JPS60213956A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

ＩＩｆ視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある光受容部材に関する。

さらに、：″（シ＜は、レーザー光なとの可干渉性光を
用いるのに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１り公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

ｎ７ｊ乍ら、感光層を単層ａ成のＡ−５ｉ層・とすると
、その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求さ
れる１Ｑ１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを散音に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
０ｆ成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、−特−酬昭５７−４０５３号公報、特開昭５７
−４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導
特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されである様に支持体と光受容層の１ｍ、又は／
及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化膜ｄ４上の許容度に於いて、或いは製造」二の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚にす［がある為に、レ
ーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレ
ーザー光照射ｇＩＪ自由表面、光受容層を構成する各層
及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面
及び層界面の両名を併せた意味で「界面」と称す）より
反射して来る反射光の大々が干渉を起すｉｔｆ能性があ
る。

この干渉現象は、形成されるｔＩｆ視画像画像いて、所
謂、干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる
。殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、
画像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面ｌＯ１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をの層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め舎兄は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生しる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に小才１１渉
効果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干
渉による相乗的悪影響が生しる。その為に該干渉縞模様
に対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより砂１１状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
＝５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

＋（ｉＬ乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われ
る干渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様か残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポ゛ットに拡がりが生
し、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｔ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３
ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共に。

表面状態の一悪化によるその後のＡ−３ｉ層の形成に悪
影響を与えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ（ｌは。

光受容層３０２の表面でその一部が反射されて反射光Ｒ
１となり、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光１１となる。透過光１１は、支持体３０２の表面に
於いて、その一部は、光散乱されて拡散光Ｋｌ、に２．
に３・・・・・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ
２となり、その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行
く。従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ
３が残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すこ
とが出来ない。

又、ト渉を防＋Ｌ　シて光受容層内部での多重反射を防
止する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると
、光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解
像度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても：第１
層４０２での表面での反則光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理り具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレークタウンの
原因となっていた。

又、？１′！に支持体表面５０１を規則的に荒した場合
第５図に示すように、通常、支持体５ｏ１表面の凹凸形
状に沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５
０１の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面と
が平行になる。

したかって、その部分では入射光は２ｎｄ１−ｍ入また
は２ｎｄｌ＝（ｍ子局）入が成立ち、それぞれ明部また
は暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ
１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大が一以上で
ある様ｎ な層厚の不均一・性があるため明暗の縞模様が現われる
。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは干
渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、−・層構成
の光受容部材で説ＩＪ　した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の［１的は、可干渉性中色光を用いる画像形
成に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提
供することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消す・ることができる光受容部材を提供することでもあ
る。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

本発明の光受容部材は、反射防止機能を有する表面層と
シリコン原子とゲルマニウム原子トを含む非晶質材料で
構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体側より
順に設けられた多層構成の光受容層を有する光受容部材
に於て、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分
４ｊ状ＩＥが層厚方向に不均一であると共に、前記光受
容層がショートレンジ内に１対以りの非平行な界面を有
し、該非平行な界面が、層厚方向と屯直な面内の少なく
とも一方向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光、受容層は第６図の一部
に拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５
がらｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界
面６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この
微小部分（ショー］・レンジ）文に入射したＯｆ干干渉
先光、該微小部公文に於て干渉を起し、微小なト渉縞校
様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＯに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。

このことは第６図に示す様に、ｔｔＳ２　Ｆｅ　６０２
の層厚がマクロ的に不均一（ｄ７〜ｄｅ）でも同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、ｆＪｓＢ図に示す様に、入射光■０
に対して反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在す
る。その為各々の層で第７図を似って前記に説明したこ
とが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より　層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポラｉ・径より小さい為、即ち、解像度限
界より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に・、鏡面仕」二げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、又≦Ｌであ
る。

