JPS60211463A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、ｌ／−チー光などの可干渉性光を用い
るのに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビ・ンカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６
−８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る
感光層を有する光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−Ｓｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以１−の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又
は／及び感光層の１一部表面に障壁層を設けた多層構造
としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が
提案されている。

この様な提案によって、Ａ−５ｔ系先光受容材はその商
品化設計１−の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性のｔＢ色光であるので、光受容層のレ
ーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反則
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＯと」一部界面１０２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２　ｎ　ｄ＝ｍ入
（ｍは整数、この場合反射光は強この場合反射光は弱め
合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収
光呈および透過光廣に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５＋ｉ３公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現を低減させてはいるが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
（所謂、滲み現象）、実質的な解像度低下の要因となっ
ていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−ＳＩ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３
ｉ感光層形成の際のプラズマによってダメージを受けて
、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化
によるその後のＡ−３ｉ感光層の形成に悪影響を与える
こと等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■１となる。透
過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ、に２．に３・・・・・・と
なり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光
Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反用を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハ］／−ジョンを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２，第２層４０３の表面で
の反射光Ｒ１゜支持体４０１の表面での正反射光Ｒ３の
夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干渉
縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材におい
ては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉
縞を完全に防止することは不可能であった・ 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一性
があって、製造管理−］―旦合が悪かった。加えて、比
較的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯
かる大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブ１／−ク
ダウンの原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容層５０２の凹凸の傾斜面
５０４とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄ　１　＝　（ｍ＋３４）入が成鳥°ｆち、
それぞれ明部またはＨｆｒ、部となる。又、光受容層全
体では光受容層の層厚ｄ１．ｄ２、ｄ３、な層厚の不均
一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは干
渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図に１ おいて、一層構成の光受容部材で説明した支持体表面で
の正反射光と、光受容層表面での反射光との干渉の他に
、各層間の界面での反射光による干渉が加わるため、一
層構成の光受容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑
となる。

木発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもおる。

本発明の光受容部材は、反射防止機能を持つ表面層とシ
リコン原子を含む非晶質材料からな　２ る少なくとも１つの感光層を有する多層構成の光受容層
を支持体−１−に有する光受容部材に於て、前記光受容
層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種を含有し、］一つショートレン
ジ内に１　ｉＪ　以−１の非平行な界面を有し、該非平
行な界面が、層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向
に多数配列している事を特徴とする。

以下、木発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有
する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って
、１つ以」−の感光層を有する多層構成の光受容層を、
図の一部に拡大して示しである。第６図に示されるよう
に、第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化
している為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向
きを有している。従って、この微小部分（ショートレン
ジ）文に入射した可干渉性光は、該微小部分立に於て干
渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■０に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、ｆｆ１７図の（Ｃ）に示す様に、−・対の界面
が平行な関係にある場合（ｒ（Ｂ）、＋）よりも非平行
な場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の
明暗の差が無視し得る程１１Ｆに小さくなる。その結果
、微小部分の入射光量はモ均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的に不均一・（ｄ７ｓｄｅ）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）　Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、ｔＪＳＢ図に示す様に、入射光ＩＯ
に対して、反射光Ｒ１・Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在
する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、５ 光受容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一層
干渉効果を防止することが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ立（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することにより回折効果を積極的に利用す
ることが出来、干渉縞の発現をより一層抑制することが
出来る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
立に於ける層厚の差（ｄ　５−　ｄ　ｓ）は、照射光の
波長をλとすると、 ６ であるのが望ましい（第６図参照）。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層、界面が非平行な関係にある様に各層
の層厚が、各層の形成の際に微小カラム内に於いて制御
されるが、この条件を満足するならば該微小カラム内に
いずれか２つの層界面が平行な関係にあっても良い。　
但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防Ｉに層、電気絶
縁性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目
的をより効果的４］−っ容易に達成する為に、層厚を光
学的レベルで正確に制御できることからプラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スバ、タリ
ング法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイＩ・をフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形
成される。この様な切削加工法によって形成される凹凸
が作り出す逆■字形線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺線描造を有する。逆Ｖ字形突起部の螺
線構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線構
造とされても差支えない。

