JPS61109061A

JPS61109061A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS61109061A
Application number: JP59230353A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-11-02
Filing date: 1984-11-02
Publication date: 1986-05-27
Also published as: JPH0235301B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｓの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８ｆ１
３４１号公報や特開昭５８−８３７４６号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒ　ａ　
−５ｉＪ　と略記する）から成る光受容部材が注目され
ている。

本年ら、光受容層を単居構成のａ−５ｉ層゛とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る」ＯＬ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に１層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層をａ層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７１１号、同５２１ｆ１０号、同５
第１５９号、同５第１ｆ１０号、同５第１第１号の各公
報に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／
及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、ａ　−９ｉ系先光受容材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■ｏと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入入として、ある層の層厚がなだらかに丁１以上の層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１＋Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ　＋　ｙ　
）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　ｔｏｏｏ。

への凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボ
ン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける
方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アル
ミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、
サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１１１ｉ５５４号公報）等が提案されてい
る。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉−模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−５ｊ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容５３０２の内部に進入して透過光１１　となる、
透過光ＴＩは、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　Ｊ３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシ１ンを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光ＲＩ
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に麓した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｔ＝ｍ入また
は２ｎｄｔ　＝　（ｍ＋局）入が成立ち、夫々明部また
は暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚
ｄｔ　＋ｄ２　＋ｄｓ　＋ｄ４の夫々の差の中の最大が
テキ以上である様な層厚の不拘＝性があるため明暗の縞
模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又１表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、−Ｍｍ成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一居複雑となる。

〔発μの目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子゛を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多
層構成の光受容層とを有しており、前記第１の層及び前
記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が
含有され、かつ前記第１の層中に於けるゲルマニウム原
子の分布状悪が層厚方向に不均一でありと共に、前記光
受容層は、醜素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択
される少なくとも一種を含有する事を複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を！Ｌ、ａＡ光受容層は第６図の一部
に拡大して示されるように。

第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化して
いる為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを
有している。従って、この微小部分（ショートレンジ）
ｔに入射した可干渉性光は該微小部分！に於て干渉を起
し、ＷＬ小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の是が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層１１１０２の層厚
がマクロ的にも不均一（ｄ７”？　ｄｏ　）であっても
同様に云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる
（第６図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。に対
して、反射光Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ４，Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像輪現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｓ）は、照射光の波長
を入とすると、入ｄｓ　−ｄｂ≧　丁１（ｎ：第２層６０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が入 ■下　　　（ｎ：層の屈折率）以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加゛工など
の機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容
易に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましい
ものである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は１円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部のｔ！！ｉＡ旋
構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造
とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は２本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数布す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは。

例えば円筒の対称軸を有する支持体であって、その対称
軸を中心とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持
体においては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例
えば、板状等の平面を有する支持体におていは、支持体
上に形成されている複数の凸部の最低２つを横断する面
を言うものとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−Ｓｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって１表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のデイメンシヨンを設定する
必要が−ある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリｍ：０ングを行う場合、プレートの
いたみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μ〜０
．３μｓ、より好ましくは２００鱗〜ｌ＃Ｌ１１．最適
には５０−〜５鱗であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｕ〜５牌、
より好ましくは０．３牌〜３鱗、最適には０．６μｓ〜
２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチ
と最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線上突
起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、よ
り好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度とさ
れるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１−〜２μｓ、より好ましくは０．１−〜１．５ｇａ
＋、最適には０．２−〜ｌ−とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となつ・ており、前記第１の層中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となっ
ているため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下１図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１何よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒ　ａ−５ｉ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の層（Ｓ）　１００３とが順に積層された層
構造を有する。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）　１００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層
領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が
含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有されて
も良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい、殊に、第１の層（Ｇ）の支持
体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設けられ
る場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記物質
（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選択す
ることによって支持体から第２の層（，５）中への特定
の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）に加
えて第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）中に
も前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層（Ｇ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層（Ｇ
）側の端部層領域に含゛有させるのが好ましく、この場
合には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選
択することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定の極
性の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物ｉ　（Ｃ
）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層
（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を
含有させるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層ＣＧ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
ＣＧ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層ＣＧ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層ＣＧ）又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の
伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来るも
のであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ−Ｓｉ（Ｈ
，Ｘ）又は／及びａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ
型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与え
るｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■放に属す
る原子＜ｔｓｍ族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、Ａｊ（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、Ｔｊ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ　、　Ｇ　ａ’である。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＭ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
Ｑ、Ｏ１＃　５　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、　　より好適に・は０．５＃　ｌ　Ｘ　１０’　　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１Ｇ
”　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適にはｓｏ　ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐｍ以゛上、最適には１
００　ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐ層以上とすることによって、
例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果
的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ
）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面
がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層
中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には１層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、ｏ、ｏｏｔ〜１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より
好適には０．０５＃　５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔａ＋ｗｉｃ　ｐｐｔｓと
されるのが望ま°しい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏ履ｉｃ　ＰＰＩＩ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）　１０Ｇ２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体ｌ００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）
の方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層ＣＧ）　１００２中に含有
される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）上に設けられるＭ２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長連
の全領域６波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材とし得るものである。