又本発明の１」的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄ５−　ｄ　ｅ）は、照射光の
波長をλとすると、 ｄ５−ｄ６≧２ｎ（ｎ’第２層６０２　ｃ７）屈折率）
であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小Ｂｌｉ分文
公文厚内（以後「微小カラＪ、」と称す）に於て、少な
くともいずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に
各層の層厚が微小カラム内に於いて制御されるが、この
条件を満足するならば該微小カラム内にいずれが２つの
層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が −さ−　（ｎ：層の屈折率） ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１に層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スパ
ッタリングＶ、か採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等のジノ削加丁機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加］ニすることで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで
形成される。この様な切削加工法によって形成される凹
凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中
心軸を中心にした螺線描造を有する。逆Ｖ字形突起部の
螺線構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線
構造とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体１．に直接設けられる層と
の間の良＆Ｉ’な富６性や所望の電気的接触性を確保す
る為に逆Ｖ字形とされるのか、好ましく第９図に小され
る様に実質的に、−１塚辺工角形、直角三角形成いは不
等辺三角形とされるのか望ましい。これ等の形状の中、
殊に、１辺五角形、直角ら角形か望ましい。

本発明に於ては、管理された状１ムで支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンションは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第゛ｌは光受容層を構成するＡ−Ｓｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−Ｓｉ光受容層の層品質の低ドを招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンションを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが！ｉｊ　（なるという問題がある。

１４記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス七
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条ヂＩを検討した結
果、支持体表面の四部のピンチは、好ましくは５００　
ｐＬｍ−０、３ｐＬｍ、より好ましくは２００ｇｍ−１
ｇｍ、最適には５０μｍ〜５ｇｍであるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．１ｐ、　ｍ　
−５１Ｌｍ　、より好ましくは０．３μｍ〜３ルｍ、最
適には０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。

支持体表面の四部のビッツと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾澤は、好
ましくは１７バ〜２０１氏、より好ましくは３１ｆ！Ｌ
−１５１政、最適には４度〜１０度とされるのが望まし
い。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１．ｍ〜２　ｇｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１．
５μｍ、最適には０．２ｐＬｍ−１ｐｍとされるのが望
ましい。

反射防止機能を持つ表面層の厚さは１次のように決定さ
れる。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると１反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 ｄ＝　４ｎ　ｍ　（ｍはｔ’＆　ｆｊりか好ましいもの
である。

また、表面層の材料としては、表面層を堆積する感光層
の屈折率をｎａすると。

ｎ＝Ｊｎ　ａ のＡ−ｌｉ折十を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ｐＬｍとされるのがｋｆ適である
。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２．
Ａｌ２Ｏ３。

Ｚ　ｒ０２　、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、ＣｅＯ２。

ＣｅＦ２　、Ｓ　ｉ０２　、ＳｉＯ，Ｔａ２０５　。

Ａ、ＱＦ３．ＮａＦ、Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物、無機
耐化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース
等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルでＩＦ礒に制御でき
ることから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相
法（ＰＣＶＤ法）。

光ＣＶ　Ｄ　’／）１．熱ｃ　ｖ　Ｄ？Ｊ、、　塗ａ法
が採用サレル。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっており、前記第１の層中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となって
いるため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、電気的耐圧性及び使用環境特性をノＪ＼す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、縁返し使用特性に長け、ｅｋ瓜が＋
ｆ／ｉ　＜、／＼−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度
の高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができ
る。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザにのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に些て詳細に
説明する。

第１θ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００をイ１
し、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端
面に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子及び／又はハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）（以後ｒａ−３
ｉＧ　ｅ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）１００
２と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ（Ｈ，ＸＪ　と略記す
る）で構成され、光導電性を有する第２の層（Ｓ）１０
０３と反射防止機能をイｉする表面層１００６とが順に
積層された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含イ１されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続
的であって４１つ前記支持体１００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層ｔｏｏｌの表面１００５側）
の方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した
状！ハ；となる様にｔｉｉｉ記第１の層（Ｇ）１００２
中に含有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は層厚方向におい
て、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平行な
面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましいもの
である。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、（ｒ（視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波
長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
受容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ’）中に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
、ゲルマニウム原子の層厚方向の分４１５度Ｃが支持体
側より第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられ
ているので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部
に於いてゲルマニウム原子の分ＩＯ濃度Ｃを極端に大き
くすることにより、半導体レーザ等を使用した場合の、
第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を
第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収すること
が出来、支持体面からの反射による干渉を防止すること
が出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

