JPS62113152A - 光受容部材 - Google Patents
光受容部材Info
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- JPS62113152A JPS62113152A JP25291285A JP25291285A JPS62113152A JP S62113152 A JPS62113152 A JP S62113152A JP 25291285 A JP25291285 A JP 25291285A JP 25291285 A JP25291285 A JP 25291285A JP S62113152 A JPS62113152 A JP S62113152A
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法とよる画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ −Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度カ高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後「ａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２０ｍ以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中知
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に層形成（当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
て可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を
有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号公
報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１７
２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異なる
層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部に
空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８号
、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号、
同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられるよ
うに支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上部
表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は上
の暗抵抗を高めだ光受容部材が提案されている。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）よシ反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 この点を図面を以って以下に説明する。 第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重０と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ工、
下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。 そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだらかにノ以上の層厚
差で不均一であると、反射ｎ 光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強め
合う）と２ｎｄ＝（ｍ十乏）λ（ｍは整数、反射光は弱
め合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸
収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部
材が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多
層）構成のものであるものにおいては、それらの各層に
ついて第６図に示すような干渉効果が起って、第７図に
示すような状態となり、その結果、それぞれの干渉が相
乗的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとなシ、
それがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干渉
縞模様に対応した干渉縞が転写、定着される可視画像に
現出して不良画像をもたらしてしまうといった問題があ
る。 この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ｘ〜±１００００ Ｘの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
１６２９７５号公報参照） 、（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分ヤしたりして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報
参照） 、 （ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状の
アルマイト処理したり、サンｒブラストにより砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報
参照）等が提案されている。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するだめ
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。 （１））の方法については、黒色アルマイト処理では、
完全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存
してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は
、ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層よシの脱気現像が生
じ、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること
、樹脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響
を与えること等の間遺点を有する。 （Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光量、となる。透過光量ｌは、支持体８
０１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
に工、Ｒ２、Ｒ３・・・となり、残りが正反射されて反
射光Ｒ２となり、その一部が出射光式となって外部に出
ては行くが、出射光るは、反射光Ｒ１と干渉する成分で
あっていずれにしろ残留するだめ依然として干渉縞模様
が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１の
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
工、支持体９０１での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。 従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ四−ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。 又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
０（１３に沿って、光受容層１００２が堆積するため、
支持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹
凸の傾斜面とが１０（１３’、１００４’で示すように
平行になる。 したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ工＝ｍ２
’Ｊたは２ｎｄ工＝（ｍ十％）λの関係が成立ち、夫夫
明部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大
が２以上である様な層厚の不均一性ｎ があるため明暗の縞模様が現われる。 従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすもＯＫすることを目的とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ
−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子まだはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原
子と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種とを含有する非晶質材料で構成された
第二の層とを積層して有する光受容部材において、前記
支持体の表面が、主ピークに副ピークが重畳して複数の
微小な凹凸形状を成している断面形状のものであり、且
つ、該支持体表面上の前記光受容層が、ショートレンジ
内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平行な界
面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配列
しているものであることを骨子とする光受容部材に関す
る。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現わ
れる干渉縞模様の問題が解消されること、そして、その
場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面形状は、
ショートレンジ内に形成される各層の層厚の管理された
不均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層との間
の良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性
等を確保するために、主ピークに副ピークが重畳した形
状を呈することが望ましいというものである。 この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易だするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る多層構成の光受容層を有する光
受容部材の一例を示す模式図である。 この例では、支持体１０１０表面が、主ピークに副ピー
クが重畳して複数の微小な凹凸形状をなしている断面形
状のものであり、該支持体１０１上に、その凹凸形状に
沿って、第一の層１０２と第二の層１（１３とからなる
光受容層を備えている。 第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。 。 第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の第一の層と
第二の層の一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）
図は同部分における明るさを示す図であシ、図中、２０
２は第一の層、２（１３は第二の層、２０４は自由表面
、２０５は第一の層と第二の層との界面を示している。 第２（Ａ）図に示すごとく、第二の層２（１３の層厚は
、ジョートレン：）１内において（１２１からｄ２２に
連続的に変化しているため、自由表面２０４と界面２０
５とは互いに異なる傾きを有している。したがって、こ
のジョートレン：）ｌ内に入射したレーザー光等の可干
渉性光は、該ショートレンジｌにおいて干渉をおこし、
微小な干渉縞模様が生成はする。しかし、ジョートレン
：）ｅにおいて生ずる干渉縞は、ジョートレン：）ｌの
大きさが照射光スポット径より小さい、即ち、解像度限
界より小さいため、画像に現われることはない。又、は
とんどないことではあるが、仮に、画像に現われる状況
が生じたとしても肉眼の分屏能以下なので、実質的には
何等の支障もない。 一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３（１３
は第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０
２と第二の層３（１３との界面を示す。 ）に示すように、第一の層３０２と第二の層３（１３と
の界面３０５と、自由表面３０４とが非平行である（第
３（Ａ）図参照）場合には、入射光量０に対する反射光
Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が異なるため、界面
３０５と自由表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図
参照）場合に比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干
渉が生じても、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面
が平行な関係にちる場合よりも、一対の界面が非平行な
関係にある場合の方が干渉の度合が小さくなるため、干
渉縞模様の明暗の差が無視しうる程度に小さくなり、そ
の結果、入射光量は平均化される。このことは、第２（
Ｃ）図に示すように、第二の層２（１３の層厚がマクロ
的に不均一である場合、即ち、異なる任意の２つの位置
における第二の層の層厚ｄ２３、（１２４がｄ２３キｄ
２４ である場合であっても同様であって、全層領域
において入射する光量は第２（Ｄ）図に示すように均一
となる。 以上、支持体上に第一の層と第二の層とが積層されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材の第一
の層が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示
すように支持体４０１上に、二つの構成層４０２′と４
０２”から構成される第一の層４０２、および第二の層
４（１３を積層してなる場合であっても、入射光量に対
して、反射光Ｒ工、Ｒ２、式、Ｒ，およびＲ５が存在す
るが、４０２′、４０２”および４（１３の各層におい
て、第３図によって説明したごとき入射する光量が平均
化される現象が生ずる。 その上、ジョートレン：）ｌ内の各層の界面は、一種の
スリットとして働き、そこで回折現象を生じる。 そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。 したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は第一の層を構成する層の数が増大するにつれ、よシ一
層干渉による影響を防止することができる。 以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが重畳し
た形状を呈しているものである。 かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。 本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｌは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｌ≦Ｌの関係にあることが必要である。 また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
二の層とからなり、該第−の層は、シリコン原子と、ゲ
ルマニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方
とを含有するアモルファス材料で構成され、特に望まし
くはシリコン原子（Ｓｌ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｏ
）又はスズ原子（Ｓｎ ）の少なくともいずれか一方と
、水素原子（Ｈ）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともい
ずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、「ａ
−ｓｔ（Ｇｏ、５ｎ）（ａ＋Ｘ）Ｊと表記する。〕で構
成され、さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を含
有せしめることができる。そして、該第−の層は、多層
構造を有することもあり、特に好ましくは、伝導性を制
御する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つと
して有するか、または／及び、障壁層を構成層の１つと
して有するものである。 また、前記第二の層は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを
含有するアモルファス材料で構成され、特に望ましくは
、シリコン原子（Ｓｌ）と、酸素原子（０）、炭素原子
（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも一
種と、水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少なく
ともいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下
、［ａ−ｓｔ（ｏ、ｃ、Ｎ）（Ｈ＋Ｘ）Ｊ と表記する
。〕で構成される。 本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、第一の層と第二の層とを積層して有し、さら
に第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を防
止することを目的として、第一の層の支持体側の端部に
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に含
有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の層
の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量
に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成せ
しめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障壁
層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明の
光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が形
成されることとなるが、本発明の光受容部材においては
、ジョートレン：）ｌ内に少なくとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。 そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ジョートレン：）ｌに於ける層厚の差、例えば前述の
第２（Ａ）図における（１２１とｄ２２の差は、照射光
の波長をλとすると、次式：％式％） を満足することが望ましい。そして該層厚の差の上限は
、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．
１μｍ〜１．５μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとす
ることが望ましい。 前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジ！内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差を△ｌとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率をｎとした場合、次式： を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。 本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、ス／Ｑツタリング法、イオンブレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＯＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。 以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であシ、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１（１３は第二
の１層、１０４は自由表面を示す。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが
重畳した形状を呈しているものである。 支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、ス、ｅツタリン
グなどの物理的方法、施蓋加工などの機械的方法などに
よって形成されるが、生産管理を容易に行なうためにｉ
ｄ、旋盤などの機械的加工方法が好ましい。 たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、７字形
状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体、を予
め所望に従って設計されたプログラムに従って回転させ
ながら規則的に所定方向に移動させることにより、支持
体表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、
ヒ０ツチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支
持体の中心軸を中心にした憚旋構造を有する。突起部の
螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋
構造とされても差支えない。或いは、螺旋構造に加えて
中心軸に沿った直線構造を導入してもよい。 また、前記凹凸形状は、本発明の目的を効率的に達成す
るだめに、規則的、または周期的に配列されていること
が好ましい。更に１これに加えて、入射光を効率よく一
方向だ散乱するために、前記凹凸形状が、その主ピーク
を中心に対称（第５図（Ａ））、まだは、非対称（第５
図（Ｂ））に統一されていることが好ましい。しかし、
支持体の加工管理の自由度を高めるためには、両方が混
在しているのがよい。 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる微小な凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮
した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定
される。 即ち、第１には光受容層を構成するａ−Ｅ！ｉ層は、層
形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状、岬
に応じて層重質は大きく変化する。 従って、ａ −５ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ） （Ｈ、Ｘ ）層の
層重質の低下を招来しない様に支持体表面に設けられる
なめらかな凹凸のディメンジョンを設定する必要がある
。 第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。 まだ、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。 上記しだ着層積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、通常は０．３μｍ〜５０
０μｍ、好ましくは１μｍ〜２００μｍ１ より好まし
くは５μｍ−５０μｍであるのが望ましい。 又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、よシ好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又
は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好ましくは３変〜１５度、最適には４度〜１
０度とするのが望ましい。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、まだ電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ６．
Ｏｒ、 Ｍｏ、Ａｕ、 Ｎｂ、 Ｔａ。 Ｖ、Ｔｉ、ｐｔｌｐｂ 等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又ｔｆ
′ｉ／−ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。 これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光
受容層を設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ｋｌ