或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形実質的に、二等辺三角形、直角三角形成いは不
等辺三角形とされるのが望ましい。これ等の形状の中、
殊に二等辺三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状ｙハｊで支持体表面に設
けられる凹凸の名ディメンションは、以下の点を考慮し
た−にで、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定
される。

即ち、第１はＡ−３ｉ層は、層形成される表面の状態に
構造敏感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変
化する。

従って、Ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンションを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

９ 上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００μｍ　
〜０．３ｐＬｍ、より好ましくは２００ｐＬｍ〜ＩＩＬ
ｍ、最適には５０ＩＬｍ〜５ｇｍであるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．ＩＪＬｍ　〜
５ｇｍ、より好ましくは０．３ｐｍ〜３ｐｍ、最適には
０．６ｐＬｍ〜２ＩＬｍとされるのが望ましい。

支持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｐｍ〜２　ＩＬｍ　、より好ましくは０．１給ｍ〜
１．５終ｍ、最適には０．２ｇｍ−ＩＩＬｍとされるの
が望ましい。

０ 反射防止機能を持つ表面層の厚さは、次のように決定さ
れる。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、表面層を堆積する感光層
の屈折率をｎａすると、 ｎ＝ＦＹＴ の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防１に層の層厚
は、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるも
のとして、０．０５〜２ｇｍとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防１ト機能を持つ表面層の材料と
して有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２
　、Ａｌ１　ｏ３　。

ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＣｅＯ２。

ＣｅＦ２　、Ｓ＋０２　、Ｓ、ｉｏ、Ｔａ２０５　。

ＡＡＦ３　、ＮａＦ　、Ｓ　ｉ３　Ｎ４等の無機弗化物
、無機醇化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニソデン、メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セル
ロース等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的［１，つ容
易に達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御で
きることから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気
相法（ＰＣＶＤ法）。

光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採用される次に、本
発明に係る多層構成の光受容部材の旦体例を示す。

第１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を看し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感光層１
００４゜表面層１００５が設けられた構成とされている
。

支持体１００１としては、導電性でも′屯気絶縁性であ
ってもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ
、ステンレス、ＡＩ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ。

Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が１−ぼられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面を導電処理され、該導ＩＴＬ処理３ された表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮｉＣｒ、ＡＩ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２．
　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設
けることによって導電性がイζ１ケーされ、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ、ＡＩ。

Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ等の金属の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表
面に設け、又は、前記金属でその表面をラミネート処理
して、その表面に導電性が伺与される。支持体の形状と
しては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、
所望によって、その形状は決定されるが、例えば、第１
Ｏ図の光受容部材１０００を電子写真用像形成部材とし
て使用するのであれば連続複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが４ 望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材としてＩｆ
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が十分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、好ましくは１０ＩＬ以」−と
される。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｔ（以後ｒＡ　−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと記す）で構成されると共に伝導性を支
配する物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止層１００
３に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、
いわゆる半導体分野で言われる不純物を挙げることがで
き、本発明に於ては、Ｓ＋に対して、ｐ型伝導特性を与
えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を挙
げることができる。具体的には、Ｐ型不純物としては周
期律表第■族に属する原子（第■属原子）、例えばＢ（
硼素）。

ＡｆＬ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、ＴＩ（タリウム）等があり、殊に
好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａ、である。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）９例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒、＋：）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に好適に
用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含イ１される
伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、星求される電
荷注入防止特性、或いは該電荷注入防止層二層１００２
が支持体ｔｏｏｌ上に直に接触して設けられる場合には
、該支持体１００１との接触界面に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて適宜選択することが出来る。

