線
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線構造
とされても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ　−３ｉ層は１層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて暦品質は大きく変化する。

従って、Ａ−９ｉ光受容層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。−また、ブレードクリーニン
グを行う場合、ブレードのいたみが早くなるという問題
がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００＃Ｌｍ
−０，３ｇｍ、　より好ましくは２００１Ｌｍ　〜ｌｐ
ｍ、最適ニハ５０μｍ〜５．ｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３１Ｌｍ〜３　μｍ、最適には０
．６ｇｍ　〜２ＩＬｍとされるのが望ましい、支持体表
面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、
四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは
１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には
４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１μｍ〜２　ｇ　ｍ　、より好ましくは０　、１　ｇｍ
　−１’、　５　ｐＬｍ、最適には０　、２　ＪＬｍ　
−１ｐｍとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっており、前記第１の層中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となって
いるため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており、高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ、解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
、光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と必要に応じて、水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ　（Ｈ
，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）１０
０２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−５ｔ（以後、ｒａ−３ｔ　（Ｈ
２Ｘ）と略記する」で構成され、光導電性を有する第２
の層（Ｓ）１００３とが順に積層された層構造を有する
。

ゲルマニウム原子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚
方向及び支持体１００１の表面と平行な面内方向に連続
的均一に分布した状態となる様に前記第１のＦ（Ｇ）１
００２中に含有される。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少（Ｃ）が含
有されており、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝
導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有
される層の一部の層領域に偏在する様に含有されても良
い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（Ｐ　Ｎ）は。

第１の層（Ｇ）の端部層領域として設けられるのが望ま
しい。殊に、第１の層（Ｇ）の支持体側の端部層領域と
して前記層領域（Ｐ　Ｎ）が設けられる場合には、該層
領域（Ｐ　Ｎ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及
びその含有量を所望に応じて適宜選択することによって
支持体から第２の層（Ｓ）中への特定の極性の電荷の注
入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層ＣＧ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）に加
えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）中に
も前記物質（Ｃ）を含有させても良質（Ｃ）は、第１の
層ＣＧ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）のみ含有さ
れる。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
。偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層（Ｇ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適ことが
出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の！　
（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を
含有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

百年ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の
伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来るも
のであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　ニ対して
、″ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性
を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

（硼素）、ＡＩＣアルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）　
、　Ｉ’ｎ　（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｂ。

Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、　Ｓｂ
　（アンチ−ｒ−ン）、１３ｉ（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５ＸＩＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適
には０．５〜ｌＸｌ０　ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｍ、最適に
は、１〜５ＸｌＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望
ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５０ａｔ’ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００
１００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば
該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に
支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的に阻
止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前
記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極
性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中への
正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には。

層領域（ＰＮ）に含有される伝導特性を支配する物質の
伝導型の極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）を含有させても良いし、或いは、同極性の
伝導型を有する伝導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ
）に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含
有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜ｌｏｏＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好
適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適には
０．１−２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとされるのが望
ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所λ１７ｐ−ｎ接合を形成して、
空乏層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体１００１の設けられである側と
、は反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）の
方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状
態となる様に前記第１の層ＣＧ）１００２中に含有され
る。

本発明の光受容部材においては、ｔ）’ｒｒ　ｔの層（
Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層
厚方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体
の表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるの
が望ましいものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長化
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於ける親和性
に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於いてゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすることによ
り、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層（’Ｓ
）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層（Ｇ
）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、支持
体面からの反射による干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分４ｊ状態の典型的例が示される。尚、各図に
於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各
々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示して
おりこれらの図は模式的なものと理解されたい。

実際の分布としては、本発明の目的が達成される可く、
所望される分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ
≦８）又はＣｉ　（１≦ｉ≦１７）の値を選ぶか、或い
は分布カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべき
である。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔ７は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の
（ｆｊを取り乍らゲルマニウム原子が、形成される第１
の層（Ｇ）に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界
面位置ｔ７に至るまで徐々に連続的に減少されている。