、Ｉ Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、 工ｒ、 Ｎｂ、 Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、 工ｎ２（１３．５ｎ０
２、■Ｔｏ （Ｉｎ２Ｏ３＋ ５ｎ０２ ）等から成る
薄膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ 、 Ａｌ、 Ａｇ 、 Ｐｂ。 Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、ＯｒＳＭＯ１工ｒ、 Ｎ’ｂ、
Ｔａ、 Ｖ、Ｔｌ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、ス・Ｑツタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状であることができるが、用途、
所望によって、その形状は適宜に決めることのできるも
のである。例えば、第１図の光受容部材１００を電子写
真用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成し
うる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発運され
る範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしな
がら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点
から、通常は、１０μ以上とされる。 第一の層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子及びスズ原子の
少なくともいずれか一方と、好ましくはさらに水素原子
及びノ・ロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有す
る非晶質材料で構成された第一の層１０２が積層されて
さらに、該第−の層１０２には、必要に応じて伝導性を
制御する物質を含有せしめることができ、伝導性を制御
する物質を比較的多量に含有する電荷注入阻止層又は／
及び障壁層を、支持体側の端部に有することが望ましい
。 本発明において、該第−の層に含有せしめることのでき
るハロゲン原子としては、具体的には、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられるが、特に、フッ素及び塩素が
好ましいものとして挙げられる。そして、該第−の層中
に含有せしめる水素原子（■（）の量又はノ・ロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（
Ｈ十Ｘ ）は、好ましくは０．０１〜４０ ａｔｏｍｉ
ｃ％、よシ好適には０．０５〜３０ ａｔｏｍｉｃ％、
最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ ％とするのが望ま
しい。 また、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。 ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。 即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることによシ、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長
波長文の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合−特に顕著である。 本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領“域に均一な分布状
態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で含有
せしめるものである。 （ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム、原子又は
／及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と
平行な面方向において均一であり、第一の層の層厚方向
にも均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは
、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、
第一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが
、第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よシも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
を極端に大きくすることにより、半導体レーザー等の長
波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に近
い構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長
波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領
域において実質的に完全に吸収されるため、支持体表面
からの反射光による干渉が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の第一の層においては、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せし
めることもでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分
布せしめることもできるが、以下、層厚方向の分布状態
の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例とし
て、第１１乃至１９図により説明する。 第】１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔ７は支持体
側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される第一の層はｔＢ側よりも
ｔＴ側に向って層形成がなされる。 湖、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。 第１１図には、第一の層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第１１図に示される例では、ゲルマニウムｉ子の含有さ
れる第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接
する界面位置ｔＢよシｔｌの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が第一の層に含有され、位Ｒｔｌよりは
濃度Ｃ２より界面位ｆｌｉｔ ｔＴに至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいてはゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。 （ここで実質的に零とは検出限界埼未満の場合である。 ） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置を丁に至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ，となる様な分布状態を形成している。 第１３図の場合には、位置ｔＢよシ位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ、と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。 第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢよシ位置１Ｔに至るまで、濃度ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて（ｔ ＲｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。 第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位ｉｔ ｔＢと位置１４間においては、濃度Ｃ
ヮと一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃは零と
される。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃ（
は−次間数的に位置ｔ４より位置ｔ７に至るまで減少さ
れている。 第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位Ｒｔ５までは濃度ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまではｔ［ｔｃ、より濃度Ｃ’ｌＯまで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ工１
より一次関数的に減少されて、零に至っている。 第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布４度ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ工、まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度０１３の一定値とされた例が
示されている。 第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ工。 であり、位置ｔ、、に至るまではこの濃度０１４ より
初めはゆっくりと減少され、１．の位置付近においては
、急激に減少されて位ｒＮ ｔヮでは濃度Ｃ工。 とされる。 位置１．と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ工６ となり、位置ｔ８と位置ｔ、との間では
、徐々に減少されて位Ｒｔ９において、濃度Ｃ□７に至
る。位置ｔ９と位ｆｔ ｔＴとの間においては濃度Ｃ１
，７より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。 以上、第１１図乃至第１９図により、第一の層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側において、デルマニウ
ム原子又ハ／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設けられ
ているのが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度に含有されて
いる局在領域を有するのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
Ｂより５μ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ｃ ｍａｘ
がシリコン原子に対して、好ましくは１０００ ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｍ以上、よシ好適には５０００ ａｔｏｍ
ｉｃ ｐｐｍ以上、最適にはＩ Ｘ １０’ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形
成されるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ層の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃエエが存在する様に形成されるのが
好ましいものである。 本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
決める必要があり、通常は１〜６ ｘ １０５１０５ａ
ｔｏ ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３ Ｘ １０
’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ １ よシ好ましくはＩ Ｘ
１０”〜２ ｘ １０５１０５ａｔｏ ｐｐｍとする
。 本発明の光受容部材においては第一の層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができや。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）、が使用される。具体的には、第■族原子としては
、Ｂ（硼素）、ｈｌｌ （アルミニウム）、Ｇａ（ガリ
ウム）、工ｎ（インジウム）、Ｔｌ （夕ＩＪウム）等
を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、
Ｇａである。まだ第Ｖ族原子としてばＰ（燐）、Ａθ（
砒素）、ｓｂ （アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を
挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、 ｓ
ｂである。 本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。 すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合ては、第一の層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常は１ Ｘｌ０−
３〜１ ｘ １（１３ａｔｏ１（１３ａｔｏであり、好
ましくは５ Ｘｌ０−２〜５ ＸＩＯ２ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ 、最適には１ ｘ １０”” 〜２ Ｘ １０
”ａｔｏｍｉｃｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第１１１族原子又
は第Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度が、支持体と接する側において”高濃度となるよう
に含有せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ
族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層とし
て機能するところとなる。即ち、第■族原子を含有せし
めた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に、支持体側め≧ら光受容層中へ注入される
電子の移動をよシ効率的に阻止することができ、又、第
Ｖ族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面
がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容
層中へ注入される正孔の移動をよシ効率的に阻止するこ
とができる。そして、こうした場合の含有量は比較的多
量であって、具体的には、３０ｗ ５ Ｘ １０’ ａ
ｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ Ｘ １０’
ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、最適には１×１０２〜５ Ｘ
１（１３１（１３ａｔｏ ｐｐｍとする。さらに、該
電荷注入阻止層としての効果を効率的に奏するためには
、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端部
に設けられる層スは層領域の層厚をｔとし、光受容層の
層厚をＴとした場合、ｔ ／ Ｔ≦０．４の関係が成立
することが望ましく、より好ましくは該関係式の値が０
．３５以下、最適には０．３以下となるようにするのが
望ましい。 まだ、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０
”３〜１０μとするが、好ましくは４ Ｘ １０−”〜
８μ、最適には５ Ｘ １０−３〜５μとするのが望ま
しい。 次に第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から第二の層側に向って減少し、第二の層との界面
付近においては、比較的少量となるかあるいは実質的に
ゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布
させる場合の典型的例のいくつかを、第ｍ図乃至第四図
によって説明するが、本発明はこれらの例によって限定
されるものではない。各図において、横軸は第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚
を示し、ｔＢは支持体と第一の層との界面位置を、ｔＴ
は第一の層と第二の層との界面位置を示す。 第ｍ図は、第一の層中に含有せしめる第■族原子又は第
Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示して
いる。該層では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する
第一の層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢより位置
ｔ工までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが
Ｃ１なる一定値をとり、位置ｔ工よシ第二の層との界面
位ＩｔｔＴまでは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、界面位置ｔＴにお
いては第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが（１３
と人る。 ゛第２１図は、他の典型例の１つを示している。 該層では、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる
まで、濃度Ｃ，から連続的に減少し、位置ｔＴにおいて
＃ｋ Ｌ ｃｐｓとなる。 第ｎ図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定
値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃヮから徐々
に連続的に減少して位置ｔ７においては第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、
ここで実質的にゼロとは、検出限界１未満の場合をいう
。 第ｎ図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ８
から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴｌｃおいては第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとな
る。 第２４図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度
Ｃ９の一定値にあり、位置ｔ３から位ＲｔＴの間におい
ては、濃度Ｃ０から濃度０１０ となるまで、−次間数
的に減少する。 第５図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢより位置℃４にいたるまでは濃度Ｃ
よ、の一定値にあり、位置ｔ、より位置ｔＴまでは濃度
Ｃ工２から濃度Ｃよ３となるまで一次関数的に減少する
。 第２６図に示す例においては、第■ｆｊ原子又は第Ｖ族
原子の分布一度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるま
で、濃度０１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的
に減少する。 第ｎ図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度０１
５から濃度ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位置
ｔＢから位置ｔＴまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。 最後に、第四図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃエヮであシ
、位ＲｔＢから位置ｔ、までは濃度Ｃｌヮからはじめは
ゆっくり減少して、位ｔｔ６付近では急激に減少し、位
置ｔ６では濃度Ｃｌ。、となる。次に１位置ｔ６から位
置ｔヮまでははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位Ｒｔヮにおいては濃度Ｃｌ、とな
る。更に位置ｔヮと位置ｔ８の間では極めてゆっくりと
徐々に減少し、位置ｔ８において濃度０２０ となる。 また更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度
Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。 第加図〜第あ図に示した例°のごとく、第一の層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、第二の層との界面側においては、該
分布濃度Ｃがかなシ低い濃度の部分あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体側
に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該
局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以内
に設けるととにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成する
という前述の作用効果がより一層効率的に奏される。 以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入。 ６μ止層に含有せしめた伝導性を制御する物質の極性と
は別の極性の伝導性を制御する物質を含有せしめてもよ
く、あるいは、同極性の伝導性を制御する物質を、電荷
注入阻止層に含有される量よりも一段と少ない量にして
含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｌ２Ｏ３，５ｉ０２．５１３Ｎ４等の
無機電気絶縁材料や７Ｆリカーボネート等の有機電気絶
縁材料を挙げることができる。 第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１（１３は、上述の第一
の層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、
すなわち表面層であシ、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種を均一な分布状態で
含有するアモルファスシリコン〔以下、ｒ ａ−８ｉ（
０，ｃ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成されて
いる。 本発明の光受容部材に第二の層１（１３を設ける目的は
、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、および耐久性等を向上させることＫあり、これ
らの目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種を含有せしめることにより達成される。 又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１（１３を構成するアモルファス材料の各々が
、シリコン原子という共通した構成原子を有しているの
で、第一の層１０２と第二の層１（１３との界面におい
て化学的安定性が確保できる。 第二の＠１（１３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を均一な分布状態で
含有せしめるものであるが、これらの原子の含有せしめ
る量の増加に伴って、前述の緒特性は向上する。しかし
、多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、これらの原子の含有量
は、通常０ 、００１〜９０ ａｔｏｍｉｃ ％、好ま
しくは１〜９０ ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０
ａｔｏｍｉｃ％とする。 第二の層にも水素原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方を含有せしめることが望ましく、第二の層中
に含有せしめる水素原子ＩＨ）の量、又はハロゲン原子
（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の景の和
（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０ ａｔｏｍｉｃ％、好まし
くは５〜３Ｑ ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５ ａ
ｔｏｍｉｃ係とする。 第二の層１（１３は、所望通シの特性が得られるように
注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、お
よび酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及び
ハロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含
有量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から
非晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導
電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質
から非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じ
た所望の特性を有する第二の層１（１３を形成しうるよ
うに、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重
要である。 例えば、第二の層１（１３を電気的耐圧性の向上を主た
る目的として設ける場合には、第二の層１（１３を構成
する非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動
の顕著なものとして形成する。又、第二の層１（１３を
連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的
として設ける場合には、第二の層１（１３を構成する非
晶質材料２は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩
和するが、照射する光に対しである程度の感度を有する
ものとして形成する。 また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される特
性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要
がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点
においても考慮する必要もある。こうしたことから、第
二の層の層厚は通常は３ Ｘ １０−３〜３０μとする
が、より好ましくは４×１０−３〜２０μ、特ニ好マし
く Ｂ ５ ｘ １０−３〜１０ μとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことば
よシ、前記したアモルファスンリコンで構成きれた光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性（（憂れて
いるため殊に半導体レーザーとのマツチングに浸れ、且
つ光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画ｆ象形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に、本発明の光受容層の形成方法ンこついて説明する
。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス／Ｑツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷種度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。 グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ） で
構成される第一の層を形成するには、シリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
しうる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供
給用の原料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せ
しめて、予め所定位置に設置しである所定の支持体表面
上に、ａ −ＳｉＧｅ（ＨＩＸ）で構成される層を形成
する。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ，，５ｉ２Ｈ，，５ｉ３ＨＢ、５ｉ４Ｈ１ｏ 等
のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）
が挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供
給効率の良さ等の点から、ＳｉＨ，およびＳｉ２Ｈ６が
好ましい。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈｇ、Ｇｅ、Ｈｌ、
）、Ｇ ｅ５ｕ１ｇ ５Ｇｅ６Ｈ１，、ＧｅフＨ１６、
Ｇｅ日Ｈ１８・Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化
しうる水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点から、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧｅ３ＨＢが好
ましい。 更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があシ、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたンラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
うるハロゲン化合物を用いることができる。具体的には
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ
、 Ｃ１１，０１Ｆ３、 ＢｒＦ３ 、 Ｂｒ
Ｆ５ 、 ＩＦ５ 、 工Ｆマ、 ＩＩ： ｌ。 ＩＢｒ等のハロゲン化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ
６．５ｉＯＡ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が好
ましいものとして挙げられる。 上述のごときノ・ロデン原子を含む硅素化合物のガス状
態のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー
放電法だより形成する場合には、Ｓ１原子供給用原料ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の
支持体上にノ・ロデン原子を含有するａ−８ｉで構成さ
れる層を形成することができるので、特に有効である。 グロー放電法を用いて第一の層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
Ｈ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支持
体上に第一の層を形成するものであるが、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にするため
には、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを
混合することもできる。該水素原子供給用のガスとして
は、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４，５１２Ｈ６，５ｉ３
Ｈ６、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素のガスが用いられる
。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ、 ＨＯＡ’
１ＨＢｒ１Ｈ工等のハロゲン化物、Ｓ ｉ Ｈ２Ｆ２．
５ｉＨｚＩ２．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１３，５ｉＨ
２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３ 等のハロゲン置換水素化硅
素等のガス状態のあるいはガス化しうるものを用いた場
合には、ノ・ロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に水素原子
（Ｈ）も導入されるので、有効である。 スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第一の層を形成するには、シリコンから成るタ
ーデッドと、ゲルマニウムから成るターデッドとの二枚
を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・Ｑツタ
リングすることによって行なう。 イオンブレーティング法を用いて第一の層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。 スノぐツタリング法およびイオンブレーティング法のい
ずれの場合にも、形成する層中にノ・ロゲン原子を含有
せしめるには、前述のハロゲン化物又はハロダン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あ
るいは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマ
ニウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらに・・ロデン原子供給用の原料ガスとしては、前
記の・・ロゲン化物或いは・・ロゲンを含む硅素化合物
が有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ’。 ＨＣｌ、 ＨＢｒ、 Ｈ工 等のハＯ’７’ン化水素、
ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２工２．５１Ｈ２Ｃ１２，５ｉＨ
ＣＡ！３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン
置換水素化硅素、およびＧｅＨＦ３、Ｇ ｅＨ２Ｆ２、
ＧｅＨ３ＦＳＧｅＨＣ１３、ＧｅＦ２（Ｊ２、Ｇｅ Ｆ
３ Ｃｌ 、 ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢ
ｒ３ ＧｅＨ工３、ＧｅＨ２工２、Ｇｅ＆工等の水素化
ハロゲン化ゲルマニウム等、 ＧｅＦ４、ＧｅＣ！１４
、ＧｅＢｒ、、Ｇｅ工４． ＧｅＦ２、（１６）Ｃ１２
、ＧｅＢｒ２、Ｇｅ 工２等の７１０ゲン化ゲルマニウ
ム等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発
物質として使用できる。 本発面の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０ ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ ａｔ ｏｍ
ｉ ｃ％、最適には０ 、１〜２５ ａｔｏｍｉ ｃ％
とするのが望ましい。 グロー放電法、ス・９ツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、［ａ−８ｉＳｎ（Ｈ、Ｘ ） Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（
Ｓｎ ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。 前記スズ原子（Ｓｎ）ｔ＃給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（ＳｎＨ，）やＳｎＦ’２．５
ｎＦ４．５ｎ（Ｊ２．５ｎＯ１４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢ
ｒ４、Ｓｎ工２．Ｓｎ工４等）・・ロデン化スズ等のガ
ス状態の又はガス化しうるものを用いることができ、ノ
＼ロゲン・化スズを用いる場合には、所定の支持体上に
・・ロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なかでも、
層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供袷効率の良さ等の点
から、ＳｎＣ！ｄ＋が好ましい。 そして、５ｎＣ１４をスズ原子（Ｓｎ ）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、固体状
の５ｎｃＡ！４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ等の不
活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリング
するのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減
圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。 グロー放電法、ス・Ｑツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含
有するａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−ｓｌｓｎ
（Ｈ，ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成する
には、上述のａ −５ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ ）又は／及びａ
−ＥｔｉＥｔｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に
、第ｒｎ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ
−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ２Ｘ
）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。 第１ＴＩ ｉｉｉ原子原子用入用発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては、Ｂ２ Ｈ６、Ｂ４ＨＩＯ、
Ｂ５Ｈｇ、Ｂ５ ａｌｘ、Ｂ６ ＨＩＯｓ Ｂ６ Ｈ１
２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、Ｂ
Ｂｒ３等のノ・ロデン化硼素等が挙げられる。 この他、ＡｌＣ１３、Ｇａ＋Ｊ３、Ｇａ（Ｃ＆）２、■
ｎＣＪ３、ＴＡ’（！Ａ’３等も挙げることができる。 第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素化燐、ＰＨ４
工、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣＩＶ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３
、ＰＢ ｒ５、Ｐ工３等の）・ロゲン化燐が挙げられる
。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣ！１３、Ａｓ
１３ｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３，５ｔ）Ｆ３、ＳｂＦ５
．５ｂＯ１３，５ｂＣＡ！５、Ｂｉ＆、ＢｉＣｌ３、Ｂ
１Ｂｒ３ 等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。 グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンプレー
ティング法を用いて、酸素原子、炭素原子、窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルファスシ
リコン、即ち、ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構
成される第二の層１（１３を形成するには、ａ−８ｉ（
０，Ｃ！、Ｎ）（Ｈ，り形成用の出発物質を使用して、
上述の原子（ｏ、Ｃ１Ｎ）を含むａ−３ｉ（）ｅ（Ｈ，
Ｘ）又は／及びａ −５ｉＳｎ（ＪＸ）で構成される第
一の層を形成する場合と同様にして行なう。 例えば、酸素原子を含有する第二の層をグロー放電法に
よシ形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（）０又は及びハロゲン
原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を
構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原
子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、
酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスを混合して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。 そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質をガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０２）、オゾン（（１３）、−酸化窒素（Ｎｏ）
、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三
二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四二酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）、
三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）、二酸化窒素（ＮＯ３）、シ
リコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水−素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロギサン（Ｈ３Ｓ
ｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ１０ＳＩＨ２
０Ｓ１Ｈ３）等の低級７０キサン等を挙げることができ
る。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有 ゛する層
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエーハ又は
５１０２ウエーハ、又はＳｉと５ｉ０２が混合されて含
有されているウェーハをターデッドとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でス、ｅツタリングすることによって
行えばよい。 例えば、Ｓｉウエーノ・をターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
・・をスノぐツタリングすればよい。 又、別には、Ｓｌと５ｉ０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一つのターデッドを
使用することによって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でス・々ツタリングすることによって
成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し
たグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入
用の原料ガスが、ス、ｅツタリングの場合にも有効なガ
スとして使用できる。 また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと
、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、シリコン原子（ｓｌ）、炭素原子（ｃ）及
び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合する
か、更にまだ、シリコン原子（Ｓｉ ）と水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
Ｈｅ、５１４Ｈ１ｏ等のシラン（ＳｉＡ！ａｎｅ ）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜１の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（０２Ｈ６）、プロパン（Ｃ！３Ｈ８）、ｎ−
ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１Ｏ）、ペンタン（Ｃ５Ｉ’ｈ２）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、
ブテン−２（Ｃ，Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテン（Ｃ５Ｈ１６） Ｎアセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２） 、メチルアセチレン（
Ｃ’３Ｈ４）、ブチン（ｃ、Ｉ（６）等が挙げられる。 ＳｉとＣ！（！：Ｈとを構成原子とする原料ガスとして
は、５１（ＣＨ３）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。 スパッタリング法によってａ−ｓｉｃ（Ｈ，ｘ） で構
成される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶の
Ｓｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又［Ｓ
ｉとＣが混合されて含有されているウェー・・をターデ
ッドとして、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行う。 例えばＳｉウェー・・をターデッドとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入するだめの原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈ
ｅ等の希釈ガスで稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して
Ｓｉウェーハをスパッタリングすればよい。 又、ＳｌとＣとは別々のターデッドとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、ス・９ツタリング用の堆積室内に導
入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすｔｔば
よい。該スノξツタリング’ｔＬンこ用いる各原子の導
入用の原料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる
原料ガスがそのまま使用できる。 更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）＆構成原子とする原料ガスと
、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子（Ｎｌ及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するかして使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。 その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするザス状の物質又はガス化し
得る物質をガスｆヒしだものであれば、いずれのもので
あってもよい。 窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）
、アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ３）等の窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。こ
の他に、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（７４Ｎ２
）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができ、こ
れらのハロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（
Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もできる
。 スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又は
Ｓ ｉ３ Ｎ４ウエーハ、又はｓｌとＳｉ３Ｎ４が混合
されて含有されているウェーハをターデッドとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳｉ３Ｎ、とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ３Ｎ、の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスのＷ囲気中で又は少なくとも水素原子（
翅又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることだよって成
される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、ス・Ｑツタリングの場合ても有効なガス
として使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御するととＫよ
り行われる。 まだ、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電・Ｑター等の条件は、所望の特性
を有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、
形成する層の機能に考、・意をはらって適宜選択される
ものである。さらＫ、これらの層形成条件は、第一の層
および第二の層〈含有せしめる上記の各原子の種類及び
量によっても異なることもあることから、含有せしめる
原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定す
