JPS61109059A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ＆ｌ、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性
のある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー
光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関
する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し１次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−ＳｉＪ　と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

広乍ら、光受容層を単層゛構成のａ−３ｉ暦とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る１０Ｌ２ΩＣｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造との管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画、像に於いて、所謂
、干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。

殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画
像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ｔｏと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ２、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入４差で不
均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−）入（ｍ
は？！！数１反射光は弱め合う）の条件のどちらに合う
かによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を
生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１００００Ａの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１１３５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開
昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
ａ−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に１表面状態の悪
化によるその後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えるこ
と等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に１例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光！、となる。透
過光１．は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って１反射光Ｒ，
と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然と
して干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防として光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍλまた
は２ｎｄ、＝　（ｍ＋Ｍ）入が成立ち、夫々明部または
暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ
＋　、ｄｚ　、ｄ３．ｄａの夫々の差のλ あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、−電子写真特性に優れた光受容部材を提供す
ることでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の層と１反射防止機能を有する表面層とが
支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層とを有
しており、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前記光受容
層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
る少なくとも一種を含有する事を複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように。

第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化して
いる為に、界面８０３と界面＄０４とは互いに傾向きを
有している。従って、この微小部分（ショートレンジ）
ｌに入射した可干渉性光は該微小部分ｌに於て干渉を起
し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１暦７０１と第２暦７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光！。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）　　よりも非平
行な場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様
の明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ？４　ｄｏ　）であっても同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６
図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■ｏに対
して、反射光Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｉ　）は、照射光の波
長を入とすると、 入 （ｎ：第２層８０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の先受を層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が に 以下である様に全領域に於て均一・層厚に形成されるの
が望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多重ｆｉｇ構造、又は交叉螺旋構造とされ
ても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは１周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は１本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数布す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは。

例えば円筒の対称軸を有する支持体であって、その対称
軸を中心とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持
体においては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例
えば、板状等の平面を有する支持体におていは、支持体
上に形成されている複′数の凸部の最低２つを横断する
面を言うものとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−３ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、　　ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した暦堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００−〜０
．３鱗、より好ましくは２００−〜１−１最適には５０
−〜５ｕであるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５μ、
より好ましくは０．３μｓ〜３μｓ、最適には０．６μ
〜２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッ
チと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線上
突起部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体とに堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｓ〜２−１より好ましくは０．１μ〜　１．５１
ｍ、最適には０．２−〜ｌ−とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防ｌＩ：４！ｌ能を有
する表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成と
なっており、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が層厚方向に不均一となっているため、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは、次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防Ｌｌ：Ｊａ能を持つ表面層の厚さｄは、 が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、その上に表面層を堆積す
る層の屈折率をｎａすると、 ｎ＝ｖｉ− の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件か加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２−とされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては１例えば、ＭｇＦ２、
Ａ１２０３　、　ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　Ｃ
ｓ０２゜ＣｅＦ２．５ｉ０２、ＳｉＯ、Ｔａ２０５　、
　ｊＬｆｆｉＦ３．　ＮａＦ　、　Ｓｉ３Ｎ４等の無機
弗化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース
等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は１本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１００Ｇを有し
、該光受容層１００Ｇは自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−１ｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有゛するａ−９ｉ（以後ｒａ−９ｉ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の暦（Ｓ）　１００３と１反射防止機能を有
する表面層１００８とが順に積層された層構造を有する
。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）
の方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した
状態となる様に前記第１のＭ（Ｇ）　１００２中に含有
される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の層ＣＧ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材とし得るものである。

又、第１の暦（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の暦（Ｇ）と第２の暦Ｃ５’）との間に於
ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に
於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくす
ることにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２
の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１
の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止することが出
来る。

又１本発明の光受容部材に於いては、第１の暦（Ｇ）と
第２の暦（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１９図には１本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於
いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各々
の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示してお
り、これらの図は模式的なものと理解されたい、実際の
分布としては、本発明の目的が達成される可く、所望さ
れる分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ≦８）
又はＣｉ（１≦ｌ≦１７）の値を選ぶか、或いは分布カ
ーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべきである。