界面位置ｔ７においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は実質的に零とされる（ここで実質的に零とは検出限界
量未満の場合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔ７におい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔ７との間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔ７に至るまで。

濃度Ｃ６より初め連続的に徐々に減少され１位ｉｔ　ｔ
　３よりは急速に連続的に減少されて、位置ｔ７におい
て実質的に零とされている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位Ｍｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔ７に於ては分布濃度Ｃは零とされ
る０位置ｔ４と位置ｔ７との間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置ｔ７に至るまで減少されてい
る。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔ７までは濃度Ｃ８より濃度ＣＩＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ７に
至まで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１ｌ
より実質的に零に至る様に一次関数的に連続して減少し
零に至っている。

第１８図においては１位置ｔＢより位置ｔ６に至までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは。

濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３ま〒−一次関数的減少され、
位置ｔ６と位１１ｔ７との間においては、濃度Ｃ１３の
一定°偵とされた例が示されて１１〜る。

第１９図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位
置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくり
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１θとなり、位置ｔ８と位置ｔ８との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１？に至る
。位置計〇と位置ｔ７との間においては、濃度ＣＩ７よ
り実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側におｌ、１て、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの
高（１部分を有し、界面ｔ７側においては、前記分布濃
度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を有する
ゲルマニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けら
れているのが望まししＸ６本発明における光受容部材を
構成する第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持
体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５＃Ｌ以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５ｐ厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜法められる。

局在領域＜Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍ　ａ　ｘがシリコン原子に対して、好ま
しくは１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上、より好適に
は５０００ａｔｏｍｉｃ　ｐＰｍ以上、最適にはｌＸ１
０４　ａｔ　ｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層ＣＧ）は、支持体側からの層厚で５Ｗ以内（
ｔＢから５ル厚の層領域に分布濃度の最大値Ｃｍ　ａ　
ｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、
より好適には５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には５
〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中Ｉ含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ１０５　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より
好ましくは１００〜８Ｘ１０５　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、
最適には５００〜７Ｘ１０５　ａｔ　ｏｎｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０Ａ〜５０ｐＬ、より好ましくは、４０人〜４０
終、最適には、５０人〜３０用とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０＃Ｌ、より好ましくは１〜８０＃Ｌ最適には２〜５０
戸とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ　Ｂ　＋　Ｔ）としては、両層領域に要求される
特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機
的関連性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従
って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋’Ｔ）
の数値範囲としては、好ましくは１〜ｔｏｏｐＬ、より
好適には１〜８０ｐＬ、最適には２〜５０８Ｌとされる
のが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ　／Ｔ≦１
なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値
が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは、ＴＢ　／Ｔ≦０．９．最適に
はＴＢ　／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ
Ｂ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に金石されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌＸ１ｌＸ１０５ａｔｏ　ｐｐｍ
以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては、
可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ｐＬ以
下、より好ましくは２５ル以下、最適には２ｏＪＬ以下
とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ
、Ｘ）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、Ｆ：、堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表
面上に含有されるゲルマニウム原子の分布農産を所望の
変化率曲線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）から成る層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをヘースとした混合ガスの雰囲気中
でＳｔで構成されたターゲットとＧｅで構成されたター
ゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合された
ターゲットを使用してスパッタリングする際、必要に応
じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば
良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ
　、５ｉ４）（ＩＱ等のガス状態の又ガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率
の良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉ２ＨＢ　、が好ましいも
のとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　。

Ｇｅ４　ＨＨ）、Ｇｅ５　Ｈ１２，Ｇｅ６　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７Ｈ１ｉＧｅ８．Ｈ１８，Ｇ１１ｌ　Ｈ２０等のカス
状ｆｆ、　（ｙ）又はガス化し得る水素化ゲルマニウム
がイｊ効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、
ＧｅＨ４、Ｇｅ２　Ｈ（３、Ｇｅ３　ＨＢが好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

