JPS6243652A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
シ、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨθ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−３ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ω函以上の
暗抵抗を確保するＫは、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の１範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に層形成に当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を
有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号公
報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１７
２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異なる
層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部に
空乏層を形成したり、或いは特開昭５７　５２１７３号
、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号、
同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられるよ
うに支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上部
表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は上
の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間４週の画像を形成する場合にあって
は、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる
。

まだ重要な薇として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ。と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ工、
下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに−以上の層厚差で不均一であると、反射幻ｎ 光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ　：　！ＩＩλ（ｍは整数、反射
光は強め合う）と２ｎｄ−（ｍ＋よ）λ（ｍは整数、反
射光ば弱め合う）の条件のどちらに合うかによって、あ
る層の吸収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、
光受容部材が第７図に示すような、２若しくはそれ以上
の層（多層）構成のものであるものにおいては、それら
の各層について第６図に示すような干渉効果が起って、
第７図に示すような状態となり、その結果、それぞれの
干渉が相乗的に作用し合って干渉縞模様を呈するところ
となり、それがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に
前記干渉縞模様に対応した干渉縞が転写、定着される可
視画像に現出して不良画像をもたらしてしまうといった
問題がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、＋５００″Ａ〜上１００００Ｘの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方？Ｔ：（例えば特開昭
５８−１６２９７５号公報参照）、［ｂｌアルミニウム
支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂
中にカーゼ／、着色顔料、染４（を分散したりして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭、’）７−１６５８４
５号公報参照）、（ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地
状のアルマイト処理したり、サン１ブラストにより砂目
状の微細凹凸上設けたりして、支持体表面に光散乱反射
防止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号
公報参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、蜘
１象−ヒに現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分
なものではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してし壕うことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ　　Ｓｉ層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生
じ、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること
、樹脂層がａ−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ−３ｉ層の形成に悪影響
を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ工となり、残りは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光量□となる。透過光量、ば、支持体８
０１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
によ、Ｋ２、ｋ・・・となり、残りが正反射されて反射
光Ｒ２となり、その一部が出射光Ｒ１となって外部に出
ては行くが、出射光Ｒ３は、反射光Ｒユと干渉する成分
であっていずれにしろ残留するため依然として干渉縞模
様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１の
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で丸が拡散して・・レーション
を生じてしまい結局は、＠像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容層全体おいては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
１、支持体９０１面での正反射光Ｒ５の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
００３に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の１頃斜面とが１００３’、１００４’で示すように平
行になる。

したがって、その部分では入射光は、２０ｄにｍλまた
は２ｎｄｌ　＝　（ｍ　＋３Ａ　）λの関係が成立ち、
夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体では光
受容層の層厚ｄｌ、ｄ２、ｄ３、ｄ、の夫々の差λ の中の最大が一以上である様な層厚の不均一性ｎ があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層、表面での反射光との干渉の他に、各層間の
界面での反射光による干渉が加；ｂるため、一層構成の
光受容部（オの干渉縞模様発現度合より一層複雑となる
っ 更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、へ面層の１−厚が均一でないと、該層とそれに
接している感光層との界面での反射光による干渉現象が
起きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。

ところで、表面層の層ｔＶが不均一である状態は、表面
層の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時に
おける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。

そして特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現
出を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等を
もたらすところとなる。

こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであシ、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。

：発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、株返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
ｔよと提はすることにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング１１に優れ、且つ
光応答の速い、ａ　　Ｓｉで構成さにた光栄’Ｊ１ｉｌ
ｌを有する光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特注及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成さねた光栄
答層金有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密４註に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画琢
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画法を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成」 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する凡見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、／リコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、表面層とを有
する光受容ｌ−を備えた光受容部材であって、前記表面
層は最外殻に耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくと
も有する多層構成°であり、前記光受容層中のショート
レンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平
行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多
数配列していることを骨Ｐとする光受容部材に関する。

ところで、本発明、３らが鋭意研究を重ねた結果得た知
見は、概要、以下に記述するところである。

即ち、支持体上に感光層と表面層とを有する光受容層を
備えた光受容部材にあっては、表面片を、最外殻に耐摩
、耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層構
成とした場合、表面層と感光層との界面（／′Ｃおける
入射光の反射が防止され、表面層の形成時における１−
厚むら又は／及び表面１．層の４耗による層厚むらによ
ってもたらされるところの干渉模様や感度むらの問題が
解消されるというものである。

また、該光受容部トオに要求される解像度よりも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面が）ｆ１厚方向と垂直な面内の少
なくとも一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に
現われる干渉縞模様の問題が解消されること、そして、
その場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部のｆ１析面形
状は、ショートレンジ内に形成される各層の層厚の管理
された不均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層
との間の良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的
接触性等を確保するために、逆Ｖ字形とすることが必要
とされるというものである。

ところで後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実験
によシ得た事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材のＲ構成を示す模式
図であシ、微小な凹凸形状を有する支持体１０１上に、
その凹凸の傾斜面に沿って感光層１０２と表面層１０３
とを備えた光受容部材を示している。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の感光層と表
面層の一部を拡大して示した図であシ、第２（Ｂ）図は
同部分における明るさを示す図であり、図中、２０２は
感光層、２０３　Ｆｉ表面層、２０４は自由表面、２０
５は感光層と表面層との界面を示している。第２（Ａ）
図に示すごとく、表面層２０３の層厚は、ショートレン
ジｌ内においてｄ２□からｄ２２に連続的に変化してい
るため、自由表面２０４と界面２０５とは互いに異なる
傾きを有している。したがって、このショートレンジぎ
内に入射したレーザー光等の可干渉性光は、該ショート
レンジｌにおいて干渉をおこし、微小な干渉縞模様が生
成はする。しかし、ショートレンジｌにおいて生ずる干
渉縞は、ショートレンジｊの大きさが照射光スポット径
より小さい、即ち、解像度限界より小さいため、画像に
現われることはない。又、はとんどないことではあるが
、仮に、画像に現われる状況が生じたとしても肉眼の分
解能以下なので、実質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し図中、３０２は感光層、３０３は表
面層、３０４は自由表面、３０５は感光層３０２と表面
層３０３との界面を示す。）に示すように、感光層３０
２と表面層３０３との界面３０５と、自由表面３０４と
が非平行である（第３（Ａ）図参照）場合には、入射光
量。に対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向
が異なるため、界面３０５と自由表面３０４とが平行で
ある（第３１Ｂ）図６照）場合に比べて、干渉の度合が
減少する。即ち、干渉が生じても、第３（Ｃ）図に示す
ごとく、一対の界面が平行な関係にある場合よりも、一
対の界面が非平行な関係にある場合の方が干渉の度合が
小さくなるため、干渉縞模様の明暗の差が無視しうる程
度に小さくなり、その結果、入射光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、表面層２０３
の層厚がマクロ的に不均一である場合、即ち、異なる任
意の２つの位置における表面層の層厚ｄ２３、ｄ２４が
ｄ２３キｄ２４である場合であっても同様であって、全
層領域において入射する光量は第２（Ｄ）図傾示すよう
に均一となる。

以上、支持体上に感光層と表面層とが積層されている場
合（でついて記載したが、本発明の光受容部材の感光層
が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示すよ
うに支持体４０１上Ｋ。

二つの構成層４０２′と４０ｚ′から構成される感光層
４０２、および表面層４０３を積層してなる場合であっ
ても、入射光量０に対して、反射光Ｒ１、島、Ｒ３、Ｒ
４およびＲ５が存在するが、４０２′、４０２”および
４０３の各層において、第３図によって説明したごとき
入射する光量が平均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジｌ内の各層の界面は、一種のス
リットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は感光層を構成する層の数が増大するにつれ、より一層
干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形を呈するもの
である。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することＫよシ干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成するととＫつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｌは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｌ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、感光［冑と表
面層とからなり、該感光層は、シリコン１京子と、ゲル
マニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方と
を含有するアモルファス材料で構成され、特に望１しく
はシリコン原子（Ｓｌ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ　
）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方と、
水素原子（Ｈ）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいず
れか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ、ｓ
ｉ　　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）　Ｊ　と表記する。

