JPS6289064A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法で（は、レーザ
ーとして、小型で安価なＨｅ−Ｎｅ　レーザーあるいは
半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｒｎの発光波
長を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的であ
る。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒ　ａ−８ｉ　Ｊと略記する
）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０″２Ωの以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に層形成に当って各種条件を厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度を
有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号公
報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４２１
７号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異なる
層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部に
空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８号
、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号、
同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられるよ
うに支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上部
表面に障壁層を設けた多層構造としたり１．て、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射１−で来る反射光の夫々が
干渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００Ｘ〜±１ｏｏｏｏ　Ｘ
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭
５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム
支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂
中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公
報参照）、（ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のア
ルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微
細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参
照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。

（ｃ’）の方法については、例えば入射光についてみれ
ば光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり
、残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透
過光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱さ
れて拡散光となり、残シが正反射されて反射光となり、
その一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光
は、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留
するため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がうンダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも犬である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。

ところで、表面層の層厚が不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。

こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸量ωを排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ちる、ａ　−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受容
部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマツチング性に優れ、且つ光
応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにちる。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、シリコン原子
と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一種とを含有する非晶質材料で構成された表
面層とを有する光受容層を備えた光受容部材であって、
前記支持体表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状
を有してなることを骨子とする光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、以下に記述するところである。

即ち、支持体上に表面層と感光層とを有する光受容層を
備えた光受容部材にあっては、表面層と感光層との界面
において、表面層の有する光学的バンドギャップと、該
表面層が直接設けられる感光層の有する光学的バンドギ
ャップとが整合するように構成した場合、表面層と感光
層との界面における入射光の反射が防止され、表面層の
形成時における層厚むら又は／及び表面層の摩耗による
層厚むらによってもたらされるところの干渉模様や感度
むらの問題が解消されるというものである。

また、支持体上に複数の層を有する光受容部材において
、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設けることにより、画像形成時に現われる干渉縞模様の
問題が解消されるというものである。

ところで、後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実
験により得た事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、感光層１０２と表面層１０３とを備えた光受容部
材を示している。

第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、３０１は感光層、
３０２は表面層、３０３は自由表面、３０４は感光層と
表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示すごと
く、支持体表面を切削加工等の手段により単に規則的に
荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹凸形状に
沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の凹凸の
傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係をなすと
ころとなる。このことが原因で、例えば、光受容層が感
光層３０１と、表面層３０２との２つの層からなる多層
構成のものである光受容部材においては、例えば次のよ
うな問題が定常的に惹起される。即ち、感光層と表面層
との界面３０４及び自由表面３０３とが平行関係にある
ため、界面３０４での反射光Ｒ１と自由表面での反射光
Ｒ２とは方向が一致し、表面層の層厚に応じた干渉縞が
生じる。

第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されており
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が感光層２０１と表面層２０２との
二層からなる多層構成の光受容部材にあっては、感光層
２０１と表面層２０２との界面２０４、及び自由表面２
０３ば、各々、前記支持体表面の凹凸形状に沿って、球
状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界面２０４に
形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ１，自由表面２０３
に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ２とすると、Ｒｔ
とＲ２とはＲｔ　＊　Ｒｚとなるため、界面２０４での
反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異なる
反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ１．θ２がθ
ｌΦθ２であって、方向が異なるうえ、第２図に示すｔ
ｌ、ｔ２．ｔ３を用いてｔ１＋Ａ２−ｊａで表わされる
ところの波長のずれも一定とはならずに変化するため、
いわゆるニュートンリング現象に相当するシェアリング
干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるところとな
る。これによシ、こうした光受容部材を介して現出され
る画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されていたと
しても、それらは視覚にはとられられない程度のものと
なる。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究明し
た。

即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０，５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式二〇 π≧０．０５５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記πを０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、犬きぐとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。

上述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設ける
本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層とか
らなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニウム原
子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有する
アモルファス材料で構成され、特に望ましくはシリコン
原子（Ｓｉ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原
子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方と、水素原子０は
ハロゲン原子図の少なくともいずれか一方とを含有する
アモルファス材料〔以下Ｊａ−ｓｉ（Ｇｅ　、　Ｓｎ）
　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕、あるいは、酸素原子（
０）、炭素原子０及び窒素原子（へ）の中から選ばれる
少なくとも一種を含有するａ−８ｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（
Ｈ，Ｘ’）　（以下、ｒ　ａ−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（０
，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成され、さ
らに必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめる
ことができる。そして、該感光層は、多層構造を有する
こともあり、特に好ましくは、伝導性を制御する物質を
含有する電荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか
、または／及び、障壁層を構成層の１つとして有するも
のである。

