JPS61107253A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜８２０ｒｖの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−ＳｉＪと略記する）から成る光受
容部材が注目されている。

当年ら、光受容層を単層構成のａ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｌ２ΩＣ１１以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加　　　：えてポロン
原子とを特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に
含有させる必要性がある為に、層形成のコントロールを
厳密に行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許
容度に可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同　５８１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１０と上部界面１Ｇ２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入λ として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ ４差で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
）　入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１０００ＯＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成す名方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、ｓ１脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開
昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−３ｉ
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
ａ−９ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−５ｉ層の形成に悪影響を与えるこ
と等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光１．は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１　となる、
透過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ６となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように１通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５旧の
凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行
になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄｌ　＝　（ｍ＋Ｈ）入が成立ち、夫々明部また
は暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚
ｄ＋　、ｄ２．ｄａ、ｄａの夫々の差のに あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消すφことができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明は、所定の切断位置での断面形状が主ピークに副
ピークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形
成されている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２
の層と、反射防止機能を有する表面層とが支持体側より
順に設けられた多層構成の光受容層とを有しており、前
記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
選択される少なくとも一種を含有する事を複数有する。

以下１本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層８０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面８０３と界面
８０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（シ１−トレンジ）ｔに入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■ｏに対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７≠ｄＢ　）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２暦まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．に対
して、反射光Ｒ凰、Ｒ２，Ｒ３Ｒ４，Ｒ５が存在する。

その為各々の暦で第７図を似って前記に説明したことが
生ず葛。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光量（各層を構成す
る暦の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止す
ることが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄａ　）は、照射光の波
長を入とすると、 入 （ｎ：第２層８０２の屈折率） であるのが望ましい、　　　　　　　　　　　　　　　
　　　ソ。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が に 以下である様に全慎域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の暦、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプロゲラ、ムに従って回転させながら
規則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ビ、チ、
深さで形成される。この様な切削加工法によって形成さ
れる凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は
、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされ
ても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数布す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を有する支持体におていは、支持体上に形成
されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言うも
のとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−Ｓｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸かあると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μ〜０
．３μｓ、より好ましくは２００　　　　！’。

μｓ〜１鱗、最適には５０−〜５鱗であるのが望ましい
。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５−９
より好ましくは０．３μｓ〜３−９最適には０．８ｇ〜
２μｓとされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピー
２千と最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線
上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度
、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度
とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｓ〜２牌、より好ましくは０．１μｓ〜　１．５
ｇ、最適には０．２−〜ｌμｓとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防止機能を有する表面
層とが支持体側より順に設けられた多層構成となってお
り、優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは、次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると１反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは。

が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、表面層を堆積する感光層
の屈折率を複数有する特許 ｎ＝屓 の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２鱗とされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２、
Ａ１２０３　、　ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　Ｃ
ｅＯ２、ＣａＦ２．５ｉ０２．　ＳｉＯ、Ｔａ２０５　
、　ＡｌＦ２．　ＮａＦ　、　Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化
物やｓ４１！窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース
等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層ｘｏｏｏｔｉ自由表面１００５を一方の端
面に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−Ｓｉ（
Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成され、ｆｆ１ａ？ｌｌｅ
＊ｔ６＠２ｏＦｉｉ）　（Ｓ）　１００３ａ、　Ｋ　　
　’射防止機衡を有する表面ｆｉ　１００Ｂとが順に積
層された層構造を有する。

第１の暦（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の屑（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
ＣＧ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又１本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　ＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏｍｉｃ　ＰＰＩ
Ｉとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、は、好まし
くは３０Ａ〜５０ル、より好ましくは、４０人〜４０ル
、最適には、５０Ａ〜３０ＩＬとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ＩＬ、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０終
とされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）の層厚丁８と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ１＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔｉ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ル、より好適
にぼｌ〜８０ル、最適には２〜５０島とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、゛上記の
層厚Ｔｌ及び層厚Ｔとしては、好ましくは丁ｔｒ／Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ、及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ｒａ　／　Ｔ≦０．９．ｆｉ
適にはＴ、／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚
Ｔ、及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものであ
る。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｓｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１のｅ　（Ｇ）の層厚ｒ８と
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０７を以下、より好ましくは２５終以下、最適には２０
終以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層ＣＧ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の暦（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によつ　　　　）□て、　　ａ−
９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成される第１（７）層（Ｇ
）を形成するには、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ｇｓ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応
じて水素原子（Ｈ）導入様の原料ガス又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を所望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−Ｓｉ
Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い、又、ス
パッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットとＧｅで構
成されたターゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅ
の混合されたターゲー、トを使用してスパッタリングす
る際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びＩ＼ロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入
してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、　ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