又、前記電荷注入防止層に直に接触して設７ けられる他の層領域の特性〜５、該他の層領域との接触
界面に於ける特性との関係も名店されて、伝導特性を制
御する物質（Ｃ）の含有ｂ１が適宜選択される。

本発明に於て、′Ｉｌｊ′荷汀入防１１一層１００３　
Ｉｌｌに含有される伝導性を制御する物質（Ｃ）の含有
量としては、好適には、０．００１〜５×１０４１０４
ａｔｏ　ｐｐｍ、より好適には０−５０−５−ＩＸ１０
４ａｔｏ　ｐｐｍ、最適には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｊ
ｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防１１一層１００３に於ける物
質（Ｃ）の含有量は、好ましくは、３゜ａｔｏｍｉｃ　
ｐＰｍ以１−２より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以り、最適には１００１００ａｔｏ　Ｐｐｍ以七２する
ことによって、以下に述べる効果をよりＷＪ著に得るこ
とが出来る。例えば含有させる物？ｊ（Ｃ）が前記のｐ
型不純物の場合には、光受容層の自由表面がくう極性に
帯電処理を受けた際に支持体側から感８ 光層中へ注入される電子の移動を、より効果的に６１１
市することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前
記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極
性に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入
ｙれる正孔の移動を、より効果的に阻止することが出来
る。

電荷注入防止層１００２の層厚は、好ましくは、３０人
〜１０ル、より好適には４０久〜８μ、最適には５０久
〜５μとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成され
、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する
電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機
能を有する。

感光層１００４の層厚としては、好ましくは、１〜１０
０ルｍ、より好ましくは１〜８０ｐｍ、／Ｉ％適には２
〜５０ｐｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００２に含有さ
れる伝導特性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性
の伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止
層１゜０２に含有される実際の星が多い場合には、核用
よりも一段と少ない星にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
１に１層１００３に含有される前記物質の極性や含有量
に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好
ましくは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ。

より好適には０．０５−５００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ
、最適には０．１−２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとさ
れるのがｑ！ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層ユ層１００３及び感光層
１００４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場
合には、感光層１００３に於ける含有量としては、好ま
しくは３０ａｔ　。

ｍｉｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ＞の１１４又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原ｒとハロゲン原子の都の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
い。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、ＣＪＩ。

Ｂｒ、Ｉが挙げられ、これ等の中でＦ、Ｃ１が好ましい
ものとして挙げられる。

第１Ｏ図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防１１８
層１００３の代りに電気絶縁性材料から成る、所謂、障
壁層を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止
層１００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａｌ２Ｏ２，５ｉ０２、Ｓｉ
３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有
機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化１ と高暗抵抗化、■には、支持体と光受容層との間の密着
性の改良を図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子
、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一
種の原子が含イ１される。光受容層中に含イ１されるこ
の様な原子（ＯＣＮ）は、光受容層の全層領域に含有さ
れても良いし、或いは、光受容層の一部の層領域のみに
含有させることで偏在さ廿ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態；は分子ａ＋濃度Ｃ（ＯＣＮ
）が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては
均一であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と１１１
Ｓ抵抗の向にを主たる［１的とする場合には、光受容層
の全層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層と
の間の密着性の強化を図るのを主たる１１的とする場合
には、光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設け
られる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有され２ る原子（ＯＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に
比較的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性
の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい
。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、腰仙の層領域の特性や、腰仙の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の間は
、形成される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１〜５
０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４０
ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には０．００３−３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）か光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記のイｆ１より
充分小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以−１−と
なる様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原
子（ＯＣＮ）の」−限としては、好ましくは３０ａｔｏ
ｍｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｔｃ％以下
、最適には１０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％以下とされ
るのが望ましい。

