JPS61102654A

JPS61102654A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61102654A
Application number: JP59223020A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuetsuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-10-25
Filing date: 1984-10-25
Publication date: 1986-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通惜は６５０〜８２０ｎ＋ｓの発光波長を宥
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒ　ａ　−３ｉＪ　と略記する）から成
る光受容部材が注目されている。

尚乍ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｉ２ΩＣ謬以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計との許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるの↑、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１．と上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入ｎ差で不
均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数１１反射光は強め合う）と２ｎｄ＝Ｃｍ＋−’Ｊ　
入（ｍは整数１反射光は弱め合う）の条件、）８５゜う
わ、よ、ア、あ６層。９収光　　　　　　　　；擾およ
び透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材とに転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１００００人の凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２１１７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開
昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存しでいる為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

ｗＳ２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又１着色顔料分散樹脂歴を設ける場合はａ−Ｓｉ
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
ａ−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て１本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化−によるその後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与える
こと等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光１ｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■１　となる、
透過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２とがり、その一部が
出射光Ｒ５となって外部に出て行く、従って１反射光Ｒ
，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあっ゛　た。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光ＲＩ
、支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄＩ＝ｍ入また
は２ｎｄＩ＝　（ｍ＋ｑ）λが成立ち、夫々明部または
暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ
＋　＋ｄ２　＋ｄ３　、ｄａの夫々の差のあるため明暗
の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又１表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容暦表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

（発明の目的〕本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが出来る電子写真用に適した光受容部材を
提供することでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層と１反射防ｌＩ：機能を有する表面層とが支持体
側よりこの順に設けられた多層構成の光受容層を有して
おり、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝
導性を支配する物質が含有されると共に、前記光受容層
は、酸素原子、少素原子、窒素原子の中から選択される
少なくとも一種を含有し、かつショートレンジ内に一対
以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向
と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非平
行な界面が配列方向に於いて各々なめらかに連結してい
ることを特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小でなめらかな凹凸
形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面
に沿って多層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６
図の一部に拡大して示されるように、第１層７０１の層
厚がｄ５からｄ６と連続的に変化している為に、界面８
０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従っ
て、この微小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干
渉性光は該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞
模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第１層７０１の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄｙ’＋ｄｓ）であっても　　　　
　　　　　　１同様に云える為、全層領域に於て入射光
量が均一になる（第６図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対
して１反射光Ｒ＋　、Ｒ２、Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する
。その為各々の層で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても限の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポ−／　）径をＬとすれば、ｔ≦Ｌ
である。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　　　ｄｂ　）は、照射光の
波長を入とすると、ｄ５−　ｄｓ≧　□ ｎ（ｎ：第２層８０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分！の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が □　　　（ｎ：層の屈折率）２ｎ以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に１層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は１円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部は
、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する
。この様な構造の一例を第９因に示す、第９図において
Ｌは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、Ｐ
は螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各デイメンシヨンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ層は、層形成
される表面の状ｊＭに構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリ一二ノグを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００μ〜０
．３鱗、より好ましくは２００−〜ｌμｓ、最適には５
０ｕ〜５−であるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇ〜５　ｐ
　、より好ましくは０．３鱗〜３μｓ、最適には０．６
−〜２鱗とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピ
ッチと最大深さが上記の範囲にある場合、隣接する凹部
と凸部の各々の極小点と極大点とを結ぶ傾斜面の傾きは
、好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５
度、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、回−ピッチ内で好ましくは０
．１ｕ〜２μ、より好ましくは０．１ｇ　〜１．５ｇｍ
、最適には０．２４−１　ｐｊとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はンリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防止機能を有する表面
層とが支持体側より順に設けられた多層構成となってお
り、優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、未発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは、次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると１反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、が好ましいものである。

また１表面層の材料としては、その上に表面層を堆積す
る層の屈折率をｈすると。

ｎ＝＝Ｊ”ｉｉ”；；の屈折率を有する材料が＠適である。

この様な光学的条件を加味すれば３反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２−とされるのが好適である。