Ｓ’３Ｈ８ｒ　５１４８１６等のガス状態の又ガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ＳＬ
供給効率の良さ等の点でＳｉｎ、、　Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４＊　Ｇｅ２Ｈ６ｅ　Ｇｅ３Ｈ８ｒ　Ｇｅ４Ｈ１０＋　
Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇａ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７Ｈｌ＆　＋　Ｇ
ｅＢＨ１Ｂ　＋　ＧｅｇＨ２Ｇ等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ１．　、　Ｇｅ２Ｈ６、
Ｇｅ３８ｓが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得る／Ｘロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る。／＼ロゲン凰子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得る／＼ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素（７）
　ハロゲン化物、　ＢｒＦ、αＦ、αＦ３．　ＢｒＦ５
．　ＢｒＦ３．ＨＦ３．１Ｆ、　、Ｉα、ＩＢｔ等のハ
ロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、／＼ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガｊ　　　　　スと共に
Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使
用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ
−３ｉ（２ｅから成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ノ＼ロゲン原子を含む第１の暦
（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の暦
（Ｇ）を形成する堆積室に算入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て。

所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様に
計る為にこれ等のガスに！に水素ガス又は水素原子を含
む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良い
。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性８パ・ｐ″ｙｙｙｙ法或＊４１ｒｙｉｖ−１゜テ
ィング法に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る
　　　゛第１の屑（Ｇ）を形成するには、例えばスパッ
タリング法の場合にはＳｉから成るターゲットと’Ｇ　
ｅから成るターゲットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから
成るターゲットを使用して、これを所望のガスプラズマ
雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法
の場合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコ
ンと多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫
々蒸発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際１．スパツタリング法、イオンブレーテイング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ７、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に１．ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
１２。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＣｊＬ３　、５ｉＨ２Ｂｒ２　
、５ｉＨＢｒ３等（Ｆ）／’ｉロゲン置換水素化硅素、
及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＨＢｒ３　、　Ｇｅ）１３Ｆ
。

Ｇｅｌα３　、　Ｇｅ）１２α２　、　ＧｅＨ３α、　
ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３ウムｅＨＩ３　、　Ｇ
ｅＨＢｒ３　、　ＧｓＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅαａ　＋　ＧｅＢｒ４　＊　Ｇｅ
Ｉａｅ　ＧｅＦ２．　Ｇｅα２　、　ＧｅＢｒ２１Ｇｅ
Ｉｚ等ノハロゲン化ゲルマニウム、等々のカス状態の或
いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の
出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは、光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原、料として使用される。

水素原子を第１の暦（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４、５ｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｓ　＋　Ｇｌ！４
Ｍ＋（ｌ　ｅ　Ｇｅ５Ｈｕ２１Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７
Ｈ１＆　＋　”！８）１１Ｂ　＋　Ｇｅｇ８２０等の水
素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物とを堆積室中に、共存させて放電を生起さ
せる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏ脂ｉｃ％、より好適−には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第
２のＦｔ　（Ｓ）を形成するには、前記した第１の暦（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２のＭ　（
Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（
Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行う
ことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例え
ば、グロー放電法によってａ　−Ｓ　１　（Ｈｅ　ｘ）
で構成される第２の暦（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上にａ−！Ｊｉ（Ｈ，Ｘ）からなる
暦を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２層
（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より
好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５ａ
ｔｏ厘ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
先受ｉ層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（０ＯＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（００７１）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（０ＯＮ）の含有量は、層領域（Ｑ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（００％）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４
０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＸ）の層厚Ｔａの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣに）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚↑Ｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔａｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、Ｊ［子（ＯＣＮ）
は、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少
なくとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支
持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで
、支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが
出来る。・更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原
子との共存下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保
が一層出来るので、光受容層に所望量含有されることが
望ましい。