又、ｉｆの層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２のｉｔ　（Ｓ）に向って減少する変化が与えられ
ているので、第１の屑（Ｇ）と第２の暦（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部
に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きく
することにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第
２の暦（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止することが
出来る。

又１本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至第１９図には１本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於
いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各々
の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示してお
り、これらの図は模式的なものと理解されたい、実際の
分布としては１本発明の目的が達成される可く、所望さ
れる分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ≦８）
又はＣｉ（１≦ｉ≦１７）の値を選ぶか、或いは分布カ
ーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべきである。

第１１図乃至第１８図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、１．は支持体側の第１の暦（Ｇ）の端面の位置を、
を丁は支持体側とは反対側の暦（Ｇ）の端面の位置を示
す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）は１．側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

Ｍｌ１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の暦（Ｇ）が形成される表面と該第１の居（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりＬ！の位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置１１よりは濃度４より界面位置１丁に
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置を丁
においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは実質的に零
とされる（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置１．より位置１丁に至るま
で濃度らから徐々に連続的に減少して位置１１において
濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には１位置ｔａより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ、
位置し２と位置を丁との間において、徐々に連続的に減
少され１位置１．において１分布源度Ｃは実質的に零と
されている第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔａより位置を丁に至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて１位置上。において実質的に零とされている
。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔ８と位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７，
と一定値であり、位置１Ｔに於ては分布濃度Ｃは零とさ
れる０位置上４と位１を丁との間では１分布源度Ｃは一
次関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少、され
ている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
Ｂより位置し５までは濃度Ｃ８の一定値を取り１位置１
ｓより位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度ＣｔＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ口
より実質的に零に至る様に一次関数的にＭ続して減少し
零に至っている。

第１８図においては１位置ｔＢより位Ｉｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１□より濃
度ｅｔ３まで一次関数的に減少され、位置ｔもと位置ｔ
□との間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が
示されている。

第１８図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは１位置ｔＢにおいて濃度ｅｔａであり、位
置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくり
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度ＣＩ＆となり１位置上８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至る
０位置し９と位置し７との間においては、濃度Ｃ１７よ
り実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第１１図乃至第１８図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔτ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
るのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の層（Ｇ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１９
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
弘以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５ル厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
と、するかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃ諺ａ！がシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ■以上、最適には１×１
０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ■以上とさ庇る様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち１本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５ＩＬ以内
（ｔａから５ＪＬ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍ
ａｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである
。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層Ｃ５”）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくはｌ　−４０ａｔｏｍｉｃ
％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏｍｉｃ　ｐｐ■
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の暦（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の暦（Ｇ）゛の層厚Ｔ、は。