ｆＪ　ｌ　１図乃至第１９図には、本発明における光受
容部材の第１の層（Ｇ）中に含イ１されるゲルマニウム
原−ｒの層厚方向の分４ｊ状ｍ；の典型的例が示される
。

第１１図乃至ｆＪ、　ｌ　９図において、横軸はゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の
層厚を示し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の
位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の
位置を示す。即ち、ゲルマニウト原ｒ−の含有される第
１の層（Ｇ）はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成がなさ
れる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の金石さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される＄１の層（Ｇ）
に含有され、位置ｔｌよりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ７
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位ｉｔ
７においてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ２とさ
れる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的の減少して位置を丁におい
て濃度Ｃ５となる様な分子ｌｊ状ｙルを形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定（〆１と
され、位置ｔ２と位ＭＥＴとの間において、徐々に連続
的の減少され、位置ｔ７において、分７１１ｃ度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界
量未満の場合である）。

ｆｆ５１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るまで、濃度Ｃ８より連
続的に徐々に減少され、位置ｔ７において実質的に零と
されている。

Ｈ’５１５　図に小す例に於ては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは１位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃Ｉ
ａＣ９と一定値であり、位置ｔ７に於ては濃度ＣＩＯと
される。位置ｔ３と位ｉ１′Ｖｔ　７との間では、分Ｉ
ｊｔｋ度Ｃは一次関数的に位置ｔ３より位置ｔ７に至る
まで減少されている。

６’Ｓ　１６図に示される例においては、分りｊ濃度Ｃ
は位置ｔＢより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取
り、位置ｔ４より位置ｔ７までは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ
Ｉ３まで一次関数的に減少する分４ｊ状Ｆ；とされてい
る。

第１７図にノ１＼す例においては、位置ｔＢより位置ｔ
７に至まで、ゲルマニウム原子の分布濃１政Ｃは濃度Ｃ
Ｉ４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少してい
る。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度
Ｃ１Ｂまで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ７
との間においては、膿ＩｆｆＣ＋ｅの一定値とされた例
が示されている。

：ｆＳｌ　９１Δに示される例において、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃１＾Ｃ１？で
あり、位置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めは
ゆっくりと減少され、ｔＢの位置付近においては、急激
に減少されて位置上〇では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃｔａとなり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置上８において、
Ｃ度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔ７との間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分／＋ｊ状
態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては
、支持体側において、ゲルマニウム原子の分４ｉｉ３度
Ｃの高い部分を有し、界面ｔｙ側においては、前記分４
１濃度Ｃ−は支持体側に比べてｕｆ成り低くされた部分
を有するゲルマニウム原子の分布状態か第１の層（Ｇ）
に設けられている。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのか望ましい。

未発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ｐＬ以内に設けられるのか望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５に厚までの全層領域（ＬＴ　）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（、Ａ　）はその中に含有されるゲルマニウム
原−イの層厚方向の分布状態としてゲルマニラ１、原子
の分布ｅ度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、
好ましくは１００１０００ａｔ−ｏ　ｐｐ、ｍ以上、よ
り＆Ｉ’適には５０００ａｔｏｍｊｃ　ｐｐｍ以上、最
適には１×１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様
な分７１１状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層は、支持体側からの層厚て５川以内（ｔｓか
ら５ｐＬ厚の層領域に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのか好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素Ｂ′Ｊ（’了とハロゲン原
子の量の和（Ｈ，＋　Ｘ　）は、好ましくは１〜４０ａ
ｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より＆／　ａには５〜３０　＆　ｔ
　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には５〜２５　ａ　ｔ　ｏ　
ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、ｆｆｉ、ｌの層中に含有されるゲルマ
ニウム原−子の含有量としては、本発明のし１的か効果
的に達成される様゛に所望に従って適宜法められるか、
好ましく壮１〜９．５Ｘ１０５Ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
より好ましくはｉｏ。