本発明の好適な実施態様側によれ４ｆ、原子（ＯＣＮ）
は、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及
び障壁層←こは、少なくとも含有される。詰り、光受容
層の支＋Ｓ体（Ｉ１１端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含
有させることで、支持体と光受容層との間の密着性の強
化を計ることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えＩｆ、硼素原子との共
存下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が出来る
ので、感光暦本こ所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えｉｆ、電荷注入防止層中に
は、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含
有させたり、或１／）は、回一層領域中に例えば酸素原
子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良（Ｘ。

本発明において、水素原子又は／及び）＼ロゲン原子を
含有するＡ−３ｉ　（ｒＡ−３ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊ　と記す）で構成される感光層を形成するには例
えばグロー放電法、スパッタリング法。

或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する
真空堆積法によって成される。例えば、グロー放電法に
よって、ａ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）で構成される感光層を形成するには、基本的には、
シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面一ににａ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）から成る層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡ　ｒ　、　Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合カス
の雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットを使用して、
必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈された水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入し、所５ 望のガスのプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲット
をスパッタリンぐしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
ドに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする−１１で行
うことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ
、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳ　ｒ　Ｈ４＋　Ｓ　ｉ２　Ｈ６＋が好ま
しいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲ６ ン化合物が挙げられ、例えばｌ＼ロゲンガス、／＼ロゲ
ン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラ
ン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合
物が好ましく挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得る／＼ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、　Ｊ１！素、臭素、ヨウ素
のハロゲンガス、ＢｒＦ、ＣｉＦ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７　、ＩＣｆＬ、ＩＢｒ等（７）ハロゲン間化合物
を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４，５ｉ２Ｆｓ。

５ｉＣｊＬ４．ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好まし
いものとして挙げる事が出来る。

この様ハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロー
放＠法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成する
場合には、Ｓｉを供給しイ１）る原料ガスとしての水素
化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲ
ン原子を含むａ−３ｉから成る感光層を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして感光層を形成す
る堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガス
のプラズマ雰囲気を形成することによって、所望の支持
体上に感光層を形成し得るものであるが、水素原子の導
入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等のガ
スに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。

９ 又、各ガスは中独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリングｉｌに　、イオンブレーティング法の何
れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入する
には、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
ス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

０ 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て」−記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

ＨＣｕ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ
２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ旦２゜Ｓ　１Ｈｃ１３．
Ｓ　１Ｈ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有
効な感光層形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、感
光層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族ｆｆＸ　
’ｆ−導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容
層を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良
い。この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るも
のとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第■放原子導入用の出発物質として具
体的には素原子導入用としては、Ｂ　２　Ｈ６、Ｂ　４
　Ｉ−Ｉ　。

Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ、Ｂ６Ｈ１２゜Ｂ６Ｈ１
４等の水素化　素、ＢＦ３．ＢＣ文３゜ＢＢｒ３等のハ
ロゲン化　素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３　、
ＧａＣｕ３　、Ｇａ（Ｃｕ３）３　、Ｉ　ｎｃ１３　、
ＴＣｕ３等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦ５
．ＰＣ文３゜ＰＣＪ１１５．ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ
３等（７）　ハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａｓ
Ｈ３゜ＡｓＦ３　、ＡｓＣ文３　、ＡｓＢｒ３　、Ａｓ
Ｆ５゜ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　、ＳｂＦ５．ＳｂＣ立３゜
Ｓｂ０文５　、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ２　、Ｂ１Ｂｒ３等
も第■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることが出来る。

本発明に於て、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有された
層領域（ＣＯＮ）を設けるには、光受容層の形成の際に
原子（ＣＯＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層形
成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にその
量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され３ 得る。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）＋−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒
素（Ｎ２０４）。

ミニ酸化窒素（Ｎ２０５）、二四酸化空素（ＮＯ３）、
シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（１
１）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３
ＳｉＯ３１ＩＩ３）。

トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）　等
の低級シロキサン、メタン（ＣＨ４）。

エタ７（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ　−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の
炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、
プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブ
テン−２（Ｃ４Ｈ８）。

インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５Ｈ１０）等
の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ
２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ
４Ｈｅ　）等の炭素数２〜４４ のアセチレン系炭水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎ
Ｈ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）。

アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３アジ化アンモニウム（ＨＩＩ
４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ
）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 未実施例ではスボー２ト系８０ｐｍの半導体レーザー（
波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−３ｉ：Ｈ
を堆積させる円筒状のＡｆＬ支持体（長さくＬ）３５７
ｍｍ径（ｒ）８０ｍｍ）」二に旋盤でピッチ（Ｐ）　２
５　ＪＬｍテａｉｅ’　（Ｄ）０．８Ｓでｌｆｔ１１３
ｉ状の溝を作製した。このときの溝の形を第１１図に示
す。

このＡ文支特体」二に第１２図の装置で電荷注入防止層
、感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２ｏ４はＡＭ支持
体回転用モータ、１２ｏ５はＡｌ１支り体、１２０６は
ＡＫＬ支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１
２０８は高周波導入用カソード電極、１２０９はシール
ド板、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５．
１２４１　Ｎ１２４５ハハルブ、１２３１〜１２３５は
マスフロコントローラー、１２５１〜１２５５はレギュ
レーター、１２６１は水素（Ｂ２）ボンベ、１２６２は
シラン（ＳｉＨ４）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ２
Ｈｅ）ボンベ、■２６４は酸化窒素（Ｎｏ）ボンへ、 １２６７はメタン（ｃ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。

１２６１〜１２６５のボンベの元栓をすべてしめ、すべ
てのマスフロコントローラーおよびバルブを開け、１２
０３の拡散ポンプにより堆積装置内を１Ｏ−７Ｔｏｒｒ
まで減圧した。

それと同時に１２０６のヒータにより１２ｏ５のＡｎ支
持体を２５０°Ｃまで加熱し２５０℃で一定に保った。

１２ｏ５のＡｎ支持体の温度が２５０℃で一定になった
後１２２１〜１２２５゜１２４１〜１２４５．１２５１
〜１２５５のバルブを閉じ、１２６１〜１２６５のボン
ベの元栓を開け、１２ｏ３の拡散ポンプをメカニカルブ
ースターポンプに代える。１２５１〜１２５５のレギュ
レーター付きバルブの二次圧を１　、５　ｋｇ／　ｃ　
ｍ２に設定した。１２３１のマスクロコントロラーを３
００３ＣＣＭに設定し、１２４１のバルブと１２２１の
バルブを順に開き堆積装置内にＢ２ガスを導入した。

次に１２６１の５ｉ）１４ガスを１２３２のマスフロコ
ントローラーの＋４　定ヲ１５０　Ｓ　ＣＣＭに設定し
て、Ｂ２ガスの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積
装置に導入し１２６３のＢ２Ｈ６ガス流ｈＹを５ｆＨ４
ガス流星に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐｍになるよう
に１２３３のマスフローコントローラーを設定して、Ｂ
２ガスの導入と同様な操作でＢ２Ｈ６ガスを堆積装置内
に導入した。

次に１２６４のＮｏガス流昂をＳ　ｉ　Ｈ４ガス流駿に
対して、３．４Ｖｏ１％になるように１２３４のマスフ
ロコントローラー’Ｆｔ　設定して、Ｂ２ガスの導入と
同様な操作でＮｏガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、１２０１の高周波電源のスイッチ７ を入れ１２０２のマツチングボックスを調節して、１２
０５のＡｎ支持体と１２０８のカソード７！極間にグロ
ー放電を生じさせ、高周波電力を１５０Ｗとし、５ｐＬ
ｍ厚でＡ−Ｓｉ：Ｈ：Ｈ層（Ｂを含むＰ型のＡ−５ｉ：
Ｈ層となる）を堆積した（電荷注入防止層）。この様に
してＡ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂを形成したのち放電を切らずに、
１２２３のバルブを閉めＢ２Ｈ６の流入を止め、そして
高周波電力１６０Ｗで２０ｐＬｍ厚のＡ−５ｉ：Ｈ層（
ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層Ａ）。その後
高周波電源およびガス供給系のバルブをすべて閉じて、
堆積装置内を排気し、Ａｎ支持体の温度を室温まで下げ
て、層形成した支持体を取り出した。