未発明く於いて１反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＮａＦ７．
　ｕ、Ｏ３，ＺｒＯ７，ＴｉＯ２，ＺｎＳ　、　ＣｅＯ
２、ＧａＦ２．５ｉ０２．ＳｉＯ、Ｔａ２Ｑ５　、Ａｌ
Ｆ３、ＮａＦ　　、　　Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物や無
機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、
ポリイミド樹脂、弗化ヒニリデン、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化
合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＧＶＤ法、熟ＣＶＯ法、塗布法が採
用される。

以下１図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

ｆＪＳｌＯ図は、本発明の実施態様例の先受−容部材の
層構成を説明するために模式的に示した模式的構成図で
ある。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有　
　　　　　　　　↓し、該光受容層１０００は自由表面
１００５を一方の端面に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−５ＩＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層ＣＧ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−Ｓｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有
する第２の層（Ｓ）　１００３と１反射防止機能を有す
る表面ｅ　＋ｏｏｅとが順に積層された°層構造を有す
る。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）＋０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　＋００２又は／及
び第２のｅ　（Ｓ）　＋００３に含有される伝導特性を
支配する物質（Ｃ）は、物Ｉ！１（Ｃ）が含有される層
の全層領域に万遍なく均一に含有されても良く、物Ｗ　
（Ｃ）が含有される層の一部の層領域に偏在する様に含
有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
Ｗ　（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ
）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有され
る層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域とし
て設けられるのが望ましい、殊に、第１の層（Ｇ）の支
持体側の端部層゛領域として前記層領域（ＰＮ）が設け
られる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記
物質（Ｃ）の種類及びその含有覗を所望に応じて適宜選
釈することによって支持体から第２の層（Ｓ）中への特
定の極性の電荷の注入を効果的に阻任−することが出来
る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物ｎ　（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する
第１の層ＣＧ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域
に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させる
のが好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）に
加えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）中
にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層（Ｇ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層（Ｇ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選択
することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定の極性
の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層Ｃ５）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２のＷ　（Ｓ）の中に、伝導特
性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物
質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の！　（Ｇ）又は第
２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い
〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来
るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、
半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発
明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−９ｉ
　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）に対
して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第ｍ族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、Ａｊ！（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、Ｔｊ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特°性を制御する物質（Ｃ）が含
有される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領
域（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、Ｉｉ＃層乍城
（ＰＮ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、
その支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該層の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質ＣＣ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１−５　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｓｉ
ｃ　ｐｐｓ＋　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３
ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質ＣＣ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏ＋＊ｉｃ　ｐｐ−以上、より
好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には　
＋００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって
、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受
けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効
果的に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　Ｎ）
に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性と
は別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する
伝導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる
実際の量よりも一段と少ない萱にして含イ１させても良
いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、　　０．００１−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ’
　、　醋適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐＨｌ
ｌとされるのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（Ｐ　Ｎ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触　　　　　　　　。

する様に設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けること
も出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって。

且つ均一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１０
０２中に含有される。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長比
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているのでａｔｅ界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜状められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５ａｔｏｓｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００−８Ｘ１０Ｓａｔａ■ｔｃ　ｐｐ■
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１（７）層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）と
の層厚は５本発明の目的を効果的に達成させる為の重要
な因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の
特性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充
分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ８は。

好ましくは３０Ａ〜５０ル、より好ましくは、４０Ａ〜
４０ル、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５−９
（Ｊ）ｔ、より好ましくは１〜ＢＯｕＬｍ適には２〜５
０ルとされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚■８と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁９＋Ｔ）としては１両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

未発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ＠十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００　　・用、よ
り好適には１〜８０舊、最適にはｚ−５０ルとされるの
が望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚丁８及び層厚Ｔとしては、好ましくは丁［Ｉ／Ｔ≦１
なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値
が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｉ　／　Ｔ≦０．８．最適
にはＴ＠／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚
Ｔ、及びＩ＃厚Ｔの４ｔｔｔが決定されるのが望ましい
ものである。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０ｓａｔ１０５ａｔｏ
■以上の場合には、第１のａ　（Ｇ）の層厚Ｔ８として
は、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３Ｇ、
以下、より好ましくは２５ル以下、最適には２０終以下
とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ’）中に必要に応じて含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、具体的にｌま、フッ票、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、墳素を好適なも
のとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−５ｉＣｉｅ　（Ｈ，Ｘ）　テ構成
される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される６
例えば、グロー放電法によって、ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ、
Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
様のＭ料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所ヤのガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表曲玉に含
有されるゲ）Ｌｔマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ−ＳｉＧｅ　（ＨｌＸ）か
ら成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたター
ゲットを使用してスパッタリングする際、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い
。