好ましくは３０Ａ〜５０ＩＬ、より好ましくは、４０Ａ
〜４０ＩＬ、最適には、５０Ａ〜３０勝とされるのが望
ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ＩＬ、より好ましくは１〜８０１Ｌ最適には２〜５０
ｐとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔｌと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ、＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔｉ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ル、より好適
には１〜８０終、最適には２〜５０＃Ｌとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ、及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ８／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ、及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、／Ｔ≦０．８．最適には
Ｔ、／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ、及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ、とじ
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ＪＬ以下、より好ましくは２５終以下、最適には２０１
Ｌ以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明におイテ、ａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例
えば、グロー放電法によって、ａ−！３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）　テ構成される第１１７）層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｔ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状恩で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形
成する・場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｔとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリン
グ用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉｚＨｓ　ｍ’Ｊｉ３
ＨＢ　、　５ｉａＨｔｏ等のガス状態の又ガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点テ５ＩＨ４＊　５ｌｚＨ＆　　＋が好
ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ６、ＧｅＪ　１０　＠　Ｇｌ
！５Ｈ１２＊Ｇｅ６Ｈ１ａ　、　Ｇｅ７Ｈ１６Ｉ　Ｇｅ
Ｂ）ｆ　１第１　Ｇｌ！ｓＨ２０等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に１層作虞作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｅ供給効率の良さ等の点で。

Ｇｅ１（４、ＧＩＩ２Ｈ６ｅ　Ｇｅ３ＨＩＢが好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用、されるハロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３　、　ＢｒＦ５　。

ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、ｔｃｔ　、ＩＢｒ
等のへｅｆゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ、、　Ｓｉ２Ｆ６　、　ＳｉＧｅ　＊　５ｔＢｒ４
等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−ＳｉＧｅか
ら成る第１の暦（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例え１ｆｓｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、８２．Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の暦
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の＃ｌｌｌを一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中に八〇ゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ
２１２。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＣｆｆｉ３　、５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ｆＨＩｂ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３　、　ＧｅＨＣｌ３　、　ＧｓＨ３Ｆ。

ＧｅＨＣｌ３　　、　ＧｅＨＣｌ３　　、　ＧｅＨ３α
、　ＧｅＨＢｙ３ｅＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＣｌ３
．　ＧｅＨＩ３　、　ＧｅＨＣｌ３　、　ＧｅＨ３１等
の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要
素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅα４　　
、　　ＧｅＢｒ４　　、　ＧｅＩａ、　ＧａＦ２．　Ｇ
ｅα２　　、　　ＧｅＢｒ２　　＋Ｇｅ１２等のハロゲ
ン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得
る物質も有効な第１の暦（Ｇ）形成用の出発物質として
挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、＃
１１のＦｔ　ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので１本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料′として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いは５ＫＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ１、Ｓｉ＊Ｈｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為ノゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、　Ｇｌ！［４＊　Ｇｌ！２Ｈ＆　＋　Ｇｅ３Ｈ＠１
１　Ｇｅ４）１１＠　Ｉ　Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６Ｈ１４
ｅ　Ｇｌｌ？Ｈ１６＃　ＧｅａＨｔｓ　ｅ　Ｇｅ３Ｈ＠
１等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う察が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とへＯゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏ■ｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の！　（Ｓ）を形成するには、前記した第１のＷ　（Ｇ
）形成用の出発物質ＣＩ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の暦（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の暦（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−！Ｊｉ　（Ｈ、Ｘ）で構
成される第２のＦＪ　Ｃ５）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる０例えば、グロー放電法によってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的
には前記したシリコン原子（Ｓ　ｔ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及び、ハロゲン
原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に
導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原千尋入用の出
発物質或いは、第Ｖ族原千尋入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い、この様な第■族原千尋入用の出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい、その様な第■族原千尋入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入角としては、
　　ＩｈＨｔ、　、Ｂ２Ｏ３３，ＢＳＨ９ａｓ）１ｓｔ
・Ｂも）Ｉｔｏ・ＳｉＨ１２・ＳｉＨ１４等の水素化硼
素、ＢＦ３ＢＣＩ　３　、　ＢＢｒ２等のハロゲン化硼
素等が挙げられる。この他１Ｍα３　、　　ＧａＣ１５
＊　Ｇａ　（ＣＨ３）３　＃ＴｎＣｊ３　、　ＴＣ７３
等も挙げることが出来る。