また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含
有するアモルファス材料、特に望ましくは、シリコン原
子（Ｓｉ）と、酸素原子（６）、炭素原子（０及び窒素
原子（へ）の中から選ばれる少くとも一種と、水素原子
（至）及びハロゲン原子■の少なくともいずれか一方と
を含有するアモルファス材料〔以下、ｒａ−３ｉ（０，
Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。〕で構成される。

本発明の感光層及び表面層の作成については、本発明の
前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を光学
的レベルで正確に制御する必要があることから、グロー
放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光ＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明するが、本発明はこれによって限定さ
れるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は感光層、１０３は表面層、
１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸は複数の球状痕跡窪みによるものであ
る。

以下、該支持体表面の形状およびその好ましい製造方法
の例を、第４及び５図により詳しく説明するが、本発明
の光受容部材における支持体の形状及びその製造方法は
、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体表面の形
状の典型的１例を、その凹凸形状の１部を部分的に拡大
して模式的に示すものである。第４図において、４０１
は支持体、４０２は支持体表面、４０３は剛体真球、４
０４は球状痕跡窪みを示している。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもある。即ち、剛体真球
４０３を、支持体表面４０２より所定高さの位置よシ自
然落下させて支持体表面４０２に衝突させることにより
、球状窪み４０４を形成しうることを示している。そし
て、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を複数個用い、そ
れらを同一の高さｈより、同時あるいは逐時、落下させ
ることによシ、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲率Ｒ及
び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４を形成す
ることができる。

第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体の、いくつかの典
型例を示すものである。

第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３　、
５０３　、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
６０４　、６０４　、・・・を互いに重複し合うように
密に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成し、たもので
ある。なおこの場合、互いに重複する窪み５０４　、５
０４　、・・・を形成するには、球体５０３の支持体表
面５０２への衝突時期が、互いにずれるように球体５０
３　、５０３　、・・・を自然落下せしめる必要のある
ことはいうまでもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３　、５０３’、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面
５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０４
　、５０４’、・・・を互いに重複し合うように密に生
じせしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成し
たものである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３　、５０３　、・・・をほぼ
同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び
複数種の幅を有する複数の窪み５０４　、５０４　、・
・・を互いに重複し合うように生じせしめて、不規則な
凹凸を形成したものである。

以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
により、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件を選択する゛ことにより、支持体表面
に形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、
目的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を
有する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎｉ（：ｒ。

ステンレス、ｈｔ、　Ｃｒ、　ＭＯ，Ａｕｓ　Ｎｂ、　
　Ｔａ。

ＶＸＴｉｓ　ｐｔＸｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ｌＮｉＣｒ、ｈ
ｔｚ　Ｃｒ、　Ｍｏ％　Ａｕ、　Ｉｒ、　ＮｂＸＴａ、
、ＶＸＴｉｓＰｔＸＰｄ、　ＩｎｚＯ３，５ｎ０２、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ２Ｏ：＋＋５ｎＯｚ）等から成る薄膜を設け
ることによって導電性を付与し、或いはポリエステルフ
ィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａ
ｔＸＡｇ５　ｐｂ、Ｚｎｓ　Ｎｉ％　Ａｕ、　ＣｒＸＭ
ｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｔ、　Ｐｔ等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミ
ネート処理して、その表面に導電性を付与する。支持体
の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状である
ことができるが、用途、所望によって、その形状は適宜
に決めることのできるものである。例えば、第１図の光
受容部材１００を電子写真用像形成部材として使用する
のであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通
りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、光受
容部材として可続性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とさ
れる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用、光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管あ
るいはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引
抜管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円
筒状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６
（Ａ）。

（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表面に凹凸
形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成すルニついて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が好ましい。そして、そうした球体の硬度は
、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度より
も高いものであることが望ましい。

第６αＬ第６（Ｂ）図は製造装置全体の断面図であり、
６０１は支持体作成用のアルミニウム７リンダーであり
、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑度に仕
上げられていてもよい。シリンダー６０１は、回転軸６
０２によって軸支されており、モーター等の適宜の駆動
手段６０３で駆動され、ほぼ軸芯のまわりで回転可能に
されている。回転速度は、形成する球状痕跡窪みの密度
及び剛体真球の供給量等を考慮して、適宜に決定され、
制御される。

