JPS6254271A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光々どの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｒｎの発光波長
を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である
。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度全保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωα以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加え一５＝ てボロン原子とを特定の量範囲で層中に制御された形で
構造的に含有させる必要性があり、ために層形成に当っ
て各種条件を厳密にコントロールすることが要求される
等、光受容部材の設計についての許容度に可成りの制限
がある。そしてそうした設計上の許容度の問題をある程
度低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来
る様にする等して改善する提案がなされている。即ち、
例えば、特開昭５４−１．２１．７４３号公報、特開昭
５７−４．０５３号公報、特開昭５７−４１７２号公報
にみられるように光受容層を伝導特性の異なる層全積層
した二層以上の層構成として、光受容層内部に空乏層を
形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８号、同５２
１７９号、同５２１８０号、同５８１．５９号、同５８
１６０号、同５８１６１号の各公報にみられるように支
持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上部表面に
障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造含有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性のキ色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところと彦る。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長に力るにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点全図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射しだ光重。と上部界面６（１２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面６旧で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって、層の平均層厚ｉｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだλ らかに６以上の層厚差で不均一であると、反射光Ｒ１、
Ｒ２が２ｎｄ＝ｒｎλ（ｍは整数、反射光は強め合う）
と２ｎｄ−（ｍ＋”）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う
）の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量
および透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部材が第
７図に示すような、２若しくはそれ以上の層（多層）構
成のものであるものにおいては、それらの各層について
第６図に示すような干渉効果が起って、第７図に示すよ
う々状態となり、その結果、それぞれの干渉が相乗的に
作用し合って干渉縞模様を呈するところとなり、それが
そのま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞模様
に対応した干渉縞が転写、定着される可視画像に現出し
て不良画像をもたらしてしまうといった問題がある。

この問題全解消する策として、（ａ、）支持体表面をダ
イヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００ＯＯＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料全分散したりして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参
照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹
凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防ＩＩ：、
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報
参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がシが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てし壕う。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層全形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。

（ｅ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光■。は、光受容層８（１２の表面でその一部が反射
されて反射光Ｒ□となり、残りは、光受容層８（１２の
内部に進入して透過光■１となる。

透過光■１は、支持体８０１の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に□、Ｋ２、Ｋ３・・・となり
、残シが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出ては行くが、出射光Ｒ３は、
反射光Ｒ１と干渉する成分であっていずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８０１の
表面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたとこ
ろでかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを
生じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的に荒しても、第１
層９（１２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光
Ｒ１、支持体９０１での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面全規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１００１の表面の凹凸形状１
０（１３に沿って、光受容層１０（１２が堆積するため
、支持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１．０（１
２の凹凸の傾斜面とが１０（１３’、１．００４’で示
すように平行になる。

したがって、その部分では入射光は、２ｎｄ。

−ｍλまたは２ｎｄ１＝（ｍ＋１／２）λの関係が成立
ち、夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体で
は光受容層の層厚ｄ□、ｄ２、ｄ３、ｄ４λ の夫々の差の中の最大がへ以上である様な層厚の不均一
性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部層について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすること全目的とするものである。

す々わち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材全提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層重質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ノ・−フトーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることので
きる、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材全提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題全克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子丑たはスズ原子の少くともいずれか一方全含
有する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原
子と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種と全含有する非晶質材料で構成された
第二の層とを積層して有する光受容部材において、ショ
ートレンジ内に少くとも一対の非平行が界面を有し、該
非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向
に多数配列し、該非平行々界面が配列方向において各々
なめらかに連結していること全骨子とする光受容部材に
関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小々
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列せしめ、該非平行な界面全配列方
向において各々なめらかに連結せしめた場合、画像形成
時に現われる干渉縞模様の問題が解消されること、そし
て、その場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面
形状は、ショートレンジ内に形成される各層の層厚の管
理された不均一化、支持体と支持体上に直接設けられる
層との間の良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気
的接触性等を確保するために、正弦関数形状とすること
が望ましいというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材の層構成を示す模式
図であり、微小ななめらかが凹凸形状を有する支持体］
０１上に、その凹凸の傾斜面に沿って第一の層１（１２
と第二の層１（１３とを備えた光受容部材を示している
。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の第一の層と
第二の層の一部全拡大して示した図であり、第２（Ｂ）
図は同部分における明るさを示す図であシ、図中、２（
１２は第一の層、２（１３は第二の層、２０４は自由表
面、２０５は第一の層と第二の層との界面を示している
。第２（Ａ）図に示すごとく、第二の層２（１３０層厚
は、ショートレンジを内においてｄ２１からｄ４に連続
的に変化しているため、自由表面２０４と界面２０５と
は互いに異なる傾きを有している。したがって、このシ
ョートレンジを内に入射したレーザー光等の可干渉性光
は、該ンヨートレンジｔにおいて干渉をおこし、微小な
干渉縞模様が生成はする。

しかし、ショートレンジＬにおいて生ずる干渉縞は、シ
ョートレンジｔの大きさが照射光スポット径より小さい
、即ち、解像度限界より小さいため、画像に現われるこ
とはない。又、はとんどないことではあるが、仮に、画
像に現われる状況が生じたとしても肉眼の分解能以下な
ので、実質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し図中、３（１２は第一の層、３（１
３は第二の層、３０／１は自由表面、３０５は第一の層
３（１２と第二の層３（１３との界面を示す。）に示す
ように、第一の層３（１２と第二の層３（１３との界面
３０５と、自由表面３０４とが非平行である（第３（Ａ
）図参照）場合には、入射光Ｉ。に対する反射光Ｒ１と
出射光Ｒ３とはその進行方向が異なるため、界面３０５
と自由表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図参照）
場合に比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干渉が生
じても、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面が平行
な関係にある場合よりも、一対の界面が非平行な関係に
ある場合の方が干渉の度合が小さく々るため、干渉縞模
様の明暗の差が無視しうる程度に小さくなり、その結果
、入射光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２（
１３０層厚がマクロ的に不均一である場合、即ち、異な
る任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ２３、ｄ
工Ｊがｄ２３＼ｄ２４である場合であっても同様であっ
て、全層領域において入射する光量は第２（Ｄ）図に示
すように均一となる。

以上、支持体上に第一の層と第二の層とが積層されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材の第一
の層が多層構造を有している場合、例えば、第４図に示
すように支持体４０１上に、二つの構成層４（１２′と
４（１２“から構成される第一の層４（１２、および第
二の層４（１３を積層してなる場合であっても、入射光
■。に対して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ
５が存在するが、４（１２′、４（１２”および４（１
３の各層において、第３図によって説明したごとき入射
する光量が平均化される現象が生ずる。