〕、あるいは、酸素原子（０）、炭素原子ｆｃ）及び窒
素原子（Ｎ＋の中から選ばれる少なくとも一種金含有す
るａ−３ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）　（以下、［ａ−
８ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（０，Ｃ，Ｎ　）　（Ｈ、Ｘ　
）　Ｊと表記する。〕で購成され、さらに必要に応じて
伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。そ
して、該′凶は、多層構造を有することもあり、特に好
ましくは、伝導性を制御する物質を含有する電荷注入：
阻止層を構成層の１つとして有するか、または／及び、
障壁層を構成層の１つとして有するものである。

また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中力）ら選ばれる少くとも一種と、
好ましくはさらに水素原子又はハロゲン原子の少なくと
もいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、
「ａ−８ｉ（ＯＩＣ！ＩＮ　）　（Ｈ、Ｘ　）Ｊと表記
する。〕で構成されるか、あるいは無機弗化物、無窒酸
化物及び無機硫化物の中からさばれる少なくとも一種で
構成されておシ、該表面層は、最外故に耐摩耗層と、内
部に反射防止層を少なくとも有する多層構成とされてい
る。

本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、感光層と表面層とを積層して壱し、さらに感
光、ｊ傷にあっては、後で詳述するように、干渉を防止
することを目的として、感光層の支持体側の端部にゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量によ有す
る局在領域を形成せしめるか、又：す／及び感光層の支
持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量に含
有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成せしめ
るか、又は／及びｒ６光層の支持体側の端部に障壁層を
形成することが望１しぐ、こうした構成の本発明の光受
容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が形成さ
れることとなるが、本発明の光受容部材においては、ン
ヨートレンノｌ内に少なくとも一対の非平行な界面が存
在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ンヨートレン−′）ｌに於ける層厚の差、例えば前述
の第２（Ａ）図におけるｄ２□とｄ２２の差は、照射光
の波長をλとすると、次式：ｄ２□−ｄ２２≧２ｎ（ｎ
：構成層の屈折率）を満足することが望ましい。そして
該層厚の差の上限は、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ、
より好ましくは０．１μｍ〜１．５μｍ、最適には０．
２μｍ〜１μｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジｌ内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差を△ｌとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率をｎとした場合、次式：を満足するように層又
は層領域を形成するのが望ましい。

本発明の感光層及び表面層の作成については、本発明の
前述の目的を効率的（（達成するために、その層厚を光
学的レベルで正確に制御する必要があることから、グロ
ー放電法、ス・ｑツタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ｃＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は感光層、１０３は表面層、
１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形を呈す
るものである。

該逆Ｖ字形の形状は、好ましくは第５図に示すように実
質的に二等辺三角形、直角三角形あるいは不等辺三角形
とすることが望ましい。これ等の形状のうち、特に二等
辺三角形、又は直角三角形とするのが望寸しい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−８ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは（１３μｍ〜
５００μｍ、より好ましくは１μｍ〜２００μｍ、最適
には５μｍ−関μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは（１３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜加
度、よシ好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０
度とするのが望ましい。

支持体表面に設けられる上記構成の凹凸は、７字形状の
切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機
械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望
に従って設計されたプログラム〈従って回転させながら
規則的に所定方向に移動させること釦よシ、支持体表面
を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、
深さで形成する。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作シ出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。逆Ｖ字形突起
部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉
螺着構造としても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入してもよい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ、ステンレス、Ａｌ　、
　Ｏｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、ｐｔ、ｐｂ　　等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては１．ｔ？　ＩＪエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート
、ホリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光
受容層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＩ
、ＯｒｌＭｏ、Ａｕ、　　工ｒ　、　’　Ｎｂ　％Ｔａ
　％Ｖ　％Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、　　■ｎ２０３．５ｎ０
２、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋　５ｎ０２　）等から成る薄
膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣ
！ｒ　１Ａｌ　、　Ａｇ　％Ｐｂ１Ｚｎ％Ｎｉ、Ａｕ１
Ｃｒ、Ｍｏ、　　工ｒ、Ｎｂ、Ｔａ１Ｖ。

ＴＪ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、ス・♀ツタリング等でその表面に設け、又は前記金・
英でその表面をラミネート処理して、その表面に導′直
性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状であることができるが、用途、所望によ
って、その形状は適宜に決めることのできるものである
。例えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形
成部材として使用するのであれば、連続高速連写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に
適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求される
場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内
で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、支
持体の製造−ヒ及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。

感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、感光層１０２が設けられており、該感光層は、ａ−
８ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ、Ｘ　）又はａ−８ｉ（Ｇ
ｏ、Ｓｎ　）　（○、Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　　で構成さ
れており、好ましくは、さらに伝導性を制御する物質を
含有せしめることができる。

感光層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１０２中に含有される水素原子（Ｈ）
の１又はハロゲン原子（Ｋ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ　％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう（
で、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好１しくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
電子及び／又はスズ原子を含有せしめろ目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側（でおける吸収ス波りトル特
注を向上せしめることにある。

即ち、前記感光層中にゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材は
、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中で
も特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波
長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答性
の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザを
光線とした場合に特に顕著である。

本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、その全層領域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層領域に含有せしめて
もよい。後者の場合、感光層は、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子を含有する構成層と、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成層が支持
体側の端部よりこの順に積層された層構成を有するもの
となる。そして、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
を全層領域に含有せしめる場合および一部の層領域にの
み含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中に、均一
な分布状態で含有せしめてもよく、あるいは不均一な分
布状態で含有せしめてもよい。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行
な面方向において均一であり、感光層の層厚方向にも均
一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、感光１
１の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、感光
層の層厚方向には不均一であることをいう。）そして本
発明の感光層においては、特に、支持体側の端部にゲル
マニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な
分布状態で含有する層を設けるか、あるいは自由表面側
よりも支持体側の方に多く分布した状態となる様にゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子を含有せしめることが
望ましく、こうした場合、支持体側の端部においてゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度を極端に大
きくすることにより、半導体レーザ等の長波長の光源を
用いた場合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は
層領域においては殆んど吸収しきれない長波長の光を、
光受容層の支持体と接する構成層又は層領域において実
質的に完全に吸収されるため、支持体表面からの反射光
による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中又は一部の構成層中
に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全層又は
一部の構成層の層厚方向に連続的かつ不均一に分布せし
めることもできるが、以下、層厚方向に連続的かつ不均
一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム
原子を例として、第１１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、感光層全層又は支持体と接
する一部の構成層の層厚を示し、ｔＢは支持体側の感光
層の端面の位置を、ｔ７は支持体側とは反対側の表面層
側の端面、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲ
ルマニウムを含有しない構成層との界面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される感光１１はｔＢ側
よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するだめの説明のだめの模式的なものである。

第１１図には、感光ｊ−中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界
面位ｆｉｌ　ｔＢよりｔｌの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が感光層に含有され、位ｔｌ　ｔｌより
は、濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的
に減少されている。

界面位ｔ　ｔｒにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位Ｒｔｎより位ｆｔｔＴに至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位ＲｔＴにお
いて濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔＴまでは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置匈において、分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位ｔｔＢより位置ｔ７に至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位ｑｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置糎において実質的にゼロとされている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ，と
一定値であり、位置ｔ７に於ては分布濃度Ｃはゼロとさ
れる。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ４より位置ｔ７に至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位ｆｌ
ｔＢより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を堰シ、位置
ｔ５よシ位置ｔ７までは１１１度Ｃ９より濃度Ｃ工。