６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるための落下
装置であり、剛体真球６０５を貯留し、落下させるため
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動機６０
７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を回
収するための回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５をフィーダー６０６まで管輸送するため
のボール送り装置６（１１）、送り装置６（１１）の途
中で剛体真球を液洗浄するための洗浄装置６１０、洗浄
装置６１０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給
する液だめ６１１、洗浄に用いた液を回収する回収する
回収槽６１２などで構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の盃は、落
下口６１３の開閉度、振動機６０７による揺動の程度等
により適宜調節される。

感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、感光層１０２が設けられており、該感光層は、ａ−
３ｉ　（Ｇｅ　、　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ　（
Ｇｅ　、　Ｓｎ　）（０，Ｃ、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成
されており、好ましくは、さらに伝導性を制御する物質
を含有せしめることができる。

感光層中に含有せしめるハロゲン原子■としては、具体
的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特にフ
ッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる。そ
して、感光層１０２中に含有される水素原子［Ｆ］の量
又はハロゲン原子■の量又は水素原子とハロゲン原子の
景の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃチとされるのが望
ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０
μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特性
を向上せしめることにある。

即ち、前記感光層中にゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材は
、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中で
も特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波
長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答性
の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザを
光線とした場合に特に顕著である。

本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、その全層領域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層領域に含有せしめて
もよい。後者の場合、感光層は、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子を含有する構成層と、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成層が支持
体側の端部よりこの順に積層された層構成を有するもの
となる。そして、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
を全層領域に含有せしめる場合および一部の層領域にの
み含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中に、均一
な分布状態で含有せしめてもよく、あるいは不均一な分
布状態で含有せしめてもよい。（ここで均一な分布状態
とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
が、感光層の支持体表面と平行な面方向において均一で
あり、感光層の層厚方向にも均一であることをいい、又
、不均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／及び
スズ原子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行な面
方行には均一であるが、感光層の層厚方向には不均一で
あることをいう。）そして本発明の感光層においては、
特に、支持体側の端部にゲルマニウム原子及び／又はス
ズ原子を比較的多量に均一な分布状態で含有する層を設
けるか、あるいは自由表面側よりも支持体側の方に多く
分布した状態となる様にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることが望ましく、こうした場合、
支持体側の端部においてゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子の分布濃度を極端に犬きくすることにより、半導
体レーザ等の長波長の光源を用いた場合に、光受容層の
自由表面側に近い構成層又は層領域においては殆んど吸
収しきれない長波長の光を、光受容層の支持体と接する
構成層又は層領域において実質的に完全に吸収されるた
め、支持体表面からの反射光による干渉が防止されるよ
うになる。

前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中又は一部の構成層中
に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全層又は
一部の構成層の層厚方向に連続的かつ不均一に分布せし
めることもできるが、以下、層厚方向に連続的かつ不均
一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム
原子を例として、第７乃至１５図により説明する。

第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、感光層全層又は支持体と接す
る一部の構成層の層厚を示し、ｔａは支持体側の感光層
の端面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の表面層側
の端面、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲル
マニウムを含有しない構成層との界面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される感光層はｔＢ側よ
Ｖ）　ｔＴ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するだめの説明のための模式的なものである。

第７図には、感光層中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界面
位置ｔＢより１１の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃが濃度ＣＩなる一定の値を取り乍らゲルマニウ
ム原子が感光層に含有され、位置ｔ！よりは濃度Ｃ２よ
り界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置切においてはゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃは実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置を丁に至るまで
濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とされ
、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとされている。

第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢよシ位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置ｔＴにおいて実質的にゼロとされている
。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃはゼロとさ
れる。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度ＣｔＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１１
より一次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ１ｓまで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が
示されている。

第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおし）て濃度Ｃ１４であり、位
置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくり
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ７では濃度ＣＩＳとされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１６となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至る
。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度ＣＩ７より
実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第７図乃至第１５図により、感光層中に含有され
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の分
布状態の凸型例の幾つかを説明した様に、本発明の光受
容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられている
のが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくヒ、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
よＰＪ５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される感光層は、支持体側
からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ層の層領域）に分
布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが
好ましいものである。