又、これ等の原子（００１１）は、光受容層中に複数種
含有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸
素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば
酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良
い。

第１８図乃至第２４図には１本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第１６図乃至第２４図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の層領域（００％）の端面の位置を、
を丁は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＮ）は１．側より１Ｔ側に向って層形成がなされ
る。

第１６図には１Ｍ領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第１Ｂ図に示される例ｔは、Ｎ子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形、成される表面と該層領域（Ｏ
ＣＮ）の表面とが接する界面位Ｅｌｋｓよりｔ８の位置
までは、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣユなる一定の
値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣ
Ｎ）に含有され、位１ｔｔｓよりは濃度４より界面位置
ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位
置１Ｔにおいては原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度
らとされる。

第１７図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＲ）の分布濃度Ｃは位置１．よりｔ□に至るまで濃度
Ｃａから徐々に連続的に減少して位１ｔＴにおいて濃度
へとなる様な分布状態を形成している。

第１８図の場合には１位置ｔＢより位１ｔｈまでは原子
（００％）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、位
置Ｌ２と位置１．との間において、徐々に連続的に減少
され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第１８図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置１．より位置１．に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置１丁において、実質的に零とされ
ている。

第２０図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置１．と位置ｔｓ間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置１．においては濃度Ｃ１゜とされる０位
置ｔ３と位置１丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している。

第２１図に示される例においては１分布源度Ｃは位置１
．より位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取り、位置
ｔ４より位置１丁までは濃度Ｃ１２より濃度ａＳＳまで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２２図に示す例においては１位置１．より位１１ｔｒ
に至るまで、Ｊ［子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１
４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第２３図においては１位置１．より位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より０１
＆までの一次関数的に減少され１位置１．と位置１、と
の間においては、濃度Ｃ□６の一定値とされた例が示さ
れている。

第２４図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位置ｔ８においては濃度Ｃｔｔであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｔｔより初めは緩やかに
減少され、ｔｔ、の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃｔａとされる。

位置ｔもと位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ＣｔＳとなり１位置１．と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔｓに　　　　・お
いて、濃度Ｃ２ｏに至る０位置ｔ８と位置１．の間にお
いては濃度Ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如
き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１Ｂ図乃至第２４図により、層領域（ＱＣＦｇ
）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発
明においては、支持体側において、原子（００％）の分
布濃度Ｃの高い部分を宥し、界面１．側においそは、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＱＣＦｇ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１８図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置１．より５ＩＬ以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、界面位ＩＩ
　ｔｓより５１Ｌ厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合
もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌｔ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５０Ｑａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐ−以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５川以内（
Ｌｍから５ＪＬ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｗ
ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ま、しい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が暦接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第１Ｂ図乃至第１８図、第２２図及
び第２４図に示される分布状態となる様に、原子（ＤＯ
Ｎ　）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＱＣ）ｌ）を設けるには、光受容層の形成の
際に原子（０（：Ｎ）導入用の出発物質を前記した光受
容層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやればｊ　　　　　よい
。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＲ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（８２０ｓ　）　、四二酸
化窒素（Ｎ２ｏａ）、三二酸化窒素（ＮｔＯｓ）、三酸
化窒素（ＮＯｉ）　、　シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えば
ジシロキサン（Ｈｓ　５ｉＯ８ｉＨｓ）　、　　）リシ
クロキサン（Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級
シクロキサン、メタン（Ｃ）Ｌ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６
）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃｍ　Ｈ
１ｏ　）　、ペンタ７　（Ｃｓ　Ｈ１２）等の炭素数１
〜５の飽和炭化水素、エチレン（（、ｚｌ。