る必要もある。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層を形成する場
合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが、
特に好ましく′ｒ１５０〜２５０’Ｃとする。堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜ｌ ’ｒｏｒｒとするが、
特に好ましくは０．１〜Ｑ、５ Ｔｏｒｒとする。また
、放電・Ｑターは０．００５〜５ＱＷ／漏２とするのが
通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃＩ
ｒＬ２、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃｒＩＬ２
とする。 ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する場
合、あるいは第■族原子又：は第Ｖ族原子を含有せしめ
たａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する
場合てついては、支持体温度は、通常５０〜３５０℃と
するが、より好ましくは５０〜３００°Ｃ１特に好まし
くは１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガス
圧は、通常０．０１〜５ Ｔｏｒｒとするが、好ましく
は、０．００１〜３ Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０
．１〜ｌ Ｔｏｒｒとする。また、放電ノｅターは０．
００５〜５０Ｗ／ｃｒｒＬ２とするのが通常であるが、
好ましくは０．０１〜３０ Ｗ／ｃＩｒＬ２とし、特に
好ましくはＯ０旧〜２０Ｗ／ｃｒＩＬ２とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の％訃の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であり、そのだ
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
Ｋするについては、成膜操作中、放電・々ツー、ガス圧
を比較的高く保つことによって行われる。 そしてそれらの放［／ｅクワ−ガス圧は、使用ガスの種
類、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等に
よって異り、これらの種々の条件を考慮して決定される
。 ところで、本発明の第一の層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
を均一とするか、あるいは第二の層を形成するためには
、該第−の層又は第二の層を形成するに際して、前記の
諸条件を一定に保つことが必要である。 また、本発明において、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する層を
形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば、ゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導
入する際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化
させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして
、ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば手動
あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何らか
の方法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニ
ードルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい
。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例
えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計されｈ変化率
曲線に従って流量を制倒し、所望の含有率曲線を得るこ
ともできる。 また、光受容層をス・Ｑノタリ／グ法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第１ｎ族
原子又・は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向
で変化させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには
、グロー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原
子又はスズ原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ
導入する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させ
る。 〔実施例〕 以下、本発明を実施ｆ３ｉ１Ｊ １乃至１１に従って、
より詳細に説明するが、本発明はこれ等によって限定さ
れるものではない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第′、２９図はグロー放電法による本発明の
光受容部材の４傅造喚４である。 図中の２９０２．２９（１３．２９０４．２９０５．２
９０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
だめの原料ガスが密封されており、その１例として、た
とえば、２９０２はＳｉｔ、ガス（純度９９．９９９チ
）ボンベ、２９（１３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス
（純度９９．９９９チ、以下Ｂ２Ｈ６／ Ｈ２と略す。 ）ボンベ、２９０４ ＋’ｉ： ＣＨ４ガス（純度９９
、９９９％）ボンベ、２９０５はＧｓＦ、ガス（純度
９９．９９９％）ボンベ、２９０６は不活性ガス（Ｈｅ
）ボ／べである。そして、２９０６’は５ｎＣ１，が入
った密閉容器である。 これらのガスを反応室２９ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６、
リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９１７
〜２９２１、補助バルブ２９３２．２９３３が開かれて
いることを確認して、先ずメイン・ミルブ２９３４を開
いて反応室２９０１、ガス配管内を排気する。次に真空
Ａｌシリンダー２９３７上に第一の層及び第二の層を形
成する場合の１例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２９０２より ｓＩＦ、ガス、ガスボ
ンベ２９（１３よシＢ、Ｈ６；／ Ｈ２ガス、ガスボン
ベ２９０５よＩ） ＧｅＦ、ガスの夫々をバルブ２９２
２．２９２３．２９２５を開いて出口圧デージ２９２７
．２９２８．２９３０の圧を１（ｇ／ＣｒＩＬ２に調整
し、流入バルブ２９１２．２９１３．２９１５ヲ徐々に
開いて、マス７０コントローラ２９０７．２９０８．２
９１０内に流入させる。引き続いて流出バルブ２９１７
．２９１８．２９２０、補助バルブ２９３２を徐々に開
いてガスを反応室２９０１内に流入させる。このときの
ＳｉＦ、ガス流量、ＧｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／ Ｈ
２ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２９
１７．２９１８．２９２０を調整し、又、反応室２９０
１内の圧力が所望の値になるように真空計２９３６の読
みを見ながらメインパルプ２９３４の開口を調整する。 そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒーター２
９３８によシ閣〜４００℃の範囲の温度に設定されてい
ることを確認された後、電源２９４０を所望の電力に設
定して反応室２９０１内にグロー放電を生起せしめると
ともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて
、あらかじめ設計された流量変化率線に従って、ＳｉＦ
、ガス、ＧｅＦ、ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流
量を制御しながら、基体シリンダー２９３７上に先ず、
シリコン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有す
る第一の層を形成する。 上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばＳｉＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ％Ａｒ、Ｈ２等の稀釈ガスで稀釈
して、所望のガス流量で反応室２９０１内に流入し、所
望の条件に従って、グロー放電を生起せしめることによ
って成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２９０１内、流出バルブ２９１７〜２９２１から反応室
２９０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２９１７〜２９２１を閉じ補助バルブ
２９３２．２９３３を開いてメインバルブ２９３４を全
開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要て応じて
行う。 また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ１４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎＯ
Ａ！４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するととも
に、該５ｎＣ１４中に、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボン
ベ２９０６よＹ） Ａｒ％Ｈθ等の不活性ガスを吹き込
み、バブリングする。発生しだ５ｎＣ１４のガスは、前
述のＳｉＦ４ガス、Ｇ ｅＦ。 ガス及びＢ２ Ｈ６／ Ｈ２ガス等と同様の手順により
反応室内に流入させる。 実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａ６基体（長さ３５７ｍｍ
、径８０朋）に旋盤で第３０ （Ａ１図に示すような溝
を形成した。このときの溝の形の断面形状は第３０ （
Ｂ）図に示すとおりであった。なお、第３０（Ａ１図は
該ｐ、ｌ支持体の全体図であり、第３０ （Ｂ）図は、
その表面の一部分の断面形状を示す図である。 次に、ｆ３１１ｊ支持体上に、以下の第１表に示す条件
で、第四図に示した製造装置により光受容層を形成した
。 こうして得られた光受容部材について、その光受容層の
層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容層の表面は
、支持体の表面に対して非平行となっており、Ａｌ支持
体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであ
った。 さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、
転写を行なって画像を得た。 得られた画像において、干渉縞模様の発生は観察されず
、実用性の良好な電子写真特性を示すものが得られた。 なお、第３１ （Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第３１ （Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、３１０１は光受
容部材、３１０２は半導体レーザー、３１（１３ばｆθ
レンズ、３１０４はポリゴンミラーを示している。 第 １ 表 Ａｔ基板温度、２５０℃ 放電周波数＋ １３．５６ＭＨｚ 実施例２ 第２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、ｐ、を支持体上に光
受容層を形成した。 尚、第一の層形成時におけるＧｅＦ、ガス及び５ＩＦ４
ガス流量の変化は、各々第３２図及び第３３図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により
、自動的に調整した。 こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
微小部分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定
したところ、光受容層の表面は支持体表面に対して非平
行となっており、また光受容層のシリンダー中央と両端
の平均層厚の差は２．３μｍであった。 さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得られた。 実施例３ 実施例１と同様にして、第３０ （Ｃ）〜（Ｅ）図に示
す断面形状を有するＡｔ支持体（シリンダーＮＣｔ ３
０１〜３（１３）を得た。 該Ａｔ支持体（７リンダーＮ１１１３０１〜３（１３）
上に、第３表に示す層形成条件に従って、光受容層を形
成した。 こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の層厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光受容層の表面は支持体の表面に対して非
平行となっていた。 また、光受容層の７リンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。 これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られた画像において、干
渉縞の発生は観察されず、実用性の良好な電子写真特性
を示すものが得られた。 実施例４ 実施例３と同様にして第４表に示す層形成条件で、Ａｔ
支持体（シリンダーＩＶｋ１３０１〜３（１３）上に、
光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。 実施例５ 第５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリン
ダーＮ１１３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際第−の層形成時におけるＨ２ガス及びＰＨ３／
Ｈ２がスのガス流量は各々第３４図および第３図に示
す流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御に
より、自動的に調整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例６ 第６表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリン
ダーＮ１１３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際ＧｅＦ４ガス、ＳｉＦ、ガス、Ｈ２がス及びＢ
２Ｈ，／Ｈ２ガスのガス流量は各々第３６図、第３７図
、第関図および第３９図に示す流量変化曲線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整した
。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例７ 第７表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にしてＡ１支持体（シリンダ
ーＮｌ１３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例８ 第８表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｌ支持体（シリン
ダーＮｎ ３０１〜３（１３ ）上に光受容層を形成し
た。この際第−の層の形成時におけるＧｅＨ，ガス、５
ＩＨ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は各々第
４０図、第４１図および第４２図に示す流量変化曲線に
従って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に
調整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例９ 第９表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリン
ダーＮｎ ３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際第−の層の形成時におけるＳｉＨ，ガス、Ｇｅ
Ｆ、ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は各々第４
３図、第４４図および第４２図に示す流量変化曲線に従
って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調
整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例１０ 第１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリ
ンダーｍ ３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際第−の層の形成時におけるＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス
のガス流量は第４５図に示す流量変化曲線に従って、゛
マイクロコンピューター制御により、自動的に調整した
。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例１１ 第１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例３と同様にして、ａ支持体（シリン
ダー陽３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した。こ
の際第−の層の形成時におけるＳｉＨ４ガス、ＧｅＨ４
ガス（又は５ｎＣ６，／Ｈｅガス）及びＢ２Ｈ６／ Ｈ
２ガスのガス流量は各々第４６図、第４７図および第４
８図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュー
タ−制御により、自動的に調整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また）％に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法とよる画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ −Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度カ高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後「ａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２０ｍ以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中知
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に層形成（当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
て可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を
有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号公
報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１７
２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異なる
層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部に
空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８号
、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号、
同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられるよ
うに支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上部
表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は上
の暗抵抗を高めだ光受容部材が提案されている。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）よシ反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 この点を図面を以って以下に説明する。 第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重０と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ工、
下部界面６０１で反射した反射光Ｒ２が示されている。 そこにあって、層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだらかにノ以上の層厚
差で不均一であると、反射ｎ 光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強め
合う）と２ｎｄ＝（ｍ十乏）λ（ｍは整数、反射光は弱
め合う）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸
収光量および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部
材が第７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多
層）構成のものであるものにおいては、それらの各層に
ついて第６図に示すような干渉効果が起って、第７図に
示すような状態となり、その結果、それぞれの干渉が相
乗的に作用し合って干渉縞模様を呈するところとなシ、
それがそのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干渉
縞模様に対応した干渉縞が転写、定着される可視画像に
現出して不良画像をもたらしてしまうといった問題があ
る。 この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ｘ〜±１００００ Ｘの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
１６２９７５号公報参照） 、（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分ヤしたりして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報
参照） 、 （ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状の
アルマイト処理したり、サンｒブラストにより砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報
参照）等が提案されている。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するだめ
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。 （１））の方法については、黒色アルマイト処理では、
完全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存
してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は
、ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層よシの脱気現像が生
じ、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること
、樹脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響
を与えること等の間遺点を有する。 （Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重。は、光受容層８０２の表面でその一部が反射さ
れて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容層８０２の内部
に進入して透過光量、となる。透過光量ｌは、支持体８
０１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散光
に工、Ｒ２、Ｒ３・・・となり、残りが正反射されて反
射光Ｒ２となり、その一部が出射光式となって外部に出
ては行くが、出射光るは、反射光Ｒ１と干渉する成分で
あっていずれにしろ残留するだめ依然として干渉縞模様
が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１の
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