第１１図乃至第１８図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１のＪｌ　ＣＧ）の端面の位置
を、　ｔＴは支持体側とは反対側の層ＣＧ）の端面の位
置を示す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の
暦（Ｇ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる
。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の暦（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置１Ｂより１、の位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ８なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が′形成される第１の層（Ｇ
）に含有され、位ａｔｔ＋よりは濃度奇より界面位１１
ｔｖに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位
置１．においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは実質
的に零とされる（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置Ｌｅより位１１Ｌｔに至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置１．にお
いて濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位Ｎｔ８より位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ、
位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置を丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている 第１４＠の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔａより位１ｔＬｖに至るまで、濃度Ｃ６より初め
連続的に徐々に減少され、位置し３よりは急速に連続的
に減少されて、位ｍ１ｔｔにおいて実質的に零とされて
いる。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１Ｂと位１１４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位１ｔｖに於ては分布濃度Ｃは零とされ
る０位置ｔ４と位置１．との間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位ａｔｔｎより位置り丁に至るまで減少されて
いる。

第１８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
．より位置１Ｓまでは濃度Ｃ８の一定値を取り１位置ｔ
５より位置を丁までは濃度Ｃ９より濃度ＣｔＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置１．より位置１゜に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｔ
ｔより実質的に零に至る様に一次関数的に連続して減少
し零に至っている。

第１８図においては、位置１Ｂより位１ｔｔ６に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より
濃度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位１１ｔｓと位
置１．との藺においては、濃度０１３の一定値とされた
例が示されている。

第１８図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ＋ａであり、位
置１？に至る門ではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくり
と減少され、ｔＴの位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ７では濃度ＣＩＳとされる。

位置ｔ、と位Ｉｔｓとの間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位Ｋｉｔ
ｏで濃度ＣＩＧとなり、位置１ＦＭと位置１ｇとの間で
は、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に
至る０位置Ｌ９と位置ｔ７との間においては、濃度Ｃｔ
ｔより実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に
従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層ＣＧ）中
に含有されるゲルマニウム・原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面し。

側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べて可成
り低くされた部分を有するゲルマニウム原子の分布状態
が第１の層（Ｇ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の層（Ｇ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置Ｌｓより５
終以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位！ｔｔ
ｅより５終厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲル、マニウム原
子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布
濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好まし
くは１０００　ａｔｏ腸１ｃｐｐ■以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌ×１
０’　　ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５終以内（
ｔｓから５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層Ｃ５’）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくはｌ　＃　４０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜８ＸＩＱＳａｔｏｍｉｃ　ＰＰ婁
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚τＢは。

好ましくは３０Ａ〜５０終、より好ましくは、４０Ａ〜
４０川、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ＩＬ、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の暦（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ＠＋Ｔ）としては１両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の暦設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部ｉに於いては、上記の（■１＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１ｏＯ終、より好適
には１〜８０終、最適には２〜５０％とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚■６及び層厚Ｔとしては、好ましくはｒｉ　
／　Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜
適切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚■■及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、τｉ／Ｔ≦０．８．最適には
Ｔ、　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に暦ｎτ
Ｂ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである
。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有され、るゲル
マニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０’　　ａｔｏ層ｉ
ｃｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ｒａと
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０ル以下、より好ましくは２５終以下、最適には２０ｇ
以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の暦（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明ニオイテ、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の暦（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例
えば、グロー放電法によっテ、　　ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ
、Ｘ）　テ構成される第１の層ＣＧ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲ
ットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたタ
ーゲットを使用してスパッタリングする際、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又ガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６ｍが好まし
いものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，ＧｅｚＨｂ　＊　Ｇｌ！３Ｈ８＊　ＧｅａＨＩｏ＋
　Ｇｅ５Ｈ１２＊ＧｅｂＨｔ４＋　Ｇｅ７）１１６１　
ＧｅａＨｔｏ　ｅ　ＧｅｇＨ２６等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｅ供給効率の良さ等の点で。

ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５Ｈｅが好ましいものとし
て挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効な、ものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素７７）　
へｅｉゲンガス、　ＢｒＦ、αＦ、αＦ３　、　ＢｒＦ
５　。

ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７．１α、ＩＢｒ等（７
）　ハｔｌｌゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４．　ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡ　ｒ　ｅ　Ｈ２＋　Ｈｅ
等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第
１の層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって。

所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様に
計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含
む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良い
。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法゛或いはイオンブレーティング
法に依ってａ　−９ｉｄｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る第１の
層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場
合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲッ
トの二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを使
用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタ
リングし、イオンブレーティング法の場合には１例えば
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレ
クトロンビーム法ＣＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　Ｈｅｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　＊　ＳｉＨ２
１２。