その上、ショートレンジｌ内の各層の界面は、一種のス
リットとじて働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果と女るため、本発明の光受容部利において
は第一の層全構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉による影響を防１］二することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よりも微小々凹凸を有し、し
かも該凹凸がなめらかに連結しているものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その」二に
光受容層が形成されて々る光受容部材を、光受容層を通
過した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成
される画像が縞模様と々ること全効率的に防止し、優れ
た画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｔは、照射光のスポット径ｅＬ
とすれば、ｔくＬの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第
二の層とから表９、該第−の層は、シリコン原子と、ゲ
ルマニウム原子又ｄ：スズ原子の少々くともいずれか一
方とを含有するアモルファス材料で構成され、特に望ま
しくはシリコン原子（Ｓｉ）と、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）又はスズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方と
、水素原子（Ｈ）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともい
ずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　
ａ−Ｓｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ　）　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと表記す
る。〕で構成され、さらに必要に応じて伝導性を制御す
る物質を含有せしめるととができる。

そして、該第−の層は、多層構造を有することもちシ、
特に好′ましくは、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか、または／
及び、障壁層を構成層の１つとして有するものである。

また、前記第二の層は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを
含有するアモルファス材料で構成され、特に望ましくは
、シリコン原子（Ｓｉ）と、酸素原子（０）、炭素原子
（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも一
種と、水素原子（Ｔ−Ｉ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方とを含有するアモルファス材料〔
以下、ｒａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）（Ｔ−Ｔ、Ｘ）　Ｊ
と表記する。〕で構成される。

本発明の光受容部利においては、前述の表面形状を有す
る支持体と、該支持体」−に形成される光受容層とは密
接に関係する。即ち、本発明の光受容部利にあっては、
支持体上に、第一の層と第二の層と全積層して有し、さ
らに第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を
防止すること全目的として、第一の層の支持体側の端部
にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に
含有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の
層の支持体側の端部に伝導性を制御する物質全比較的多
量に含有する局在領域（す々わち、電荷阻止層）を形成
せしめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障
壁層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明
の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が
形成されることとなるが、本発明の光受容部材において
は、ショートレンジを内に少々くとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ショートレンジｔに於ける層厚の差、例えば前述の第
２（Ａ）図におけるｄ２□とｄ２□の差は、照射光の波
長をλとすると、次式二を満足することが望ましい。そ
して該層厚の差の上限は、好ましくは０．１μｍ〜２μ
ｍ１より好ましくは０．１μｍ　〜１．５　μｍ、最適
には０．２１ｔｍ〜１μｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジを内において、少くともいずれか２つの界面が
非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが、
この条件を満たす限りにおいて、平行々関係にある界面
が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にある
界面について、任意の２つの位置をとって、それらの位
置における層厚の差金Δｔとし、照射光の波長をλ、層
の屈折率をｎとした場合、次式：％式％ を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。

本発明の第一の層及び第二の層の作成についてば、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳１〜く説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部利
、１０１は支持体、１（１２は第一の層、１（１３は第
二の層、１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１旧は、その表面が
光受容部材に要求される解像力よりも微小ななめらかな
凹凸を有し、好捷しくけ該なめらか々凹凸が正弦関数形
線状突起にＪ：って形成されているものである。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイｌ−ｋフライス盤、旋盤等の切削加工機
械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望
に従って設計されたプログラムに従って回転させながら
規則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形
状、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸全中心にした螺旋構造を有す
る。この様な５構造の一例を第５図に示す。第５図にお
いてＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり
、Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造全導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−８ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層重質は大きく変化する。

従って、ａ−８ｉ　（Ｇ（４，Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）層の
層重質の低下を招来しない様に支持体表面に設けられる
々めらかな凹凸のディメンジョンを設定する必要がある
。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

」−記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件全検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、通常は０（１３μｍ〜
５００μｍ、好ましくは１μｍ〜２００μｍ１より好ま
しくは５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好１しくは０．］μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３１ｚｒｎ〜３μｍ、、最適には
０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面
の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四
部（又は線上突起部）の顛斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、より好甘しくけ３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とするのが望ましい。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、捷た電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｔ、Ｃ
ｒ、ＭＯ，Ａｕ、Ｎｂ５Ｔａ。

Ｖ、　Ｔｉ　、　Ｐｔ、　Ｐｂ　　等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理１７、該導電処理された表面側に光受容
層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ１、ｋ
ｌ　、、Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａ、＋１、■ｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ１Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　　Ｉｎ２Ｏ３、
ＳｎＯ２、■ＴＯ（■ｈ２（１３＋５ｎＯ２）等から成
る薄膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポ
リエステルフィルム等の合成肢」旨フィルムであれば、
ＮｉＣｒ　ＳＡｔ、　Ａｇ、Ｐｂ　。

Ｚｎ　、　Ｎｉ　５Ａｌｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、■ｒ１Ｎｂ、
Ｔａ、Ｖ、Ｔｔ、ｌ）を等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又
は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面
に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状であることができるが、用途、所
望によって、その形状は適宜に決めることのできるもの
である。例えば、第１図の光受容部材１００ヲ電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しう
る様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内で可能な限り薄くすることができる。しか１〜な
がら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点
から、通常は、１０μ以」−とされる。

第一の層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子及びスズ原子の
少々くともいずれか一方と、好ましくはさらに水素原子
及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有する
非晶質材料で構成された第一の層１（１２が積層されて
さらに、該第−の層１．（１２には、必要に応じて伝導
性を制御する物質を含有せしめることができ、伝導性を
制御する物質を比較的多量に含有する電荷注入用ＩＩ一
層又は／及び障壁層を、支持体側の端部に有することが
望脣しい。

本発明において、該第−の層に含有せしめることのでき
るノ・ロゲン原子としては、具体的には、フッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特に、フッ素及び塩素
が好ましいものとして挙げられる。そして、該第−の層
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量又は・・ロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（
Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０　ａｔｏｒｎｉ
ｃ　％、よシ好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　
％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とするのが望
ましい。

捷だ、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的全効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分々注意全仏う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、よシ好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子全含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
を光源とした場合に特に顕著である。

本発明における第一の層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領域に均一な分布状態
で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態で含有せ
しめるものである。