まで−次間数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位ｒ！ｔ７
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度ｃは濃度Ｃよ
、よυ−一次関数的減少されて、ゼロに至っている。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至る寸で
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ工、まで一次関数的に減少され、位ｒ＋’ｉ　ｔ６
と位置ｔ７との間においては、濃度Ｃ工、の一定値とさ
れた例が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
℃ヮに至るまではこの濃度ｃ１４　より初０はゆっくり
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置１．では濃度ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃？　Ｃ工。となり、位置ｔ８と位置し、との間では
、徐々（て減少さバて位置ｔ、において、濃度Ｃ工、に
至る。位ｉべｔ、と位置１Ｔとの間においては濃度Ｃ工
、より実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、感光層中にき有さ
れるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の
分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光
受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム
原子又ハ／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
比べてかなり低くされた部分を有する２ルマニウム原子
父ば／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられてい
るのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好゛ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材ンこ於ては、局在領域は、第１１図
乃至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位ｆ
ｔＢより５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位４　ｔＨｌより５μ、
１ワ丑での全ＩＡ領域とされる場合もあるし、又、該層
領域の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中ンこ含有されるゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最犬泣Ｃｍａｘ
が／リコン原子に対して、好′ましくは１０００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ　１０’ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ以−ヒとされる麻な分布状態となり得る様に
層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される感光層は、支持体側
からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ層の層領域）に分
布濃度の最大値ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが
好°ましいものである。

本発明の光受容部材において、感光層中に含有せしめる
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本発
明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜決
める必要があり、通常は１〜６　ｘ　１０５１０５ａｔ
ｏ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０５
１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましくはＩ　Ｘ　１０２
〜２　ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとする。

本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗抵
抗化、そして支持体と感光層との間の密着性の向上にあ
る。

本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一を分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合感光層に含有せしめる炭素原子、
酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の
量は、比較的少量でよい。

また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に図るため
Ｋ、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．００１　”　５０ａｔｏｍｉｃ　
％、好′ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最
適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ　％とする。とこ
ろで、感光層の全層領域に含有せしめるか、ちるいは、
含有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中に占
める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる量の上
限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えば、含
有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の％となるよ
うな場合には、含有せしめる量は通常３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、好ましくはｍａｔｏｍｉｃチ以下、最適には］
Ｏａｔｏｍｉｃ　％以下にされる。

次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層側
の端部付近においては、比較的少量となるか、あるいは
実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型
的な例のいくつかを、第加図乃至第四図によって説明す
る。しかし、本発明はこれらの列によって限定されるも
のではない。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種を「原子（ｏ、ｃ、Ｎ）　
Ｊと表記する。

第Ｉ乃至３図において、横軸は原子（ＯＩＣＩＮ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢは支持体
と感光層との界面位置を、ｔ７は感光層の表面層との界
面の位置を示す。

第加図は、感光層中に含有せしめる原子（０゜０、Ｎ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している。核
例では、原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）を含有する感光層と支持体
との界面位１ｆｔ　ｔＢより位Ｒｔｌまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度ＣがＣよなる一定値をとり、位
１１□より表面層との界面位置ｔ７までは原子（０，Ｃ
，Ｎ　）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、
位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ！、Ｎ　）の分布濃度
が０３となる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ１Ｎ）の分布濃度Ｃは、位ｆｉｔ　
ｔａから位１ｆＲｔｒにいたるまで、濃度Ｃ４から連続
的に減少し、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。

第ｎ図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは原子
（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を保
ち、位置ｔ２から位ＲｔＴにいたるまでは、原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的に
減少して位ｆｌ　ｔＴにおいては原子（０゜Ｃ，Ｎ　）
の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第ｎ図に示す例では、原子（０，０ＩＮ　）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第列図に示す列では、原子（０，Ｃ２Ｎ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ８の一
定値にあり、位Ｒｔ３から位ＲｔＴの間（ておいては、
濃度Ｃ０から濃度Ｃよ。となるまで、−次間数的に減少
する。

第５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃、
＋ｉ　Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまではＧ聾
度Ｃ□ＩＤ一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔＴにいた
る寸ではａ度Ｃ工２から遭度Ｃ工、となるまで一次関数
的に減少する。

第２６図に示す例（・こおいては、原子ＣＯ，Ｃ，Ｎ　
）の分Ｖ５濃度Ｃは、位ｌＰＩ″ｔＢから位置ｔ７にい
たる捷で、濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次
関数的に減少する。

第５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布＠（
９）Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃよ
、から濃ｉｃ工。となる捷で一次関数的に減少し、位置
ｔ、から位置ｔ７までは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す列では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ□７であり、位
置ｔ５から位置ｔ６までは、濃度Ｃ工、からばしめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｔでは濃度Ｃ□８となる。次に、位１ｔｔａから位置ｔ
７＝ｊでははじめのうちは急激に減少し、その後は緩か
に徐々に減少し、位置ｔヮておいては６ｐ度Ｃ１９とな
る。更に位置ｔ７と位置℃８の間では極めてゆっくりと
徐々に減少し、位置ｔ８にＰいて贋度Ｃ２０となる。ま
た更に、位置ｔ８から位置ｔ７にいたる１では、濃度Ｃ
２０から実質的にゼロとなるまで徐々（て減少する。

第加図〜第２８図に示した例のごとく、感光層の支持体
側の端部に原子（ｏ、ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布濃
度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層の
支持体ｆｆ１ｌ＋の端部に原子（０＋Ｃ＊Ｎ）の分布濃
度が比）り的高濃度である局在領域を設けること、好ま
しくは該局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔ
Ｂから５μ以内に設けることにより、支持体と感光層と
の密着性の向−Ｆをより一層効率的に達成することがで
きる。

前記局在領域は、原子（○、Ｃ，Ｎ　）を含有せしめる
感光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いず）Ｌｆてするかは
、形成される感光層に要求される特性て従って適宜決め
ろ。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ　）の量：１
、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分子濃度Ｃの最大値が５００
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好−ましくは８００　ａ
ｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適にば１０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望まし
い。

本発明の光受容部材においては感光層に伝導性とルＩＩ
　ｉｆ印する物質を、全層領域又は一部の５層領域に均
−又は不均一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝４注を制御する物質としては、半導体分５寸にお
いていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ警示導
性を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第
１［１族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える
周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■族原子」
と称す。）−カ使用される。具体的には、第１■族原子
としては、Ｂ（硼素）、Ａｌ　（アルミニウム）、Ｇａ
（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｌ　（タリウ
ム）等を挙げることができるが、特に好ましいものは、
Ｂ、Ｇａである。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａ
８　（砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン
）等を挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ
、　ｓｂである。

本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第１ｕ族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全周領域中
に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第■族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０−３
〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、好−まし
くは５×１０−２〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、最適にはＩ　Ｘ　１０−１〜２　ｘ　１０２ａｔｏ１
０２ａｔｏである。

また、支持体と接する一部の層領域に第１■族原子又は
第■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるい
は層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度が、支持体と接する側において高濃度となるように含
有せしめる場合には、こうした第１ＩＩ族原子又は第■
族原子を含有する構成層あるいは第１［１族原子又は第
Ｖ族原子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層
として機能するところとなる。即ち、第■族原子を含有
せしめた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電
処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入され
る電子の移動をよシ効率的に阻止することができ、又、
第Ｖ族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由表
面が○極性に帯電処理を受けた際Ｋ、支持体側から光受
容層中へ注入される正孔の移動をより効率的に阻止する
ことができる。そして、こうした場合の含有量は比較的
多量であって、具体的（（は、３０〜５　Ｘ　１０’　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５０ｗ　Ｉ　Ｘ　１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適にはｌＸ１０２〜
５　ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとする。さらに、
該電荷注入阻止層としての効果を効率的に奏するためＫ
は、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端
部に設けられる層又は層領域の層厚をｔとし、光受容層
の層厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成立す
ることが望捷しく、よシ好ましくは該関係式の値が（１
３５以下、奄適には（１３以下となるようにするのが望
ましい。