Ｃ文Ｆ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７　、ＩＣ１，ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げ
ることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　ＦＢ　。

５４０文４．ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げる事が出来る。

この様ハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロー
放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成する
場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅから
成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料カス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のカスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ッテａ−ｓ　ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）がら成る第１の
層（Ｇ　）を形成するには、例えばスパッタリング法の
場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲ
ットの二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを
使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッ
タリングし、イオンブレーティング法の場合には、例え
ば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸
着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸拓させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記の／＼ロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記された／＼ロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

Ｈ０文、Ｈｌｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素。

ＳｉＨ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ文２゜５ｉＨ
ＣＩ１３．５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン
置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＨ２Ｆ２　、Ｇ
ｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣ見３゜ＧｅＨ２Ｃ１２、ＧｅＨ３Ｃ
ＪＩ、ＧｅＨＢ　ｒ３゜ＧｅＨ２Ｂ　ｒ２　、ＧｅＨ３
Ｂｒ、ＧｅＨＩ３　。

ＧｅＨ２Ｉ２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４．ＧｅＣ文４゜ＧｅＢｒ４　、Ｇｅ　Ｉ
４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣ１２゜ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ
２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或い
はガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出
発物質ととして挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／＼ロゲン化物は、
第１の層（Ｇ）形成の際に層中に／＼ロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適な／
＼ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
ＨＢ　、５ｔ４Ｈ１０等の水素化硅素をＧｅを供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
ＧｅＨ４゜Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４　Ｈ
ｏｇ、Ｇｅ５ＨＩ２・Ｇｅｆｉ　Ｈ１４，Ｇｅ７　Ｈｌ
ｌｌｌ、Ｇｅ８　１（ｔｓ−Ｇｅ５ＨＩ２等の水素化ゲ
ルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン
化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には０　、Ｔｈｌ　〜２５ａｔ　ｏｍｉ　
ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御す、Ｓには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例え
ば、グロー放電法によってａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２のＭ　（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ　Ｓ　ｉ（Ｈ＋　Ｘ　）からなる層
を形成させれば良いゆ又、スパッタリング法で形成する
場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に
導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を
形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発
物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆
積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に導
入してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物
質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出
発物質として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２
　Ｈｅ　、　Ｂ４　）（ｔｏ・Ｂ５　Ｂ９　・Ｂ５Ｈ１
１・Ｂｉｔ　ＨＩｏ、　１３ｅ　Ｂ１２．　Ｂｅ　ＨＩ
４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣＪ１３．ＢＢ　ｒ３等
のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡＭＣ交３
．ＧａＣ交３゜Ｇａ　（ＣＨ３）３．Ｉ　ｎｃＭ３．Ｔ
Ｃ１３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐。

ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦ５　、ＰＣ文３．Ｐ　Ｃ立
５　。

ＰＢ　ｒ３．ＰＢ　ｒ５　、ＰＩ３等（７）ハｔｆｆゲ
ン化燐が挙げられる。この他、Ａ　ｓ　Ｂ３．Ａ　ｓ　
Ｆ３．Ａ　ｓ　Ｃ文３゜Ａ　ｓ　Ｂ　ｒ３．Ａ　ｓ　Ｆ
５．Ｓ　ｂＨ３，Ｓ　ｂＦ３．Ｓ　ｂ　Ｆ５゜ｓｂｃ交
３．ＳｂＣ交５．Ｓ　ｉ　Ｂ３．Ｓ　ｉ　ＣＬ；Ｌ３゜
Ｂ　ｉ　Ｂ　ｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一あるいは不均一な分布状態で含有され
る。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は
、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、
光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在さ
せても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は・光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、故地の層領域の特性や、故地の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量は、形成される光受容部材に要求される
特性に応じて所望に従って適宜法められるが、好ましく
はＱ　、　Ｑ　Ｑ　ｌ　〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、より
好ましくは、Ｏ−００２〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適に
はＯ、ＯＯ３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ’）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａ　ｔ　
ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、最適にはｌ’Ｏａｔｏｍｉｃ％以下とされる
のが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させ、第２の層中には、窒素原子を含有させ
たり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒素原
子とを共存させる形で含有させても良い。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなさ
れる。