工、支持体９０１での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。 従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ四−ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。 又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
０（１３に沿って、光受容層１００２が堆積するため、
支持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹
凸の傾斜面とが１０（１３’、１００４’で示すように
平行になる。 したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ工＝ｍ２
’Ｊたは２ｎｄ工＝（ｍ十％）λの関係が成立ち、夫夫
明部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大
が２以上である様な層厚の不均一性ｎ があるため明暗の縞模様が現われる。 従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすもＯＫすることを目的とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ
−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子まだはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原
子と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種とを含有する非晶質材料で構成された
第二の層とを積層して有する光受容部材において、前記
支持体の表面が、主ピークに副ピークが重畳して複数の
微小な凹凸形状を成している断面形状のものであり、且
つ、該支持体表面上の前記光受容層が、ショートレンジ
内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平行な界
面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配列
しているものであることを骨子とする光受容部材に関す
る。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現わ
れる干渉縞模様の問題が解消されること、そして、その
場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面形状は、
ショートレンジ内に形成される各層の層厚の管理された
不均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層との間
の良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性
等を確保するために、主ピークに副ピークが重畳した形
状を呈することが望ましいというものである。 この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易だするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る多層構成の光受容層を有する光
受容部材の一例を示す模式図である。 この例では、支持体１０１０表面が、主ピークに副ピー
クが重畳して複数の微小な凹凸形状をなしている断面形
状のものであり、該支持体１０１上に、その凹凸形状に
沿って、第一の層１０２と第二の層１（１３とからなる
光受容層を備えている。 第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。 。 第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の第一の層と
第二の層の一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）
図は同部分における明るさを示す図であシ、図中、２０
２は第一の層、２（１３は第二の層、２０４は自由表面
、２０５は第一の層と第二の層との界面を示している。 第２（Ａ）図に示すごとく、第二の層２（１３の層厚は
、ジョートレン：）１内において（１２１からｄ２２に
連続的に変化しているため、自由表面２０４と界面２０
５とは互いに異なる傾きを有している。したがって、こ
のジョートレン：）ｌ内に入射したレーザー光等の可干
渉性光は、該ショートレンジｌにおいて干渉をおこし、
微小な干渉縞模様が生成はする。しかし、ジョートレン
：）ｅにおいて生ずる干渉縞は、ジョートレン：）ｌの
大きさが照射光スポット径より小さい、即ち、解像度限
界より小さいため、画像に現われることはない。又、は
とんどないことではあるが、仮に、画像に現われる状況
が生じたとしても肉眼の分屏能以下なので、実質的には
何等の支障もない。 一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３（１３
は第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０
２と第二の層３（１３との界面を示す。 ）に示すように、第一の層３０２と第二の層３（１３と
の界面３０５と、自由表面３０４とが非平行である（第
３（Ａ）図参照）場合には、入射光量０に対する反射光
Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が異なるため、界面
３０５と自由表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図
参照）場合に比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干
渉が生じても、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面
が平行な関係にちる場合よりも、一対の界面が非平行な
関係にある場合の方が干渉の度合が小さくなるため、干
渉縞模様の明暗の差が無視しうる程度に小さくなり、そ
の結果、入射光量は平均化される。このことは、第２（
Ｃ）図に示すように、第二の層２（１３の層厚がマクロ
的に不均一である場合、即ち、異なる任意の２つの位置
における第二の層の層厚ｄ２３、（１２４がｄ２３キｄ
２４ である場合であっても同様であって、全層領域
において入射する光量は第２（Ｄ）図に示すように均一
となる。 以上、支持体上に第一の層と第二の層とが積層されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材の第一
の層が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示
すように支持体４０１上に、二つの構成層４０２′と４
０２”から構成される第一の層４０２、および第二の層
４（１３を積層してなる場合であっても、入射光量に対
して、反射光Ｒ工、Ｒ２、式、Ｒ，およびＲ５が存在す
るが、４０２′、４０２”および４（１３の各層におい
て、第３図によって説明したごとき入射する光量が平均
化される現象が生ずる。 その上、ジョートレン：）ｌ内の各層の界面は、一種の
スリットとして働き、そこで回折現象を生じる。 そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。 したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は第一の層を構成する層の数が増大するにつれ、よシ一
層干渉による影響を防止することができる。 以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが重畳し
た形状を呈しているものである。 かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。 本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｌは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｌ≦Ｌの関係にあることが必要である。 また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
二の層とからなり、該第−の層は、シリコン原子と、ゲ
ルマニウム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方
とを含有するアモルファス材料で構成され、特に望まし
くはシリコン原子（Ｓｌ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｏ
）又はスズ原子（Ｓｎ ）の少なくともいずれか一方と
、水素原子（Ｈ）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともい
ずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、「ａ
−ｓｔ（Ｇｏ、５ｎ）（ａ＋Ｘ）Ｊと表記する。〕で構
成され、さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を含
有せしめることができる。そして、該第−の層は、多層
構造を有することもあり、特に好ましくは、伝導性を制
御する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つと
して有するか、または／及び、障壁層を構成層の１つと
して有するものである。 また、前記第二の層は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを
含有するアモルファス材料で構成され、特に望ましくは
、シリコン原子（Ｓｌ）と、酸素原子（０）、炭素原子
（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも一
種と、水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少なく
ともいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下
、［ａ−ｓｔ（ｏ、ｃ、Ｎ）（Ｈ＋Ｘ）Ｊ と表記する
。〕で構成される。 本発明の光受容部材においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密接
に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、支
持体上に、第一の層と第二の層とを積層して有し、さら
に第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を防
止することを目的として、第一の層の支持体側の端部に
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に含
有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の層
の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多量
に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成せ
しめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障壁
層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明の
光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が形
成されることとなるが、本発明の光受容部材においては
、ジョートレン：）ｌ内に少なくとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。 そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ジョートレン：）ｌに於ける層厚の差、例えば前述の
第２（Ａ）図における（１２１とｄ２２の差は、照射光
の波長をλとすると、次式：％式％） を満足することが望ましい。そして該層厚の差の上限は
、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．
１μｍ〜１．５μｍ、最適には０．２μｍ〜１μｍとす
ることが望ましい。 前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジ！内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差を△ｌとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率をｎとした場合、次式： を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。 本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、ス／Ｑツタリング法、イオンブレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＯＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。 以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であシ、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１（１３は第二
の１層、１０４は自由表面を示す。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが
重畳した形状を呈しているものである。 支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、ス、ｅツタリン
グなどの物理的方法、施蓋加工などの機械的方法などに
よって形成されるが、生産管理を容易に行なうためにｉ
ｄ、旋盤などの機械的加工方法が好ましい。 たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、７字形
状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体、を予
め所望に従って設計されたプログラムに従って回転させ
ながら規則的に所定方向に移動させることにより、支持
体表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、
ヒ０ツチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支
持体の中心軸を中心にした憚旋構造を有する。突起部の
螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋
構造とされても差支えない。或いは、螺旋構造に加えて
中心軸に沿った直線構造を導入してもよい。 また、前記凹凸形状は、本発明の目的を効率的に達成す
るだめに、規則的、または周期的に配列されていること
が好ましい。更に１これに加えて、入射光を効率よく一
方向だ散乱するために、前記凹凸形状が、その主ピーク
を中心に対称（第５図（Ａ））、まだは、非対称（第５
図（Ｂ））に統一されていることが好ましい。しかし、
支持体の加工管理の自由度を高めるためには、両方が混
在しているのがよい。 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる微小な凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮
した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定
される。 即ち、第１には光受容層を構成するａ−Ｅ！ｉ層は、層
形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状、岬
に応じて層重質は大きく変化する。 従って、ａ −５ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ） （Ｈ、Ｘ ）層の
層重質の低下を招来しない様に支持体表面に設けられる
なめらかな凹凸のディメンジョンを設定する必要がある
。 第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。 まだ、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。 上記しだ着層積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の四部のピッチは、通常は０．３μｍ〜５０
０μｍ、好ましくは１μｍ〜２００μｍ１ より好まし
くは５μｍ−５０μｍであるのが望ましい。 又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、よシ好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又
は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好ましくは３変〜１５度、最適には４度〜１
０度とするのが望ましい。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、まだ電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ６．
Ｏｒ、 Ｍｏ、Ａｕ、 Ｎｂ、 Ｔａ。 Ｖ、Ｔｉ、ｐｔｌｐｂ 等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又ｔｆ
′ｉ／−ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。 これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光
受容層を設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ｋｌ
、Ｉ Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、 工ｒ、 Ｎｂ、 Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、 工ｎ２（１３．５ｎ０
２、■Ｔｏ （Ｉｎ２Ｏ３＋ ５ｎ０２ ）等から成る
薄膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ 、 Ａｌ、 Ａｇ 、 Ｐｂ。 Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、ＯｒＳＭＯ１工ｒ、 Ｎ’ｂ、
Ｔａ、 Ｖ、Ｔｌ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、ス・Ｑツタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状であることができるが、用途、
所望によって、その形状は適宜に決めることのできるも
のである。例えば、第１図の光受容部材１００を電子写
真用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成し
うる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発運され
る範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしな
がら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点
から、通常は、１０μ以上とされる。 第一の層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子及びスズ原子の
少なくともいずれか一方と、好ましくはさらに水素原子
及びノ・ロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有す
る非晶質材料で構成された第一の層１０２が積層されて
さらに、該第−の層１０２には、必要に応じて伝導性を
制御する物質を含有せしめることができ、伝導性を制御
する物質を比較的多量に含有する電荷注入阻止層又は／
及び障壁層を、支持体側の端部に有することが望ましい
。 本発明において、該第−の層に含有せしめることのでき
るハロゲン原子としては、具体的には、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられるが、特に、フッ素及び塩素が
好ましいものとして挙げられる。そして、該第−の層中
に含有せしめる水素原子（■（）の量又はノ・ロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（
Ｈ十Ｘ ）は、好ましくは０．０１〜４０ ａｔｏｍｉ
ｃ％、よシ好適には０．０５〜３０ ａｔｏｍｉｃ％、
最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ ％とするのが望ま
しい。 また、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。 ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。 即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることによシ、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長
波長文の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合−特に顕著である。 本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領“域に均一な分布状
態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で含有
せしめるものである。 （ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム、原子又は
／及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と
平行な面方向において均一であり、第一の層の層厚方向
にも均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは
、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、
第一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが
、第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よシも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
を極端に大きくすることにより、半導体レーザー等の長
波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に近
い構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長
波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領
域において実質的に完全に吸収されるため、支持体表面
からの反射光による干渉が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の第一の層においては、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せし
めることもでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分
布せしめることもできるが、以下、層厚方向の分布状態
の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例とし
て、第１１乃至１９図により説明する。 第】１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔ７は支持体
側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される第一の層はｔＢ側よりも
ｔＴ側に向って層形成がなされる。 湖、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。 第１１図には、第一の層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第１１図に示される例では、ゲルマニウムｉ子の含有さ
れる第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接
する界面位置ｔＢよシｔｌの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が第一の層に含有され、位Ｒｔｌよりは