プロピＬ／　７　（Ｃ３Ｈ６）　、ブテン−１（Ｃ１Ｈ
＠）　。

ブテン−２（Ｃ，Ｈ＠）、イソブチレン（ＣｓＨ＠）、
ペン　　　　　キ、：テン（Ｃｓ　Ｈｔｏ　）等の炭素
数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メチルアセチレン０函）、ブチン（Ｃｍ　Ｈ６）等
の炭素数２〜４の７セチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）
、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）
　、アジ化水素（ＩＮ、）　、アジ化アンモニウム（Ｎ
ＬＮｓ）　、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４
Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＱＣ：Ｎ）導入用
の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記
のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として
、５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｎｇ、カーボンブラ。

り等を挙げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲ
ットと共にスパッタリング用のターゲットとしての形で
使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（０ＯＮ
）の含有される層領域（００％）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度ｃ
ｔ一層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状ｍ　
（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ
）を形成するには、グロー放電の場合には１分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変
化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される
。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率−′線に従って流量を制御し、所望の含有率
曲線を得ることもできる。

層領域（０ＯＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状！１Ｑ　（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　ｉ　ｌｅ）を形成
するには、第一には、グロー放電法による場合と同様に
、原子導入・用の出発物質をガス状態で使用し、該ガス
を堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜
変化させることによって成される。第二にはスパッタリ
ング用のターゲットを１例えばＳｉと５ｉ０２との混合
されたターゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０
２との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変
化させておくことによ虞される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａ
ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等
の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の暦が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａ１．
　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ％Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ％Ｐｄ。

Ｉ！１２０３．５ｎ０２、Ｉτ０（Ｉｎ２Ｏ３＋　Ｓｌ
２Ｏ３）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、
　Ｚｎ、　Ｎｉ％Ａｕ、　Ｃｒ、Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ
、丁ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設
け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、そ
の表面に導電性が付与される。支持体の形状としては、
円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によ
って、その形状は決定されるが、例えば、第１０図の光
受容部材１００４を電子写真用光受容部材として使用す
るのであれば連続高速複写の場合には、無端さルト状又
は円筒状とするのが望ましい、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、　　゛機能的強度の点から、好まし
くは１０蒔以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１２図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｆＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下、ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２００３
はＧｅＨ４ガス（純度１１１９．９９９％、以下ＧｅＨ
４と略す）ボンベ、２００４はＮＯＯ１２純度Ｈ，９９
９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００ＢはＨ２ガス（
純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００Ｉ、及び各ガス配管内を排気する０次
に真空計２０３Ｂの読みが約５　Ｘ　ｔｏ’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯＯ１２２００ＢよりＨ２ガスをバ
ルブ２０２２．２Ｇ２３．２０２４．２０２８を開いて
出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２９．２０３１
の圧をｌ　Ｋｇ／ｃゴに調整し、流入バルブ２Ｇ１２．
２０１３．２０１４．２０１８を徐々に開けて、マスフ
ロコントローラ２００７．２００Ｂ、２００８．２０１
１内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７
．２０１Ｂ、２０１８．２０２１、補助バルブ２０３２
、２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１
に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ４ガ
ス流量、ＮＯガス流量とＨ２ガス流量の比が所望の値に
なるように流出バルブ２０１７．２０１Ｂ、２０１８．
２０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所
望の値になるように真空計２０３８の読みを見ながらメ
インバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２
０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４０
０℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後、
電＄２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１内
にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の暦（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１Ｂを完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１のＪ！）　（Ｇ）
上にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２のＦ
！　（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の暦（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１８を適宜開閉することで酸素原子を含
有させたり、含有させなかったり、あるいは各層の一部
の層領域にだけ酸素原子を含有させることも出来る。ま
た、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスボンベ２０Ｇ４のＮＯガス
を例えばＭＷ３ガスあるいはＣ）Ｌ４ガス等に代えて、
層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増
やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形
成を行なえばよい、層形成を行っている間は層形成の均
一化を計るため基体２０３７はモーター２０３９により
一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の暦（Ｓ）上に反射防止機能を待つ表面層
を堆積させるために１例えば２００Ｂの水素（Ｈ２）ガ
スボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、堆
積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一面
に張る。その後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成した
ものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロ
ー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして、所
望層厚に表面層を形成する。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット径８０鱗の半導体レーザー（波長
７８０ｍｍ）を使用した。したが−１テａ−９ｉ　：）
Ｉを堆　　　　　１、。