第２０図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置ｔｌよりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ７
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
Ｔにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と
される。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位置ｔ’−１−に至
るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに
おいて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔ−１−との間において、徐々に連続的に
減少され１位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔ７において、実質的に零とされ
ている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＴＢと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置ｔ−１−においては濃度ｃｔｏ、”れる
。位置ｔ３と位置ｔ７との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度ＣＩ３まで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２６図に示す例においては、位置ＴＢより位置ｔ−１
−に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１
４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第２７図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よりＣ１
ｆｉまで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴと
の間においては、濃度Ｃ１Ｂの一定値とされた例が示さ
れている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位置ｔＢにおいては濃度Ｃ１７であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、ｔＢの位置付近においては、急激に減少され
て位置計６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置Ｅ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃｔａとなり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置計８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔ７の間においては
。

濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾〈つかを説明した様に、本発
明においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃至第２８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５川以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５１Ｌ厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又１Ｍ領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍ　ａ　Ｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上。

最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち１本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ル以内（
ｔＢから５舊厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２６図及
び第２８図に示される分布状！Ｅとなるように、原子（
ＯＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望まし
い。

本発明に於て、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有された
層領域（ＣＯＮ）を設けるには、光受容層の形成の際に
原子（ＣＯＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層形
成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にその
量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、、オゾン（０３）、
−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０’３）、四三酸
化窒素（Ｎ２０４）。

三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三二酸化窒素（ＮＯ３）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
　１Ｏ５ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ　ｉｔｓ　
１Ｈ２０ｓ　１Ｈ３）等の低級シロキサン、メタン（Ｃ
Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３ＨＢ）、
ｎ−ブタ７　（ｎ　−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタｙ（Ｃ５Ｈ
１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）、プ奢ロピレン（Ｃ：３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）。