また、該層又は層領域の層厚ｔば、一般的には３　Ｘ　
１０−３〜１０μとするか、好ましくは４Ｘ１０−３〜
８μ、最適には５Ｘ１０−３〜５μとするのが望ましい
。

次に感光層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第１［１族原子又は第Ｖ族原子を分布さ
せる場合の典型的列は前述の感光層に酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有
せしめる場合に例示した、第加図乃至四回の例と同様の
例によって説明することができる。しかし、本発明は、
これらの例によって限定されるものではない。

第２０１〜第四図に示した例のごとく、感光層の支持体
側に近い側に第１■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、表面層との界面側においては、該分
布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分ちるいは実質的にゼロ
に近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体側に
近い部分に第■族原子又は第■族原子の分布濃度が比較
的高＃度である局在領域を設けること、好ましくは該局
在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以内に
設けることにより、第■族原子又は第■族原子の分布濃
度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成すると
いう前述の作用効果がより一層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有
せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する
物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と少
ない量にして含有せしめてもよい。

さらに１本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｌ２Ｏ３，５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ、等の
無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶縁
材料を挙げることができる。

表面１層 本究明の　・光受容部材の表面層１０３は、前述の感光
層１０２の一ヒに設けられ、自由表面１０４を有して１
ハる。

該表面層１０３は、光受容部材の自由表面１０４におけ
る入射光の反射をへらし、透過率を増加させるとともに
、光受容部材の耐湿性、連続縁；ρし使用特性、電気的
耐圧囲、使用環境特性および耐久性等の緒特性を向上せ
しめる目的で、感光・■１０２の一ヒに形成せしめるも
のである。そし７て、第二の層の形成材料は、それをも
ってして構成される層が浸れた反射防止機能を奏すると
ともに、前述の緒特性を向上すしめる機能をりするとい
う条件の他に、光受容部材の光導電性に悪影響を与えな
いこと、電子写真特性、例えば、ある程度以上の抵抗を
有すること、液体現像法を採用する場合には耐溶剤１生
にすぐれていること、すでに形成されている感光層の諸
特＋、Ｊｔを低下させないこと等の条件が要求されるも
のであって、こうした諸条件を満たし、有効て使用しう
るものとしては、シリコン原子（Ｓｌ）と、酸素原子（
○）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（）Ｉ）の中から選
ばれる少くとも一種と、好ましくはさらに水素原子（Ｈ
）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を
含有するアモルファス材料〔以下、「ａ−ｓｌ（ｏ、ｃ
、Ｎ）（ｎ、ｘ）ｊ　と表記する。〕ちるいは、ＭｇＦ
２、Ａ１１′２０３、ＺｎＳ、　ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、
ＣｅＯ２、ＣｅＦ３、Ａｌｌ’Ｆ３、ＮａＦ　　等の無
（幾弗化物、無機酸化物及び無機硫化物の中から選ばれ
る少くとも一種が挙げられる。

そして、本発明の光受容部材にあっては、該表面層の層
厚むらによって生じる干渉摸嵌や感度むらの問題を解消
するため、表面層の構成を、最外殻に耐摩耗層、内部に
反射防止層を少なくとも有する多層構成とするものであ
る。即ち、表面層を多層構成とする本発明の光受容部材
にあっては、表面層内に複数の界面が生じ、各界面での
反射が互いに打ち消し合うことにより、表面層と感光層
との界面における反射を減少せしめることができるため
、従来の表面層の層厚むら：てよる反射率の変化という
問題が解消されろこととなる。

本発明の表面層全構成する耐摩耗層（最外部層）および
反射防止層（内部層）は、それ等に要求される特性を情
はする様に形成されるものであＦ′Ｌば、各々、一層溝
成のみならず、二層板にの多層構成としてもよいことは
いうまでもない。

表面層をこうした多層構成とするには、耐摩？ｆ＝層（
最外部層）と反射防止層（内部層）を構成する層の光学
的・ζンドギャップ（ｚｏｐｔ　）が異なるように形成
する。具体的には、耐摩耗層（最外部層）の屈折率と反
射防止層（内部層）の屈ｐｉ率と、表面層が直接設けら
れる感光層の屈折率を各々異なるように形成せしめる。

そして、感光層の屈折率をｎ、表面層を構成７ｉる１Ｔ
Ｉｔ摩耗層の屈折率をｎ２、反射防止層の屈折率をｎ３
、反射防止層の厚さをｄ、入射光の波長をλとした場合
、次式。

ｎ３＝ｆπｉ（但し、ｎｌ　＜　ｎ３　＜　ｎ２）２ｎ
３ｄ　＝　（’−＋　ｍ　）λ（ｍは整数を表わす。）
の関係を満足するようにすることにより、感光層と表面
層の界面における反射をゼロとするととができる。

上記の例ではｎｌ　＜　ｎ３　＜　ｎ２としたが、該別
は１例であって、これに限定される必要はなく、例えば
、表面層をシリコン原子と、酸素原子、炭素原子又は窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有するアモル
ファス材料で構成する場合、表面層中に含有せしめる酸
素原子、炭素原子又は窒素原子の量を耐摩耗層と反射防
七層とで異ならしめることにより、屈折率を異ならしめ
る。具体的には、感光層をａ　−ＳｉＨで構成し、表面
層をａ−８ｉＣＨで構成する場合であれば、耐摩耗層中
に含有せしめる炭素皇子の１を、反射防止層中に含有せ
しめる炭素原子の１よりも多くし、感光層の屈折率ｎ、
反射防止層の屈折率ｎ３、耐摩耗層の屈折率ｎ２、耐摩
耗層の層厚ｄの各々をｎｌ”Ｒ２，０１ｎ２（３，５、
ｎ３”；２．６５、ｄ＝　７５５Ｘとする。また、表面
層中に含有せしめる酸素原子、炭素原子又は窒素原子を
、耐摩耗層と反射防止層とで異ならしめることにより、
各々の耐摩耗層をａ−ｓｉｃ（Ｈ，ｘ）で形成せしめ、
反射防止層をａ−９ｉＮ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−５ｘｏ（
Ｈ，ｘ）で形成せしめることができる。

表面層を構成する耐摩耗層及び反射防止層中には、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、こ
れらの原子の含有せしめる量の増加に伴い、前述の緒特
性は向上する。しかし、多すぎると、層品質が低下し、
電気的及び機械的特性も低下する。こうしたことから、
表面層中に含有せしめるこれらの原子の量は、通常０．
００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜９０　
ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ　
’ｌｙとする。さらに該表面層にも水素原子又はハロゲ
ン原子の少なくともいずれか一方を含有せしめることが
望ましく、表面層に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、
又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ　％、好ましくは５〜３ＱａｔＯｍｉｃ％、最適に
は５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とする。

また更に１表面層を無機弗化物、無機酸化物、及び無機
硫化物の中から選ばれる少くとも一種で構成する場合に
は、以下に例示する各々の無機化合物及びその混合物の
屈折率を考慮して、感光層、耐摩耗層および反射防止層
の各々の屈折率が異なり、前述した条件を満たすべく選
択して用いる。無機化合物及びその混合物の屈折率はカ
ッコ書きで示す。ＺｒＯ２（２，００）、Ｔ１０２（２
，２６）、ＺｒＯ２／　ＴｉＯ２＝　６／１　（２，（
１３））　、　ＴｉＯ２／ＺｒＯ２＝　３／１　（２，
２０）、ａｅＯ２（２，２３）、ＺｎＳ　（２，２４）
、Ａ１２０３（１，６３）、ＣｅＦ３（１，６０）、Ａ
１２０３　／　ＺｒＯ２＝１／ｌ　（１，６８）、Ｍｇ
Ｆ２　（１，３８）。なお、これ等の屈折率については
、作成する層の４類、条件等により、多少変動するもの
であることはいうまでもない。

また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するだめの重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。

