JPS6123156A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に−応じて転写、定着などの処
理を行ない、画像を記°録する方法がよく知られている
。中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザ
ーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で１例えば特開昭５４−８６
３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−３
ｉ」と略記する）から成る光受容部材が注目されている
。

面乍ら、光受容層を単層構成のａ−３ｔ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１Ｑ１２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳ｉに行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、　同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ−Ｓｉ系光受容部材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を佃せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
に−なるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が
減少してくるので前記の干渉現象は顕著である。゛ この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長な入厚差で不
均一であると、反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のどちらに合
うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化
を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは柵脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−３ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光ＩＯは、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ′Ｉとなり、残り
は、光受容Ｍ３０２の内部に進入して透過光Ｉｔとなる
。透過光量、は、支持体３０２の表面に於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋　Ｋ２　＋　Ｋ３　
・・・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり
、その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従っ
て、反射光Ｒ，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留
する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来
ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒し、ても、第
１層４０２の表面での反射光Ｒ２。

第２層での反射光ＲＩ＋支持体４ｏｆ面での正反射光Ｒ
３の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって
干渉縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材に
おいては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、
干渉縞を完全に防止することは不可能であった６ 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、目つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ　＝ｍ入ま
たは２ｎｄ＋＝（ｍ＋坏）入が成立ち、夫々明部または
暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ　
Ｉ　＊　ｄ’２　＋　ｄ３　＋　ｄ４の夫々入 の差の中の最大が一以上である様な層厚の不拘ｎ 一層があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様４の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える先
受、容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、支持体と：シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多層構
成の光受容層と：を有し、前記光需要層がショートレン
ジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面
が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列
【７、該非平行な界面が配列方向において各々なめらか
に連結していることを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において、装置の要求解像力よりも微小でなめら
かな凹凸形状を有する支持体（不図示）トに、その凹凸
の傾斜面に沿って多層構成の光受容層を有する。該光受
容層は第６図（Ａ）に拡大１、て示されるように、第２
層６０２の層厚ｄ、からｄ６と連続的に変化している為
に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有して
いる。

従って、この微小部分（ショートレンジ）文に入射した
可干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７Ｏ２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７゜４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄｏ）でも同様にいえる為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＯに対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する。

その九番々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方回へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の−・周
期分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌで
ある。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄｓ−ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、 ｄｓ−ｄ６≧２ｎ（ｎ’第２層６０２の屈折率）である
のか望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の僧小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が、 一ノ＝−（ｎ：層の屈折率） 　ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。　この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有す
る。この様な構造の一例を第９図に示す。第９図におい
てＬは支持体の長さであり。

ｒは支持体の直径であり、Ｐは螺旋ピッチであリ、Ｄは
溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、ａ旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
、入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−３ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積」−の問題点、電子写真法のプロセス−
１−の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した
結果、支持体表面の四部のピンチは、好ましくは５００
　ｇｍ−０、３ｐＬｍ、より好ましくは２００ｐＬｍ〜
１ｐＬｍ、最適には５０ｐｍ　〜５μｍであるのが望ま
しい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１７ｈｍ〜５ｐ
Ｌｍ、より好ましくは０．３ｇｍ〜３ｇｍ、最適には０
．６ｋｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。支持体表面の
四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、隣接
する凹部と凸部の各々の極小値点と極大値点とを結ぶ傾
斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、より好ましく
は３度〜１５度、最適には４度〜１０度とされるのが望
ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基く層厚差あ最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１ｇｍ〜２Ｂｍ、より好ましくは０　、　ｉ　ｐＬｍ”
ｌ　、　５ＩＬｍ、最適には０．２μｍ〜Ｉｇｍとされ
るのが望ましい。

本発明の光受容部材における光受容層はシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多
層構成となっているため、極めて優れた電気的、光学的
、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、丘つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が早い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第ｉｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第ｉｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有す
る。

光受容層１０００は、支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを含有し必要に応じて水素原子
及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む非晶質
材料（以後ｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する）
で構成された第１の層（Ｇ）１０．０２と必要に応じて
水素原子及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含
むａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記す
る）で構成され光導電性を有する第２の層（Ｓ）１００
３とが順に積層された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向及び支持体
の表面と平行な面内方向に連続的であって且つ均一な分
布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有
される。

本発明に於いては、第１の層ＣＧ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長化
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ、）
と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明においで、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜状められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ１０５　ａｔ。

ｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好ましくは１００〜８×１０５
ａｔ　ｏｍｉ　ｃ　　ｐｐｍ、最適には５００〜１．７
ＸＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは好ましく
は３０Ａ〜５０．、より好ましくは、４０Ａ　〜４０Ｉ
Ｌ、最適には、５０Ａ　〜３０−とされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ｐＬ、より好ましくは１〜８０ＩＬ最適には２〜５０
ルとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層（Ｓ）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ＪＬ、−より
好適には１〜８０ｇ、最適には２〜５０川とされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは Ｔ　　／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なり る関係が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定
されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌＸｌ０５ａｔ。

ｍｊｃ　　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層
厚ＴＢとしては、可成り薄くされるのが望ましく、好ま
しくは３０＃１．以下、より好ましくは２５鉢以下、最
適には２０ル以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）　で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設？１ａれである所定の支持体表面上
にａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲット
とＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又は
ＳｔとＧｅの混合されたターゲットを使用してスパッタ
リングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の
堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ｉＨａ、Ｓｉ２Ｈ６，５ｆ３ＨＢ
、５ｉ４ＨＩｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳ　ｉＨｎ　、Ｓ　ｉｚ　Ｈｂが好ましい
ものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２　Ｈ６，Ｇｅ３　Ｈ，、Ｇｅ４Ｈ１ｏ、Ｇｅ
５Ｈ＋ｚ　　’、ＧｅｂＨｒ４．Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇ　ｅ
８　Ｈｌ　８　、　Ｇｅ９　Ｈ２０等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げら、れ、殊に１Ｍ作戊作業時の取扱い易さ
、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇ　ｅ　Ｈ４、Ｇ　ｅ
２　Ｈ６、Ｇ　ｅ３　Ｈｅが好ましいものとして挙げら
れ名。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、Ｃ９，Ｆ、Ｃ見Ｆ−１
，ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ３．ＩＦ７、ＩＣＪｊ、Ｉ
Ｂｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．Ｓｉ２　Ｆ６．ＳｉＣ見。。

ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙
げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
かも成る第１の層ＣＧ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｒ７，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数混合
して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（Ｇ
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの二
枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用して
、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリング
し、イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポート
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロン
ビーム法（ＥＢｉｌ、！ｉ）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣＪＩ、ＨＢｒ、ＨＩ等＋７）ハロゲ
ン化水素、５ｉＨ２Ｆｚ、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ
ｕ２．５ｉＨＣ文３．５ｉＨ７Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等
（７）　ハｔｆｆゲン置換水素化ケイ素、及びＧｅＨＦ
３．ＧｅＦ２　Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＢｒ３　、Ｇ
ｅＨ２Ｃ１ｚ、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＦ
２　Ｂ　Ｆ２　。

ＧｅＨ３Ｂｒ、　　ＧｅＨＩ３　　、　　ＧｅＦ２　Ｉ
２　　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、Ｇ
ｅＦ４、ＧｅＣＲ４、ＧｅＢｒ４、ＧｅＩ４、ＧｅＦ２
．６００文、　、ＧｅＢ　ｒ、、ＧｅＩ２等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙
げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導込するには、
上記の他にＦ２、或いはＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２　Ｈ６，
５ｉ３ＨＢ、５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４，”Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３　　ＨＢ　　、　
　Ｇｅ４　　Ｈｒ　　ｏ　　、　Ｇｅ。

Ｈｌ　２　　、　Ｇｅ、、　　Ｈ，４、Ｇｅ７’Ｈ＋　
　６　　、　　Ｇｅ。

ＨＩＢ　、Ｇｅ９Ｈ２゜等の水素化ゲルマニウムとＳｉ
を供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積
室中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）或いはハロゲン原子（
Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
のｆｆｉ　（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ
）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッリング法、或いはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば
、グロー放電法によってａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成ｙれ
る第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記した
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支
持体表面上にａ−８ｉ　（Ｈ９ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（ＨｒＸ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　０％、最適には５〜
２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル仏又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｎ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ７０３　。

Ｓ　ｎ０２　、　Ｉ　ＴＯ（Ｉ　ｎ２０３　＋Ｓ　ｎＯ
，＋　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与さ゛れ、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌｌ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又
は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面
に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは１ＯｐＬ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第１１図に光受容部材の製造装置の一例な示す。

ｍ中、１１ｏ２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光受容部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その−例として例えば１１０２はＳｉＨ４ガス（純度
９９．９９９％、以下５ｆＨ４と略す）ボンベ、１１０
３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下　ＧｅＨ
４と略す）ボンベ、１１０４はＳ　ｉ　Ｆ、ガス（純度
９９．９９％、以下５ｉＦｎと略す）ボンベ、１１０５
はＨｅガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６は
Ｈ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
また流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０””Ｔ。