第ＶＭＩ［千尋入用の出発物質として１本発明においた
有効に使用されるのは、燐原子導入用としては−’Ｈ３
＊　　Ｐ２Ｈ４等の水素上溝、　ＰＨ，Ｉ　、　ＰＦ３
゜ＰＦ５　、　ＰＣｊ　３　、　ＰＣｊ５　、　ＰＢｒ
３．　ＰＢＴＳ、　ＰＩ３等のハロゲン上溝が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣ；ｔ　３　＋　　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　Ｓ
ｂＨ３，ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５ｂＣｊ３　、　５ｂ
Ｃｊ５　、　ＳｉＨ３，５ｉＣｊ３　、　　Ｂ１Ｂｒ３
等も第Ｖ族原千尋入用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（０ＯＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（００％）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＱＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全・域
を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、
層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ　）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（００％）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には１例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、斂素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＣＳ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、を日は支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
　ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の轡面
の位置を示す、即ち、Ｎ子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）は１．側より１Ｔ側に向って層形成がなさ
れる。

第２０１１には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１
の典型例が示される。

＃ｌ　２０ＦＭに示される例では、ｊＸ子（ＯＣＮ）の
含有される層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領
域（ＯＣＮ）の表面とが接する界面位置１Ｂよりｔｌの
位置までは、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣ１なる一
定の値を取り乍ら原子（ｏｃｔｔ）が形成される層領域
（ＱＣ）Ｉ）に含有され１位置ｔ１よりは濃度４より界
面位置１．に至るまで徐々に連続的に減少されている。

界面位置を丁においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは
濃度ちとされる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置１．よりｔｌに至るまで濃度
Ｃ，から徐々に連続的に減少して位置１．において濃度
らとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には１位置ｔａより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置り丁との間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第２３図の場合には、原子（Ｏｌｌ；Ｎ）の分布濃度Ｃ
は位！！　ｔｓより位置１．に至るまで、濃度Ｃ，より
連続的に徐々に減少され１位置ｔＴにおいて、実質的に
零とされている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置１．と位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置を丁においては濃度Ｃ１゜とされる０位
！！ｈと位ａｔ丁との間では１分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位置１１に至るまで減少している。

第２５＠に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
．より位置ｔ４までは濃度０１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔτまでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃｔ３まで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２６図に示す例においては１位置ｔＢより位置を丁に
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２７図においては１位置ｔＢより位！Ｉｔｓに至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ｃｉｓより０
１６までの一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ□
との間においては、濃度ａＳＳの一定値とされた例が示
されている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位置１．においては濃度ＣＩ？であり１位
置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めは緩やかに
減少され、ｔもの位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔもでは濃度Ｃ１ｆｌとされる。

位置ｔもと位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位Ｍｔ７
で濃度０１９となり、位置１．と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて１．において、１１
度Ｃ２６に至る０位１ｔｔｅと位置ｔＴの間においては
濃度０２０より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１．側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に
設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一暦向上させることが出来る。

上記局在領域ＣＢ）は、第２０図乃至第２８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５ト以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
８より５層厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域ＣＢ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（００％）の
層厚方向の分布状態として原子（００％）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ−以
上、最適には１０００ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐｍ以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、Ｉ［子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ル以内
（ｔｓから５＃Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ
ｗａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において１層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（０ＯＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止す、ることが出来る。