−８Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には５００〜
７Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（’Ｓ）との
層厚は、本発明のＬ１的を効果的に達成させる為の重要
な因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の
特性が充分り、えられる様に、光受容部材の設計の際に
充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚１日は、好まし
くは３０人〜５０ル、より好ましくは、４０人〜４０ル
、最適には、５０人〜３０弘とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０に、より好ましくは１−Ｖ６Ｏ１３，最適には２〜５
Ｊｔとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に霊水される特性と
光受容層全体に要求される特性との相！Ｌ間の有機的関
連性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って
、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、」―記の・（ＴＢ＋Ｔ
）の数値範囲としては、好ましくは１−１００ｐＬ、よ
り好適には１〜８０ル、最適には２〜５０にとされるの
が望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、１．記の
層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ１日／Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数４ｉ’ｌの
選択に於いて、より好ましくは、７１Ｂ／Ｔ≦０．９．
最適にはＴ３／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が快足されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有１Ｊｊ−が、ｔｘｉｏ！ｌｉａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以↓、の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚
ＴＢとしては、可成り薄くされるのか９！ましく、好ま
しくは３０井以下、より好ましくは２５ル以−ト、１１
↓適には２０ル以下゛とされるのが望ましいものである
。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フン素　１４素、艮
素、ヨウ素か挙げられ、殊にフン素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いＬ１イオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空１（ｌ積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によってａ−ｓ　ｉＧｅ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
ノ、（本市には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスとゲルマニウム［子（Ｇｅ）を供給
しく１するＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素
側７’（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びハロケン原（
’−（Ｘ）ｉ入用の原料ガスを、内部か減化にし得る堆
積室内に所望のガス圧状７ｍ（で導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面」―に含有されるゲルマニウム原子
の分７１１濃度を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、Ｈｅ等゛の不活行ガス又はこれ等のガスをベース
とした程合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲッ
トとＧｅで構成さｒたターゲットの二枚を使用して、ス
パッタリングする際、必要に応して、水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉＨ４＋Ｓ　ｉ　２Ｈ６，Ｓ　
ｉ　３ＨＢ、Ｓ　１４Ｈ１ｏ等のカス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易；ｆｆ
、ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，
が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料カスと成りｆｌＪる物質としては、Ｇ
ｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ。

ＧｅａＨ，１０，Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４゜Ｇｅ　
７Ｈ１６，Ｇｅ　１３１−１１８．　Ｇｅ９Ｈ２１３等
のガス状態の又はカス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成作業時
の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４
，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げら
れる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原ネ゛
］カスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げ
られ、例えばハロゲンガス、ハロケン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
プルの又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げ
られる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭木、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

ＣｌＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＩＦ３゜ＩＦ７．ＩＣ
ｆＬ、ＩＢｒ等ノハロゲン間化合物を挙げることが出来
る。

ハロデフ４ｇ子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には１例え
ば、ＳｉＦ４，５ｉ２ＦＢ。

ＳｉＣ文４．ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素か好ましい
ものとして挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してクロ
ー放電法によって本発明の４′Ｆ徴的・、な光受容部材
を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉ
を供給し得る原料カスとしての水素化硅素ガスを使用し
なくとも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３
ｉＧｅから成る第１の層（Ｇ）を形成する１１％が出来
る。

グロー放電法・に従って、ハロゲン原子を含む第１の層
（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１のＷＤ（Ｇ）を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為にこれ等のカスに更に水素ガス又は水素原
子を含む砕木化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。

又、各ガスは」１独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ッテａ−ｓ　ｉＧｅ　＜Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉか）成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫・々蒸発源として蒸着
ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレ
クトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のカスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う事が出来る。