５ｉ）１２α２　、５ｉＨＣ１３、５ｉＨ２Ｂｒ２　、
５ｉＨＢｒ３等ｆ）　ｔｓ、　Ｏゲン置換水素化硅素、
及びＧ５ＨＦ　３　＊　ＧｅＨ４Ｆ２　ｅ　ＧａＯ２Ｆ
　ｅＧｅＨＣｊ　３　、　（ｓｅＨ２α２　、　ＧｅＯ
２０，ＧｅＨＢｒ５　。

Ｇｅ）ｆ２８ｒ２　　、ＧｅＨＢｒ５ 水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅαｍ’　、
　ＧａＢｒ、　、　Ｇｅ１．、　ＧｅＦ２．　Ｇｅα２
　＊　ＧｅＢｒ２＋Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な
第１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２ｅ或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｔ３ＨＢ　＊　５ｉ４）Ｉｔｏ等の水素化硅素をＧｅ
を供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
、或いは％ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６ｅ　Ｇｅ３Ｈｅ　ｅ　
Ｇｅ４Ｈｔｏ　ｅ　Ｇｅ５Ｈｔｚ　＊Ｇｌ！６Ｈ１４１
ＧｅｔＨ１６１ＧｓｅＨｔｅ　＊　Ｇｅ４Ｈｔｏ等の水
素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の７１　ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　
ａｔｏ■ｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏ■ｉｃ％
とされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（ｘ）の量を制御するには１例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ
）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質（第２の暦（Ｓ）
形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の７１　（
Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行う
ことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成
される第２のｅ　（Ｓ）を形成するには例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
０例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の暦（Ｓ）を形成するには、基本的には
前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＱＣ）ｌ）は
、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、
光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在さ
せても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（０ＯＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＲ）
の含有されている層領域（ＱＣ）ｌ）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の
密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光
受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合１Ｍ領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｑ
Ｃ：Ｎ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（０ＯＮ）の含有量は、ｔ？層領域
ＯＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ｏｃ
ｍ）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ｏｃｇ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＱＣ）ｌ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１＃
　５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には１層領域（０にＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には１層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔａｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔａｇｉｃ％以下、最適
には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ　）を含有されることで
、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが
出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち１例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（００１１）の
層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示され
る。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣｌｌ）の層厚を示
し、ｔ８は支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、１１は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す、即ち、原子（ＱＣ）ｌ）の含有される。

層領域（ＯＣＮ）は１．側よりｔＴ側に向って暦・形成
がなされる。

第２０図には１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域Ｃ０ＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位Ｉｔ　ｔｓより１１の位置
までは、原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃが・ＣＩなる一定
の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（Ｏ
ＣＮ）に含有され１位置ｔ１よりは濃度４より界面、　
位！ｌ　ｔｔに至るまで徐々に連続的に減少されている
。界面位置１１においては原子（ＱＣｌｇ）の分布濃度
Ｃは濃度ちとされる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＳ）の分布濃度Ｃは位置ｔ８より１．に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置を丁において濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には、位置１．より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＲ）の分布濃度Ｃは濃度ｔと一定値とされ、位１
１Ｌ２と位置り、との間において、徐々に連続的に減少
され、位置を丁において、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第２３図の場合には、原子（ｏｃＮ）の分布濃度Ｃは位
置を日より位置を丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され１位置１．において、実質的に零とされ
ている。

第２４図に示す例においては、Ｊ［子（００１１）の分
布濃度Ｃは位置ｔｓと位置Ｌ３間においては濃度Ｃ９と
一定値であり１位置ｔＴｇおいては濃度ＣＩ６とされる
１位置Ｌ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃば一次関
数的に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している。

第２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置
ｔ４より位置１Ｔまでは濃度Ｃ１２より濃度ａＩＳまで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２ｅ図に示す例においては、位置ｔｅより位置１Ｔに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ｃｎより
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２７図においては、位１ｔｔａより位置Ｌ５に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣｔＳよりａ
Ｓ６までの一次関数的に減少され、位置１．と位置１、
との間においては、濃度ＣｔＳの一定値とされた例が示
されている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置１．においては濃度Ｃｔｔであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１フより初めは緩やかに
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ａｔｅとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置１．
で濃度０１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
Ｃ２゜に至る０位置ｔ８と位置１丁の間においては濃度
０２Ｇより実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１．側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（ＯＣＩＩ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（ｏｃｇ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域ＣＢ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一暦向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃至１！＄２８図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５終以内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、界面位ｉｔ
　ｔｓより５ル厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＸ）の
層厚方向の分布状態として原子（００）ｌ）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｔｃ　
ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐｍ
以上、最適には１００１０００ａｔｏ　ＰＰ−以上とさ
れる様な分布状態となり得る様に暦彫成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、原子（ｏｃｎ）の含有される
層領域（０（Ｊ）は、支持体側からの層厚で５終以内（
ｔｓから５ＪＬ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｗ
ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防とすることが出来る。