本発明において使用されるＳ（供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉ２Ｎ６　。

５ｉ３Ｈ６、Ｓｔ、）！１．等のガス状態の又ガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点で５ｉ）１４．５ｉｚＨ６＋が好
ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇａ３ＨＢ、Ｇｌ！４ＨＩＯ，Ｇｅ５
Ｈ＋ｚ＋Ｇｅｔ、Ｈ１４、Ｇｅ７）１１６１　Ｇａ１ｌ
　Ｉｌｌ　、　Ｇｌ！５Ｈｔｏ等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で。

ＧｅＨｓ　、　０ｅｌＨ６、Ｇｅ３ＨＢが好ましいもの
として挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素（７）　
ハｔｆｆゲンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３　、　ＢｒＦ
５　。

ＢｒＦ３　、ＨＦ３　、　ＩＦ７　、Ｉα、ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４　、５ｉＢｒａ等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料カスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−９ｉＧａか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層Ｃ
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガスＩＭＮになる様にして第１の層
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て。

所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様に
計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含
む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良い
、　　　　　　　　　　　　　　　　　　′又、各ガス
は単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合して使用
しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成るｆｊＳｌの
層（Ｇ）を形成するには１例えばスパッタリング法の場
合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲッ
トの二枚を、或いはＳＩとＧｅから成るターゲットを使
用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタ
リングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレ
クトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う１１９が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ノ＼ロゲン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはノ＼ロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉ）１７　Ｆ２　、９ｉＨ
７１７。

５ｉＨ７α２　、５ｉＨＣ１１３、５ｉＨＪｒ２　、５
ｉ）ｌＢｒ３等の／＼ロゲン置換水素化硅素、及びＧｅ
ＨＦ３　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨ３Ｆ。

Ｇｅ）Ｉα３．　　ＧｅＨＢｒ３　　＋　　Ｇｅ）１３
α、　ＧｅＨＢｒ３゜ＧｅＨＢｒ３　、　Ｇｅ）１３Ｂ
ｒ、　ＧｅＨＩ３　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＯ２１
等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構１
＋１’素の１つとする／＼ロゲン化物、　ＧｅＦ４１Ｇ
ｅＣ１ａ　、　ＧｅＢｒ４　、　Ｇｅ１４．　ＧｅＦ７
．　Ｇｅα２　、　ＧｅＢｒ２　。

ＧｅＬ７等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはカス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる１覧が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むノ＼ロゲン化物は、
第１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
Ｆ記の他にＨ２＋或いはＳｉＨ４，５ｉ７Ｈ６。

５ｉ３Ｈａ　＋　Ｓ！ａＨ＋ｏ等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ７Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ１、Ｇｅ、ｌ
Ｊ６．　Ｇｅ５Ｈ１２。

Ｇｅ６Ｈ＋ａ　、　ＧｅｔＨ＋ｔ、　、　Ｇａｅｌ　＋
ｅ　、　ＧｅｇＨ２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを
供給する為のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中
に共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成さ終る光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水」；原子（Ｈ）
の！−１又はハロゲン原子（Ｘ）の♀又は水素原子とハ
ロゲン原子の晴の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０，０１
〜４Ｏａｔｏ■ｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　
ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の暦（Ｓ）
形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち１本発明において、ａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される１
例えば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）゛を形成するには、基本的には
前記したシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）１例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物ｊｔ　（Ｃ）の含有された層領域（Ｐ
Ｎ）を形成するには、層形成の際に、Ｓｍ族原子導入用
の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い、この様なｔｉＳｍ族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい、その様な第ｍ族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
ては、Ｂ２Ｈ＆、Ｂ４）＋　１゜ＪＳＨ９ＢｓＨ’　ｏ
　、　ＢａＨＩｏ　、Ｂ６Ｈ１２，８＆Ｈ１４等の水素
化硼素、ＢＦ３ＢＣｊ　３　、　ＢＢｒ３等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、ＡＩα３　、　　Ｇａ
Ｇ１３　、　Ｇａ　（（Ｈ３）３　＋ＩｎＣｌ３．ＴＧ
ｔｓ等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として１本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＲ，、
Ｐ２）１．等の水素化燐、ＰＨ＊１．　ＰＦ３　。