ブテン−２（ｃ４ＨＢ）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテ７（Ｃ５ＨＩＱ）等ノ炭素ａ２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ５）等
の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）
、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）
、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３゜アジ化アンモニウム（Ｈ
Ｈ４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４
Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質として、
５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４゜カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｔ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状１（ｄ
ｅｐｆｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を
形成する場合には、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変
化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される
。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫昨変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉ　Ｉｅ）を形成する場
合には、第一には、グロー放電法による場合と同様に、
原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該カスを堆
積質中へ導入する際のカス流量を所望に従って適宜変化
させることによって成される。第二にはスパッタリング
用のターゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合され
たターゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２と
の混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化さ
せておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシー１−　、ガラス、セラミック、紙等が通常使
用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
外の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、Ａｉ。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表
面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理し
て、その表面に導電性が付与される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所
望によって、その形状は決定されるが、例えｉｆ、第１
Ｏ図の光受容部材１００４を電子写真用光受容部材とし
て使用するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又１士円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定さ
れるが、光受容部材として可撓性が要求される場合には
、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば
可能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持体の
製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましく
は１Ｏル以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２９０２〜２９０６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例としてたとえば２９０２は、ＳｉＨ４ガス（純度
９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２９０３はＧｅＨ４ガス
（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４と略す）ボンベ、
２９０４はＨｅガス（純度９９．９９％、以下Ｎｏと略
す）ボンベ、２９０５はＢ２で稀釈されたＢ２　Ｈｅガ
ス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２　Ｈｅ　／Ｈ２と略
す。）ボンベ、２９０６はＢ２ガス（純度９９．９９９
％）ボンベである。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６の、＜ルブ２９２２〜２９２６
、リークバルブ２９３５か閉じられていることを確認し
、又、流入／ヘルプ２９１２〜２９１６、流出バルブ２
９１７〜２つ２１、補助バルブ２９３２．２９３３が開
かれていることを確認して、先ずメインノヘルブ２９３
４を開いて反応室２９０１、及び各カス配管内を排気す
る。次に真空計２９３６の読みが約５Ｘ１０−８ｔｏｒ
ｒになった時点で補助／ヘルプ２９３２，２９３３、流
出バルブ２９１７〜２９２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２９３７上番と光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ２９０２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスポンベ２９０３よりＧｅＨ４ガス、ガス
ボンベ２９０４よりＮｏガス、ガスポンベ２９０５．ｌ
：すＢ２　Ｈｅ／Ｈ２ガス、ガスポンベ２９ｏ６よりＨ
２ガスをバルブ２９２２，２９２３，２９２４，２９２
５．２９２６を開いて出口圧ゲージ２９２７゜２９２８
．２９２９．２９３０．２９３１（７）圧を１Ｋｇ７ｃ
ｍ２に調整し、流入バルブ２９１２．２９１３，２９１
４，２９１５．２９１６を徐々に開けて、マスフロコン
トローラ２９０７．２９０８，２９０９，２９１０．２
９１１内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２９
１７．２９１８，２９１９，２９２０，２９２１、補助
バルブ２９３２．２９３３を徐々に開いて夫々のガスを
反応室２９０１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス
流量、ＧｅＨ４ガス流量、ＮＯガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ
２ガス流量、Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように
流出バルブ２９１７，２９１８，２９１９，２９２０．
２９２１を調整し、また反応室２９０１内の圧力が所望
の値になるように真空計２９３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ２９３４の開口を調整する。そして、基体２９
３７の温度が加熱ヒーター２９３８により５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後、
電源２９４０を所望の電力に設定して反応室２９０１内
にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された
変化率曲線に従ってＧ　ｅ　Ｈ４ガスの流量を手動ある
いは外郡駆動モーター等の方法によってバルブ２９１８
の開口を漸次変化させる操作を行って形成される層中に
含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロ放電を維持して、所望層厚
に、基体２９３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所望
層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出バ
ルブ２９１８を完全に閉じること及び必要に応じて放電
条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望時
間グロー放電を維持することで、第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子が実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

又、第１の層（Ｓ）及び第２の層（Ｇ）の各層ニハ、流
出バルブ２ｏ２ｏを適宜開閉することで硼素を含有させ
たおり、含有させなかったり、或いは、各層の一部の層
領域にだけ硼素を含有させることも出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
２９３７はモーター２９３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深　さ）に示すように旋盤で加工した（Ｎｏ、２０１〜
２０４）。

次に、第１表に示す条件で、第２９図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってのａ−５ｉ電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

２０１〜２０４）。

なお、第１層ｃ７）ａ−５ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、Ｇ
　ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第３１図のようにな
るように、Ｇ　ｅ　Ｈ４および５ｉ１（４のマスフロコ
ントローラー２９０８および２９ｏ７をコンピュータ（
ＨＰ９８４５Ｂ）より制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

Ｎｏ、２０１〜２０４試料のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２Ａｉ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第３表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深　さ）に示すように旋盤で加工した（試料Ｎｏ
、３０１〜３ｏ４）。

次に、第１表に示す条件で、第２９図の１１９堆積装置
で種々の操作手順に従ってａ−Ｓｉ電子写真用光受容部
材を作製した（試料Ｎｏ、３０１〜３０４）。

なお、第１層のａ−５ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、Ｇ　ｅ
　Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第３２図のようになるよ
うに、Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳ　ｉＨ４のマスフロコント
ローラー２００８および２００７をコンピュータ（ＨＰ
９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０弘ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