こうしたことから、表面層の層厚は通常は３Ｘ１０−３
〜３０μとするが、よシ好ましくは４Ｘ１０−３〜頷μ
、特に好ましくは５　Ｘ　１０−３〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことＫ
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に１可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性〈優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、謝光疲労、繰返し使用特性に長け、譲度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス・Ｑツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現宋を利用する真空堆偵法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程夏、製造規模、作裏される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用さ九るが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての粂
件のｉｌｒ＋Ｊ　ｒＸが比較的容易であり、シリコン原
子と共に炭素原子及び水素原子の導入を容易に行い得る
等のことからして、グロー放電法或いはス・ｅツタリン
グ法が好適である。

そして、グロー放電法とス・？ツタリング法とを同−裟
［岑系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン・皇
子（Ｓｉ）を供給し得るＳ１供給用の原料ゴスと共に、
水素原子（Ｈ）４人用の又は／及び・・ロゲン原子ｔＸ
）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）から成る１Ｎを形成する。

＋ｉｉＪ記Ｓ１は給用の原料ガスとしては、ＳｉＨいＳ
ｉ２奥、５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ、Ｈユ○　等のガス状、態の
又はガスイヒし得る水素化硅素（フラン類）が挙げられ
、時：こ、層形成作業のし易さ、Ｓ１供給効率の良さ等
の点で、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。

また、前記・・ロゲン原子導入用の原料ガスとしては、
多くの・・ロゲン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガ
ス、ハロケン化物、ハロゲン間化合物、・・口７ンで置
換された７ラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうる
・・ロゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素のハロゲンがス、ＢｒＦ１０Ｉ？、　Ｃ
ＶＦ３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ７、ＩＣＩ、ＩＢｒ
等の／％Ｑデン開化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６
．５ｉＯｌａ、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が挙げ
られる。−ヒ述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又
はガス化しうるものを用いる場合には、８１供給用の原
料ガスを別途使用することなくして、・・ロデン原子を
含有するａ−６ｉで構成された層が形成できるので、特
に有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ　、　ＨＣｌ　、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハ０
デン１ヒ物、５ｉｎ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ
、Ｈ工。等の水素化硅素、あるいはＳ　ｉ　Ｆ２　Ｆ２
．５１Ｈ２■２．５ｉＨ２Ｃ１２、Ｓ　ｌＨＣｌ３．５
ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　　等のハロゲン置換水孔
化硅素等のガス大態の又はガス化しうるものを用いるこ
とができ、これらの原料ガスを用いた場合には、電気的
あるいは光は内時性の制御という薇で極めて有効である
ところの水素原子（Ｉｑ）の含有量の制御を容易に行う
ことができるため、有効である。そして、前記・・ロビ
ン化水素又は前記・・ロデン置換水素化硅素を用いた場
合には・・ロデン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も
導入されるので、特に有効である。

反応ス・ξツタリング去或いはイオンプレーナ１／グ法
に依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには
、例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を
導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２或いは前記した７ラン頌等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応ス・ｑツタリング法の場合には、Ｓ１ター
デツドを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガ
スを必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性がスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１タ
ーゲツトをス・２ツタリングすることによって、支持体
上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グー−放電法によってａ　−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を供給
しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給しうるＧθ供給用の原料ガスと、水素原子（
）１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しうる水素
原子（Ｉ（）又は／及び・・ロデン原子（幻供給用の原
料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧状
態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、
予め所定位置に設置しである所定の支持体表面一ヒに、
ａ　　５ＩＧｅ（）（、Ｘ）で構成される層を形成する
。

Ｓ１供給用の原料ガス、・・ロデン原子供給用の原料ガ
ス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる物質とし
ては、前述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがその壕ま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇ　ｅ３　Ｈ［］、Ｇｅ、
Ｈ１゜、Ｇ　ｅ５　Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｏ、Ｈ１
６、ＧｅＢＨＩＢ、Ｇ　ｅ９　Ｆ２　ｏ等のガス状態の
又はガス化しりる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ共総給効
率良さ等の点から、（）ｅＨ４、Ｇｅ２　Ｈ６、および
Ｇ　ｅ　３　ＨＢが好ましい。

ス・♀ツタリング法によってａ−８ｉＧθ（Ｈ，、Ｘ　
）で構成される層を形成するには、シリコンから成るタ
ーデッドと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚
を、あるいは、／リコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・９ツタ
リングするこトニよって行なう。

イオンシレーティング法を用いてａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロン
ビーム法（Ｋ。

Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望の
ガスプラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る
。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類ｔス・ぐツタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガ°ス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記
のハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合・吻が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＣｌ
、　ＨＢｒ、　ＨＩ　　等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　
Ｆ２　Ｆ２．５ｉＨ２Ｎ２．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨ（
Ｊ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化硅素、およびＧｅＨＦ３、ＧｅＦ２Ｆ２、Ｃ）ｅ
Ｈ３Ｆ、　ＧｅＨＣＡ’３、ＧｅＦ２Ｃｅ２、ＧｅＨ３
Ｃ１１！、ＱｅＨＢｒ３、ＧｅＦ２Ｂｒ２、ＧｅＨ３Ｂ
ｒ、　Ｇｅ１（Ｉ３、（）ｅＨ２Ｉ２、（）ｅＨ３Ｉ等
の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧθＦ’、、　０
ｅｃ１４、ＧｅＢｒ４、ＧｅＩ４、Ｃ）ｅＦ２、ＧｅＣ
１２、（）ｅＢｒ２、ＧｅＩ２等のノーロデン化ゲルマ
ニウム等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な
出発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有スるアモルファス
シリコン（以下、「ａ−８ｉＳｎ（ＬＸ）Ｊと表記する
。）で構成される光受容層を形成するには、上述のａ−
３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、ゲル
マニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓｎ）供
給用の出発′物質にかえて使用し、形成する層中へのそ
の量を制御しながら含有せしめることによって行なう。

前記スズ原子（Ｓ、）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）やＳｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎＣ８ｔ、５ｎＣｋ、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４、
ＳｎＩ２、ＳｎＩ。

等のハロゲン１ヒスズ等のガス状態の又はガスｆヒしう
るものを用いることができ、・・ロデン化スズを用いる
場合には、所定の支持体上にハロゲン原子を含有するａ
−８ｉで構成される層を形成することができるので、特
に有効である。なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、ＳｎＣ／＋が好ましい
。

そして、Ｓｎ＋Ｍ４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス１ヒする：ては、固体
状の５ｎＣＡ’、を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ、等
の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリ
ングするのが望ましく、こうして生成したガスを、内部
を減圧にした堆遺室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンシレ
ーティング法を用いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又：：７１
　ａ−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）ｌてさらに第１１
１族原子父、：ｄ第〜′族皇子、窒素、・・に子、酸素
原子あるいは炭素皇子を含有せしめた非晶質材料で構成
された層全形成するには、ａ　　５ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ
　−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、
第１ｎ族原子又は第■族原子導入用の出発物質、窒素原
子導入用の出発物質、酸素原子導入用の出発′物質、あ
るいは１．対素原子導入用の出発物質を、前述したｑ−
３ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−８ｉ　（（）ｅ、５ｎ）（Ｈ
，Ｘ）形成１［１の出発物質と共に使用して、形成する
層中へ、Ｏそす１らの量を制御しながら含有せしめてや
ることによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（ｏ、ｃ、Ｎ）を
含有するａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は原−ト
（○＋Ｃ＋Ｎ）を含有するａ−ｓｉ（Ｇｏ、５ｎ）（ｎ
、ｘ）で構成される層を形成するには、前述のａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ：で構成される層又はａ−３ｉ（Ｇｅ、５ｎ）
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する際に、原子（０，
ＣＩＮ　＞導入ｊ１］の出発物質を、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ
）形成用又はａ−３ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用して形成する層中へのそれらの
量を＋ｔ＋ｌｊ御しながら含有せしめることによって行
なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（ｏ、ｃ、Ｎ）を構成原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどの
ものが使用できる。