（ここで均一々分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平
行Ａ面方向において均一であり、第一の層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不拘−々分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、第
一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
第一の層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態と々
る様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
を極端に犬きくすることにより、半導体レーザ等の長波
長の光源を用いた場−請一 合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は層領域に
おいては殆んど吸収しきれない長波長の光を、光受容層
の支持体と接する構成層又は層領域において実質的に完
全に吸収されるため、支持体表面からの反射光による干
渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の第一の層においては、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を全層中に均一に分布せし
めることもでき、捷た層厚方向に連続的かつ不均一に分
布せしめることもできるが、以下、層厚方向の分布状態
の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例とし
て、第１１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔＴは支持体
側とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される第一の層はｔ、側よりも
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

−３４＝ 尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はその丑１の値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあく寸でも理解を容易に
するための説明のだめの模式的なものである。

第１Ｊ図には、第一の層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接
する界面位置ＬＢよりｔｌの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の直”を取り乍ら
ゲルマニウム原子が第一の層に含有され、位置ｔ１より
は濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至る寸で徐々に連続的に
減少されている。界面位置ｔ７においてはゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。

（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である。

） 第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置６より位置料に至るまで濃
度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置しにおいて濃度
Ｃ４となる様々分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２￥１：では
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置
とされ、位置ｔ２と位置ｔ、との間において、徐々に連
続的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質
的に零とされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至る丑で、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔ、に於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位置１Ｔとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置輝に至るまで減少されている
。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度Ｃ１゜まで−次
間数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢ　より位置ｔＴ
に至る捷で、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ□
１より一次関数的に減少されて、零に至っている。

第１８図においては、位置１．より位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１゜より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
、ｒとの間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例
が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ７に至る寸ではこの濃度０．４より初めはゆっくりと
減少され、Ｌ７の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ７では濃度Ｃ□５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ□６と々す、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置計〇において、濃度Ｃ１７に至る
。位置計〇と位置ｔ７との間においては濃度Ｃ４７より
′実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第一の層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つか全説明した様に、本発明の
光受容部制においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面ｔ、側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設けられ
ているのが望捷しい。

即ち、本発明における光受容部Ａ弓ヲ構成する第一の層
は、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子−３８＝ が比較的高濃度で含有されている局在領域を有するのが
望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１
Ｂより５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、」−記局在領域は、界面位置ｔＩｌより５μ厚
捷での全層領域とされる場合もあるし、又、核層領域の
一部とされる場合もある。

局在領域全層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ＣｍａＸが
シリコン原子に対して、好捷しくは１．０００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｒ
ｎｉｃ　ｐｐｒｎ以」−１最適には］、　Ｘ　１０’ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ以上とされる様な分布状態となり
得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（１Ｂから５μ層の層領域）に
分布濃度の最大値ＣｍａＸが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。

本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
法める必要があり、通常は１〜６×１０５ａｔＯ１０５
ａｔＯとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０”　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好ましくは１×１（１２〜
２×１０５ａｔＯ１０５ａｔＯとする。

本発明の光受容部材においては第一の層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性全制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ励伝導性を力える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ後原子」と称す
。）、が使用される。具体的には、第■族原子としては
、Ｂ（硼素）、ＡＡ　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａであ
る。また第Ｖ後原子としてはＰ（燐）、Ａｓ　（砒素）
、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙げるこ
とができるが、特に好ましい゛ものは、ｐ、ｓｂである
。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ後原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異々るところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、第一の層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ後原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
’−３〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、
好ましくは５　Ｘ　１０−２〜５×１（１２１（１２ａ
ｔｏ　ｐｐｒｎ　、最適にはＩ　Ｘ　１０　’〜２　Ｘ
　１０”ａｔｏｍｉｃｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ後原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ後原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ後原子
を含有する構成層あるいは第■族原子又は第Ｖ後原子を
高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第■族原子を含有せしめた場
合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される電子の移
動をより効率的に阻止することができ、又、第Ｖ後原子
を含有せしめた場合には、光受容層の自＝４２− 両表面が○極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から
光受容層中へ注入される正孔の移動をより効率的に阻止
することができる。そし−こ〜こうした場合の含有量は
比較的多量であって１、具体的には、３０〜５　Ｘ　１
０　　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ　、好ましくは５０〜１
．　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１×
１（１２〜５×１（１３ａｔＯ１（１３ａｔＯとする。

さらに、該電荷注入阻止層としての効果全効率的に奏す
るためには、第■族原子又は第Ｖ族原子全含有する支持
体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚２ｔとし、
光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ＜：０．４の関
係が成立することが望丑しく、より好ましくは該関係式
の値が０．３５以下、最適には０．３以下となるように
するのが望ましい。また、該層又は層領域の層厚ｔば、
一般的には３×１０−３〜１０μとするが、好ましくは
４．　Ｘ　１０　”〜８μ、最適には５　Ｘ　１０”−
３〜５μとするのが望ましい。

次に第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から第二の層側に向って減少し、第二の層との界面
伺近においては、比較的少量となるかあるいは実質的に
ゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布
させる場合の典型的例のいくつかを、第２０図乃至第２
８図によって説明するが、本発明はこれらの例によって
限定されるものでは々い。各図において、横軸は第■族
原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の
層厚を示し、ｔＢは支持体と第一の層との界面位置を、
１Ｔは第一の層と第二の層との界面位置を示す。

第２０図は、第一の層中に含有せしめる第■族原子又は
第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示し
ている。該層では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
る第一の層と支持体表面とが接する界面位置１Ｂより位
置１．１では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
が０１なる一定値をとり、位置ｔ１より第二の層との界
面位置ｔ、までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、界面位置ｔＴにお
いては第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが（１３
となる。

第２１図は、他の典型例の１つを示している。

該層では、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置科にいたる壕
で、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔ、ｒにおいて
濃度Ｃ５となる。

第２２図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは第
■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一
定値を保ち、位置ｔ２から位置しにいたるまでは、第■
族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々
に連続的に減少して位置１Ｔにおいては第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、
ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合をいう
。

第２３図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは位置−より位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ８
から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては第■族
原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる
。

第２４図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ１１より位置Ｌ３の間においては濃
度Ｃ９の一定値にあシ、位置ｔ３から位置ｔ、の間にお
いては、濃度Ｃ９から濃度ｃｉｏ　となるまで、−次間
数的に減少する。

第２５図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ□より位置ｔ４にいたるまでは濃度
Ｃ１）の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔＴｉでは濃
度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで一次関数的に減少す
る。

第２６図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔ８から位置１Ｔにいたるまで
、濃度Ｃ１４から実質的にゼロと々るまで一次関数的に
減少する。