ＰＦｌ、　ｐｃｚ　３　、　ＰＣｌ、５．　ＰＢｒ３．
　Ｐａｒｅ、、ρ■３等のハロゲン化燐が挙げられる。

この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣ１３、ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　Ｓｂ）＋３．
　ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５ｂＣ１３＋　　５ｂＧｌｓ
　、　５ｔ）１３．　　Ｓ＋Ｃ１３、Ｂ＋Ｂｒ３等も第
Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げるこ
とが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層ｎ方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）　（Ｆ）分布状１ｇは分ｌｒ１濃度Ｃ（
ＯＣＮ）が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於
いては均一であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＱＣＮ　）は、光感度と暗抵
抗の向−ヒを主たる目的とする場合には、光受容層の全
層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間
の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、
光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる
。

前者の場合１層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（０（Ｎ
）に含有される原子（ＯＣＳ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（０（：
Ｎ）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＱＣ：Ｎ）に直に接触して他の層領域
が設けられる場合には、該層の層領域の特性や、該層の
層領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて
、原子（０ＯＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（０（：Ｎ）中に含有される原子（００％）の礒
には、形成される光受容部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１
−５０ａｔｏ＊ｉｃ％、より好ましくは、　０．００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適にはＯ，ＯＱ３〜３０ａｔ
ａｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、　Ｉｆｊ’１ｉ城（ｏｃｎ）が光受容
層の全域を占めるか、或いは６光受容層の全域を占めな
くとも、層ｉ域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚
Ｔに占める割合が充分多い場合には１層領域（ＯＣＮ）
に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の
値より充分少なくされるのが望ましＩ／１゜本発明の場合には１層領域（ＯＣに）の層厚ＴＯが光受
容層の層厚Ｔに対して占める一１１合が５分の２以上と
なる様な場合には、層領Ｍ　（ＯＣＮ）中に含有される
原子（ＯＣＲ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏ
ｍｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下
、最適には１ｏａｔｏｓｉｃ％以下とされるのが望まし
し−０本１発明の好適な実施ｉム様例によれば、原子（ＯＣＮ
）は、支持体ヒに直接設けられる前記の第１の層には、
少なくとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の
支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されること
で、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ること
が出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（Ｏｉｌ；Ｎ）は、光受容層中に複数
種含有させても良い、即ち１例えば、第１の層中には、
酸素原子を含有させたり、或いは、同一層領域【トに例
えば酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含イＩさせ
ても良い。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第１１図乃至第１９図において、横軸は原子（ＯＧＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ＬＢは支持体側の層領域（Ｏｉｌ；Ｎ）の端面の位置
を、ｔ□は支持体側とは反対側の層領域（０ＯＮ）の端
面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層
領域（ＯＣＮ）はｔＢ側より１丁ｇに向って層形成がな
される。

第１１図には１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第１１図に示される例では、原子（ＯＧＮ）の含有され
る層領域（ｏｃＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＧ
Ｎ）の表面とが接する界面位Ｉｔｓよりｔｌの位置まで
は、原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＳ）が形成される層領域（ＯＣＮ
）に含有され１位置り、よりは漬度奇より界面位置ｔ１
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位ｆｉ
ｔｙにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３
とされる。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ｔＢよりり、に至るまで濃度
Ｃ７から徐々に連続的に減少して位置１．において濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置１．より位Ｈ１２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、位
ａｈと位！ｔｙとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ１位置し丁において１分ＩｒＩ濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１４図の場合には、原子（ＯＧＮ）の分布濃度Ｃは位
ｉｉｉ　Ｌｓより位Ｚｔｔｔに至るまで、濃度Ｃ＠１よ
り連続的に徐々に減少され１位ＫＬｒにおいて、実質的
に零とされている。