前記感光層Ａは第１４図のように感光層Ａ１４０３の表
面と支持体１４０１の表面とは非平行であった。この場
合ＡＭ支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は
２ｇｍであった。

別に、同一の表面性の円筒状ＡＪＪ支持体上に。

８ 高周波電力を４０Ｗとした以外は、１−記の場合と同様
の条件と作製手順で電荷注入防１１一層と感光層Ｂとを
支持体上に形成したところ第１３図に示すように感光層
Ｂ１３０３の表面は、支持体１３０１の平面に対して平
行になっていた。

このときＡｎ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差
はｌｐＬｍであった。

以上の２種類の感光層−１−に第１２図に示す材料と層
作製条件（条件１２０１　（Ｉ）、１２０１（ＩＩ）〜
１２１３　（１）、１２１３　（Ｈ））で表面層をスパ
ッタリング法で堆積して、各光受容部材を作製した。

表面層の堆積方法は、以下に述べる様に行った。第１２
図の装置で、カソード電極−１−に第１２表に示す材料
の板（厚さ３　ｍ　ｍ　）を−面にはり、またＢ２ガス
をＡｒガスに取りかえた。

装置内にＡｒガスを１Ｏ−３Ｔｏｒｒまで導入し、高周
波電力を３００ｗとしてグロー放電を起し、カソード電
極−１−の材ネ；１をスパッタリングして、各感光層」
二に各表面層を堆積した。

各試料の表面層は、各々Ａ文支特体の中央と両端のいず
れでもその層厚はほぼ均一であった。また、微小カラム
内での層厚もほぼ均一であった。

以上の様にして作製した表面層を有する各試料について
、夫々波長７８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８
０　ｇｍで第１５図に示す装置で画像露光を行い、それ
を現象転写して、画像をイ■Ｉた。これ等の試料の中、
感光層Ｂを有する試料では干渉縞模様が観察された。

他方、感光層Ａを有する試料の夫々では、干渉模様は観
察されず、高感度で実用に十分な電子写真特性を示すも
のが得られた。

実施例２ シリンダー状Ａ文支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（Ｎｏ、１０１〜１０８）の円筒状
のＡＭ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消えた層形
成条件（高周波電力１６０Ｗ）と同様の条件で、感光層
まで堆積した。

この感光層にに第２表にノ１＼ず条！１で表面層を堆積
した光受容部材を作製した（第２表試才ＩＮｏ、１１１
〜１１８）。このときの重子写真用光受容部相のＡ文支
特体の中央と両端部での平均層厚の差は２．２ｇｍであ
った。

これらの電子写真用光受容部４Ａの断面を電子顕微鏡で
観察し、感光層のピッチ内での差を７１１１１定したと
ころ、第２表のような結果を得た。

実施例１と同様に第１５図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使い、スポラ）・径８０ＪＬｍで画像露
光を行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 電荷注入防１１一層の層厚を１０Ｉ１．ｍとした点を除
いて実施例２と同様な条件で光受容部材を作製した（「
第３表」試料Ｎｏ、１２１〜１２８）。このときの電荷
注入防止層の中央と両端部での平均層厚の差は１．２ｐ
Ｌｍ、感光層の層厚分布中央と両端部での平均の差は２
．３ｐＬｍであった。Ｎｏ、１２１〜１２８の各支持体
１ 上に作製した各層の厚さを電子顕微鏡で測定したところ
、第３表のような結果を得た。これらの光受容部材につ
いて、実施例１と同様な像露光装置において、画像露光
を行った結果、第３表の結果を得た。