第２７図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ１１から位置ｔ５にいたるまで濃度
Ｃ１５から濃度Ｃ１６となる丑で一次関数的に減少し、
位置ｔＢから位置輝までは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第２８図に示す例では、第■族原子又は第■族
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１□であ
り、位置ｔｌ＋から位置上〇までは濃度Ｃ１□からはじ
めはゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し
、位置ｔ６では濃度ｃ１８となる。次に、位置ｔ６から
位置ｔ７−１でははじめのうちは急激に減少し、その後
は緩かに徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ１９
となる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっく
りと徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２ｏとなる
。丑た更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃
度Ｃ２ｏから実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第２０図〜第２８図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、第二の層との界面側においては、
該分布濃度Ｃがかなシ低い濃度の部分あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体
側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が
比較的高濃度である局在領域を設けること、好捷しくけ
該局在領域全支持体表面と接触する界面位置から５μ以
内に設けることにより、第■族原子又Ｕ：第Ｖ族原子の
分布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成
するという前述の作用効果がより一層効率的に奏される
。

以」二、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について
、個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達
成しうる特性を有する光受容部材を得るについては、こ
れらの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および第一
の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、
必要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは
、いう寸でもない。例えば、第一の層の支持体側の端部
に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の
第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を
制御する物質の極性とは別の極性の伝導性全制御する物
質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を
制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量よすも
一段と少ない量にして含有ぜしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｔ２（１３．５ｊＯ２，８１３Ｎ４　
等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気
絶縁材料を挙げることができる。

第二の層 本発明の光受容部層の第二の層１（１３は、上述の第一
の層１．（１２上に設けられ、自由表面１．０４．　ｋ
有する層、す々わぢ表面層であり、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少々くとも一種全均一な
分布状態で含有するアモルフ７　、Ｚ、　’／　＋）　
コア　［：以下、ｒ　ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ
，Ｘ）　ｊと表記する。〕で構成されている。

本発明の光受容部材に第二の層１（１３ヲ設ける目的は
、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、および耐久性等を向上させることにあり、これ
らの目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種を含有せしめることにより達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１（１２
と第二の層１（１３全構成するアモルファス材料の各々
が、シリコン原子という共通した構成原子を有している
ので、第一の層１（１２と第二の層１（１３との界面に
おいて化学的安定性が確保できる。

第二の層１（１３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を均一な分布状態で
含有せしめるものであるが、これらの原子の含有せしめ
る量の増加に伴って、前述の諸物件は向上する。しかし
、多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、これらの原子の含有量
は、通常０．００１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、好才し
くは一５〇− １〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜８０　ａ
ｔｏｍｉｃ　％とする。

第二の層にも水素原子又はノ・ロゲン原子の少なくとも
いずれか一方全含有せしめることが望ましく、第二の層
中に含有せしめる水素原子（田の量、又は）・ロゲン原
子（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の量の
和（ＨＸＸ）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好捷
しくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃチ、最適には５〜２５　
ａｔｏｍｉｃ　％とする。

第二の層１（１３は、所望通シの特性が得られるように
注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、お
よび酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
少なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及び
ノ・ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の
含有量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態か
ら非晶質状悪才で全とシ、電気的物性は導電性から、半
導電性、絶縁性捷で全、さらに光電的性質は光導電的性
質から非光導電的性質丑で全、各々示すため、目的に応
じた所望の特性を有する第二の層１（１３ヲ形成しうる
ように、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが
重要である。

例えば、第二の層１（１３ヲ電気的耐圧性の向上を主た
る目的として設ける場合には、第二の層１（１３ヲ構成
する非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動
の顕著なものとして形成する。又、第二の層１（１３全
連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的
として設ける場合には、第二の層１（１３を構成する非
晶質利料は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和
するが、照射する光に対しである程度の感度全有するも
のとして形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、・・ロゲ
ン原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される
特性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必
要がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要もある。こうしたことから、
第二の層の層厚は通常は３　Ｘ　１．０　’〜３０μと
するが、より好１しくは４、　Ｘ　１０’−３〜２０μ
、特に好ましくは５　Ｘ　１０　”〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総て全解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像全
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く０．丑だ、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的側圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に、本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング訓、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象全利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材全製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　　で構
成される第一の層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ
）を供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム
原子（Ｇｅ）　ｆｆｉ供給しうるＧｅ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　ｆ
ｆｉ供給しうる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）供給用の原料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内
に所望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電
を生起せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支
持体表面上に、ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される
層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、５
ＩＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓ　１４　Ｈ□。等
のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン＠〕
が挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点から、ＳｉＨ４およびＳ１□Ｈ６が
好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなシうる物質として
は、Ｇｅｍ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８、Ｇｅ　４Ｈ１
０％Ｇｅ５Ｈ１゜、Ｑｅ　ａ　Ｈｌ４、Ｇｅ７Ｈ１６、
Ｇｅ８Ｈ１８、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス化
しうる水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点がら、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧｅ３Ｈ８が好
ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原オ・ｌガスとなりう
る物質としては、多くのハロゲン化合物があシ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化しうるハロゲン化合物を用いることができる。具体的
には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、１
３ｒＴｉ’　、　ＣｔＦ　％　”Ｆ３、ＢｒＦａ　、Ｂ
ｒｐ５、■Ｆ３、■Ｆ７、Ｉｃｔ、　　ＩＢｒ等のハロ
ゲン間化合物、および５１Ｆ４、Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣｔ
４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が好丑しいものと
して挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓｉ原子供給川用別ガス
としての水素化硅素ガス全使用することなく、所定の支
持体」二にハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成され
る層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて第一の贋金形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料と々る水素化ゲルマニウムとＡｒ、
ｌ−１２、Ｈｅ等のガスとに％定の混合比とガス流量に
なるようにして堆積室に導入し、グロー放電ケ生起１−
でこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより
、支持体上に第一の層を形成するものであるが、電気的
あるいは光電的特性の制御という点で極めて有効である
ところの水素原子（■（）の含有量の制御を一層容易に
するためには、これ等のガスに更に水素原子供給用の原
料ガスを混合することもできる。該水素原子供給用のガ
スとしては、水素ガスあるいは、５ｌｒｒ、、Ｓｉ２■
６、Ｓ１３■８、ｓ　ｉ　、Ｈｌ。