第１５図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＬＢと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置１．においては濃度Ｃ８゜とされる０位
ｉｈと位Ｎｔｏとの間では１分布濃度Ｃは一次関数的に
位置ｔ３より位置ＥＴに至るまで減少している。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位７１
　ｔＩ！より位置ｔ４までは濃度ＣＯの一定値を取り、
位ｉｔａより位置を丁までは濃度０１２より濃度０１３
までは一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置　Ｌｅより位置を丁
に至るまで、原子（ｏｃＮ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４
より実質的に零に全る様に一次関数的に減少している。

１Ｒ１ａ図においては１位ｉｔｓより位置ｔ５に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度０１５よりＣ
１０までの一次関数的に減少され、位置し、と位置１、
とり間においては、Ｗ度ＣＩ６の一定値とされた例が示
されている。

第１９図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位ｉｔｓにおいては濃度Ｃ１フであり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ＋ｔより初めは緩やかに
減少され、ｔ６の位置付近においては、急）敷に減少さ
れて位Ｈｔ、ではｅｌｌ）：　（：＋ｓとされる。

位置ｔもと位置Ｌ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｇ１９となり、位置Ｌ７と位置ｔ６との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
Ｃ２Ｏに至る０位１ｔｔｅと位置を丁の間においては濃
度Ｃ２Ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至ｔＪＳｔｓ図により、層領域（０（
：Ｍ）中に含有される原子（０１１：Ｎ）の層厚方向の
分布状態が不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、原子（０１
１：Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１丁側に
おいては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低
くされた部分を有する原子（ＯＧＮ）の分布状態が層領
域（ＯＧＮ）に設けられている。

原子（０ＯＮ）の含イイされる層領域（ＯＣＮ）は、上
記した様に支持体側の方に原子（０（：Ｎ）が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光
受容層との間の密着性をより一層向」二させることが出
来る。

上記局在領域（８）は、第１１図乃至第１９図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位１ｉ２ｔｅより５ｐ以内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置１
６より５路厚までの全領域（Ｌｒ）とされる場合もある
し、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌｌ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（０ＯＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏ＊ｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ＋ｗｉｃ　ｐｐｓ
＋以上、最適には１００１０００ａＬｏ　ｐｐ−以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち１本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層ｇＩＪ＊　（ＯＣＮ）は５支持体側からの層厚で５ル
以内（ｔｌｌから５路厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大
値Ｃｗａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０１１
：Ｎ）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やか
に変化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態
を形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（０ＯＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第１１図乃至第１４図、ｆｆＳ＋７
図及び第１８図に示される分布状態となる様に、原子（
０１１：Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望
ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（０（：Ｎ）導入用の出発物質を前記した光受容
層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（００％）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（０１１；Ｎ）導入
用の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎ０２）　、−二酸化窒
素（Ｓ、Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、画工酸
化窒素（Ｎ２０ａ）、三二酸化窒素（ＴｏＯｓ）、三酸
化窒素（ＮＯ３）　、　シリコン原子（Ｓｉ）と酸Ｊ原
子（０）と水素原子（）Ｉ）七を構成原子とする１例え
ばジシロキサン（）１３５ｉＯ５ｉＨ３）　、　　）リ
シクロキサン（Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低
級シクロキサン、メタン（Ｃ）１４）　、エタン（Ｃ２
）１６）、プロパン（ＣｔＨｓ）。

ｎ−ブタン（ｎ−Ｃａ　Ｈ＋ｏ　）　、ペンタン（Ｃ５
Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン　
（Ｃ２Ｈ４）。

、プロピレン（Ｃ１）＋６）、ブテン−＋（Ｃ，Ｈ＠）
。

ブテン−２ＣＣ５ｋ）　、インブチレン（ＣａＨｓ）−
ペンテン（ＣｓＨＩ。）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（Ｃ３Ｈ４）、　ブチン（Ｃｎ　Ｈ６）等の炭素数２〜
４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア
（ＮＨ３）、ヒドラジン（ＴｏＮＮＨ？）　、アジ化水
素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ！　）　
、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を
挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｈａ、カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲーＩトと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合。