又１層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２８図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（００
１１）を層領域（０ＯＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明に於いて、光受容層に原子（６ｃｍ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ｏｃｎ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（０ＯＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、四二酸
化窒素（Ｎ２０Ａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシ
ロキサン（Ｈ３５ｉＯ９ｉＨ３）、トリシクロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキサン
、メタン（Ｃ）１４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７
（Ｃ３Ｈ１ｌ）、ｎ−ブタｙ　（ｎ−ＣａＨｓｏ）　Ｉ
ペンタン（Ｃ５ＨＩ２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、
ブテン−１（ＣａＨ＠）。

ブテン−２（ＣＪ＊）　、インブチレン（ＣｓＴ＠）、
ペンテン（ＣａＨｓｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃｍ　Ｈｓ　）等の炭素数２〜
４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎｚ）、アンモニア
（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水
素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、
三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｎ）等々を挙
げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状＠　（
ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）
を形成するには、グロー放電の場合には１分布源度Ｃを
変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガス
を、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化
させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく１例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ｏｃｔｔ）をスパッタリング法によって形成す
る場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚
方向で変化させて、原子（ｏｃｉ）の層厚方向の所望の
分布状！　（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　１ｔｓ）を形成する
には。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては１例
えば、ＦｌｉＣｒ％ステンレス、Ｍ。

Ｃｒ％Ｎｏ、轟ｕ、　Ｎｂ、丁ａ％Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、
　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。　　　
　　゛電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂の乙イルム
又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用され
る。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面
側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、１１％
Ｃｒ、　？Ｉｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｍＯ２，
ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２）等カラー成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂ライ１ルムであれば、ＮｉＣ
ｒ、　Ａｔ、轟ｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ＠旧、Ａｕ、　Ｃｒ
。

Ｎｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ％Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性が付与される。支持
体の形状としては１円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材として、可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。面乍
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機能的
強度の点から、好ましくは１０＃Ｌ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００８のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ，ガス（純度ｓｓ
、ｓａｓ％、以下、ＳｉＨ４と略す）ボンベ、　２００
３はＧｅＨ４ガス（純度９８．Ｅ１９１１％、以下Ｇ５
Ｈ４と略す）ボンへ、２００４はＨｅガス（純度９８．
９１１１１％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＨ
ｅガス（純度９９Ｊ９９％）ボンベ、２００ＢはＨ２ガ
ス（純度ｓｓ、ｅｓｅ％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるＫはガスボ
ンベ２０（１２〜２００８のバルブ２０２２〜２０２Ｂ
、リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０
１７〜２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０
次に真空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出
バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＨｅガス、２００１１よりＨ２ガスを
バルブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２６を開い
て出口圧ゲージ′２０２７．２０２８．２０２９．２０
３１の圧をＩ　Ｋｇ／ｃ−ゴに調整し、流入バルブ２０
１２．２Ｇ１３．２０１４．２０１８を徐々に開けて、
マスフロコントローラ２００７．２００８．２００９、
２０１１内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２
０１７．２０１８．２（１１９，２０２１，補助バルブ
２０３２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室
２００１に流入させる。このときの！３ｉＨ４ガス流量
。

ＧｅＨ，ガス流量、Ｈｅガス流量とＨ２ガス流量の比が
所望の値になるように流出バルブ２０１７．２０１８゜
２０１９．２０２１を調整し、また、反応室２００１内
の圧力が所望の値になるように真空計２０３８の読みを
見ながらメインバルブ２０３４の開口を調整する。そし
て、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により
５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確
認した後、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室
２００１内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ
設計された変化率曲線に従って、　ＧｅＨ４ガスの流量
を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバルブ
２０１８の開口を暫時変化させる操作を行って形成さ庇
る層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御
する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１Ｂを完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１のＭ／　（Ｇ）上
にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）な形成すること・が出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