積させる第１１図ＣＢ）に示される円筒状のＭ支持　　
　　　体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０ｍ
ｍ）を作成した。

次に、第１ａ表に示す条件で、第１２図の膜堆積装置を
使用し、所定の操作手順に従って表面層の積層されたａ
−９ｉ系主電子写真用光受容材を作成した。

なお、ＮＯガスは、その流量がＳｉＨ４ガス流量とＧｅ
）Ｉａガス流量との和に対して、初期値が３．４マｏ１
％になるようにマスフロコントローラを設定して導入し
た。

また１表面層は、第１２図の膜堆積装置のカソード電極
上に、第１８表に示すような各種材料の板（厚さ３腸鳳
）、本例ではＺｒＯ２を一面に張り、第１層および第２
層形成時に使用したＨ２ガスをＡｒガスに取りかえた後
、装置内を約５　Ｘ　１Ｇ′４ｔｏｏｒの真空とし、次
いでＡｒガスを導入して、高周波電力を３００Ｗとして
グロー放電を起し、カソード電極上のＺｒＯ２をスパッ
タリングすることによって形成した。以下の実施例にお
いても、表面層形成材料を変える以外は、本例と同様に
して表面層の形成を行った。

この場合には、第１１図ＣＢ）、（Ｃ）のように光受容
層の表面と支持体の表面とは非平行であった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長−７８０
ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０−で第１５図に
示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像
を得た。この場合、得られた画像には干渉縞模様は、観
察されず、実用に十分な電子写真特性を示すものだった
。

実施例２ シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第１３図、第１
４図に示されるように加工した。これ等の円筒状のＭ支
持体上に、実施例１と同様の条件で、電子写真用光受容
部材を作製した これらの光受容部材について、実施例１と同、様に第１
５図の装置で波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使い、
スポット径８０−で画Ｒ露光を行ったところ、画像には
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した。そのとき第１の層の層厚を１０−とした。

これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露光
装置において、画像露光を行った結果、画像には干渉縞
模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性を示す
ものが得られた。

実施例４ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第１表に示す条件で光受容部材を作製した。

上記、の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微
鏡で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中
央と両端で０．０９１ｍであった。第２の層の平均層厚
はシリンダーの中央と両端で３−であった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露光
装置において、画像露光を行った結果。

画像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子
写真特性を示すものが得られた。

実施例５ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第２表に示す条件で光受容部材を作製した。

これらの各光受容部材について実施例１と同様にレーザ
ー光で画像露光したところ、画像露光を行った結果、画
像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写
真特性を示すものが得られた。

実施例６ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第３表に示す条件で光受容部材を作製した。

これらの各光受容部材について実施例１と同様にレーザ
ー光で画像露光したところ１画像露光を行った結果、画
像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写
真特性を示すものが得られた。

実施例７ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第４表に示す条件で光受容部材を作製した。

これらの各光受容部材について実施例１と同様にレーザ
ー光で画像露光したところ、画像露光を行った結果、画
像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写
真特性を示すものが得られた。

実施例８ 第１の層を形成する際、ＮＯガス流量をＳｉＨ４ガス流
量とＧｅＨ，ガス流量との和に対して、第２２図に示す
ように変化させて、暦作製終了時にはＮＯガス流量が零
になるようにした以外は、実施例１と同様の条件で電子
写真用光受容部材を作成した。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーをスポット径８０鱗で第１５図に示
す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を
得た。

この場合、得られた画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例９ シリンダー状Ｍ支持５体の表面を旋盤で、第１３図、第
１４図に示されるように加工した。これ等の円筒状のＭ
支持体上に、実施例８と同様の条件で、電子写真用光受
容部材を作製した。

これらの光受容部材について、実施例８と同様に第１５
図の装置で波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使い、ス
ポット径８０−で画像露光を行ったところ、画像には干
渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性を
示すものが得られた。