濃度Ｃ２より界面位ｆｌｉｔ ｔＴに至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいてはゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。 （ここで実質的に零とは検出限界埼未満の場合である。 ） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置を丁に至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ，となる様な分布状態を形成している。 第１３図の場合には、位置ｔＢよシ位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ、と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。 第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢよシ位置１Ｔに至るまで、濃度ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて（ｔ ＲｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。 第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位ｉｔ ｔＢと位置１４間においては、濃度Ｃ
ヮと一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃは零と
される。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃ（
は−次間数的に位置ｔ４より位置ｔ７に至るまで減少さ
れている。 第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位Ｒｔ５までは濃度ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまではｔ［ｔｃ、より濃度Ｃ’ｌＯまで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ工１
より一次関数的に減少されて、零に至っている。 第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布４度ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ工、まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度０１３の一定値とされた例が
示されている。 第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ工。 であり、位置ｔ、、に至るまではこの濃度０１４ より
初めはゆっくりと減少され、１．の位置付近においては
、急激に減少されて位ｒＮ ｔヮでは濃度Ｃ工。 とされる。 位置１．と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ工６ となり、位置ｔ８と位置ｔ、との間では
、徐々に減少されて位Ｒｔ９において、濃度Ｃ□７に至
る。位置ｔ９と位ｆｔ ｔＴとの間においては濃度Ｃ１
，７より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。 以上、第１１図乃至第１９図により、第一の層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側において、デルマニウ
ム原子又ハ／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設けられ
ているのが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度に含有されて
いる局在領域を有するのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
Ｂより５μ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ｃ ｍａｘ
がシリコン原子に対して、好ましくは１０００ ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｍ以上、よシ好適には５０００ ａｔｏｍ
ｉｃ ｐｐｍ以上、最適にはＩ Ｘ １０’ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形
成されるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ層の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃエエが存在する様に形成されるのが
好ましいものである。 本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
決める必要があり、通常は１〜６ ｘ １０５１０５ａ
ｔｏ ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３ Ｘ １０
’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ １ よシ好ましくはＩ Ｘ
１０”〜２ ｘ １０５１０５ａｔｏ ｐｐｍとする
。 本発明の光受容部材においては第一の層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができや。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）、が使用される。具体的には、第■族原子としては
、Ｂ（硼素）、ｈｌｌ （アルミニウム）、Ｇａ（ガリ
ウム）、工ｎ（インジウム）、Ｔｌ （夕ＩＪウム）等
を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、
Ｇａである。まだ第Ｖ族原子としてばＰ（燐）、Ａθ（
砒素）、ｓｂ （アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を
挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、 ｓ
ｂである。 本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。 すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合ては、第一の層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常は１ Ｘｌ０−
３〜１ ｘ １（１３ａｔｏ１（１３ａｔｏであり、好
ましくは５ Ｘｌ０−２〜５ ＸＩＯ２ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ 、最適には１ ｘ １０”” 〜２ Ｘ １０
”ａｔｏｍｉｃｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第１１１族原子又
は第Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度が、支持体と接する側において”高濃度となるよう
に含有せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ
族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層とし
て機能するところとなる。即ち、第■族原子を含有せし
めた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に、支持体側め≧ら光受容層中へ注入される
電子の移動をよシ効率的に阻止することができ、又、第
Ｖ族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面
がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容
層中へ注入される正孔の移動をよシ効率的に阻止するこ
とができる。そして、こうした場合の含有量は比較的多
量であって、具体的には、３０ｗ ５ Ｘ １０’ ａ
ｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ Ｘ １０’
ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、最適には１×１０２〜５ Ｘ
１（１３１（１３ａｔｏ ｐｐｍとする。さらに、該
電荷注入阻止層としての効果を効率的に奏するためには
、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端部
に設けられる層スは層領域の層厚をｔとし、光受容層の
層厚をＴとした場合、ｔ ／ Ｔ≦０．４の関係が成立
することが望ましく、より好ましくは該関係式の値が０
．３５以下、最適には０．３以下となるようにするのが
望ましい。 まだ、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０
”３〜１０μとするが、好ましくは４ Ｘ １０−”〜
８μ、最適には５ Ｘ １０−３〜５μとするのが望ま
しい。 次に第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から第二の層側に向って減少し、第二の層との界面
付近においては、比較的少量となるかあるいは実質的に
ゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布
させる場合の典型的例のいくつかを、第ｍ図乃至第四図
によって説明するが、本発明はこれらの例によって限定
されるものではない。各図において、横軸は第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚
を示し、ｔＢは支持体と第一の層との界面位置を、ｔＴ
は第一の層と第二の層との界面位置を示す。 第ｍ図は、第一の層中に含有せしめる第■族原子又は第
Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示して
いる。該層では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する
第一の層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢより位置
ｔ工までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが
Ｃ１なる一定値をとり、位置ｔ工よシ第二の層との界面
位ＩｔｔＴまでは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、界面位置ｔＴにお
いては第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが（１３
と人る。 ゛第２１図は、他の典型例の１つを示している。 該層では、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる
まで、濃度Ｃ，から連続的に減少し、位置ｔＴにおいて
＃ｋ Ｌ ｃｐｓとなる。 第ｎ図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定
値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃヮから徐々
に連続的に減少して位置ｔ７においては第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、
ここで実質的にゼロとは、検出限界１未満の場合をいう
。 第ｎ図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ８
から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴｌｃおいては第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとな
る。 第２４図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度
Ｃ９の一定値にあり、位置ｔ３から位ＲｔＴの間におい
ては、濃度Ｃ０から濃度０１０ となるまで、−次間数
的に減少する。 第５図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢより位置℃４にいたるまでは濃度Ｃ
よ、の一定値にあり、位置ｔ、より位置ｔＴまでは濃度
Ｃ工２から濃度Ｃよ３となるまで一次関数的に減少する
。 第２６図に示す例においては、第■ｆｊ原子又は第Ｖ族
原子の分布一度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるま
で、濃度０１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的
に減少する。 第ｎ図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度０１
５から濃度ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位置
ｔＢから位置ｔＴまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。 最後に、第四図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃエヮであシ
、位ＲｔＢから位置ｔ、までは濃度Ｃｌヮからはじめは
ゆっくり減少して、位ｔｔ６付近では急激に減少し、位
置ｔ６では濃度Ｃｌ。、となる。次に１位置ｔ６から位
置ｔヮまでははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位Ｒｔヮにおいては濃度Ｃｌ、とな
る。更に位置ｔヮと位置ｔ８の間では極めてゆっくりと
徐々に減少し、位置ｔ８において濃度０２０ となる。 また更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度
Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。 第加図〜第あ図に示した例°のごとく、第一の層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、第二の層との界面側においては、該
分布濃度Ｃがかなシ低い濃度の部分あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体側
に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該
局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以内
に設けるととにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成する
という前述の作用効果がより一層効率的に奏される。 以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入。 ６μ止層に含有せしめた伝導性を制御する物質の極性と
は別の極性の伝導性を制御する物質を含有せしめてもよ
く、あるいは、同極性の伝導性を制御する物質を、電荷
注入阻止層に含有される量よりも一段と少ない量にして
含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｌ２Ｏ３，５ｉ０２．５１３Ｎ４等の
無機電気絶縁材料や７Ｆリカーボネート等の有機電気絶
縁材料を挙げることができる。 第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１（１３は、上述の第一
の層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、
すなわち表面層であシ、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種を均一な分布状態で
含有するアモルファスシリコン〔以下、ｒ ａ−８ｉ（
０，ｃ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成されて
いる。 本発明の光受容部材に第二の層１（１３を設ける目的は
、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、および耐久性等を向上させることＫあり、これ
らの目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種を含有せしめることにより達成される。 又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１（１３を構成するアモルファス材料の各々が
、シリコン原子という共通した構成原子を有しているの
で、第一の層１０２と第二の層１（１３との界面におい
て化学的安定性が確保できる。 第二の＠１（１３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を均一な分布状態で
含有せしめるものであるが、これらの原子の含有せしめ
る量の増加に伴って、前述の緒特性は向上する。しかし
、多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、これらの原子の含有量
は、通常０ 、００１〜９０ ａｔｏｍｉｃ ％、好ま
しくは１〜９０ ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０
ａｔｏｍｉｃ％とする。 第二の層にも水素原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方を含有せしめることが望ましく、第二の層中
に含有せしめる水素原子ＩＨ）の量、又はハロゲン原子
（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の景の和
（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０ ａｔｏｍｉｃ％、好まし
くは５〜３Ｑ ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５ ａ
ｔｏｍｉｃ係とする。 第二の層１（１３は、所望通シの特性が得られるように
注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、お
よび酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及び
ハロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含
有量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から
非晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導
電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質
から非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じ
た所望の特性を有する第二の層１（１３を形成しうるよ
うに、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重
要である。 例えば、第二の層１（１３を電気的耐圧性の向上を主た
る目的として設ける場合には、第二の層１（１３を構成
する非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動
の顕著なものとして形成する。又、第二の層１（１３を
連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的
として設ける場合には、第二の層１（１３を構成する非
晶質材料２は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩
和するが、照射する光に対しである程度の感度を有する
ものとして形成する。 また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される特
性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要
がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点
においても考慮する必要もある。こうしたことから、第
二の層の層厚は通常は３ Ｘ １０−３〜３０μとする
が、より好ましくは４×１０−３〜２０μ、特ニ好マし
く Ｂ ５ ｘ １０−３〜１０ μとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことば
よシ、前記したアモルファスンリコンで構成きれた光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性（（憂れて
いるため殊に半導体レーザーとのマツチングに浸れ、且
つ光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画ｆ象形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に、本発明の光受容層の形成方法ンこついて説明する
。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス／Ｑツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷種度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。 グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ） で
構成される第一の層を形成するには、シリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
しうる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供
給用の原料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せ
しめて、予め所定位置に設置しである所定の支持体表面
上に、ａ −ＳｉＧｅ（ＨＩＸ）で構成される層を形成
する。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ，，５ｉ２Ｈ，，５ｉ３ＨＢ、５ｉ４Ｈ１ｏ 等
のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）
が挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供
給効率の良さ等の点から、ＳｉＨ，およびＳｉ２Ｈ６が
好ましい。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈｇ、Ｇｅ、Ｈｌ、
）、Ｇ ｅ５ｕ１ｇ ５Ｇｅ６Ｈ１，、ＧｅフＨ１６、
Ｇｅ日Ｈ１８・Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化
しうる水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点から、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧｅ３ＨＢが好
ましい。 更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があシ、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたンラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
うるハロゲン化合物を用いることができる。具体的には
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ
、 Ｃ１１，０１Ｆ３、 ＢｒＦ３ 、 Ｂｒ
Ｆ５ 、 ＩＦ５ 、 工Ｆマ、 ＩＩ： ｌ。 ＩＢｒ等のハロゲン化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ
６．５ｉＯＡ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が好
ましいものとして挙げられる。 上述のごときノ・ロデン原子を含む硅素化合物のガス状
態のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー
放電法だより形成する場合には、Ｓ１原子供給用原料ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の
支持体上にノ・ロデン原子を含有するａ−８ｉで構成さ
れる層を形成することができるので、特に有効である。 グロー放電法を用いて第一の層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
Ｈ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支持
体上に第一の層を形成するものであるが、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にするため
には、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを
混合することもできる。該水素原子供給用のガスとして
は、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４，５１２Ｈ６，５ｉ３
Ｈ６、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素のガスが用いられる
。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ、 ＨＯＡ’
１ＨＢｒ１Ｈ工等のハロゲン化物、Ｓ ｉ Ｈ２Ｆ２．
５ｉＨｚＩ２．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１３，５ｉＨ
２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３ 等のハロゲン置換水素化硅