等の水素化硅素のガスが用いられる。また、水素原子供
給用ガスとして、ＩＮＦ、Ｔ−ＴＣｌ　、　ＨＢｒ　、
ＨＩ等ノハロゲン化物、５ｊＨ２Ｆ２．５ＪＩ（２■２
、ｓＪ丁■２ｃｔ２．５ｉＨＣｔ３．５ＩＨ２Ｂｒ２．
５ｊＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態
のあるいはガス化しうるものを用いた場合には、ハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入され
るので、有効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で
構成される第一の層を形成するには、シリコンから成る
ターゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二
枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるター
ゲットヲ用い、これ等全所望のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて第一の贋金形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボー　１−に収容し、この蒸発源を抵抗
加熱法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等
によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過ぜしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にノ・ロゲン原子を含有せ
しめるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガス全堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気全形成すればよい。又、水素原子を導入する
場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類全スパッタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ノ・ロゲン化物或いは・・ロゲンを含む硅素化合物が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＩＴＣ
ｔ、　ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２
．５ＩＨ２■２．５ｉＨ２Ｃｔ２．５ＩＨＣ６３，５ｉ
Ｈ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等ノハロケン置換水素化硅素
、およびＧｅｌ−］ｌＦ３、ＧｅＨ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ
１ＧｅＨＣｔ３、ＧｅＨ２Ｃｔ２、ＧｅＨ３Ｃｔ１Ｇｅ
■■ｌ３ｒ３、Ｇｅｍ２Ｂｒ２、Ｇｅｍ３Ｂｒ　、Ｇｅ
ＨＩ３、ＧｅＨ２丁２、ＧｅＨ３■等の水素化ハロゲン
化ゲルマニウム等、ＧｅＴｉ’４、ＧｅＣｌ４、ＧｅＢ
ｒ４、Ｇｅｌ４、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、
Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の
又はガス化しうる物質も有効な出発物質とｌ〜で使用で
きる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０ａｔＯ
ｍｉＣ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
　％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とするの
が望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、　ｒ　ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表
記する。）で構成される光受容層全形成するには、上述
のａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（
Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中
へのその量全制御しながら含有せしめることによって行
なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（５ｎＩ−Ｉ４）やＳｎＦ、、、
５ｎＦＳｎＣｔ２．５ｎＣｚ、、Ｓ１〕Ｂｒ２、ＳｎＢ
ｒ４、ＳｂＩ３、Ｓ ＳｎＩ２等のハロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化
しうるものを用いることができ、ハロゲン化スズを用い
る場合には、所定の支持体上にハロゲン原子を含有する
ａ−８１で構成される層を形成することができるので、
特に有効である。

ガかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の
良さ等の点から、Ｓ　ｎＣＺ　４が好ましい。

そＩ〜て、５ｎＣｔ４にスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、固体状
の５ｎｅｔ４に加熱するとともに、Ａｒ。

Ｉ−Ｉｅ等の不活性ガス全欧き込み、該不活性ガスを用
いてノぐブリングするのが望壕しく、こうして生成した
ガスを、内部全減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態
で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、酸素原子、炭素原子、窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルファスシ
リコン、即ち、ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構
成される第二の層１（１３を形成するには、ａ−８ｉ　
（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質を使用し
て、上述の原子（０，Ｃ，Ｎ）　’（ｉｒ含むａ−８ｉ
Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　　５ｊＳｎ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される第一の層を形成する場合と同様にして行
なう。

例えば、酸素原子を含有する第二の贋金グロー放電法に
よシ形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）　ｋ構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）全構成原子とする原
料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及び・・ロ
ゲン原子（ｘ）　ｉ構成原子とする原料ガスと全所望の
混合比で混合して使用するか、又は、シリコン原子（ｓ
ｉ）　　ｉ構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）
及び水素原子（Ｈ）　ｋ構成原子とする原料ガスとを、
−６２＝ これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン
原子（Ｓ　ｉ　）’に構成原子とする原料ガスと、シリ
コン原子（Ｓｉ）、酸素原子（０）及び水素原子０（）
の３つ全構成原子とする原料ガスを混合して使用するこ
とができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
全構成原子とする原料ガスに酸素原子（０’）　’ｅ構
成原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
全構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質全ガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０□）、オゾン（（１３）、−酸化窒素（ＮＯ）
　、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、
三二酸化窒素（Ｎ２（１３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４
）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎ（１３
）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシＯキサ７　（
Ｈ３ＳｉＯＳｊＨ３）　％　　トリジｌ：＋　キ”ｊ−
７（Ｈ３ＳｉＯ８ＩＨ２０ＳＩＨ３）等の低級シロキサ
ン等を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する贋金形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又はＳｉ
Ｏ２ウェーハ、又はＳｌとＳｉＯ□が混合されて含有さ
れているウェーハ全ターゲットとして、これ等を種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１（１２とは別々のターゲットと
して、又はＳｌと５ｊＯ２の混合した一つのターゲット
を使用することによって、スパッタリング用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（■
（）又は／及びハロゲン原子（ｘ）全構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子全含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法によＱ形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと
、炭素原子（Ｃ）　ｆｆｉ構成原子とする原オ゛１ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）　ｅ構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又はシリコン原子（Ｓｉ）　’
ｅ構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素
原子（Ｈ）を構成原イとする原料ガスとを、これも又所
望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）
　ｋ構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）
　、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）　ｋ構成原子と
する原料ガス全混合するか、更にまた、シリコン原子（
Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）　ｆｆｉ構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）　ｅ構成原子とする原料ガス全混
合して使用する。

このよう々原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ＩＨ４，５ｉ２Ｉ（い５ｉ３
Ｉ（８，５ｉ４Ｈ１ｏ等のシラン（５ｉｔａｎｅ　）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、１１−
フ゛タン（ｎ　−Ｃ４Ｈ，ｏ）、ペンタン（Ｃ５■（１
□）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２■
４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８
）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８
）、ペンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ）、アセチレン系炭化水素と
しては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（
Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４１Ｆ−Ｉ６）等が挙げられる
。

ＳｉとＣと■とを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨ３）い　Ｓｉ　（Ｃ，Ｊ−Ｉ５）４等のケイ化
アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他
、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｌウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又は３ｉ
とＣが混合されて含有されているウェーハをターゲット
とじて、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行う。

例えばＳｌウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｉ−
Ｉｅ等の希釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して
Ｓｌウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとじて使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマ全形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。

更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）　　ｆｆｉ構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（Ｎ）　’に構成原子とする原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原
子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）　ｋ
構成原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原
子（川を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の
混合比で混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原ｔ１ガスに窒素原子（Ｎ）　ｉ構成
原子とする原ｔ１ガス全混合して使用してもよい。

その様々窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質全ガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。

窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）
、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等の窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。こ
の他に、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２
）等のノ・ロゲン化窒素化合物を挙げることができ、こ
れらのノ・ロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もでき
る。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウェーハ又は
５ｊ３Ｎ４ウエーハ、又はＳｉとＳｉ３Ｎ４が混合され
て含有されているウェーハ全ターゲットとじて、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行えばよい。

例えば、Ｓｊウニ〜ハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハｆ
　スパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｊとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
ト全使用することによって、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
１丁）父は／及びハロゲン原子（Ｘ）　”を構成原子と
して含有するガス雰囲気＝７０− 中でスパッタリングすることによって成される。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効々ガスとして使用
できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
シ行われる。

捷た、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、第一の層および
第二の層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によ
っても異なることもあることから、含有せしめる原子の
種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要
もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から々る第二の層を形成する
場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが
、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内のガ
ス圧は、通常０．０１〜ＩＴｏｒｒとするが、特に好ま
しくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。捷た、放電パ
ワーは０．００５〜５０Ｗ／Ｃｎｌとするのが通常であ
るが、より好ましくは０．０１〜３０ｗ／ｃａ　、特に
好ましくは帆０１〜２０Ｗ／ｃｎｌとする。

ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる第一の贋金形成する
場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめ
たａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の贋金形成する
場合については、支持体温度は、通常５０〜３５０℃と
するが、より好ましくは５０〜３００℃、特に好ましく
は１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガス圧
は、通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好ましくは
、０．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは０．
１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。捷だ、放電パワーは０．００
５〜５０　Ｗ／ａｉとするのが通常であるが、好ましく
は０．０１〜３０Ｗ／♂とし、特に好ましくは０．０１
〜２０Ｗ／ｃｔｎ２とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面を
有するように形成されていることが必要であり、そのた
めに支持体上に形については、成膜操作中、放電パワー
、ガス圧全比較的高く保つことによって行われる。そし
てそれらの放電パワー、ガス圧は、使用ガスの種類、支
持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等によって
異り、これらの種々の条件を考慮して決定される。

ところで、本発明の第一の層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
全均一とするか、あるいは第二の贋金形成するためには
、該第−の層又は第二の層を形成するに際して、前記の
諸条件全二定に保つことが必要である。

また、本発明において、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子父は／及びスズ原子、
あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する層を
形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば、ゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガフ４− スの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望の変化率
に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ
形成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体的
には、例えば手動あるいは外部１駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の途中に
設けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させ
る操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型で
ある必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線全行ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化
させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グロ
ー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原子又は
スズ原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質をガス状態で使用し、該ガス全堆積室内へ導入す
る際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容贋金グロー放電法を用いて
形成した。第２９図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２９（１２．２９（１３．２９０４．２９０５．
２９０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
る□ための原料ガスが密封されており、その１例として
、たとえば、２９（１２は５ＩＦ４ガス（純度９９．９
９９％）ボンベ、２９（１３はＨ２で稀釈されたＢ２■
■６ガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ，２
と略す。）ボンベ、２９０４はＣＨ４ガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、２９０５はＧｅＦ４ガス（純度９９
．９９９％）ボンベ、２９０６は不活性ガス（Ｈｅ　）
ボンベである。そして、２９０６’はＳ　ｎＣＺ、ｉが
入った密閉容器である。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９（１２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６
、リークバルブ２９３５が閉じられていることを確認し
又、流入バルブ２９１２〜２９１６、流出バルブ２９１
７〜２９２１、補助バルブ２９３２．２９３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２９３４　ｋ
開いて反応室２９０１、ガス配管内全排気する。次に真
空Ａｔシリンダー２９３７上に第一の層及び第二の層を
形成する場合の１例を以下に記載する。

１ず、ガスボンベ２９（１２よりＳｉＦ４ガス、ガスボ
ンベ２９（１３よりＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス、ガスボンベ２
９０５よりＧｅＦ４ガスの夫々をバルブ２９２２．２９
２３．２９２５全開いて出（］圧ゲージ２９２７．２９
２８．２９３０の圧を１．　Ｋｇ　／　ｃｍ２に調整し
、流入パルプ２９】２．２９１３．２９１５　ｅ　徐々
ニ開いて、マスフロコントローラ２９０７．２９０８．
２９１０内に流入させる。引き続いて流出バルブ２９１
７．２９１８．２９２０、補助バルブ２９３２　ｋ徐々
に開いてガス全反応室２９旧内に流入させる。このとき
のＳｉＦ４ガス流量、ＧｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｔ
−Ｉ、、ガス流量の比が所望の値になるように流出バル
ブ２９１７．２９］８．２９２０　　を調整し、又、反
応室２９０］内の圧力が所望の値になるように真空計２
９３６の読みを見ながらメインバルブ２９３４の開口を
調整する。そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱
ヒーター２９３８により５０〜４００℃の範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源２９４０を所
望の電力に設定して反応室２９０１内にグロー放電を生
起せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せ
ず）を用いて、あらかじめ設計された流量変化率線に従
って、ＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｔ−（６／
Ｈ２ガスのガス流量を制御し女から、基体シリンダー２
９３７上に先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子及び
硼素原子全含有する第一の層を形成する。

上記と同様の操作により、第一の層」二に第二の贋金形
成するには、例えばＳｉＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫
々全、必要に応じて］（ｅ　、　Ａ、ｒ　、　Ｈ２等の
稀釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で反応室２９０１
内に流入し、所望の条件に従って、グア８− ロー放電を生起せしめることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることば言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２９０］内、流出バルブ２９１７〜２９２］から反応室
２９０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２９１７〜２９２１を閉じ補助バルブ
２９３２．２９３３全開いてメインバルブ２（１３４　
’ｆｆ：全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣｔ４全出発物質としたガスを
用いる場合には、２９０６’に入れられた固体状５ｎＣ
１４ｆ加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎＣｔ４中に、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボンベ
２９０６よりＡｒ５Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バ
ブリングする。発生した５ｎＣｔ４のガスは、前述の５
ｉｌｉ”４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス
等と同様の手順によシ反応室内に流入させる。

実施例】 支持体として、シリンダー状Ａｔ基体（長さ３５７ｍｍ
、径８Ｑｍｍ）に第５図（ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示
すよう々旋盤加工を施して得た第１Ａ表上欄に示すもの
を使用した。なお、第５（Ａ）図はＡｔ支持体の全体図
であり、第５（Ｂ）図はその部分拡大断面図である。