実施例１０ 以下の点を除いて実施例９と同様な条件で光受容部材を
作製した。そのとき第１の層の層厚を１０−とした。

これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露光
装置において１画像露光を行った結果、画像には干渉縞
模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性を示す
ものが得られた。

実施例１１ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第５表に示す条件で光受容部材を作製した。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ１画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例１２ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第６表に示す条件で光受容部材を作製した。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ、画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例１３ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第７表に示す条件で光受容部材を作製した。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ、画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例１４ 第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第８表に示す条件で光受容部材を作製した。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ、画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例１５ 第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダＢ）上に第９表乃至第１２表に示す各条
件で第２５図乃至第２８図に示すガス流量比の変化率曲
線に従ってＮＯとＳｉＨ，とのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行って電子写真用の光受
容部材の夫々を得た。ただし、表面層は、ＺｒＯ２を用
い実施例１と同様に形成した。

き こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且一つ、十分良好な電子写真特性
を示し、本発明の目的に適ったもので漬った。

実施例ＩＢ 第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダＢ）上に第１３表に示す条件で第２５図
に示すガス流量比の変化率曲線に従って、ＮＯと５ｉＨ
ａとのガス流量比を暦作成経過時間と共に変化させて層
形成を行って電子写真用光受容部材を得た。ただし、表
面層は、　ＺｒＯ２を用い実施例１と同様に形成した。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、本発明の目的に適ったものであった。

実施例１７ 第１２図に示した製造装置により、シリンダーのＭ支持
体（シリンダＢ）上に第１４表乃至第１５表に示す各条
件で第２７図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮ
Ｈ３とＳｉＨ４とのガス流量比およびＣＨ４とＳｉＨ，
とのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させて層形
成を行って電子写真用の光受容部材の夫々を得た。ただ
し、表面層は、ＺｒＯ２を用い実施例１と同様に形成し
た。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し１本発明の目的に適ったものであった。

実施例１Ｂ 第１２図に示した製造装置により、第１１図（Ｂ）で示
されるシリンダー状のＭ支持体上に表面層材質を第ｔＳ
表に示す条件４２７０１〜２７２２の各種の材料、層厚
とする以外は、実施例１と同様の条件と手順に従って２
２個のａ−５ｉ系電子写真用光受容部材を作成した（試
料酸２７０１〜２７２２）　。

どれらの電子写真用光受容部材について、第１５図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ＩＡＩＩｌ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。いずれかの画像にも干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に１本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転時の斑点
の現出を同時にしかも完全に解消することができ、しか
も表面における光反射を低減し、入射光を効率よく利用
できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図、第１３図及び第１４図は、実施例で用いたＭ
支持体の表面状態の説明図である。 第１２図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第１Ｂ図から第２４図は、層領域（０１１１：Ｎ）中の
原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図
である。 第２５図から第２８図は、実施例におけるガス流量の変
化を示す説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・−Ｕ支持
体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１
の暦１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
２の暦１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・・
光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材の自由表面２８０１・・・・・・・・・
・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２８０２・・
・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２８
０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレンズ
２８０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴ
ンミラー２８０５・・・・・・・・・・・・・・・・・
・露光装置の平面図２８０８・・・・・・・・・・・・
・・・・・・露光装置の側面図第１１１　　　　　　　
　ｉ 第２図 第３図 第４図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　（８）（Ｃ） １り 第７図 第８ＴＥＪ 第９図 ｌＪＪｍ） 第１３図 （ｐｍ） 第１４図 第１５図 □Ｃ 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 第２２図 第２３留 □Ｃ 第２４レ ブス汎量比 乃“スラ糺量尾 η°ス；、ｔｔｒｃ 第２７図 つ゛ス′；瓦量ぶＬ 第２８図

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
   と、反射防止機能を有する表面層とが支持体側より順に
   設けられた多層構成の光受容層とを有しており、前記光
   受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択
   される少なくとも一種を含有する事を特徴とする光受容
   部材。
2. （２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
3. （３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
4. （４）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。
7. （７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
8. （８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
   請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
9. （９）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を層厚方向には均一
   な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
    子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
    不均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
    光受容部材。
11. （１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
12. （１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項又は同第１１項に記載の光受容部材。