具体的には、酸素原子（０）４人用の出発物質として、
例えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（
Ｎｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２
Ｏ３）、四三酸化窒素（Ｎ２Ｏ４’）、三二酸化窒素（
Ｎ２Ｏ５）、三二酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（
Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子
とする、例えばジンロキサン（Ｈ３Ｓ　１Ｏ８ｉＨ３）
、トリンロキサン（Ｈ３Ｓｉ　０Ｓｉ）ｉ２０ＳｉＨ３
）等の低級ンロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導
入用の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ，）、
エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ！３Ｈ［］　）、］
ｎ−ブタンｎ−０４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ３Ｈ１２）
等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（０４Ｈ８）
、ブテン−２（ｃ、）Ｉｅ　）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ
８）、ペンテン（Ｃ５Ｈ，、、）等の炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチル
アセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチ／（０４Ｈ６）等の炭素
数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原
子り二１１４人用の出発物質としては、例えば、窒素（
Ｎ、）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮ
Ｈ２）、゛アノ化水素（ＩＮ３Ｎ）、アノ化アンモニウ
ム（ＮＩＨ４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ　）、四弗化
窒素（Ｆ４Ｎ）等が挙げられる。

例；ξば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイ
オンシレーティング法を用いて、第■吹原子又は第■族
原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−ｓｔ（ｏｅ
、５ｎ）（Ｈ，ｘ）で構成される層又は層領域を形成す
るには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−Ｓｉ（Ｇｅ
、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、第１
１１族京子又は第■族原子導入用の出発物質を、ａ−３
ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−Ｓｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ
）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５！（９、
”５　’１１　％　Ｂ６Ｈ１０ｓ　Ｂ６　Ｈｌ２、Ｂ６
　Ｈｌ　４等の水素化硼素・ＢＦ３・ＢＣｌ３、ＢＢｒ
３等の・・ロゲン化硼素等が挙げられる。

この曲、ＡｌＣｌ３、□ａ（Ｊ３、Ｇａ　（ＣＨ３）２
、工ｎｃ１３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、ｐ＝Ｉ（６等の水素比隣、ＰＨ
，Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、ＢＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３
、ＰＢｒ３、ＰＩ３等の・・ロデン比隣が挙げられる。

この他、Ａ日Ｈ３、ＡｓＦ３、　Ａｅｃ１３、　ＡｓＢ
ｒ３、　ＡＳＦ５、　ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．
５ｂＣ１３，５ｂＣｅ６、ＢｉＩ３、ＢＩＣ１３、Ｂｉ
　Ｂｒ５　等も第■族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

酸素原子を含有する層又は１−領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原
子導入用の出発物ｒｎが加えられる。その様な酸素原子
導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成
原÷とするガス状の物質又はガス化し得る物質であれば
ほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原子（
０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四二酸化
窒素（Ｎ２Ｏ４）　ｓ三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（
０１と水素原子（Ｉ（）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（Ｈ３Ｓ１０ＳＩＨ３）、トリシロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級ソロキサン
等を挙げることができる。

ス・♀ツタリング法によって、酸素原子を含有する層ま
だは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウ
エーハー又は５１０２ウエーハー、又はＳｌと５１０２
が混合されて含有されているウェーハーをターゲットと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でンパッタリングす
ることによって行えばよい。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターデソトトして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及び・・ロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、ス・♀ツター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーノ
・−をス・Ｑツタリングすればよい。

又、別には、ＳｌとＳｉＯ３とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターゲットを
使用すること釦よって、ス、ｅツター用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子ｆＨ）又
は／及び・・ロゲン原子な）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成で
きる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグ
ロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の
原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとし
て使用できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及び・・ロゲン原子体）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子と
する原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか
、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Ｓｌ）、炭素原子ｔｃ）及び水素
原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合するか、更
にまた、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ，、８１２ＨいＳ　１３
Ｈ８、Ｓｉ、Ｈ，。等のシラン（５ｉＪａｎｅ　）類等
の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が
挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（０２Ｈ６）、プロ・♀ン（０３Ｈ８）、ｎ−
ブタン（ｎ　−Ｃ，＞１（１０）、ベノタＺ　（Ｃ５Ｈ
１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２
Ｈ４）、プロピレン（０３）（６）、ブテノ−１（Ｃ４
Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈｓ　）、イノブチレン（Ｃ
４Ｈ８）、ベノテン（ｃ、Ｈ，ｏ）、アセチレノ系炭１
ヒ水宋としてハ、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセ
チレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４１（６）等が挙げら
れる。

ＳｉとＣとＨとを構成１京子とする原料ガスとしては、
５ｉ（ＣＨ３）ａ、Ｓ　ｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｉ！遵入用の原料ガスとしては勿輸Ｈ２も使用できる
。

ス・ぐツタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）　　
で構成される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｌウェーハー又はＣ（グラフ゛アイト）ウェーハー、又
はＳｌとＣ力鞄昆合されているウエーノ・−をターゲッ
トとして、これ等を所望のガス雰１ｆｆｌ気中でス・ξ
ツタリングすることによって行う。

例えはＳｉウェーハーをターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及び・・ロブ／
原子を尋人するだめの原〈１ガスと、必要に応じてＡｒ
、！（Ｑ等の稀釈ガスで・′４ソ＼して、スパッタリン
グ用の堆（Ａ学内に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成してＳｌ”’７エーハーをス・ｇツタリングす
ｈばよい。

又、ＳｌとＣとは別々のメーシノトとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターデッドとして使用する場
合には、ス・♀ツタリング用〔つ力スとして水素原子又
ｉｄ　／及び・・ロゲノ原子導入用の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで怖訳して、ス・２ツタリング用のＭ
ｔ漬室内に導入し、ガスプラズマを形成してス・♀ツタ
リングすれ（ゲよい。該ス・♀ツタリング法に用いる各
、皇Ｐの尋人用の原料ガスとしては、前述のグローｌ！
Ｉ電去に用いる原料ガスがその″！、１使用できる。

窒素原子を含有する層または層領域全形成するのにグロ
ー放ｉ程法分用いる場合には、前記した光受容層形成用
の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素
原子導入用の出光′物質を加える。そのｊ４．な窒素原
子導入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構
成原子とする力゛ス状の物質又はガス化し得る物質であ
ればほとんどのものが使用できる。

例えば／リコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原件Ｆガ
スと、窒素原子ＯＩ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素１９子（Ｈ）又は／及び・・ｏ　ｙ７皇
子ｆＸ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、又は、シリコン・皇子（Ｓｌ）を
構成原子とする原料ガスと、窒素原子（ｚ４）及び水素
、皇子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又
所望の混合比で混合するかして使用することができる。

、又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｉ（
）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎｌ導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ、、　）、アンモニ
ア（ＮＨ３）、ヒドラジ；／　（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ
化水素（ＮＨ３）、アノ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）
等のガス化の又はガス化し得る窒素、空化物及びアジ化
物等の窒素化合′吻全下げることができる。この他に、
窒素原子ｆＮｌの導入に加えて、ハロゲン原子ｆＸ）の
導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四
弗化′Ｎ　、：；；（Ｆ４Ｎ２　）等のハロゲン化窒素
化合′吻を皐げることができる。

ス・♀ツタリング法によって、窒も原子を含有する層重
たは層領域を形成する（ては、単°嗜晶又は多、轄晶の
Ｓ１ウエーハー又は８１３Ｎ４　ウェーハー、又はＳｌ
とＳｉ３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーを
ターゲットとして、これ等を棟々つガス雰囲気中でス・
ぐツタリングすること）てよって行えばよい。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターデッドとして陸用すれば
、窒素原子と心易に応じて水素原子父は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料力スを、必要に応じて、稲沢ガ
スで橘沢して、ス・♀ノター用の堆積室中に導入し、と
ｈ等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーノ
・−をスパッタリングすればよい。