該層領域（（Ｈｌ；Ｎ）に含有される原子（ＯＣＮ）の
分布済度Ｃを層ｎ方向に変化させて所望の層厚方向の分
４ｊ状７５　（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層
領域（ＯＣ＊）を形成するには、グロー放電の場合には
１分布濃度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率１１１
１線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入するこ
とによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく１例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を關御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（Ｏｉｌ：Ｎ）をスパッタリング法によって形成
する場合、原子（０１１１：Ｎ）の層厚方向の分布濃度
Ｃを層厚方向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向
の所望の分布状ａ（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成
するには。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流樋を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、　ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１゜Ｏｒ、にｏ、　
Ａｕ、　Ｊｉｂ、　Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａ１．
　Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２．
　ＩＴＯ（Ｔｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設
けることによって導電性が付午され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、　ＮｉＣｒ
、　Ａ１．　ＡＩ　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｘｉ、Ａｕ、　Ｃ
ｒ、Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、ρ
を等の金属ノ薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所ｇ１によって、その形状は決定され
るが１例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写
真用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば回
走な限り薄くされる。丙午ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い］ユ。

機部的強度の点から、好ましくはｌ０ＪＬ以−１ことさ
れる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｉＨａガス（純度Ｈ，
９Ｈ％、以下、ＳｉＨ４と略す）ボンへ、２００３はＧ
ｅ）１４ガス（純度９１３．９１１１３％、以下ＧｅＨ
４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９．９
９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＨ２でＭ
ＪＲされた８２Ｈもガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ
２　Ｈ６／　Ｈｐと略す）ボンベ、２００６はＨ２ガス
（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのカスを反応室２００Ｋに流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確、ツし
、又、流入バルブ２０１２〜２０１８、流出バルブ２０
１７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１、及び各カス配管内を排気する６
次に真空計２０３Ｂの読みが約５　Ｘ　１０”　ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３．流出
バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスポンへ２００２よりＳ　ｉ
　Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガ
スボンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よ
りＢ、　Ｈ。

／Ｈ２カス、　２００［１よりＨ２ガスをバルブ２０２
２．２０２３．２０２４．２０２５．２０２６を開いて
出口圧ゲージ２０２７゜２０２Ｂ、２０２３．２０３０
．２０３１の圧をＩ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、流入バ
ルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２０１
６ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００？。

２００８、２００１１．２０１０．２０１＋内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ２０１？、　２０＋８
．２０１９．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２
．２０３３を徐々に聞いて夫々のガスを反応室２００１
に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量Ｇｅ）ＬＩ
ガス波肴、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流
出バルブ２０１７．２０１８．２０１９．２０２０、２
０２１を調整し、また１反応室２００１内の圧力が所望
のイ〆１になるように真空計２０３６の読みを兄ながら
メインバルブ２０３４の開口を調整する。そしで、基体
２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後
、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１
内にグロー放電を生起させる。

Ｌ記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上にｆｉ４１の層ＣＧ’）を形成す
る。所望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て
、流出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応
じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従っ
て所望時間グロー放電を維持することで第１のＦ　（（
ｉ）−ヒにゲルマニウム原子の実質的に含有されない第
２の屑Ｃ５）を形成すること　　　　　　　　　　。

が出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉する　
゛ことで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含
有させなかっ”たり、あるいは各層の一部の層領域にだ
け酸素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る
。また、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素
原子を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯ
ガスを例えばＮＨ，ガスあるいはＣＨａガス等に代えて
１層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成を行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の
均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３３によ
り一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の層（Ｓ）上に反射防止ａｔＦを持つ表面
層を堆積させるために、例えば２００６の水素（Ｈ７）
ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、
堆積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一
面に張る。その後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成し
たものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グ
ロー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして、
所望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１第９図に示される形状（長さくＬ）　３５７ｍｍ、ＰＡ
（ｒ）８０ｍｓ、ピッチ（Ｐ）　２５ｕｊ、深さくＤ）
０．８ｕノ螺旋溝表面形状）のＭ支持体を作製した。