又、層領域（０ＯＮ）中での原子（ｆｌｃＮ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続
して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２６図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣａ）の含有され
た層領域（００％）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−醸
化窒素（ＮＯ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化
窒素（８２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）　、四二酸
化窒素（ＮｚＯａ）、三二酸化窒素（８２０５）、三酸
化窒素（１０３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジシ
ロキサン（Ｎ３５ｉＯ９ｉＨ３）、トリシクロキサン（
Ｎ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキサン
、メタン（ＣＨａ）　、　ｚりｙ　（ＣＺＨ＆）　、プ
ロパン（ＣｚＨ＠）、ｎ−ブタｙ　（ｎ−Ｃ６Ｈｔｏ）
　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭
化水素、エチレン（Ｃ２）Ｎ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ
５）、ブテン−１（１：ａＨｓ）、ブテン−２（ＣａＨ
ｓ）、インブチレン（ＣｓＨ＠）、ペンテン（ＣｓＨｓ
ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレ
ン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３）１４）　、
プｆ　７　（Ｉｌｌ：Ｊ６）等ノ）Ｒ素！［〜４１７）
７セチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎ
Ｈ３）、ヒドラジン（Ｎ２　ＮＮＮ２　）　、アジ化水
素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、
三弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗化窒素（Ｆａｎ）等々を挙
げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｎ、、カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＧＮ）を設ける場合。

該層領域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＳ）の分布
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　ｉ　ｌｅ）を有する層領域（
ＯＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には、分布
濃度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物
質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成
される。

例えば手動あるいは外部運動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口、を暫時変化させる操作
を行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必
要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計
された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率
曲線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒａｆ　１ｌｅ）を形成するには
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。第二にはスパッタリング用のタ
ーゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたター
ゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合
比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによって成される。

本発明において使用される支持体としてば、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては１例
えば、　ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＩ。

Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、　Ｐ
ｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａ１．
　Ｏｒ、　Ｎｏ％Ａｕ、　Ｉｒ％ｌｂ、〒ａ％Ｖ、　Ｔ
ｉ％Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚ
ｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｏｒ、Ｍｅ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、
　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設
け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、そ
の表面に導電性が付与される。支持体の形状としては１
円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によ
って、その形状は決定されるが１例えば、第１０図の光
受容部材！００４を電子写真用光受容部材として使用す
るのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。丙午ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上。

機能的強度の点から、好ましくは１０ｇ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第３９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下、ＳｉＨ４と略す）ボンベ、　２００
３はＧ　ｅ　Ｈ，ガス（純度ｓｓ、ａｓｓ％、以下Ｇｅ
Ｈ４と略す）ボンへ、２ＧＯ４ｊｔＮＯカＸ　（純度９
１．９９１３％、以下Ｎｏト略す）ボンベ、２００５は
Ｈ２で稀釈された８２Ｈ，ガス（純度９９．９１３９％
、以下８２　Ｈｓ　／　Ｈ２と略す）ボンベ、２００６
はＨ２ガス（純度９９．９９１１％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスポ
ｙ　ヘ２００２〜２００Ｂ（Ｆ）バルブ２０２２〜２０
２８、リークバルブ２０３５が閉じられていることを確
認し、又、流入バルブ２０１２〜２０１８、流出バルブ
２０１７〜２０２１、補助バルブ２６３２．２０３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ２ｏ３
４を開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気す
る０次に真空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１Ｇ’　ｔ
ｏｒｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、
流出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉｎ
、ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスポ
ｙへ２００４よりＮＯガス、ガスボｙ＜２００５Ｊ：す
Ｂ２Ｏ。

／　８２ガス、　２００８よりＨ２ガスをバルブ２Ｇ２
２．２０２３．２０２４．２０２５．２０２６を開いて
出口圧ゲージ２Ｇ２７゜２０２８、２０２１３．２０３
Ｇ、２０３１ノ圧をＩ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、流入
バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２０
１Ｂヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００？。