又、別シては、ＳｌとＳ　ｉ３　Ｎ４とは別々のターゲ
ットとして、又ｒｉｓｉとＳｉ３Ｎ、の混合した一枚の
ターゲットを使用することによって、ス・♀ツター用の
ガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素
原子（Ｈｌ又は／及び・・ロデン原子（Ｘｌを構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって形成できる。窒素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電の例で示しだ原料ガスの中の窒
素原子導入用の原料ガスが、ス・？ツタリングの場合に
も有効なガスとして使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■挨原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及び・・
ロデン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入す
る、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々
の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することに
より行われる。

また、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放電・Ｑター等の条件は、所望の特性を有
する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形成
する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるものであ
る。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表面
層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によっても
異なることもあることから、含有せしめる原子の種類あ
るいはその１等にも考慮をはらって決定する必要もある
。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を形成する場
合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが、
特に好−ましくは５０〜２５０°Ｃとする。堆積室内の
ガス圧は、通常０．０１〜ＩＴＯｒｒとするが、特に好
ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。また、放電
、ｏターは０．００５〜５０　Ｗ／ｃｍ２とするのが通
常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／（Ｊ２
、特に好ましくは０．０１〜２０　Ｗ／ｃ！ｎ２とする
。

ａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめたａ
−５１ｏｅ　（Ｈｒ　Ｘ）からなる感光層を形成する場
合については、支持体温度は、通常開〜３５０°Ｃとす
るが、より好゛ましくは５０〜３００℃、特に好ましく
は１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガス圧
は、通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好ましくは
、０．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好１しくは０．
１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、放電・Ｑターはｏ、ｏ
ｏｓ〜５０　Ｗ　７ｍ２とするのが通常であるが、好ま
しくは０．０１〜３０Ｗ／（７）２とし、特に好ましく
は０．０１〜２０　Ｗ　／１２とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又Ｖ′ｉ／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原
子父は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするため
には、感Ｌ　層を形成するに際して、前記の諸条件を一
定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子父は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子
又は第■族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、グロ
ー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又け
／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あ
るいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガ
スの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望変化率に
従って適宜変化さす、その他のゆ件を一定に保ちつつ形
成する。そして、ガス流量を変イヒさするには、具体的
誓ζば、例えば手動あるいは外部駆動モータ専の１１常
用いられている何らかの方１去により、ガス流路系の途
中に設けら７′また所定のニードルバルブの開口を漸次
変化させる操作を行えばよい。このとき、流量の変化率
は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、
あらがしぬ設計された変化率曲線に従って流量を制倒し
、ｒ’）［■のｔ有率曲線を得ることもできる。

寸た、光受容・層をス・にツタリング法を用いて形ＩＪ
ｖ、する場合、ゲルマニウム京ｆ又はスズ原子、噴上、
皇子、炭素原子又は窒素原子あるいは第ｎｌ冑皇子又は
第■族原子の層厚方向の分布洟度を苦ｊ□′）方向で変
化させて所望の層厚方向の分布状゛〕！全形全形石には
、グロー故事法を用いた場合と：１ｌｒｌ　ｌ＋に、ゲ
ルマニウム原子又はスズ原子、酸素、京子、炭素原子又
は窒素原子あるいは第■族東子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質をガス法螺で使用し、該ガスを１噴室内へ導入
する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

また、本発ＬＭ］の表通層を、無機弗化物、無噸酸化物
、無１幾硫化物の中から選ば、ｆ′しる少なくとも一種
で＋Ａ成する場合、こうした表面ノ′（全形Ｊシにする
についても、その１層ｎを光学的ンベルで１（１ｉｊ御
する必要があることから、蒸、合法、ス・Ｐツタリング
法、プラズマ気相法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等が使用
される。これらの形成方法は、３１ｆ！］層の形成材料
の種類、製造条ｆ＋、設備管＋投トの負荷程度、製造規
模等の要因を考慮して適宜式択されて使用されることは
いう丑でもない。

ところで、操作の容易さ、条件設定の谷易さ等の観点か
らして、表面層を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合ス・♀ツタリング法を採用するのがよ
い。即ち、表ｒ（１）ｔＷ杉或用の無機化合物をターデ
ッドとして用い、スパッタリングガスとしてはＡｒガス
を用い１．唄窒化合物をスパッタリングして、表面層を
１債する。

〔実施例〕

以下、本発明全実施例Ｉ乃至２６に従って、より詳１．
１１］　’ｚζ１説明するが、本発明はこれ等によって
限定さ九るものではない。

各実施例にυいては、感光層はグロー放電法を用い、表
面層はグロー故事法又はス・♀ツタリング１去を用いて
形成した。第２９図はグロー放電法；てよる本発明の先
受′谷部材のへ造装置である。

（東１中の２９０２．２９０３．２９０４．２９０５．
２９０６のり゛スｆ／べには、本発明の夫々の層を形成
するだめの原註がスが’ｌｆ＋’封されており、その−
例ヒして、だとえば、２９０２はＳｉＦ４ガス（純度９
！１．９９９係）ボンベ、２９０３はＨ２で稀釈された
Ｂ２　Ｈ６ガス（純’１９９．９９９矛、刀、下Ｈ３Ｈ
６／　Ｈθ　と略す。）ボンベ、２９０４はＣ曳ガス（
純度９９．９９９チ）ボンベ、２９０５はＣ）ｅＦ４ガ
ス（純度９９　、９９９％）ボンベ、２９０６はＨθガ
ス（純度９９．９９９　％　）ボンベである。

そして２９０６’はＳｎＣへが入った密閉容器である。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６、
リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９１７
〜２９２１　、補助・ζルブ２９３２．２９３３っ：開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２９３４
を開いて反応室２９０１、ガス配管内全排気する。次に
真空Ａｌ／ＩＪ　７ダー２９３７上に第一・っ層及び第
二の層を形成する場合の一例を以ト：て記載する。

まず、ガスボンベ２９０２よりＳ　Ｉ　Ｆ４　ガス、ガ
スボアへ２９０３よりＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス、がスボ７へ
２９０５よりＧｅＦ、ガスの夫々をバルブ２９２２．２
９２３．２９２５を開いて出［コ圧ビーノ２９２７．２
９２８．２９３０　　の圧を１　ｋｇ／Ｃｒｎ２にＡ整
し、流入バルブ２９１２．２　（１１３，２９１５’ｋ
　ｍ々に開けて、マス７０コントローラ２９０７．２９
０８．２９１０内に流入させる。引き統＼ハて流出〕之
ルブ２９１７．２９１８．２９２０　、補助バルブ２９
３２を徐々に開いてガスを反応室２９０１内：、７流入
させる。このときのＳｉＦ４　ガス流量、ＧｅＦ４　プ
ノ゛ス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量の比が所望の値：
でなるように流出バルブ２９１７．２９１８．２９２Ｏ
ｆ　：ｒＡＩ整し、又、反応室２９０１内の王力が所望
の値に、なるように真空ｆｉｔ２９３６の仇み金兄なが
らメインパルブ２９３４の開口を調整する。そして基体
シリンダー　２９３７の温度が加熱ヒーター２９３８に
より５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定されているこ
とを確認さｔた後、電源２９４０を所望の電力に設定し
て反応室２９０１内にグロー放電を生起せしめるととも
に、マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あ
らかじめ設計された流量変化率線に従って、ＳｉＦ、ガ
ス、Ｇ　ｅ　Ｆ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｂ２ガスのガス流
量を制御しながら、基体シリンダー２９３７上に先ず、
シリコン原子、ゲルマニウム原ｆ及び硼素原子を含有す
る第一の層を形成する。

ヒ記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばＳｉＦ４がス、及びｃＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ、　Ａｒ、　Ｂ２等の稀釈ガスで
稀釈して、所望のガス流１で反応室２９０１内に流入し
、所望の条件に従って、グロー放７ｔを生起せしめるこ
とによって成される。