Ｎｏ、３０１〜３０４のいずれの画像にも干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例３実施例１に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変えた
以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
電子写真用光受部材を作製した。（試料Ｎｏ　、４０１
〜４０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ　、４０１〜４０４のいずれの画像にも干渉縞
模様は観測されず、実用に十分なものであった。

スに変えた以外は実施例１と同様の条件と手順に従って
ａ−３ｔ系電子写真用光受部材を作製した。（試料ＮＯ
，５０１〜５０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎｍ　、ス
ポット径８０　ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

試料ＮＯ，５０１〜５０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例５Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第５表に示す条件で、第３０１ｆｆｌ（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深　さ）に示すように旋盤で加工した（試料Ｎｏ
、６０１〜６０４）。

次に、第４表に示す条件で、第２９図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってのａ−３ｔ電子写真用光受容部材
を作製した（試ネ４Ｎｏ。

６０１〜６０４）。

■ なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：金層は、Ｇ　ｅ
　Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第３３図のようになるよ
うに、Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４のマスフロコントロ
ーラー２００８および２００７’ｅコンピユータ（ＨＰ
９８４５Ｂ）Ｋより１ｊＪ　ＩＩした。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ＩＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、６０１〜６０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例６ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第６表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深　さ）に示すように旋盤で加工した（試料Ｎｏ
、７０１〜７０４）。

次に、第４表に示す条件で、第２９図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってのａ−３ｔ電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

７０１〜７０４）。

なお、第１層ｃ７）ａ−３ｉＧｅ＋Ｈ：Ｂ：８層は、Ｇ
　ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第３４図のようにな
るように、Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳ　ｉ　Ｈ４のマスフロ
コントローラー２００８お、ｌｌ：び２００７をコンピ
ュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制街した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を＋１＋た。

試料Ｎｏ、７０１〜７０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例７実施例５に於て使用したＮＨ３ガスを８０番ガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５ｔ
系電子写真用光受部材を作製した。（試料Ｎ００８α１
〜８０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｕＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、８０１〜８０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例８実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ
系電子写真用光受部材を作製した。（試料Ｎｏ、９０１
〜９０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、９０１〜９０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第８表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深　さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第７表に示す条件で、第２９図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した（
試料Ｎｏ、１Ｏ０１−Ｚｏ。

４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：Ｃ層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ４の流量を第３１図のようになるように
、Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳ　ｉ　Ｈ４のマスフロコントロ
ーラー２００８および２００７をコンピュータ（ＨＰ９
８４５Ｂ）により制御スとの和に対する流量比を第３６
図に示す変化率曲線に従って変化させた。

このようにして作製した光受容部材の各層の層Ｈを電子
顕微鏡で測定したところ、第８表の結果を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１０実施例９に於て使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変えた
以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
電子写真用光受部材を作成した。（試料Ｎｏ　、ｌ　１
０１−１１０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０終ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ　、１１０１−１１０４のいずれの画像にも干
渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１１実施例９に於て使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ
系主電子写真用光受容材を作製した。（試料Ｎｏ、１２
０１−１２０４）。

試料ＮＯ，１２０１〜１２０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１２ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第ｉｏ表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深　さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第９表に示す条件で、第２９図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した（
試料Ｎｏ、１３０１−１３０４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ４の流量を第３３回のようになるように
、ＧｅＨ４およびＳ＋Ｈ４のマスフロコントローラー２
００８および２００７をコンピュータ（ＨＰ、９８４５
Ｂ）により制御した。

また、ＮＯガスｔｙ）　Ｇ　ｅ　Ｈ４ガスとＳｉＨ４ガ
スとの和に対する流星比を第３７図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

実施例１３Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１２表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深　さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１１表に示す条件で、第２９図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、１４０１〜１４０４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：Ｎ層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ４の流量を第３４図のようになるように
、Ｇ　ｅ　Ｈ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラ
ー２００８おＪ：び２００７をコンピュータ（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

また、ＮＨ３ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスとの和
に対する流星比を第３８図に示す変化率曲線に従って変
化させた。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０＃Ｌｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