２００８．２００９．２０１０．２０１１内に夫々流入
させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８．２
０１９．２Ｇ２０．２０２１、補助バルブ２０３２．２
０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に流
入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ４ガス流
量、　ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流出バ
ルブ２０１７．２０１８．２Ｇ１９．２０２０、２０２
１を調整し、また１反応室２００１内の圧力が所望の値
になるように真空計２０３８の読みを見ながらメインバ
ルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２０３７
の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４００℃の
範囲の温度に設定されていることを確認した後、電源２
０４０を所望の電力に設定して反応室２００１内にグロ
ー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率
曲線に従って、ＧｅＨ４ガスの流量を手動あるいは外部
駆動モータ等の方法によってバルブ２０１８の開口を暫
時変化させる操作を行って形成される層中に含有される
ゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の！　（Ｇ）が形成された段階に於て、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ
）を形成することが出来る。

なお、第１の！！’　（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層
には、流出バルブ２０１８あるいは２０２Ｇを適宜開閉
することで蝕素原子あるいは硼素原子を含有させたり、
含有させなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだ
け酸素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る
。また、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素
原子を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯ
ガスを例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて
、層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成を行なえばよい、層形成を行っている間は層形成の
均一化を計るため基体２０３７はモーター２ｏ３９によ
り一定速度で回転させてやるのが望ましい。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍｍ）を、旋盤で第２９図（Ｂ）に示す様な表面性に
加工した。

次に、第１表に示す条件で、第３９図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ　−８ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した。

なお、第１層ノａ−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　０層は
。

ＧｅＨ４および５ｊ）ｌａの流量を第３０図のようにな
るようマスフロコントローラー２００７．２００８及び
２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御した。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
９図（Ｃ）の様であった。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■。

スポット径ＢＯμｓ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２第１表に示す条件で、＊１暦ノａ−９ｉＧｅ　：　Ｈ：
Ｂｏｏ層を形成する際、ＧｅＨ４および５ｉ）１４の流
量を第３１図のようになるように、　ＧｅＨ４および５
ｉＨａのマスフロコントローラー２００８及（７２００
７ヲコンピユーター（ＨＰ９１１４５Ｂ）により制御し
た以外は実施例１と同様に第３８図の膜堆積装置で種々
の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を
作製した。このようにして作製した光受容部材の表面状
態は、第２θ図（Ｃ）のようだった。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ＋＋＋、ス
ポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３実施例１に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変えた
以外は実施例１と同様の条件と手順に従つてａ−Ｓ＋系
主電子写真用光受容部材作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７Ｂ０ｎ■。

スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

実施例４実施例１に於て使用したＮｏガスをＣＨ，ガスに変えた
以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０鱗）で画像露光を杆ない、それを現像、転写して
画像を得た。

実施例５第２表に示す条件で、行う以外は、実施例１と同様にし
て、第３９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っての
ａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層のａ−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ暦を
形成する際、　Ｇｅ）ＬＨおよυ５ｉ）１４・の流量を
第３２図のようになるように、Ｇｌ！［４およびＳｉＨ
４のマスフロコントローラー２００８および２００７を
コンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長？８０ｍｍ。

スポット径６０−）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

実施例６第２表に示す条件で、行う以外は、実施例１と同様にし
て、第３３図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っての
ａ−３ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層のａ−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ暦は
、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第３３図のようにな
るように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ，のマスフロコントロ
ーラー２００８および２００７をコンピュータ（ＩＰ９
８４５Ｂ）より制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった・実施例７実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに変えた
以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ凰。

スポット径ｅｏＩｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

実施例８実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＣＩ（４ガスに変
えた以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

実施例９第３表に示す条件で、行う以外は、実施例１と同様にし
て、第３３図の膜堆積装置で種々の操作手順に従って電
子写真用光受容部材を作製した。−なお、第１層のａ−
９ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、Ｇｅ）１４および！ＪｉＨ
，の流量を第３０図のようになるようニ、ＧｅＨ４おヨ
ヒ５ｉ）１４のマスフロコントローラー２００８および
２００７をコンピュータ（）ＩＰ９８４５Ｂ）により制
御した。