この際、スバ・ンタリング法、イオンブレーティング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は＋ｉｉｉ記のハロ
ゲン原子を含む硅、ド化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いもので
ある。

又、水素原子を４人する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣｆＬ、ＨＢｒ、ＨＩ等（７）／’ロゲン化水木、Ｓ
ｉＨ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ文２１ＳｉＨＣ
ＪＬ　３　、ＳｉＨ２Ｂｒ　２．　５ｉＨＢｒ　３　。

等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＨ
Ｂｒ３．ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣＪｌｊ３゜ＧｅＨ２ＣＪ
ｌｊ２．ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨＢｒ３゜ＧｅＨ２Ｂ　ｒ
２．ＧｅＨＢｒ３ ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマ
ニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物、ＧｅＦ４．ＧｅＣｕ４゜ＧｅＢｒ４．Ｇｅ１４．Ｇ
ｅＦ２．Ｇｅ０文２゜ＧｅＢｒ２．ＧｅＩ２等のハロゲ
ン化ゲルマニウム、等々のカス状態の或いはカス化し得
る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととし
て挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

木素原ｆ〜を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには
、上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４゜Ｓ　ｉ　２Ｈ６，
Ｓ　ｉ　３ＨＢ、Ｓ　１４Ｈ１（１等の水素化硅ふをＧ
ｅを供給する為のゲルマニウム又はゲ）レマニウム化合
物と、或いはＧｅＨ４゜Ｇｅ　２Ｈ６，Ｇｅ　３ＨＢ、
Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ　５Ｈ１２，Ｇｅ　６Ｈ１４，Ｇｅ
７Ｈ１６，Ｇｅ　８Ｈ１Ｂ。

Ｇｅ９Ｈ２ｏ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する
為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存
させて放電を生起させる小でも行う）１１が出来る。

本発明のｌＩｆましい例において、形成される光受容層
を構成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋ｘ）は、ｉＩｒましくはＯ，Ｏ
ｆ　〜４０ａｔ　ｏｍｉｃ％、よりＪｌ’ｆ適には０．
０５〜３０ａｔ　ｏｎｉｃ％、最適にはＯ，１〜２５ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのか望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（）（）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原ｒ−（Ｈ）、或いはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入するＩＩＩ、放電々力等を制御してやれ
ば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料カス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ）を
形＼成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によってａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に４人して、該堆積室内にグロ
ー放１ｋを生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ３１（Ｈ＋　Ｘ　）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には１例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合カスの雰囲気中でＳＬで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のカスをスバ・
ンタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、′セルローズアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリアミド雪の合成樹脂のフィ
ルム又はシート。

カラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ客の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ。

ＡＪｌｊ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ
（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が付ケされ、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ　ｉ　Ｃｒ、Ａ
ｉ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子
ビームＭ着、スパッタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が＋ｔ　’Ｆ−される。支持体の形状としては、
円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によ
って、その形状は決定されるが、例えば、第１０図の光
受容部材１００４を電子写真用光受容部材として使用す
るのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通
りの光受容部材が形成される様に適宜決定されるが、光
受容部材として可撓性か要求される場合には、支持体と
しての機ｆｅが充分発揮される範囲内であれば可能な限
り蒔くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは１０ル
以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。図中の
２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光受容
部材を形成するための原料ガスが密封されており、その
−例として例えば２００２は、ＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％以下、ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２００３は
ＧｅＨ４カス（純度９９．９９９％以下、ＧｅＨ４と略
す）ボンベ、２００４はＳｉＦ４ガス（純度９９．９９
％以下、ＳｉＦ４と略す）ホンへ、２００５はＨｅガス
（純度９９．９９９％）、２００６はＨ２ガス（純度９
９．９９９％、）ボンベである。　これらのガスを反応
室２００１に流入させるにはガスボンベ２００２〜２０
０６のバルブ２０２２〜２０２６、リークバルブ２０３
５が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ２０
１２〜２０１６、流出バルブ２０１７〜２０２１、補助
バルブ２０３２．２０３３が開かれていることを確認し
て、先ずメインバルブ２０３４を開いて反応室２００１
、及び各ガス配管内を排気する。次に真空ｊ＋２０３６
　（７）読みが約５ＸＩＯ−６ｔｏｒｒになった時点で
補助バルブ２０３２，２０３３、流出バルブ２０１７〜
２０２１を閉しる。