実施例１４Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第１４表に示す条件で、第３０図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ＝深　さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１３表に示す条件で、第２９図の堆積装置で種
々の操作手順に従っての電子写真用光受容部材を作製し
た（試料Ｎｏ、１５０１〜１５０４）。

なお、第１層のａ　−Ｓ　ｉ　Ｇ　ｅ　：　Ｈ：　Ｂ　
：　０層は、ＧｅＨ４および５ｉＨ４ｃ７）流量を第３
２図のようになるように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマ
スフロコントローラー２００８おＪ−び２００７をコン
ピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

また、ＣＨ４ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４カスとの和
に対する流量比を第３９図に示す変化率曲線に従って変
化させた。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径ｇｏｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

実施例１５実施例１から実施例１４までについて、Ｂ２で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＢ２　Ｈ６ガスの代りにＢ２
で３０００ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＰＨ３ガスを使用
して、電子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、
１６０１〜１６５６）。

軸なお、弁の作製条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

これらの電子写真用光受容部材について、第３５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎｍ　、ス
ポット径８０＃Ｌｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず実用に十分な
ものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図、は夫々代表的な支持体の表面状態の説明図であ
る。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図から第２８図は、夫々層領域（ＯＣＮ）中の原
子（ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の説明図である。第２９図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置画の説
明図である。第３０図は、実施例で用いたＡｉ支持体の表面状態の説
明図である。第３１図から第３４図までは、実施例におけるカス流量
の変化を示す説明図である。第３５図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第３６図から第３９図は、夫々本発明の実施例に於ける
ガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａ又
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面３５０１・・・・・・・
・目・・・・・・・・電子写真用光受容部材３５０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー３
５０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ３５０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー３５０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図３５０６・・・・・・・・・・旧
・・・・・露光装置の側面図　。第３０第４００　Ｃ５Ｃ □Ｃ第？？霞Ｃ第３図第２７図遍？８目 υ カプット１ｔしカス淀量比手続補正書く自発）昭和６０年２月１４日昭和５９年　特許願　第　６６５８６　号２、発明の名
称光受容部材３、補正をする者事件との関係　特許出願人性　所　東京都大田区下丸子３−３０−２居所　ｅｒ３
１４６東京都大田区下丸子３−３０−２Ｓ、補正の対象、明細書牡補正の内容明細書の第１０５頁第１６表を別紙の通り補正する。

Claims

【特許請求の範囲】（１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
側より順に設けられた多層構成の光受容層とを有する光
受容部材に於いて、前記第１の層及び前記第２の層の少
なくとも一方に伝導性を支配する物質が含イ１され且つ
前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が
層厚方向に不均一であると共に、前記光受容層が、酸素
原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される原子の少
なくとも−・種を含有し、且つショートレンジ内に１対
以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向
と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列している事
を特徴とする光受容部材。（２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される原子の少なくとも一種を、層厚方向
には均一な分布状態で含有する特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。受（３）前記光。客層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される原子の少なくとも一種を層厚方向に
は不均一な分布状態で含有する特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。（４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。（５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。（Ｅり　前記ショートレンジが０．３〜５００Ｐである
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。（７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。（８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。（９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質に記載
の光受容部材。（１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質？的に直角三角形である特許請求の範囲第外項に記載の光
受容部材。（＋１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質！的に不等辺三角形である特許請求の範囲第称項に記載、
の光受容部材。（１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
項に記載の光受容部材。に記載の光受容部材。（１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於！いて区分されている特許請求の範囲第も項に記載の光受
容部材。（１８）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
体の中心軸に治っている特許請求の範囲第（１７）前記
凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５項に記載の光
受容部材。（１８）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
いる特許請求の範囲第を項に記載の光受容部材。（２０）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子か含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。（２１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれ部材
。（２２）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。（２３）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。