本発明の光受容部材において、感光層中に含有せしめる
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本発
明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜決
める必要があり、通常１ｔ’１１〜６Ｘ１０５ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０
５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、より好ましくはＩ　Ｘ　１
０”−２Ｘ　１０ｓ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗抵
抗化、そして支持体と感光層との間の密着性の向上にあ
る。

本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によって
異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の量は、比較的夕景でよい。

また、支持体と感光層との密着性の向上を目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分布状態
で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる酸素原
子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に図るため
に、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％
、好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　、
最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。とこ
ろで、感光層の全層領域に含有せしめるか、あるいは、
含有せしめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中に占
める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる量の上
限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えば、含
有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の百となるよ
うな場合には、含有せしめる量は通常３　Ｑ　ａｔｏｍ
ｉ　ｃチ以下、好ましくば２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。

次に本発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に向かって減少し、感光層の表面層側
の端部付近においては、比較的少量となるか、あるいは
実質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型
的な例のいくつかを、第１６図乃至第２４図によって説
明する。しかし、本発明はこれらの例によって限定され
るものではない。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ
）Ｊと表記する。

第１６乃至２４図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢは支
持体と感光層との界面位置を、ｔＴは感光層と表面層と
の界面の位置を示す。

第１６図は、感光層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ
）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している。

該例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する感光層と支持
体との界面位置ｔＢより位置ｔｌまでは、原子（０，Ｃ
，Ｎ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定値をと９、位置１１
より表面層との界面位置ｔＴまでは原子（０，Ｃ，Ｎ）
の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置ｔＴ
においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が０３となる
。

第１７図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢか
ら位置ｔＴにいたるまで、濃度ｃ４がら連続的に減少し
、位置ｔＴにおいて濃度ｃ５となる。

第１８図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的に
減少して位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ’）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２０図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃ９から濃度Ｃｏｏとなるまで、−次間数的に減少
する。

第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃば、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ＋＋
の一定値にあり、位置ｔ４よシ位置ｔＴにいたるまでは
濃度Ｃ１２から濃度ＣＩ３となるまで−次間数的に減少
する。

第２２図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃば、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
ＣＩ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。

第２３図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ＋ｓか
ら濃度Ｃ＋ｓとなるまで一次関数的に減少し、位置ｔ５
から位置ｔＴまでは濃度Ｃｐｓの一定値を保つ。

最後に、第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ？であり、位
置ｔ５から位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｑでは濃度Ｃｌ１１となる。次に、位置ｔ６から位置ｔ
７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ１９となる。

更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと徐々
に減少し、位置し８において濃度Ｃ２０となる。また更
に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度Ｃ２０
から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布
濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層
の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が比
較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該
局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔＢから５
μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密着性
の向上をより一層効率的に達成することができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる感
光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても、
あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形成
される感光層に要求される特性に従って適宜法める。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，’Ｎ’）の分子濃度Ｃの最大値が５００ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくば８００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉ　ｃ
　ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい
。

本発明の光受容部材においては感光層に伝導性を制御す
る物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均一
な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下単に「第■族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、ｈｔ　（アルミニウム）、Ｇａ　（ガリウ
ム）、Ｉｎ、（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、ｃａで
ある。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ　（砒素
）、Ｓｂ（アンチモ／）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂである
。

本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第■族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。

すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通°常はＩ　Ｘ　１０−
３〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好まし
くは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０２ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最適には１×１０−１〜２Ｘ１０２ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ、である。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第■族原子
を含有する構成層あるいは第■族原子又は第■族原子を
高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第■族原子を含有せしめた場
合には、光受容層の自由表面かの極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される電子の移
動をより効率的に阻止することができ、又、第■族原子
を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面がｅ極性
に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注
入される正孔の移動をより効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量であっ
て、具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｒｎ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適にはｌＸ１０２〜５　Ｘ　１０
３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻
止層としての効果を効率的に奏するためには、第■族原
子又は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端部に設けられ
る層又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴと
した場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ま
し−く、より好ましくは該関係式Ｃ値が０．３５以下、
最適には０．３以下となるようにするのが望ましい。

また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的にば３×１０
″′３〜１０μとするが、好ましくは４　Ｘ　１０−３
〜８μ、最適には５　Ｘ　１０−３〜５μとするのが望
ましい。