最後に、第２の暦（３３上に反射防止機能を持つ表面層
を堆積させるために、例えば２００６の水素（Ｈ２）ガ
スボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、堆
積装置を清掃し、カソード電極上に表面層°の材料を一
面に張る。その後、装置内に第２の暦（Ｓ）まで形成し
たものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グ
ロー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして、
所望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■脂）を、旋盤で第３０図ＣＢ）に示す様な表面性
に加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２８図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ　−８ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した。

なお、第１層は、ＧｅＨ４及びＳｉＨ４の各ガスの流量
を第３１図のようになるように、マスフロコントローラ
ー２００？及び２００８をコンピューター（ＨＰ９８４
５Ｂ）により制御した。また、表面層は、第２９図の装
置のカソード電極上に、第９表に示すような各種材料の
板（厚さ３ｓ＋ｍ）、本例ではＺｒＯ２を一面に張り、
第１層および第２Ｍ形成時に使用したＨ２ガスをＡｒガ
スに取りかえた後、装置内を約５　Ｘ　１０４ｔｏｒｒ
の真空とし、次いでＡｒガスを導入して高周波電力を３
００１としてグロー放電を起し、カソード電極上のＺｒ
Ｏ２をスパッタリングすることによって形成した。以下
の実施例においても１表面層形成材料を変える以外は、
本例と同様にして表面層の形成を行った。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第３
０図（Ｃ）の様であった。この場合、ＡＩ支持体の中央
と両端部とでの平均層厚の層厚差は２Ｊ１１１であった
・ 以上の電子写真用光受容部材について、第３９図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。得られた画像には、干渉縞は模様は観測さ
れず、実用に十分なものであった。

実施例２ 表面層材質をＴ　ｉ　０２とした第２表に示す条件で行
なう以外は、実施例１と同様にして、第２９図の膜堆積
装置で種々の操作手順に従ってａ　−５ｔ系電子写真用
光受容部材な作製した。

なお、第１層は、　Ｇａ）１．及びＳｉＨ４の各ガスの
流量を第３２図のようになるように、マスフロコントロ
ーラー２００７及び２００８をコンピュータ（１１Ｐ９
８４５Ｂ）により制御した。

以上の電子写真用先受−容部材について、実施例１と同
様にして、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の
波長？＄１０ｓｓｓ、スポット径５ｏｐ）で画像露光を
行ない、それを現像、転写して画像を得た。得られた画
像には、干渉縞は模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例３ 表面層材質をＣ；ｅ０２とした第３表に示す条件で行な
う以外は、実施例１と同様にして、第２９図の膜堆積装
置で種々の操作手順に従ってａ　−９ｔ系電子写真用光
受容部材を作製した。

尚、第１Ｎ！は、　ＧｅＨ４及び５ｉ）１４の各ガスの
流量を第３３図のようになるように、マスフロコントロ
ーラー２００７及び２００８をコンピュータ（ＨＰ１８
４５Ｂ）により制御した。

以との電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
にして、第３１１図に示す画像露光装置（レーザー光の
波長？８０ｎ■、スポット径８０μ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像に
は、干渉縞は模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ　）
　８０ｍ５）を、第３０図（Ｂ）、第４０図、第４１図
に示すような表面性に３種類、旋盤で加工した。

次に、表面層材質をＺｍＳとした第４表に示す条件で行
なう以外は、実施例１と同様にして、第２８図の膜堆積
装置で種々の操作手順に従ってａ　−！Ｊｉ系電子電子
写真用光受容部材製した。

尚、第１層は、０ｓ）１４及びＳｉ＆の各ガスの流量を
第３４図のようになるように、マスフロコントローラー
２００？及び２００１１をコンピュータ（ＨＰ９８４５
Ｂ）により制御した。

これらの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様にして、第３８図に示す画像露光装置（レーザー光の
波長？８０ｎ組スポフト径８０ｕＩ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。得られた画像に
は、そのいずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例５ 実施例４において使用したＩＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例４と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

これらの電子写真用光受容部材について第３９図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ＋＋＋、スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像転写し
て画像を得たところ、得られた画像には、そのいずれに
も干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例６ 実施例４に於いて使用したＮＨ，ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例４と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