次に、第２０図の膜堆積装置を使用し、ｆｊＳ１表に示
す条件で種々の操作手順にしたがって、前述のＭ支持体
上にａ−９ｉ光受容層を堆積した（試料ＮＯ，１−１）
　。

尚１表面層は、第２０図の装置のカソード電極上に、第
１７表に示すような各種材料の板（厚さ３１１１１１）
のうち、本例ではＺ「０２を一面に張り、第１層および
第２層形成時に使用したＨ２ガスをＡｒガスに取りかえ
た後、ＪＡ装置内約５　Ｘ　ＩＱ−’　ｔｏｒｒの真空
とし、次いでＡｒガスを導入して、高周波電力を　３０
０Ｗとしてグロー放電を起し、カソード？ｌｉ極−１−
のＺｒＯ２をスパッタリングすることによって形成した
、なお、以下の実施例においても１表面層形成材料を変
える以外は５本例と同様にして表面層の形成を行った。

別に、同一の表面性の同筒状Ｍ支持体上に、第１層及び
第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外は
上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ、
ｆｆＪ２８図に示す様に表面層６３０５の表面は支持体
６３０１の表面に対して平行になっていた。この場合、
Ｍ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差はｌμｓで
あった（試料ＮＯ，１−２）　。

また、１１１記試料Ｎｏ、Ｉ−１の場合には第２３図の
様に表面ｐＦＡ８４０５の表面と支持体６４０１の表面
とは非平行であった。この場合、Ｍ支持体の中央と両端
部とでの平均層厚の層厚差は２−であった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
謬の半導体レーザーをスポット径８０μで第２１図に示
す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を
得た。第２８図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞
模様が観察された。

一方、第２９図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉Ｊｇ検校様観察されず、実用に十分な電子写真特性を
示すものが得られた。

実施例２シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第２表のように
加工した。これ等（シリンダー蕨１０１〜１０８）の円
筒状のＭ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場
合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製した（
試料Ａｌ１１〜１１８　）　。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２牌であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ、第
３表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様に第２１図の装置で波長７８０ｎ層の
半導体レーザーを使い、スポット径８０μｓで画像露光
を行ったところ、第３表の結果を得た。

壜実施例３第４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成したた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着してｆｆ通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例４第５表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以」二の電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様はｉ！察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例５第６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様はｖ１察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例６第７表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を”用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例７第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｉｌの場合と
同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して？Ｙ通紙」；にｉｉｆ視画像画像た。得ら
れた画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なも
のであった。

実施例８ｉ１ｆｓ９表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１
の場合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお１層作成中、　ＮｏガスのＧｅＨ４ガスと５ｉ）１
４ガスとの和に対する流量比を、第２２図に示す変化率
曲線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画ｌｔ′露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像
、転写、定着して好適紙上に可視画像を得た。得られた
画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例９第１θ表に示す条件で実施例Ｉの試料Ｎｏ、ｉｌの場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお、
層作成中、　　ＮＨ３ガスのＧｅ１．ガスとＳｉＨ４ガ
スとの和に対する流量比を、第２３図に示す変化率曲線
に従って変化させた。

以１．の電子写真用光受容部材について、実施例１と回
様な画像露光Ａ置を用いて９画像露光を行ない、現像、
転写、定着して汁通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例ＩＯ第１１表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお
、層作成中、　　ＣＨ，ガスのＧｅＨａガスとＳｉＨ４
ガスとの和に対するＩｉｔ量比を、第２４図に示す変化
率曲線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して好適紙上にＯｆ視両画像得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１１第１２表に示す条件で実施例工の試料Ｎｏ、ト１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお１
層作成中、ＮｏガスのＧｅＨ４ガスと５ｉ）Ｌ＋ガスと
の和に対する流量比を、第２５図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例１２第１３表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。なお
、層作成中、　　ＮＨ３ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４
ガスとの和に対する流量比を、第２６図に示す変化率曲
線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写、定着して？Ｉ通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１３第１４表に示す条件で実施例１の試ネ４Ｎｏ、！−１の
場合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。な
お１層作成中、　　ＯＨ，ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ
４ガスとの和に対する流量比を、第２７図に示す変化率
曲線に従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光？Ｃ置を用いて、画像露光を行ない、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画
像には干渉縞模様はｌｌ！察されず、実用に十分なもの
であった。