次に感光層に含有せしめる第ｍ族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第ｍ族原子又は第■族原子を分布させる
場合の典型的例は、前述の感光層に酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せ
しめる場合に例示した、第１６図乃至２４図の例と同様
の例によって説明することができる。しかし、本発明は
、これらの例によって限定されるものではない。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、表面層との界面側においては、該分
布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的にゼロ
に近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体側に
近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が比較
的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該局
在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以内に
設けることにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成すると
いう前述の作用効果がより一層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有
せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する
物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と少
ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｔ２０３．５ｉ０２、Ｓ　ｉ　３　Ｎ
４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電
気絶縁材料を挙げることができる。

表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
０２の上に設けられ、自由表面１０４を有している。該
表面層は、酸素原子（Ｃｌｌ、炭素原子（０及び窒素原
子（へ）の中から選ばれる少なくとも一種、好ましくは
さらに水素原子側及びハロゲン原子■の少なくともいず
れか一方を含有するａ−８ｉ（以下、ｒａ−ｓ　ｉ　（
０，Ｃ、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成され
ていて、光受容部材の自由表面１０４１（こおける入射
光の反射をへらし、透過率を増加させる機能を奏すると
ともに、光受容部材の耐湿性、連続繰返し使用特性、電
気的・耐圧性、使用環境特性および耐久性等の緒特性を
向上せしめる機能を奏するものである。

そして、本発明の光受容部材にあっては、表面層１０３
と感光層１０２との界面において、表面層の有する光学
的バンドギャップＥｏｐｔ　（！：　、該表面層が直接
設けられている感光層１０２の有する光学的バンドギャ
ップＥｏｐｔとが、整合するか、あるいは表面層１０３
と感光層１０２との界面における入射光の反射を実質的
に防止しうる程度に整合するように構成される必要があ
る。さらに、上述の条件に加えて、表面層１０３の自由
表面側の端部においては、表面層の下に設けられている
感光層１０２に到達する入射光の光量が充分に確保でき
るようにするため、表面層１０３の自由表面側の端部に
おいては、表面層の有する光学的バンドギャップＥｏｐ
ｔを充分に犬きくするように構成されることが望ましい
。そして、表面層１０３と感光層１０２との界面におい
て光学的バンドギャップＥｏｐｔが整合するように構成
するとともに、表面層の自由表面側の端部において光学
的バンドギャップＥｏｐｔを充分に大きくするように構
成する場合、表面層の有する光学的バンドギャップが、
表面層の層厚方向において連続的に変化するように構成
される。

表面層の光学的バンドギャップＥｏｐｔＯ層厚方向にお
ける値を前述のごとく制御するには、光学的バンドギャ
ップの調整原子であるところの酸素原子（Ｏ）、炭素原
子（０及び窒素原子（へ）の中から選ばれる少くとも一
種の表面層に含有せしめる量を制御することによって行
なわれる。

具体的には、感光層の表面層と接する側の端部において
酸素原子（０、炭素原子（Ｑ及び窒素原子（へ）の中か
ら選ばれる少なくとも一種〔以下、「原子（０，Ｃ，Ｎ
）Ｊと表記する。〕が含有されていなめ場合には、表面
層の感光層と接する側の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ
）の含有量をゼロ又はゼロに近い値とし、感光層の表面
層と接する側の端部において原子（０，Ｃ，Ｎ）が含有
されている場合については、表面層の感光層と接する側
の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ）の含有量と、感光層
の表面層と接する側の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ）
の含有量とが同じか、あるいは実質的に差がないように
する。そして、表面層の感光層側の端部から自由表面側
の端部に向かって、原子（０，Ｃ，Ｎ）の量を連続的に
増加させ、自由表面側の端部付近においては、自由表面
における入射光の反射を防止するのに充分な量の原子（
０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる。以下、表面層における原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態の典型的な例のいくつかを
、第２５乃至２７図によって説明するが、本発明はこれ
らの例によって限定されるものではない。

第２５乃至２７図において、横軸は原子（０゜Ｃ，Ｎ）
およびシリコン原子の分布濃度Ｃ１縦軸は表面層の層厚
ｔを示しており、図中、ｔＴは感光層と表面層との界面
位置、ｔＦは自由表面位置、実線は原子（０，Ｃ，Ｎ）
の分布濃度の変化、破線はシリコン原子（′Ｓｉ）の分
布濃度の変化を示している。