次にシリング−状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげるとガスボンベ２００２よりＳｉＨ４
カス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４カス、２００６
よりＨ２ガスをバルブ２０２２，２０２３．２０２６を
開いて出口圧ゲージ２０２７，２０２８．２０３１の圧
をｌ　Ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ’　に調整し、流入バルブ２
０１２．２０１３．２０１６を徐々に開けて、マスフロ
コントローラ２００７，２００８．２０１１内に夫々を
流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７，２０１８
，２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に聞
いて、人々のガスを反応室２００１に流入させる。この
時のＳｉＨ４ガス流星、ＧｅＨ４ガス流４．ｊとＨ２カ
ス流部の比が所望の値になるように流出バルブ２０１７
．２０１８．２０２１を調整し、また、反応室２００１
内の圧力が所望の（＋ｒｉになるように真空計２０３６
の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口を調整す
る。そして、）＾体２０３７の温瓜が加熱ヒーター２０
３８により５０〜４００℃の範囲の温瓜に設定されてい
ることを確認された後、電源２０４０を所望の電力に設
定して反応室２００１内にグロー放電を生起させ、同時
にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅＨ４ガ
スの流量を手動あるいは外部駆動モーター等の方法によ
ってバルブ２０１８の開１１を漸次変化させる操作を行
って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。

」二記の様にして所望時間グロ放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで、第１の層（Ｇ）」４
にゲルマニウム原子が実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）を形成することが出来る。

その後、製造装置内を十分に排気し、第２層（Ｓ）まで
形成した基本２０３７を製造装置から取り出す。

Ｈ２ガスをＡｒカスに取りかえ、製造装置を十分に清掃
し、カソード電極上に表面層の材料の板を一面に接着す
る。そして、前記基体２０３７を製造装置内にセットし
、Ａｒガスを１０−３〜ｉ　ｏ−’７ＴＯｒ　ｒニ導入
し、所定の放電電力で表面層の材料をスパッタして、基
体２０３７上に所定の層厚に堆積される。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ Ａ文支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深　さ）に示すように旋盤で加工した。（Ｎｏ、２０１
〜２０４）次に、第１表に示す条件で、第２０図の製造
装置で種々の操作手順に従ってａ−５ｆ：Ｈの電子写真
用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、２０１〜２０４
） なお、第１層のａ−（Ｓｉ　；Ｇｅ）：Ｈ層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ４のｆｆｌ量を第２２図のようになるよ
うに、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラ
ー１２３６およヒ１２３２をコンピューター（ＨＰ、９
８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表（試料Ｎｏ、２（１１
〜２０４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に丞
す画像露光装Ｗ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｐ、ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