夫々の層を形成、する際に必要なガスの流出パルプ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室２９０１内、流出パルプ２９１７〜２９２１から反応
室２９０１内に至るガス配管内に残留することを避ける
ために、流出バルブ２９１７〜２９２１を閉じ補助パル
プ２９３２．２９３３を開いてメインパルプ２９３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣＡ！、を出発物質としたガス
を用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎ
Ｃｊｌ’ａを加熱手段（図示せず）を用いて加熱すると
ともに、該ＳｎＣ：１４中ＫＡｒ、Ｈθ等の不活性ガス
ボンベ２９０６よりＡｒ１Ｈｅ等＋７）不活性ガスを吹
き込み、バブリングする。発生した５ｎ（Ｊ４のガスは
、前述のＳ　ＩＦ４ガス、ＧｅＦ、ガス及びＢ２　Ｈ６
／Ｈ２ガス等と同嘩の手順により反応室内に流入させる
。

また、感光層をグロー放電法により形成したのち、表面
層をス・Ｑツタリング法により形成する場合は、感光層
を形成するのに用いた各原料ガス及び稀釈ガスのパルプ
を閉じたのち、リークパルプ２０３５を徐々に開いて堆
積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴンガスを用いて堆
積室内を清掃する。

次にカソード′這極（図示せず）上に、表面層形成用の
無機化合物からなるターゲットを一面に張り、感光層を
形成せしめた支持体を堆積装置内に設置し、リークパル
プ２０３５を閉じて堆積装置内を減圧した後、アルゴン
ガスを堆積装置内う”　０．０１５〜０．０２　Ｔｏｒ
ｒ程度になるまで導入する。こうしたところに高周波電
力（１５０〜１７０Ｗ程度）でグロー放電を生起せしめ
、無機化合物をス／ｅツタリングして、すでに形成され
ている感光層上に表面層を堆積する。

実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａｌ基体（長さ３５７朋、
径８０朋）・に第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示
すよりな施盤加工を施して得た第１表上欄に示すものを
使用した。なお、第２１　（Ａ１図はＡｅ支持体の全体
図であり、第２１（Ｂ）図はその部分拡大１（ｆｒ面図
である。

次に、該ＡＩ支持体（試料トｌ１１１１０１〜１０４）
上に、以下のＡ表及びＢ表に示す条件で、第四図に示し
た製造装置により光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、第１表
下欄に示す結果を得た。

さらに、これらの光受容部材について、第ｎ図に示す画
像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０μ
ｍのレーザーを照射して画像露光を行ない、現像、転写
を行なって画像を得た。

得られた画像は、いずれも干渉縞模様は全く明察されず
、そして極めて良質のものであった。

なお、第２２　（Ａ１図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第２２（Ｂ）図は露光装置の全体を
模式的に示す側面略図である。図中、２２０１は光受容
部材、２２０２は半導体レーザー、２２０３はｆθレン
ズ、２２０　Ｗリボンミラーを示している。

第　　　　１　　　　表 実施例２ 実施例１と同様にして第２表上欄に示すＡｔ支持体（試
料Ｎｎ２０１〜２０４）を得た。

次に得られた各々のＡｔ支持体（試料陽２０１〜２０４
）上に、以下のＡ表及びＢ表に示す条件で第３図に示す
製造装置により光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材について実施例１と同様な
方法で層厚を測定したところ第２表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について実施例１と同様の方法で画
像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られた。

第　　　　２　　　　表 実施例３ 実施例１と同様にして第３表上欄に示すようなＡｔ支持
体（試料ＮＣ１３０１〜３０４　）を得だ。

次に得られた各々のＡｔ支持体上に第四図に示した製造
装置を用い、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件に従って光
受容層を形成した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で層
厚を測定したところ第３表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

第　　３　　Ａ　　表 実施例４ 実施例１と同様にして第４表上欄に示すよりなＡｔ支持
体（試料Ｎ［１４０１〜４０４　）を得た。

次に得られた各々のＡｔ支持体上に第四図に示した製造
装置を用い、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件に従って光
受容層を形成した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で層
厚を測定したところ第４表下欄の結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

第　　４　　Ａ　　表 実施例５〜２６ Ａ表及びＢ表に示す層作成条件により、実施例１に用い
たＡｔ支持体（試料Ｎｎ　１０１〜１０４）上に光受容
層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

Ａ表 世し、六甲の数字は、Ｂ表の層間を表わす。

Ａ　　表　　（続き　） 但し、表中の数字はＢ表の層陽を表わす。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と、感光層と表面層の
界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこと
を示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各層
の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度を比較する図、第４図は、感光層を構成する層が二以
上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を説明
する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支持体
の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０図は
、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明する図
であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発生、
第７図は、多層構成の光受容層における干渉縞の発生、
第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、多層
構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発生、第
１０図は、光受容層の構成層の界面が平行である場合の
干渉縞の発生を各々示している。第１１〜１９図は、本
発明の感光層中におけるケ゛ルマニウム原子又はスズ原
子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、第２０〜２
８図は、本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子
又は窒素原子、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の層
厚方向の分布状態を表わす図であり、各図において、縦
軸は感光層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表
わしている。第四図は、本発明の光受容部材の感光層及
び表面層を製造するための装置の例で、グロー放電法に
よる製造装置の模式的説明図である。第３０図は、本発
明の円筒状アルミニウム支持体の表面処理を説明する図
であり、第３１図はレーザー光による画像露光装置を説
明する図である。 第１乃至第４図について、 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
．２０２．３０２．４０２・・・感光層、１０３．２０
３．３０３．４０３・・・表面層、４０２′、４０２”
・・・感光層を構成する層、１０４．２０４．３０４・
・・自由表面、２０５．３０５・・・感光層と表面層と
の界面、 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７０３・・・光受容層、８０１
・・・支持体、８０２・・・光受容層、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９０３・・・第２層、１０
０１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１００３
・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面、第四
図において、 ２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’・・・５ｎＣ４ｔ用密閉容器、２９
０７〜２９１１・７　スフ０コントローラ、２９１２〜
２９１６・・・流入バルブ、２９１７〜２９２１・・・
流出バルブ、２９２２〜２９２６・・・バルブ、２９２
７〜２９３１・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・
・・補助バルブ、　　２９３４・・・メインバルブ、２
９３５・・・リークバルブ、２９３６・・・真空計、２
９３７・・・基体７リンダー、２９３８・・・加熱ヒー
ター、２９３９・・・モーター、２９４０・・・高周波
電源、 第３１図において、 ３１０１・光受容部材、３１ｏ２・・半導体レーザー、
３１０３・ｆθレンズ、３１０４・・ポリコンミラー。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
   質材料で構成された感光層と、表面層とを有する光受容
   層を備えた光受容部材であつて、前記表面層は最外殻に
   耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層
   構成であり、前記光受容層中のショートレンジ内に少く
   とも一対の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚
   方向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配列している
   ことを特徴とする光受容部材。
2. （２）表面層が、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含有す
   る非晶質材料で構成されたものである特許請求の範囲第
   （１）項に記載の光受容部材。
3. （３）表面層が、無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化
   物の中から選ばれる少くとも一種で構成されたものであ
   る特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
   から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。
7. （７）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
   注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の範
   囲第（４）項に記載の光受容部材。
8. （８）感光層が、構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
9. （９）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
10. （１０）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の
    範囲第（１）項に記載の光受容部材。
11. （１１）ショートレンジが０．３〜５００μである特許
    請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
12. （１２）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規
    則的に配列している凹凸に基づいて形成されている特許
    請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
13. （１３）支持体の表面に設けられた規則的に配列してい
    る凹凸の凸部の縦断面形状が逆Ｖ字形である特許請求の
    範囲第（１２）項に記載の光受容部材。
14. （１４）逆Ｖ字形の傾面の傾きが１〜２０度である特許
    請求の範囲第（１３）項に記載の光受容部材。
15. （１５）逆Ｖ字形が二等辺三角形である特許請求の範囲
    第（１３）項に記載の光受容部材。
16. （１６）逆Ｖ字形が直角三角形である特許請求の範囲第
    （１３）項に記載の光受容部材。