第２５図は、表面層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ
）とシリコン原子（Ｓｉ）の層厚方向の分布状態の第一
の典型例を示している。該例では、界面位置ｔＴより位
置ｔｌまで、原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃがゼロよ
り濃度Ｃ１となるまで一次関数的に増加し、一方、シリ
コン原子の分布濃度は、濃度Ｃ２から濃度Ｃ３となるま
で一次関数的に減少し、位置し１から位置ｔＦにいたる
までは、原子（０，Ｃ，Ｎ）およびシリコン原子の分布
濃度Ｃは各々濃度ＣＩおよび濃度Ｃ３の一定値を保つ。

第２６図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは界面位置ｔＴより位置ｔ３まではゼロから濃度Ｃ４
まで一次関数的に増加し、位置ｔ３より位置ｔＦにいた
るまでは、濃度Ｃ４の一定値を保つ。一方、シリコン原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＴより位置ｔ２までは濃度Ｃ
５から濃度Ｃ６まで一次関数的に減少し、位置ｔ２より
位置ｔ３までは、濃度Ｃ６から濃度Ｃ７まで一次関数的
に減少し、位置ｔ３から位置ｔＦにいたるまでは、濃度
Ｃ７の一定値を保つ。表面層の形成の初期において、シ
リコン原子の濃度が高い場合、成膜速度が速くなるが、
この例のようにシリコン原子の分布濃度を２段階で減少
することにより、成膜速度を補正することができる。

第２７図に示す例では、位置ｔＴから位置ｔ４までは、
原子（０，Ｃ，Ｎ’）の分布濃度はゼロから濃度Ｃ８ま
で連続的に増加し、一方、シリコン原子（Ｓｉ）の分布
濃度Ｃは、濃度Ｃ９から濃度ＣＩＯまで連続的に減少し
、位置ｔ４から位置ｔＦにいたるまでは、原子（０，Ｃ
，Ｎ）の分布濃度およびシリコン原子（Ｓｉ）の分布濃
度は、各々濃度Ｃ８および濃度Ｃｏｏの一定値を保つ。

この例のごとく、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度を徐々
に連続して増加せしめる場合には、表面層の層厚方向の
屈折率の変化率をほぼ一定とすることができる。

本発明の光受容部材の表面層は、第２５乃至２７図に示
したごとく、表面層の感光層側の端部においては原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度を実質的にゼロに近い濃度とし
、自由表面側に向かって連続的に増加させ、表面層の自
由表面側の端部においては、比較的高濃度である層領域
を設けるようにすることが望ましい。そして、この場合
の該層領域の層厚は、反射防止層としての機能および、
保護層としての機能を果たすため、通常は０．１μｍ以
上となるようにされる。

表面層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有せしめることが望ましく、含有せしめる水素原
子刊の量又は・・ロゲン原子■の量、あるいは水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、通常１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
　％、最適には５＝２５　ａｔｏｍｉｃ　％とする。

また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。

こうしたことから、表面層の層厚は通常は３×１０−５
〜３０μとするが、より好ましくは４　Ｘ　１０−５〜
２０μ、特に好ましくは５　Ｘ　１０−５〜１０μとす
る。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ’）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、
水素原子［Ｆ］導入用の又は／及び・・ロゲン原子■導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２
Ｈ６，５ｊ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、Ｓ
ｉＨ４，５１ｚＨｓが好ましい。

また、前記・・ロゲン原子導入用の原料ガスとしては、
多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス
、・・ロゲン化物、・・ロゲン間化合物、ハロゲンで置
換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうる
ハロゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、
臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　ＸＣ１Ｆ　ＸＣ
ｔＦ３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ７、Ｉｃｔ、ＩＢｒ
等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４．５ｉｚＦｓ、
５ｉＣ４４，５ｉＢｒ＋等の／％　ロゲン化硅素等が挙
げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又
はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原
料ガスを別途使用することなくして、ノ・ロゲン原子を
含有するａ−８ｉで構成さルた層が形成できるので、特
に有効である。