実施例１４第１５表に示す条件〒″ＸＸ施例試料Ｎｏ、ｌ−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。（）られた画
像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１５第１６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、ｌｌの場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて５画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。得られた画像
には干渉縞模様はｉ察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例１８実施例１の試ＮＮｏ、ｌ−１の場合及び実施例３から実
施例１５までについて、Ｈ２で３０００マｏｌ　ｐｐＨ
に希釈したＢ、　Ｈ，ガスの代りに、■、で３０００　
ｖｏｌ　ｐｐｍに希釈したＰＨ３ガスを使用して、電子
写真用光受容部材を夫々作製した。なお、他の作製条件
は、実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ−１の場合及び実施例３か
ら実施例１５までと同様にした。

以上の電子写真用光受容部材について第２１図に示す画
像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径
８０鱗）で画家露光を行ない、それを現像転写して画像
を得た。いづれの画像にも干渉縞模様は観察されず、実
用に十分なものであった。

実施例１７表面層の材質及び層厚を第１７表に示すようにして、そ
の他の条件は、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合と同
様にして第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従って
電子写真用光受容部材を作製した（試料遂２７０１〜２
７２２）　。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２１図に示す画像露光：ｉ置（レーザー光の波長７
８０ｎ層、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。得られた画像のいずれ
にも干渉縞模様は観察されず。

実用に十分なものであった。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製−した際に使用したＭ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＭ支持体の表面を粗面化したＭ支持体を採用
したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、Ｉ−１の場合と
全く同様の方法でａ　−５ｉ電子写真用光受容部材を作
製した。この際のサンドブラスト法により表面粗面化処
理したＡ１支持体の表面状ｒｇについては光受容層を設
けるｊ１ηに小板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−
３０）で測定したが、この時平均表面粗さは１．８μｓ
であることが判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例五で用いた第
２１図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果〕以上、詳細に説明した様に１本発明によれば。

可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容
易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転
時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することがで
き、しかも表面における光反射を低減し、入射光を効率
よく利用できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ロ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（８）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図は支持体の表面状態の一例の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１９図は、それぞれＦＪ領領域００％）
中の原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説
明図である。第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第２１図は、実施例で使用した画像露光ｍａｔの説明図
である。第２２図から第２７図はそれぞれ実施例におけるガス流
量の変化率曲線を示すものある。第２８ｒｙ！！及び第２９図は、実施例で作襲した光受
容部材の構造図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｔｏＯｆ・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面１００Ｂ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・表面層２８０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２８０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２８０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図特許出願人　　キャノ
ン株式会社第１ｗＪ第２図第３図第４図第５図第６図（Ａ）　　　　　　　　　　ｒＢ）（Ｃ）Ｒｉ７０第８図第１０図 □Ｃ第１７図第１２図第１３図第１４図第１５図第１６図第２１図力′入５丸量工乙第２２図力゛ス洗ｔＥこ第２３図ガス；先量ｊＬ第２４図力“入りえ量よ乙第２５図カ“ス５え量よし第２６図ガス滉を几第２７図　　　　　　（

Claims

【特許請求の範囲】

（１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、反射防
止機能を有する表面層とが支持体側よりこの順に設けら
れた多層構成の光受容層を有しており、前記第１の層及
び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が
含有されると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含有
し、かつショートレンジ内に一対以上の非平行な界面を
有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向に
於いて各々なめらかに連結していることを特徴とする光
受容部材。
（２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に均一で
ある特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に不均一
である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（６）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（８）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている特許請求の範囲第７項に記載の光受容
部材。
（９）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に
於いて、螺旋構造を有する特許請求の範囲第９項に記載
の光受容部材。
（１１）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
範囲に第１０項記載の光受容部材。
（１２）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容
部材。
（１３）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第９項に記載
の光受容部材。
（１４）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
の範囲第７項に記載の光受容部材。
（１５）前記傾斜面が鏡面仕上されている特許請求の範
囲第１４項に記載の光受容部材。
（１６）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第７項に記載
の光受容部材。
（１７）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項又は同第１７項に記載の光受容部材。
（１９）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。
（２０）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。