次に、該Ａｔ支持体（試料溜１０］〜１０８）上に、以
下の第１Ｂ表に示す条件で、第２９図に示した製造装置
によシ光受容層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容
層の表面ば、支持体の表面に対して非平行となっており
、微小部分における層厚差は第１Ａ表中欄に示すとおり
となっていた。また、光受容層のＡｔ支持体の中央と両
端とでの平均層厚の差は２．２μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、第３０図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０　ｎｍ　、スポット径
８０μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現
像、転写を行なって画像を得た。

得られた画像の干渉縞模様の発生状況は第１Ａ表下欄に
示すとおりであつ、た。

なお、第３０　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第３０　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、３００１は光受
容部材、３０（１２は半導体レーザー、３０（１３はｆ
θレンズ、３００４はポリゴンミラーを示している。

比較例１ 比較実験として、実施例１の光受容部材を作成した際に
使用したＡ７支持体に代えて、サンドブラスト法により
Ａｔ支持体の表面ｔｍ面化したＡｔ支持体を採用したほ
かは前述の実施例１の高周波電力２５０〜３００Ｗで作
製した光受容部材と全く同様の方法で光受容部材を作成
した。

この際のサンドブラスト法によシ表面粗面化処理したＡ
ｔ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１．８μｍであることが判
明した。

この比較例光受容部材を実施例１で用いた第３０図の装
置に取り付けて、同様の画像形成を行なったところ、全
面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

比較例２ 実施例】と同一の表面形状を有するＡｔ支持体上に、第
一の層の形成時における放電電力をいずれも４０Ｗとし
た以外はすべて実施例１と同様にして光受容層を形成し
た。

得られた光受容部材の各々について、それらの光受容層
を実施例１と同様にして測定したところ、いずれも第３
１図に示す様に、第二の層の表面は支持体の表面に対し
て平行になっていた。またＡｔ支持体の中央と両端部と
で光受容層の層厚の差は平均］、　Ｉｔｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成全行なったところ、得られた画像には実用には適
さない干渉縞の発生が観察された。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層全形成した
以外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試刺茄
１０１〜１０８）上に光受容層を形成した。尚、第一の
層形成時におけるＧｅＦ４ガス及びＳｉＦ４ガス流量の
変化は、各々第３２図及び第３３図に示す流量変化線に
従って、マイクロコンピュータ−制御によシ、自動的に
調整した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で微
小部分の層厚差全測定したところ第２Ａ表中欄の結果を
得た。光受容層のシリンダーの中央と両端での平均層厚
の差は２．３μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像における干渉
縞発生状況は、第２Ａ表下８６一 実施例３ 実施例１と同様にして第３Ｂ表に示す層形成条件で、Ａ
ｔ支持体（試別Ａ　１０１〜１０８）上に光受容層全形
成した。

こうして得られた光受容部材について実施例１と同様な
方法で微小部分の層厚差全測定したところ第３Ａ表中欄
の結果を得た。また、光受容層のＡｔ支持体の中火と両
端とでの平均層厚の差は、２．３１ｚｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行庁ったところ、第３Ａ表下欄に示すとおり
の干渉縞の発生状況であつ実施例４ 実施例１と同様にして第４Ｂ表に示す層形成条件で、Ａ
２支持体（試料扁１０１〜１０８）上に、光受容層を形
成した。

得られた光受容部材について実施例１と同様な方法で微
小部分の層厚差全測定したところ第４Ａ表中欄の結果を
得た。また、光受容層のＡｔ支持体の中央と両端とでの
平均層厚の差は２．１μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像における干渉
縞発生状況は、第４Ａ表下実施例５ 第５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試月茄
１（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際第
−の層形成時におけるＨ２ガス及びＰ■１３／Ｉ−■２
ガスのガス流量は各々第３４図および第３５図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンビコーーター制御によ
り、自動的に調整し７た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好々結
果が得られた。

実施例６ 第６表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料茄
１（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際Ｇ
ｅＦガス、ＳｉＦガス、Ｈ２ソＪス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２
ガスのガス流量は各々第３６図、第３７図、第３８図お
よび第３９図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコ
ンピュータ−制御により、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

９７一 実施例７ 第７表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体（試料５１
（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を打力っだところ、実施例］と同様の良好な結
果が得られた。

９９一 実施例８ 第８表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料篇
１（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際第
−の層の形成時におけるＧｅＨ４ガス、ＳｉＨ４ガス及
びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量は各々第４０図、第４
１図および第４２図に示す流量変化曲線に従って、マイ
クロコンピュータ−制御により、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成全行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

−１，０１，− 実施例９ 第９表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料溜
１（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際第
−の層の形成時におけるＳｉ■■４ガス、ＧｅＦ４ガス
及びＢ１１（６／Ｈ２ガスのガス流量は各々第４３図、
第４４図および第４２図に示す流量変化曲線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整した
。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例実施例］０ 第１０表に示す層形成条件に従って光受容層全形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料
溜１（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際
第−の層の形成時におけるＢ２Ｈ６／Ｈ２・ガスのガス
流量は第４５図に示す流量変化曲線に従って、マイクロ
コンピュータ−制御により、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成全行力っだところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