ｒｒになった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流
出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次に、シリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスポンベ１１０３よりＧｅＨ４カスをバル
ブ１１２２．１１２３を開いて出口圧ゲージ１１２７．
１１２８の圧を１Ｋｇ７０ｍ２に調整し、流入バルブ１
１１２．１１１３を徐々に開けて、マスフロコントロー
ラ１１０７．１１０８内に夫々流入させる。引続いて流
出バルブ１１１７．１１１８、補助バルブ１１３２を徐
々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。

このときのＳｉＨ４ガス流量とＧｅＨ４ガス流量との比
が所望の値になるように流出バルブ１１１７．１１１８
を調整し、また、反応室１１０１内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメインバル
ブ１１３４の開口を調整する。そして、基体１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の範
囲の温度に設定されていることを確認した後、電源１１
４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させて形成される層中にゲルマニウム原子を
含有させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体１１３７Ｊ−に第１の層（Ｇ）を形成する。

所望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階において、
流出バルブ１１１８を完全に閉じること及び必要に応じ
て放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って
所望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）、
ｈにゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層
（Ｓ）を形成することができる。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体１１３７はモーター１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第９図に示される形状（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ
）８０ｍｍ、ピッチ（Ｐ）２５ｇｍ、深さくＤ）０．８
舊ｍの螺旋溝表面形状）のＡｌ支持体を作製した。

次に、第１１図の堆積装置を使用し、第３表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、前述のＡｌ支持体上に
ａ−Ｓｉ光受容層を堆積した（試１１Ｎｏ、１−１）。

別に同一の表面性の１円筒状ＡＩ支持体上に、第１層及
び第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外
は上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ
、第１２図に示す様に第２層１２０３の表面は支持体１
２０１の表面に対して平行になっていた。　この場合、
Ａｌ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差はＩｇｍ
であった（試料Ｎｏ、１−２）。

また、前記試料Ｎｏ、Ｌ−１の場合には第１３図の様に
第２層１３０３の表面と支持体１３０１の表面とは非平
行であった。この場合、ＡＩ支持ｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ｇ、ｍで第
１４図に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。　　第１２図に示す表面性の光受容
部材（試料Ｎｏ、１−２）では干渉縞模様が観察された
。

一方、第１３図に示す表面性を有する光受容部材（試料
Ｎｏ、１−１）では干渉縞模様は観察されず、実用に十
分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例　２ シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（シリンダＮ０２１０１−１０８）
の円筒状のＡｌ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、１−
１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製
した（試料Ｎｏ、１１１〜１１８）。このときの電子写
真用光受容部材のＡｌ支持体の中央と両端部での平均層
厚の差は２・２ｐ−ｍであった９ これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
２表の様な結果を得た。これらの光受容部材について実
施例１′と同様に第１４図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使１．）、スポット径８０Ｉｉ、ｍで画
像露光を行ったところ、第２表の結果を得た。

実施例３ 第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１’−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例４ 第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、’ｌ−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙」二に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分が特性であった。

実施例５ 第６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡｌ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡｌ支持体の表面を粗面化したＡｌ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と全く同様の方法でａ−３ｉ電子写真用光受容部材を
作製した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
ｌ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１、．８ＩＬｍであること
が判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
１４図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

第１表 ［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には高光感度性。

高ＳＮ比特性、及び支持体との間に良好な電気的接触性
を有し、デジタル画像記録に好適な光受容部材を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図は支持体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１２図及び第１３図は、実施例で作製した光受容部材
の構造図である。　゛ 第１４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・光受容層 １００１・・・・・・・・・Ａｌ支持体１００２・・・
・・・・・・第１の層 １００３・・・・・・・・−第２の層 １ｏｏ４・・・・・・・・・光受容部材１４０１・・・
・・・・・・電子写真用光受容部材１４０２・・・・・
・・・・半導体レーザー１４０３・・・・・・・・・ｆ
θレンズ１４０４・・・・・・・・・ポリゴンミラー１
４０５・・・・・・・・・露光装置の平面図１４０６・
・・・・・・・・露光装置の側面図。 第　３　図 笥　４　図 π　５　図 イ旦３に 第７１”＜１ （Ａ）　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）イ立　夏 第９図 第１ｏ図 １１図 壱 出・ 第１２図

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
   含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
   を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
   が支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と；
   を有し、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の
   非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
   な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非平行な界
   面が配列方向において各々なめらかに連結していること
   を特徴とする、光受容部材。
2. （２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
4. （４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
   、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。
6. （６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
   て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
   容部材。
7. （７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
8. （８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
   いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第７項に記載の
   光受容部材。
9. （９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
   範囲第８項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受
    容部材。
11. （１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
    載の光受容部材。
12. （１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
    求の範囲第５項に記載の光受容部材。
13. （１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
    の範囲第１２項に記載の光受容部材。
14. （１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
    載の光受容部材。