素等のガス状態のあるいはガス化しうるものを用いた場
合には、ノ・ロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に水素原子
（Ｈ）も導入されるので、有効である。 スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第一の層を形成するには、シリコンから成るタ
ーデッドと、ゲルマニウムから成るターデッドとの二枚
を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・Ｑツタ
リングすることによって行なう。 イオンブレーティング法を用いて第一の層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。 スノぐツタリング法およびイオンブレーティング法のい
ずれの場合にも、形成する層中にノ・ロゲン原子を含有
せしめるには、前述のハロゲン化物又はハロダン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あ
るいは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマ
ニウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらに・・ロデン原子供給用の原料ガスとしては、前
記の・・ロゲン化物或いは・・ロゲンを含む硅素化合物
が有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ’。 ＨＣｌ、 ＨＢｒ、 Ｈ工 等のハＯ’７’ン化水素、
ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２工２．５１Ｈ２Ｃ１２，５ｉＨ
ＣＡ！３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン
置換水素化硅素、およびＧｅＨＦ３、Ｇ ｅＨ２Ｆ２、
ＧｅＨ３ＦＳＧｅＨＣ１３、ＧｅＦ２（Ｊ２、Ｇｅ Ｆ
３ Ｃｌ 、 ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢ
ｒ３ ＧｅＨ工３、ＧｅＨ２工２、Ｇｅ＆工等の水素化
ハロゲン化ゲルマニウム等、 ＧｅＦ４、ＧｅＣ！１４
、ＧｅＢｒ、、Ｇｅ工４． ＧｅＦ２、（１６）Ｃ１２
、ＧｅＢｒ２、Ｇｅ 工２等の７１０ゲン化ゲルマニウ
ム等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発
物質として使用できる。 本発面の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０ ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ ａｔ ｏｍ
ｉ ｃ％、最適には０ 、１〜２５ ａｔｏｍｉ ｃ％
とするのが望ましい。 グロー放電法、ス・９ツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、［ａ−８ｉＳｎ（Ｈ、Ｘ ） Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（
Ｓｎ ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。 前記スズ原子（Ｓｎ）ｔ＃給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（ＳｎＨ，）やＳｎＦ’２．５
ｎＦ４．５ｎ（Ｊ２．５ｎＯ１４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢ
ｒ４、Ｓｎ工２．Ｓｎ工４等）・・ロデン化スズ等のガ
ス状態の又はガス化しうるものを用いることができ、ノ
＼ロゲン・化スズを用いる場合には、所定の支持体上に
・・ロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なかでも、
層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供袷効率の良さ等の点
から、ＳｎＣ！ｄ＋が好ましい。 そして、５ｎＣ１４をスズ原子（Ｓｎ ）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、固体状
の５ｎｃＡ！４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ等の不
活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリング
するのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減
圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。 グロー放電法、ス・Ｑツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含
有するａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−ｓｌｓｎ
（Ｈ，ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成する
には、上述のａ −５ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ ）又は／及びａ
−ＥｔｉＥｔｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に
、第ｒｎ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ
−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ２Ｘ
）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。 第１ＴＩ ｉｉｉ原子原子用入用発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては、Ｂ２ Ｈ６、Ｂ４ＨＩＯ、
Ｂ５Ｈｇ、Ｂ５ ａｌｘ、Ｂ６ ＨＩＯｓ Ｂ６ Ｈ１
２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、Ｂ
Ｂｒ３等のノ・ロデン化硼素等が挙げられる。 この他、ＡｌＣ１３、Ｇａ＋Ｊ３、Ｇａ（Ｃ＆）２、■
ｎＣＪ３、ＴＡ’（！Ａ’３等も挙げることができる。 第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素化燐、ＰＨ４
工、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣＩＶ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３
、ＰＢ ｒ５、Ｐ工３等の）・ロゲン化燐が挙げられる
。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣ！１３、Ａｓ
１３ｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３，５ｔ）Ｆ３、ＳｂＦ５
．５ｂＯ１３，５ｂＣＡ！５、Ｂｉ＆、ＢｉＣｌ３、Ｂ
１Ｂｒ３ 等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。 グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンプレー
ティング法を用いて、酸素原子、炭素原子、窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルファスシ
リコン、即ち、ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構
成される第二の層１（１３を形成するには、ａ−８ｉ（
０，Ｃ！、Ｎ）（Ｈ，り形成用の出発物質を使用して、
上述の原子（ｏ、Ｃ１Ｎ）を含むａ−３ｉ（）ｅ（Ｈ，
Ｘ）又は／及びａ −５ｉＳｎ（ＪＸ）で構成される第
一の層を形成する場合と同様にして行なう。 例えば、酸素原子を含有する第二の層をグロー放電法に
よシ形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（）０又は及びハロゲン
原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を
構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原
子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、
酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスを混合して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。 そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質をガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０２）、オゾン（（１３）、−酸化窒素（Ｎｏ）
、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三
二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四二酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）、
三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）、二酸化窒素（ＮＯ３）、シ
リコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水−素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロギサン（Ｈ３Ｓ
ｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ１０ＳＩＨ２
０Ｓ１Ｈ３）等の低級７０キサン等を挙げることができ
る。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有 ゛する層
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエーハ又は
５１０２ウエーハ、又はＳｉと５ｉ０２が混合されて含
有されているウェーハをターデッドとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でス、ｅツタリングすることによって
行えばよい。 例えば、Ｓｉウエーノ・をターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
・・をスノぐツタリングすればよい。 又、別には、Ｓｌと５ｉ０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一つのターデッドを
使用することによって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でス・々ツタリングすることによって
成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し
たグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入
用の原料ガスが、ス、ｅツタリングの場合にも有効なガ
スとして使用できる。 また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと
、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、シリコン原子（ｓｌ）、炭素原子（ｃ）及
び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合する
か、更にまだ、シリコン原子（Ｓｉ ）と水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
Ｈｅ、５１４Ｈ１ｏ等のシラン（ＳｉＡ！ａｎｅ ）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜１の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（０２Ｈ６）、プロパン（Ｃ！３Ｈ８）、ｎ−
ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１Ｏ）、ペンタン（Ｃ５Ｉ’ｈ２）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、
ブテン−２（Ｃ，Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテン（Ｃ５Ｈ１６） Ｎアセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２） 、メチルアセチレン（
Ｃ’３Ｈ４）、ブチン（ｃ、Ｉ（６）等が挙げられる。 ＳｉとＣ！（！：Ｈとを構成原子とする原料ガスとして
は、５１（ＣＨ３）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。 スパッタリング法によってａ−ｓｉｃ（Ｈ，ｘ） で構
成される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶の
Ｓｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又［Ｓ
ｉとＣが混合されて含有されているウェー・・をターデ
ッドとして、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行う。 例えばＳｉウェー・・をターデッドとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入するだめの原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈ
ｅ等の希釈ガスで稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して
Ｓｉウェーハをスパッタリングすればよい。 又、ＳｌとＣとは別々のターデッドとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、ス・９ツタリング用の堆積室内に導
入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすｔｔば
よい。該スノξツタリング’ｔＬンこ用いる各原子の導
入用の原料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる
原料ガスがそのまま使用できる。 更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）＆構成原子とする原料ガスと
、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子（Ｎｌ及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するかして使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。 その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするザス状の物質又はガス化し
得る物質をガスｆヒしだものであれば、いずれのもので
あってもよい。 窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）
、アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ３）等の窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。こ
の他に、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（７４Ｎ２
）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができ、こ
れらのハロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（
Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もできる
。 スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又は
Ｓ ｉ３ Ｎ４ウエーハ、又はｓｌとＳｉ３Ｎ４が混合
されて含有されているウェーハをターデッドとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳｉ３Ｎ、とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ３Ｎ、の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスのＷ囲気中で又は少なくとも水素原子（
翅又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることだよって成
される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、ス・Ｑツタリングの場合ても有効なガス
として使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御するととＫよ
り行われる。 まだ、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電・Ｑター等の条件は、所望の特性
を有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、
形成する層の機能に考、・意をはらって適宜選択される
ものである。さらＫ、これらの層形成条件は、第一の層
および第二の層〈含有せしめる上記の各原子の種類及び
量によっても異なることもあることから、含有せしめる
原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定す
る必要もある。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層を形成する場
合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが、
特に好ましく′ｒ１５０〜２５０’Ｃとする。堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜ｌ ’ｒｏｒｒとするが、
特に好ましくは０．１〜Ｑ、５ Ｔｏｒｒとする。また
、放電・Ｑターは０．００５〜５ＱＷ／漏２とするのが
通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃＩ
ｒＬ２、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃｒＩＬ２
とする。 ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する場
合、あるいは第■族原子又：は第Ｖ族原子を含有せしめ
たａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する
場合てついては、支持体温度は、通常５０〜３５０℃と
するが、より好ましくは５０〜３００°Ｃ１特に好まし
くは１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガス
圧は、通常０．０１〜５ Ｔｏｒｒとするが、好ましく
は、０．００１〜３ Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０
．１〜ｌ Ｔｏｒｒとする。また、放電ノｅターは０．
００５〜５０Ｗ／ｃｒｒＬ２とするのが通常であるが、
好ましくは０．０１〜３０ Ｗ／ｃＩｒＬ２とし、特に
好ましくはＯ０旧〜２０Ｗ／ｃｒＩＬ２とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の％訃の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であり、そのだ
めに支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対し
非平行となるように形成されるわけであるが、そのよう
Ｋするについては、成膜操作中、放電・々ツー、ガス圧
を比較的高く保つことによって行われる。 そしてそれらの放［／ｅクワ−ガス圧は、使用ガスの種
類、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等に
よって異り、これらの種々の条件を考慮して決定される
。 ところで、本発明の第一の層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
を均一とするか、あるいは第二の層を形成するためには
、該第−の層又は第二の層を形成するに際して、前記の
諸条件を一定に保つことが必要である。 また、本発明において、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する層を
形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば、ゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導
入する際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化
させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして
、ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば手動
あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何らか
の方法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定のニ
ードルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい
。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例
えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計されｈ変化率
曲線に従って流量を制倒し、所望の含有率曲線を得るこ
ともできる。 また、光受容層をス・Ｑノタリ／グ法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第１ｎ族
原子又・は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向
で変化させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには
、グロー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原
子又はスズ原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ
導入する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させ
る。 〔実施例〕 以下、本発明を実施ｆ３ｉ１Ｊ １乃至１１に従って、
より詳細に説明するが、本発明はこれ等によって限定さ
れるものではない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第′、２９図はグロー放電法による本発明の
光受容部材の４傅造喚４である。 図中の２９０２．２９（１３．２９０４．２９０５．２
９０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
だめの原料ガスが密封されており、その１例として、た
とえば、２９０２はＳｉｔ、ガス（純度９９．９９９チ
）ボンベ、２９（１３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス
（純度９９．９９９チ、以下Ｂ２Ｈ６／ Ｈ２と略す。 ）ボンベ、２９０４ ＋’ｉ： ＣＨ４ガス（純度９９
、９９９％）ボンベ、２９０５はＧｓＦ、ガス（純度
９９．９９９％）ボンベ、２９０６は不活性ガス（Ｈｅ
）ボ／べである。そして、２９０６’は５ｎＣ１，が入
った密閉容器である。 これらのガスを反応室２９ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６、
リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９１７
〜２９２１、補助バルブ２９３２．２９３３が開かれて
いることを確認して、先ずメイン・ミルブ２９３４を開
いて反応室２９０１、ガス配管内を排気する。次に真空
Ａｌシリンダー２９３７上に第一の層及び第二の層を形
成する場合の１例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２９０２より ｓＩＦ、ガス、ガスボ
ンベ２９（１３よシＢ、Ｈ６；／ Ｈ２ガス、ガスボン
ベ２９０５よＩ） ＧｅＦ、ガスの夫々をバルブ２９２
２．２９２３．２９２５を開いて出口圧デージ２９２７
．２９２８．２９３０の圧を１（ｇ／ＣｒＩＬ２に調整
し、流入バルブ２９１２．２９１３．２９１５ヲ徐々に
開いて、マス７０コントローラ２９０７．２９０８．２