−１，０５− 実施例１１ 第１１表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（試料
篇１（１３〜１０６）上に光受容層を形成した。この際
第−の層の形成時におけるＳｉＨ４ガス、ＧｅＨ４ガス
（又は５ｎＣ７４／Ｈｅガス）及びＢ２Ｈ６／４（２ガ
スのガス流量は各々第４６図、第４７図および第４８図
に示す流量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−
制御によシ、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総て全解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光全光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておｐ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−フト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成全模式的に示し
た図であシ、第２乃至４図は、本発明の光受容部材にお
ける干渉縞の発生の防止の原理全説明するための部分拡
大図であり、第２図は、自由表面と第一の層と第二の層
の界面とが非平行な場合に干渉縞の発生が防止しうろこ
とを示す図、第３図は、支持体上に設けられる構成層各
層の界面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度を比較する図、第４図は、第一の層を構成する層が
二以」二の多層である場合における干渉縞の発生の防止
全説明する図である。第５図は、本発明の光受容部材の
支持体の表面形状の典型例を示す図である。第６乃至１
０図は、従来の光受容部材における干渉縞の発生を説明
する図であって、第６図は、光受容層における干渉縞の
発生、第７図は、多層構成の光受容層における干渉縞の
発生、第８図は、散乱光による干渉縞の発生、第９図は
、多層構成の光受容層における散乱光による干渉縞の発
生、第１０図は、光受容層の構成層各層の界面が平行で
ある場合の干渉縞の発生全容々示している。第１１〜１
９図は、本発明の第一の層中におけるゲルマニウム原子
又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図であシ、
第２０〜２８図は、本発明の第一の層中における第■族
原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態を表わす図で
あり、各図において、縦軸は第一の層の層厚を示し、横
軸は各原子の分布濃度を表わしている。第２９図は、本
発明の光受容部材の第一の層及び第二の贋金製造するた
めの装置の一例で、グロー放電法による製造装置の模式
的説明図である。第３０図は、レーザー光による画像露
光装置を説明する図である。第３１図は、自由表面と支
持体の表面が平行である光受容部材を模式的に示した図
である。第３２乃至４８図は、本発明の第一の層形成に
おけるガス流量の変化状態を示す図であシ、縦軸は第一
の層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第４図及び第３１図について、１００・・・光
受容部材　　　１０１・・・支持体１（１２．２（１２
．３（１２．４（１２・・・第一の層１（１３．２（１
３．３（１３．４（１３・・・第二の層４（１２′、４
（１２″・・・第一の層を構成する層１０４．２０４．
３０４・・・自由表面２０５．３０５・・・第一の層と
第二の層との界面第６乃至１０図について、６０１・・
・下部界面　　６（１２・・・上部界面７０１・・・支
持体　　　７（１２．７（１３・・・光受容層８０１・
・・支持体　　　８（１２・・・光受容層９０１・・・
支持体　９（１２・・・第１層　９（１３・・・第２層
１００１・・・支持体　　　　］０（１２・・・光受容
層１０（１３・・・支持体表面　　１００４・・・光受
容層表面第２９図において、 ２９０１・・・反応室２９（１２〜２９０６・・・ガス
ボンベ２９０６’・＝　５ｎＣｔ４用密閉容器２９０７
〜２９１１・・・マスフロコントローラ２９１２〜２９
１６・・・流入パル プ２９１７〜２９２１・・・流出パル プ２９２２〜２９２６・・・バ　ル　 プ２９２７〜２９３１・・・圧力調整 器２９３２．２９３３・・・補助パル プ２９３４・・・メインパルプ　　２９３５・・・リー
クパルプ２９３６・・・真空計　　　２９３７・・基体
シリンダー２９３８・・・加熱ヒーター　　２９３９・
・・モーター２９４０・・・高周波電源 第３０図において ３００１・・・光受容部材　　３０（１２・・・半導体
レーザー３０（１３・・・ｆθレンズ　　３００４・・
・ポリゴンミラー図面の浄書（内容に変更なし ））第３図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）（Ｃ） Ｒ 位置 第４図 第５図 位置 第７図 位置 第１０図 ＫＬｉｔＴ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 □Ｃ 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 第２２図 トｒ　　　　　　　− 第２５図 区　　　　　　　　区 りト （Ｎσ］ Ｏ○ 沫 第３０図 第３２図 μｍ ＧｅＦ４ガス 第３３図 ＳｉＦ＋ガス Ｈ２ガス 第３５図 ＰＨ３／Ｈ２ガス 第３６図 ＧｅＦ４ガス 第３７図 ＳｉＦ４ガス 第３８図 μｍ ３００　　　ＳＣＣＭ Ｈ２ガス 第３９図 ３００　　　　　Ｓ　ＣＣＭ ８２）（ａ／Ｈ２ガス 第４０図 ６ｍ Ｇ　ｅ　Ｈ４ガス 第４１図 ＳｉＨ４ガス 第４２図 Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス 第４３図 ２００　　　３００　　３８０　　　ＳＣＣＭＳｉＨ４
ガス 第４４図 ＧｅＦ４ガス 第４５図 ９５０　　　　　ＳＣＣＭ Ｂ２Ｈ６／Ｈ□ガス 第４６図 μｍ ＳｉＨ４ガス ＧｅＨ４ガス 又は ５ｎＣ１＜／Ｈｅガス 第４８図 μｍ ２００　　　　　　ＳＣＣＭ Ｂ　２　Ｈ６／　Ｈ２ガス ６、補正の対象 手　　続　　補　　正　　書　（方　式）％式％ ■　事件の表示 昭和６０年特許願第１９３１５４　号 ２　発明の名称 光　　受　　容　　部　　材 ３　補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 性　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）ギヤノン株式会社 ４代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル 羊　縛　鋪　正　祖 明ａｌ■および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添イ」シた明細書および図面の浄書・別紙
のとおり（内容に変更なし） 以　　」二 Ｅｎソし↑用」Ｊ−Ｔｉ 昭和６０年１１月１５日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１９３１５４号 ２、発明の名称 光　　受　　容　　部　　材 ３　補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 性　所　　東京都太田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）　　キャノン株式会社４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ５、補正命令の日向　　　　自　　　発６、補正の対象 図面の記載 ７、補正の内容 １１図　面 第４図を別添のとおりに訂正する。 以　　」二

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
   質材料で構成された第一の層と、シリコン原子と、酸素
   原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くと
   も一種とを含有する非晶質材料で構成された第二の層と
   を有する光受容部材であつて、ショートレンジ内に少く
   とも一対の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚
   方向と垂直な面内の少くとも一方向に多数配列し、該非
   平行な界面が配列方向において各々なめらかに連結して
   いることを特徴とする光受容部材。
2. （２）第二の層が、シリコン原子と、酸素原子、炭素原
   子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを均一
   な分布状態で含有する非晶質材料で構成された特許請求
   の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
3. （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。
5. （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（４）項に記載の光受容部材。
6. （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
7. （７）非平行な界面の配列が規則的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）非平行な界面の配列が周期的である特許請求の範
   囲第（１）項に記載の光受容部材。
9. （９）ショートレンジが０．３〜５００μである特許請
   求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
10. （１０）非平行な界面は、支持体の表面に設けられた規
    則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成され
    ている特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
11. （１１）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によ
    つて形成されている特許請求の範囲第（１０）項に記載
    の光受容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（
    １）項に記載の光受容部材。
13. （１３）正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於い
    て螺線構造を有する特許請求の範囲第（１２）項に記載
    の光受容部材。
14. （１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
    範囲第（１３）項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている特許請求の範囲第（１１）項に記載の
    光受容部材。
16. （１６）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿つている特許請求の範囲第（１５）項
    に記載の光受容部材。
17. （１７）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
    の範囲第（１０）項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１７）項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第（１０）項
    に記載の光受容部材。