また、前記水氷原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ、　ＨＣｔＸＨＢｒＸＨＩ等のハロゲン化物、
ＳｉＨ４，５ｊ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ４ＨＩＱ等の
水素化硅素、あるいはＳｉＨ２Ｆ２、Ｓｉ４Ｈ１０，５
ｉＨ２Ｃｔｚ、５ｉＨｃｔ３．５ｉＨｚＢｒｚ、５ｉＨ
Ｂｒ３等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態の又は
ガス化しうるものを用いることができ、これらの原料ガ
スを用いた場合には、電気的あるいは光電的特性の制御
という点で極めて有効であるところの水素原子側の含有
量の制御を容易に行うことができるため、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合０てはハロゲン原子の導入と同時に
水素原子■も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅＳ　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングすることによって、支持体上
にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子■
又は／及び・・ロゲン原子■を供給しうる水素原子■又
は／及びハロゲン原子■供給用の原料ガスを、内部を減
圧しうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、該堆積
室内にグロー放電を生起せしめて、予め所定位置に設置
しである所定の支持体表面上に、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ノ・ロゲン原子供給用の原料ガ
ス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる物質とし
ては、前述のａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｑｅ　ｚＨａ　、Ｑｅ　３Ｈ８、Ｇｅ４
Ｈｉｏ　％Ｇｅ５Ｈ１２ＳＧｅａＨ１４ｓ　Ｇｅ４Ｈｉ
ｏ％　Ｇｅ８ＨＩｌｌ　ＸＧｅ９Ｈ２Ｇ等のガス状態の
又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率
の良さ等の点から、ＧｅＨａ、ＧｅｚＨａ、およびＧｅ
５Ｈｓが好ましい。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、シリコンから成るターゲ
ットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、
あるいは、シリコノとゲルマニウムからなるターゲット
を用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結晶
シリコノ又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロン
ビーム法（Ｅ、Ｂ。

法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガス
プラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中に・・ロゲン原子を含有せ
しめるには、前述の・・ロゲン化物又はハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＦ２あ
るいは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマ
ニウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらにノ・ロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前
記の７・ロゲン化物或いは・＼ロゲンを含む硅素化合物
が有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、　
ＨＣｌ。

ＨＢｒ　　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨｚＦｚ、５
ｉＨｚｈ、５ＩＨｚＣｔｚ、５ｔＨＣｔ３．５ｉＨｚＢ
ｒｚ、５ｉＨＢｒ３等の／％　ロゲン置換水素化硅素、
およびＧｅＨＦ５、ＧｅＨｚＦｚ、ＧｅＨ３Ｆｓ　Ｇｅ
Ｈ（：ｔａ、ＧｅＨｚＣ４ｚ、ＧｅＨａＣｔ％　ＧｅＨ
Ｂｒ：＋、ＧｅＨｚＢｒｚ、ＧｅＨｓ　Ｂｒ　ＸＧｅＨ
Ｉ　３、ＧｅＨｚ　Ｉ　２、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロ
ゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ４、ＧｅＢ
ｒ４、ＧｅＩ４、ＧｅＦ２、ＧｅＣ１ｚ　、ＧｅＢｒｚ
、ＧｅＩｚ等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態
の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として使用で
きる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有スるアモルファス
シリコン（以下、ｒａ−８ｔＳｎ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に
、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓ
ｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化るズ（ＳｎＨ４）やＳｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎ（Ｊｚ、Ｓ　ｎ　ＣＬ　４、ＳｎＢｒ２、Ｓｎ
Ｂｒ４．５ｎＩｚ　　、ＳｎＩ４等のハロゲン化スズ等
のガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ
、／・ロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上
に）・ロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を
形成することができるので、特に有効である。

なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の
良さ等の点から、５ｎＣ６４が好ましい。

そして、ＳｎＣ／−４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、固体状
の５ｎＣＡ４を加熱するとともに、Ａｒ、　Ｉ（ｅ。