また、　　Ｃ）１４ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガス
との和に対する流量比を第３５図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ厘、スポット
径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった・実施例１０実施例９に於て使用したＣＨｎガスをＮＯガスに変えた
以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０１ｍ＞で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった・実施例１１実施例９に於て使用したＣ）１４ガスをＮＨ，ガスに変
えた以外は実施例９と同様の条件と手順に従つてａ−５
ｒ系電子写真用光受容部材を作製した。

スポット径ｓｏｇ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

実施例１２゛第４表に示す条件で、行う以外は実施例１と同様にして
第３８図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した。

なお、第１ｆｉのａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　０層
は。

ＧｅＨ，およびＳｉＨ４の流量を第３２図のようになる
ようニ、　Ｇｅ）Ｌｍ　’１３　、ｊ：　ＣＩ　Ｓ　ｉ
Ｈａのマスフロコントローラー２００８および２００７
をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

また、ＮＯガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ，ガスとの和に
対する流量比を第３６図に示す変化率曲線に従って変化
させた。

ＪＪトの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８ｔ）＋ｎｍ。

スポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

実施例１３Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５＋、径（ｒ　
）　８０＋ｕ＋）を、旋盤で第４０図に示す様な表面性
に加工した。

次に第５表に示す条件で、行う以外は実施例１と同様に
して第３８図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子
写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層ｃｙ）ａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ
暦は、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第３３図のよう
になるように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコン
トローラー２００８および２００７をコンピュータ（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）によりＭＷした。

また、　　ＮＪ（３ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガス
との和に対する流量比を第３７図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｍ＜レーザー光の波長？８０ｍｍ。

スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

実施例！４Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ　）
　８０ｍ５）を、旋盤で第４１図に示す様な表面性に加
工した。

次に第６表に示す条件で、行う以外は実施例１と同様に
して第３８図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子
写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層のａ−５ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｃ暦は
。

ＧｅＨ４および５ｉ）１４の流量を第３１図のようにな
るようニ、ＧｅＨ４おＪ：ヒ５ｉ１（４のマスフロコン
トローラー２００８および２００７をコンピュータ（Ｈ
Ｐ１１８４５Ｂ）により制御した。

また、　　ＣＨ４ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスと
の和に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に従っ
て変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット
径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

実施例１５実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
マｏｌＰＰ厘に稀釈した８２Ｈ，ガスの代りにＨ２で３
０００マｏｆ　ｐｐ簡に稀釈したＰＨ３ガスを使用して
、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の作製条件は実施例１から実施例１４までと同
様にした。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポット
径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず、実用に十分
なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説＃１図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）、ＣＢ）、はそれぞれ代表的な支持体の表
面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図から第１８図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図から第２８図は１層領域（ＯＣＮ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。第２θ図、第４０図及び第４１図は実施例で用いた超支
持体の表面状態の説明図である。第３０図から第３３図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。第３４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第３５図から第３８図までは、夫々本発明の実施例にお
けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。第３８図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の暦１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
Ｂ０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２８０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第１１１第２図第３図第４図第５図第１１図第１２図第１３図第１４図第１５図第１ｔｓ図第五τ図第１８図第１９図 □Ｃ第２０図第２１図第２２図第２３図第２４図第２６図第２６図第２７図 □Ｃ第２８図第３０図第３１図第３２図第３３図第３４図つ入う克量ｒ乙第３５図力′スヲ丸量；Ｌ第３７図力゛入二先量Ｅし第３８図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層と
を有しており、前記第１の層及び前記第２の層の少なく
とも一方に伝導性を支配する物質が含有され、かつ前記
第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
方向に不均一でありと共に、前記光受容層は、酸素原子
、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一
種を含有する事を特徴とする光受容部材。
（２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（４）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（９）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を層厚方向には均一
な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（１０）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
不均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
光受容部材。
（１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項又は同第１１項に記載の光受容部材。
（１３）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。
（１４）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。