実施例４ 第１表に示す表面性のシリンダー状ＡＭ支持体（ＮＯ，
１０１〜１０８）上に窒素を含有する１［荷注入防止層
を第４表に示す条件で作製した。（Ｎｏ　、４０１〜４
０８） 」二記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微
鏡で観測した。電荷注入阻止層の平均層厚は、シリンダ
ーの中央と両端で０．０９７ｔｍであった。感光層の平
均層厚はシリンダーの中央と両端で３１Ｌｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第５表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第５表に示す結果を得た。

２ 実施例５ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ、
１０１〜１０８）ｌ：に窒素を含有する電荷注入用１１
一層を設けた光受容ｆ＄材を第６表に示す条件で作製し
た。（Ｎｏ、５０１〜５０８） 上記の条件で作製した光受容部月の断面を、電子Ｗ４微
鏡で１１１１！測した。電荷Ｉ）：人１１１１出層の平
均層厚は、シリンダーの中央と両端で０．３ｐＬｍであ
った。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端で３
．２ｐＬｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第７表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光画像
露光したところ第７表に示す結果を得た。

実施例６ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｌｌ支持体（Ｎｏ
　、　１０１〜１０８）　Ｉ−に炭素を含有する電荷注
入阻止層を設けた光受容部材を第８表に示す条件で作製
した。（Ｎｏ、９０１〜９０８） １、記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微
鏡で観測した。電荷注入阻止層の平均層厚は、シリンダ
ーの中央と両端で０．０８ｇｍであった。感光層の平均
層厚はシリンダーの中央どｂｌ、１端で２．５ｇｍであ
った。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第９表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光画像
露光したところ第９表に示す結果を１１１だ。

実施例７ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａ文支持体（Ｎｏ、
１ｏｔ−１０７）上に炭素を含有する電荷注入阻１１層
を設けた光受容部材を第１０表に示す条件で作製した。

（Ｎｏ、１１０１〜１１０８） −１−記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕
微鏡で観測した。電荷注入阻止層の平均５ 層厚は、シリンターの中央と両端で１　、　］メｔ　ｍ
であった。感光層の・ＶＪ！−Ｊ層厚はシリンダーの中
央と両端で３．４ルｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１１表に示す値であった。

各光受容部材について実施例Ｉと同様にレーザー光画像
露光したところ第１Ｉ表に示す結果を得た。

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【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞発現を
説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合まで展開して説明する為の説
明図である。 ９ 第９図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持体の
表面状！ハ（の説明図である。 第１０図は、光受容部材の説明図である。 第１１図は、実施例１で用いたＡＭ支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１３図、第１４図は夫々、実施例１で作製した光受容
部材の構造を示す模式的説明図である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・光受容部材１
００１．１３０１．１４０１ ・・・・・・・・・Ａｎ支持体 １００２．１３０２．１４０２ ・・・・・・・・・電荷汀入防市層 １００３．１３０３．１４０３ ・・・・・・・・・感光層 ０ １００５　、　１３０４．１４０４ ・・・・・・・・・表面層 １５０１・・・・・・・・・・・・・・・電子写真用光
受容部材１５０２・・・・・・・・・・・・・・・半導
体レーザー１５０３・・・・・・・・・・・・・・・ｆ
θレンズ１５０４・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー１５０５・・・・・・・・・・・・・・・露
光装置の平面図１５０６・・・・・・・・・・・・・・
・露光装置の側面図出願人　キャノン株式会社 イＸＪＬ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　反射防止機能を持つ表面層とシリコン原子を含
   む非晶質材料からなる少なくとも１つの感光層を有する
   多層構成の光受容層を支持体上に有する光受容部材に於
   いて、前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の
   中から選択される少なくとも一種を含有し、且つショー
   トレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行
   な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多
   数配列している事を特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００ルである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆■字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （ｌＯ）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆■字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
   の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面什」−げされている特許請求
   の範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピンチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。