Ｎｏ、２０１〜２０４いずれの画像にも干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例２ Ａ文支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第３表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。、（試料Ｎｏ、３
０１〜３０４）次に、第１表に示す条件で、第２０図の
製造装置で種々の操作手順に従ってａ−５１：Ｈの電子
写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、３０１〜３
０４） なお、第１層ｃ７）ａ−（Ｓｔ；Ｇｅ）＋Ｈ層は、Ｇｅ
Ｈ４およびＳｉＨ４の流量を第２３図のようになるよう
に、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスクロコントローラ−
１２３６および１２３２をコンピューター（ＨＰ９８４
５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表（試料Ｎｏ、３０１〜
３０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、３０１〜３０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例３ ＡｆＬ支）５￥体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第５表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。（試料Ｎｏ
、５０１〜５０４）次に、第４表に示す条件で、第２０
図の製造装置で種々の操作手順に従ってａ−Ｓｔ：Ｈの
電子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、５０１
〜５０４）　’ なお、第１層のａ−（Ｓｉ　；Ｇｅ）：Ｈ層は、ＧｅＨ
４およびＳ　ｉ　Ｈａミノ量を第２４図のようになるよ
うに、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントローラ
ー１２３６および１２３２をコンピューター（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表（試料Ｎｏ、５０１〜
５０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０＃Ｌｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試ネ４Ｎｏ、５０１〜５０４いずれの画像にも１−汚；
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例４ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第６表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。（試料Ｎｏ、６０
１〜６ｏ４）次に、第４表に示す条件で、第２０図の製
造装置で種々の操作手順に従ってａ−３ｉ：Ｈの電子写
真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、６０１〜６０
４） なお、ｔｔＳＨ層のａ−（Ｓｉ　；Ｇｅ）：Ｈ層は、Ｇ
ｅＨ４および５ｉＨ４（７）流量を第２５図のようにな
るように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントロ
ーラー１２３６および１２３２をコンピューター（ＨＰ
９８４５］１１１）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表（試料Ｎｏ、６０１〜
６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ＩＬｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、６０１〜６０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例５ 第２の層まで、実施例１の試料Ｎｏ、２０１と同様な層
構成の光受容部材を２２本作製しその上にｆｔ５２９表
（条件Ｎｏ、２９０１〜２９２２）の条件で表面層を各
々堆積した。

これらの′電子写真用光受容部材について第２６１Δに
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ＩＬｍ）で画像露光を行い、それを現像転写
して画像を得た。いずれの画像にも干渉縞模様は観察さ
れず実用に十分なものであった。

第１表 第　２　表 第　３　表 第４表 第　５　表

【図面の簡単な説明】

：、’５１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４　ＩＮは、多層の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は光受容部材の各層の
界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの説明図
である。 第７図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、光受容部材の各層の界面
が平行である場合と非平行である場合の反射光強度の比
較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持体の
表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第２１図は、実施例で用いたＡ文支持体の表面状態の説
明図である。 第２２図から第２５図までは、実施例におけるカス流量
の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｆｏｏｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＡＭ
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面１００６・・・・・・・
・・・・・・・・・・・表面層２６０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
２６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレ
ンズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・
・・・・・・・・露光装置の側面図第３０ 第４園 １１脣間（袋 晴間（分り ｇ岬１’１ｌｌ（ダリ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）反射防止機能を有する表面層とシリコン原子とゲ
   ルマニウム原子とを含む非晶竹材料で構成された第１の
   層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導
   電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多
   層構成の光受容層を有する光受容部材に於いて、前記第
   １の層中に於けるゲルマニウム原ｆの分布状態が層厚方
   向に不均一であるとノ（に、前記光受容層かショートレ
   ンジ内に１対以」二の非平行な界面を有し、＋＋Ａ、ｉ
   ｌ平行な界面か層Ｊシカ自と垂直な面内の少なくとも一
   方向に多数配列しているハを特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）　＋ｉｉｊ記配列が周期的である特１ｉ１請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。 （’　）　前記ンヨートレンジが０．３〜５００ｇであ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 ・（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けら
   れた規則的に配列している凹凸に基づいて形成されてい
   る４Ｉｆ詐請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆■字形線状突起によって形成されて
   いる特１：１請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 げ）市記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的にブ９
   辺−二角形である４、Ｓ詐請求の範囲第６項に記載の光
   受容部材。 （８）前記１！！■字形線状突起の縦断面形状が実質的
   に直角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受
   容部材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲Ｑｒ
   ｔ　１項に記載の光受容部材。 （１１）逆■字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を右する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記螺線描造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （＋　４　）　７ｉｉ７ｉ逆Ｖ字形線状突起の稜線方向
   が円筒状支持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第
   １０項に記載の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕」二げされている特許請求
   の範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。