これらの電子写真用光受容部材について第３９図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径ａｏＩｍ）で画像露光を行ない、それを現像転写して
画像を得たところ、得られた画像には、そのいずれにも
干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例７ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第３０図ＣＢ）の表面性に旋盤で加工
し、第２９図の膜堆積装置により、第５表に示す条件で
第３５゛図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮｏ
ガスの流量比を層形成時間とともに変化させる以外は、
実施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製
した。

これらの電子写真用光受容部材について、第３８図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　　ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得たところ、得られた画像には、干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例８ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍ５＋）を、第３０図（Ｂ）の表面性に旋盤で加
工し、第２８図の膜堆積装置により、第６表に示す条件
で第３８図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮＨ
，ガスの流量比を層形成時間とともに変化させる以外は
、実施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作
製した。

このようにして得られた電子写真用光受容部材について
、°第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７
Ｂｏｎ口、スポット径８０−）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得Ａところ、いずれの画像に
も干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例９ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）の表面性に旋盤で加工
し、第２９図の膜堆積装置により、第７表に示す条件で
第３７図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮｏガ
スの流量比を層形成時間とともに変化させる以外は、実
施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製し
た。

このようにして得られた電子写真用光受容部材について
、第３８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長？８
０ｍｍ、スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得たところ、いずれの画像にも
干渉縞模様は観測さ杵ず、実用に十分なものであった。

実施例１０ 実施例９に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変えた
以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置！（レーザー光の波長７
８０ｎｍ、スポット径８０ＪＬｌｌ　）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得たところ、得られ
た画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なも
のであった。

実施例１１ 実施例９に於て使用したＮｏガスをＣＨ４ガスに変えた
以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第３８図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０騨）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得たところ、得られた画像には
、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例１２ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）の表面性に旋盤で加ニ
レ、第２９図の膜堆積装置により、第８表に示す条件で
第３８図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＣＨ４
ガスの流量比を層形成時間とともに変化させる以外は、
実施例１と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製
した。

このようにして得られた電子写真用光受容部材について
、第３９図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎ■、スポット径８０ＪＬ１１　）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得たところ、得られた
画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例１３ 第３０図（Ｂ）に示す、ような表面性に旋盤で加工した
Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ）８
０ｔｓ）を用い、表面層材質及び層厚を第９表に示すよ
うにして、その他の条件は、実施例１と同様にして、ａ
−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した゛（試料Ｎｏ
、２７０１〜２７２２）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｉｔ、スポ
ット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

［発明の効果】 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば。

可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容
易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模摸と反転
時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することがで
き、しかも表面における光反射を低減し、入射光を効率
よく利用できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｉｌｌ；）、（Ｄ）は光受容
部材の各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われない
ことの説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（（：）は、光受容部材の各層
の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図から第１８図は、第１の暦におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図から第２８図は、層領域（ＯＣ＊）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。 第２９図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第３０図及び第４０図乃至第４１図は、実施例で用いた
Ｍ支持体の表面状態の説明図である。 第３１図から第３８図は、実施例におけるガス流量の変
化を示す説明図である。 第３８図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 ｔｏｏｏ−・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・川・・・・・・超支持体
１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第１の
層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２
の暦１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・・光
受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材の自由表面２８０１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・電子写真用光受容部材２Ｂ０２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２６０
３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆＯレンズ２
８０４−・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴン
ミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・・・
・・・・・露光装置の側面間第１５１ 第２図 第３図 第４図 第５図 （Ｄ） 第６図 （Ａ）　　　　　　　　　　（Ｂ） （Ｃ） １口 第７ｍｍ 第１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 第２２図 第２３図 第２４図 第２Ｓ図 第２６図 第２７図 □Ｃ 第２８図 第３１図 第３２図 第３３図 第３４図 プスラえ量よし １人！！几 〃入５を量ル 第３７図 乃゛入；晃量；乙 嬉３８図 第３９図 （ＪＪｍ） 第４０図 （）Ｉｍ） 第４１図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
   と、反射防止機能を有する表面層とが支持体側より順に
   設けられた多層構成の光受容層とを有しており、前記第
   １の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方
   向に不均一であると共に、前記光受容層は、酸素原子、
   炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種
   を含有する事を特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層に含有される酸素原子、炭素原子、
   窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子の分
   布状態が、層厚方向に不均一である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。
3. （３）前記光受容層に含有される酸素原子、炭素原子、
   窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子の分
   布状態が、層厚方向に均一である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
4. （４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。
9. （９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
10. （１０）前記凸部は、機械的加工によって形成された特
    許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。