９１０内に流入させる。引き続いて流出バルブ２９１７
．２９１８．２９２０、補助バルブ２９３２を徐々に開
いてガスを反応室２９０１内に流入させる。このときの
ＳｉＦ、ガス流量、ＧｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／ Ｈ
２ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２９
１７．２９１８．２９２０を調整し、又、反応室２９０
１内の圧力が所望の値になるように真空計２９３６の読
みを見ながらメインパルプ２９３４の開口を調整する。 そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒーター２
９３８によシ閣〜４００℃の範囲の温度に設定されてい
ることを確認された後、電源２９４０を所望の電力に設
定して反応室２９０１内にグロー放電を生起せしめると
ともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて
、あらかじめ設計された流量変化率線に従って、ＳｉＦ
、ガス、ＧｅＦ、ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流
量を制御しながら、基体シリンダー２９３７上に先ず、
シリコン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有す
る第一の層を形成する。 上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばＳｉＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ％Ａｒ、Ｈ２等の稀釈ガスで稀釈
して、所望のガス流量で反応室２９０１内に流入し、所
望の条件に従って、グロー放電を生起せしめることによ
って成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２９０１内、流出バルブ２９１７〜２９２１から反応室
２９０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２９１７〜２９２１を閉じ補助バルブ
２９３２．２９３３を開いてメインバルブ２９３４を全
開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要て応じて
行う。 また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ１４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎＯ
Ａ！４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するととも
に、該５ｎＣ１４中に、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボン
ベ２９０６よＹ） Ａｒ％Ｈθ等の不活性ガスを吹き込
み、バブリングする。発生しだ５ｎＣ１４のガスは、前
述のＳｉＦ４ガス、Ｇ ｅＦ。 ガス及びＢ２ Ｈ６／ Ｈ２ガス等と同様の手順により
反応室内に流入させる。 実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａ６基体（長さ３５７ｍｍ
、径８０朋）に旋盤で第３０ （Ａ１図に示すような溝
を形成した。このときの溝の形の断面形状は第３０ （
Ｂ）図に示すとおりであった。なお、第３０（Ａ１図は
該ｐ、ｌ支持体の全体図であり、第３０ （Ｂ）図は、
その表面の一部分の断面形状を示す図である。 次に、ｆ３１１ｊ支持体上に、以下の第１表に示す条件
で、第四図に示した製造装置により光受容層を形成した
。 こうして得られた光受容部材について、その光受容層の
層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容層の表面は
、支持体の表面に対して非平行となっており、Ａｌ支持
体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２μｍであ
った。 さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０
μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、
転写を行なって画像を得た。 得られた画像において、干渉縞模様の発生は観察されず
、実用性の良好な電子写真特性を示すものが得られた。 なお、第３１ （Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第３１ （Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、３１０１は光受
容部材、３１０２は半導体レーザー、３１（１３ばｆθ
レンズ、３１０４はポリゴンミラーを示している。 第 １ 表 Ａｔ基板温度、２５０℃ 放電周波数＋ １３．５６ＭＨｚ 実施例２ 第２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、ｐ、を支持体上に光
受容層を形成した。 尚、第一の層形成時におけるＧｅＦ、ガス及び５ＩＦ４
ガス流量の変化は、各々第３２図及び第３３図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により
、自動的に調整した。 こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
微小部分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定
したところ、光受容層の表面は支持体表面に対して非平
行となっており、また光受容層のシリンダー中央と両端
の平均層厚の差は２．３μｍであった。 さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得られた。 実施例３ 実施例１と同様にして、第３０ （Ｃ）〜（Ｅ）図に示
す断面形状を有するＡｔ支持体（シリンダーＮＣｔ ３
０１〜３（１３）を得た。 該Ａｔ支持体（７リンダーＮ１１１３０１〜３（１３）
上に、第３表に示す層形成条件に従って、光受容層を形
成した。 こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の層厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光受容層の表面は支持体の表面に対して非
平行となっていた。 また、光受容層の７リンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。 これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られた画像において、干
渉縞の発生は観察されず、実用性の良好な電子写真特性
を示すものが得られた。 実施例４ 実施例３と同様にして第４表に示す層形成条件で、Ａｔ
支持体（シリンダーＩＶｋ１３０１〜３（１３）上に、
光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。 実施例５ 第５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリン
ダーＮ１１３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際第−の層形成時におけるＨ２ガス及びＰＨ３／
Ｈ２がスのガス流量は各々第３４図および第３図に示
す流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御に
より、自動的に調整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例６ 第６表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリン
ダーＮ１１３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際ＧｅＦ４ガス、ＳｉＦ、ガス、Ｈ２がス及びＢ
２Ｈ，／Ｈ２ガスのガス流量は各々第３６図、第３７図
、第関図および第３９図に示す流量変化曲線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整した
。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例７ 第７表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にしてＡ１支持体（シリンダ
ーＮｌ１３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例８ 第８表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｌ支持体（シリン
ダーＮｎ ３０１〜３（１３ ）上に光受容層を形成し
た。この際第−の層の形成時におけるＧｅＨ，ガス、５
ＩＨ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は各々第
４０図、第４１図および第４２図に示す流量変化曲線に
従って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に
調整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例９ 第９表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリン
ダーＮｎ ３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際第−の層の形成時におけるＳｉＨ，ガス、Ｇｅ
Ｆ、ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は各々第４
３図、第４４図および第４２図に示す流量変化曲線に従
って、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調
整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例１０ 第１０表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シリ
ンダーｍ ３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した
。この際第−の層の形成時におけるＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス
のガス流量は第４５図に示す流量変化曲線に従って、゛
マイクロコンピューター制御により、自動的に調整した
。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 実施例１１ 第１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例３と同様にして、ａ支持体（シリン
ダー陽３０１〜３（１３）上に光受容層を形成した。こ
の際第−の層の形成時におけるＳｉＨ４ガス、ＧｅＨ４
ガス（又は５ｎＣ６，／Ｈｅガス）及びＢ２Ｈ６／ Ｈ
２ガスのガス流量は各々第４６図、第４７図および第４
８図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュー
タ−制御により、自動的に調整した。 これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また）％に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。
第１図は、本発明の光受容部材の層構成を模式的に示し
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を
説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支
持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０
図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明す
る図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発
生、第７図ね、多層構成の光受容層における干渉縞の発
生、第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、
多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発生
、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行であ
る場合の干渉縞の発生を各々示している。 第１１〜１９図は、本発明の第一の層中におけるダルマ
ニウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす
図であり、第頷〜路図は、本発明の第一の層中における
第■族原子又は第Ｖ族、原子の層厚方向の分布状態を表
わす図であり、各図において、縦軸は第一の層の層厚を
示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第四図
は、本発明の光受容部材の第一の層及び第二の層を製造
するための装置の一例で、グロー放電法による製造装置
の模式的説明図である。第（９）（Ａ１図は、旋盤によ
る機械的加工により形成された、本発明の光受容部材の
支持体の全体図であり、第３０ＣＢ）〜（Ｅ）図は、該
支持体の表面の一部分の断面形状を示す図である。第３
１図はレーザー光による画像露光装置を説明する図であ
る。第３２乃至４８図は、本発明の第一の層形成に訃け
るがス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は第一の
層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第４図について、 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
．２０２．３０２．４０２・・・第一の層、１（１３．
２（１３．３（１３．４（１３・・・第二の層、４０２
′、４０２′ｌ・・・第一の層を構成する層、１０４．
２０４．３０４・・・自由表面、２０５．３０５・・・
第一の層と第二の層との界面 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７（１３・・・光受容層、８０
１・・・支持体、８０２・・光受容層、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９（１３・・・第２層、１
００１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１０（
１３・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面第
２９図において、 ２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’−５ｎＣｔ４用密閉容器、２９０７
〜２９１１−・・マスフロコントローラ、２９１２〜２
９１６・・・流入バルブ、２９１７〜２９２１・・・流
出バルブ、２９２２〜２９２６・・・バルブ、２９２７
〜２９３１・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・・
・補助バルブ、２９３４・・・メインバルブ、２９３５
・・・リークバルブ、２９３６・・・真空計、２９３７
・・・基体シリンダー、２９３８・・・加熱ヒーター、
２９３９・・・モーター、２９４０・・・高周波電源 第３１図において
た図であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以上の多層である場合における干渉縞の発生の防止を
説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の支
持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１０
図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明す
る図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の発
生、第７図ね、多層構成の光受容層における干渉縞の発
生、第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は、
多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発生
、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行であ
る場合の干渉縞の発生を各々示している。 第１１〜１９図は、本発明の第一の層中におけるダルマ
ニウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす
図であり、第頷〜路図は、本発明の第一の層中における
第■族原子又は第Ｖ族、原子の層厚方向の分布状態を表
わす図であり、各図において、縦軸は第一の層の層厚を
示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第四図
は、本発明の光受容部材の第一の層及び第二の層を製造
するための装置の一例で、グロー放電法による製造装置
の模式的説明図である。第（９）（Ａ１図は、旋盤によ
る機械的加工により形成された、本発明の光受容部材の
支持体の全体図であり、第３０ＣＢ）〜（Ｅ）図は、該
支持体の表面の一部分の断面形状を示す図である。第３
１図はレーザー光による画像露光装置を説明する図であ
る。第３２乃至４８図は、本発明の第一の層形成に訃け
るがス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は第一の
層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第４図について、 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
．２０２．３０２．４０２・・・第一の層、１（１３．
２（１３．３（１３．４（１３・・・第二の層、４０２
′、４０２′ｌ・・・第一の層を構成する層、１０４．
２０４．３０４・・・自由表面、２０５．３０５・・・
第一の層と第二の層との界面 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７（１３・・・光受容層、８０
１・・・支持体、８０２・・光受容層、９０１・・・支
持体、９０２・・・第１層、９（１３・・・第２層、１
００１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１０（
１３・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面第
２９図において、 ２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’−５ｎＣｔ４用密閉容器、２９０７
〜２９１１−・・マスフロコントローラ、２９１２〜２
９１６・・・流入バルブ、２９１７〜２９２１・・・流
出バルブ、２９２２〜２９２６・・・バルブ、２９２７
〜２９３１・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・・
・補助バルブ、２９３４・・・メインバルブ、２９３５
・・・リークバルブ、２９３６・・・真空計、２９３７
・・・基体シリンダー、２９３８・・・加熱ヒーター、
２９３９・・・モーター、２９４０・・・高周波電源 第３１図において
Claims (17)
- （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
質材料で構成された第一の層と、シリコン原子と、酸素
原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種とを含有する非晶質材料で構成された第二の層と
を有する光受容部材であって、前記支持体の表面が、主
ピークに副ピークが重畳して複数の微小な凹凸形状を成
している断面形状のものであり、且つ、該支持体表面上
の前記光受容層が、ショートレンジ内に少くとも一対の
非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
な面内の少くとも一方向に多数配列しているものである
ことを特徴とする光受容部材。 - （２）第二の層が、シリコン原子と、酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを均一
な分布状態で含有する非晶質材料で構成された特許請求
の範囲第（１）項に記載された光受容部材。 - （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 - （４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。 - （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
範囲第（４）項に記載の光受容部材。 - （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 - （７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
囲第（１）項に記載の光受容部材。 - （８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
囲第（１）項に記載の光受容部材。 - （９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 - （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
１）項に記載の光受容部材。 - （１１）前記支持体の表面に設けられた凹凸形状が、螺
旋構造を有する線状突起部を形成している特許請求の範
囲第（１０）項に記載の光受容部材。 - （１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
範囲第（１１）項に記載の光受容部材。 - （１３）前記線状突起がその稜線方向に於いて区分され
ている特許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材
。 - （１４）前記線状突起の稜線方向が円筒状支持体の中心
軸に沿っている特許請求の範囲第（１１）項に記載の光
受容部材。 - （１５）前記支持体表面に設けられた凹凸は傾斜面を有
する特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 - （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
範囲第（１５）項に記載の光受容部材。 - （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れた微小な凹凸と同一のピッチで配列された微小な凹凸
が形成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の光
受容部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25291285A JPS62113152A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光受容部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25291285A JPS62113152A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光受容部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113152A true JPS62113152A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17243897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25291285A Pending JPS62113152A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113152A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187932A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS60225854A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-11 | Canon Inc | 光受容部材用の支持体及び光受容部材 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP25291285A patent/JPS62113152A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187932A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS60225854A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-11 | Canon Inc | 光受容部材用の支持体及び光受容部材 |
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