等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブ
リングするのが望ましく、こうして生成したガスを、内
部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する
。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８
ｉ（Ｇｅ　、ＳｎＭＨ，Ｘ）にさらに第ｍ族原子又は第
■族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭素原子を含有
せしめた非晶質材料で構成された層を形成するには、ａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−３ｉ　（Ｇｅ　、５ｎ）（Ｈ
，Ｘ）の層の形成の際に、第■族原子又は第■族原子導
入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、窒素原子
導入用の出発物質、あるいは炭素原子導入用の出発物質
を、前述したａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−３ｉ（Ｇｅ、
５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形
成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめて
やることによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ，ｎを含
有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は原子（０
，Ｃ，Ｎ）を含有するａ−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成するには、前述のａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）で構成される層又はａ−３ｉ（Ｇｅ　、５ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する際に、原子（０，ｃ
、Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用
又はａ−８ｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物
質とともに使用して形成する層中へのそれらの量を制御
しながら含有せしめることによって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には、酸素原子（０）導入用の出発物質として、
例えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（
ＮＯ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２
０３’）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（
Ｎ２０５）、三二酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（
Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（ト）とを構成原子
とする例えばジシロキサン（ＨａＳｉＯ８ｉＨ３）、）
リシロキサン（Ｂ３　Ｓ　ｉＯ３１ＨｚＯ８ｉＨｓ　）
等の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入
用の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）、エ
タン（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７　（Ｃ３Ｈ１１’）、ｎ−
ブタ７　（ｎ−Ｃ４ｎｔ　ｏ　）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１
２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２
Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ
８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（ＣａＨ
ｓ）、ペンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ）等の炭素数２〜５のエチ
レン系炭化水素、アセチレン（０２Ｈ２）、メチルアセ
チレン（Ｃ３Ｈ＜）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２
〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原子（
へ）導入用の出発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）
、アンモニア＜ＮＨ３）、ヒドラジン（ＨｚＮＮＨ２）
、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ３　）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ
）等が挙げられる。

例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第■族原
子を含有するａ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ’）又はａ−８ｉ　（
Ｇｅ　、　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層領域
を形成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８
ｉ（Ｇｅ　、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ’）で構成される層の形
成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
を、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−３ｉ　（Ｇｅ　、　Ｓ
ｎ）　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、
形成する層中へのそれらの蛍を制御しながら含有せしめ
ることによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＩＯＸＢＳＨ９、Ｂ
ｓＨｌｔ、Ｂ６Ｈ１０１Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水
素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等の・・ロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、ＡｔＣｌ３、ＧａＣｌ
２、Ｇａ　（ＣＨ３）　２．１ｎＣ４３、ＴｔＣ１３等
も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素比隣、ＰＨ４
Ｉ、ＰＦ３、ＰＦｓ、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ　３
、ＰＢｒｓ、ＰＩ３等のハロゲン比隣が挙げられる。こ
の他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡＳＣ４３、ＡＳＢｒ３、
Ａ３　Ｆｓ、ＳｂＨ３、ＳｂＦ＋、５ｂＦｓ、５ｂＣ４
３，５ｂｃｚ５、ＢｉＨ３、Ｂ１Ｃ６３、Ｂ１１３ｒ５
等も第■族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。

酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子刊又は／及びハロゲン原子■を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料
ガスと、酸素原子（０及び水素原子■を構成原子とする
原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或
いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原子（Ｏ及び水素原子
■の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用す
ることができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（ト）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏを構成原子と
する原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（ｏ２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３’）、四三酸化
窒素（ＮｚＯ＜’）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０と水素原子匝とを構成原子とする、例えば、ジンロキ
サン（Ｈ３ＳｉＯ８ＩＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ
　ｉＯ８１ＨｚＯ８１Ｈ３）、等の低級シロキサン等を
挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又は５ＩＯｚウエー・・−１又はＳｌとＳ　ｉｏ
ｚが混合されて含有されているウェー・・−をターゲッ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウエーノ・−
をスパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉと５Ｉ（１２）とは別々のターゲット
として、又はＳｉとＳ　ｉｏｚの混合した一枚のターゲ
ットを使用することによって、スパッター用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子■又
は／及びハロゲン原子■を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる
。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（０を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水
素原子■又は／及びハロゲン原子■を構成原子とする。

原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又は
シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭
素原子（０及び水素原子■を構成原子とする原料ガスと
を、これも又所望の混合比で混合するか、或いはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン
原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子０を構成原
子とする原料ガスを混合するか、更にまた、シリコン原
子（Ｓｌ）と水素原子■を構成原子とする原料ガスと、
炭素原子（Ｑを構成原子とする原料ガスを混合して使用
する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉｎ４、Ｓ　ｉ　２　Ｈ６、
Ｓｉ３Ｈ８，５ｊ４Ｈｔｏ等のシラン（Ｓ１１ａｎｅ）
類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例
えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６’）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−
７：タン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、
ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４Ｈｓ）、
ペンテン（ＣｓＨＩｏ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
Ｌ　（ＣＨ３）　４．５ｉ（Ｃ２Ｈ５’）　４等のケイ
化アルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの
他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる
。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉとＣが
混合されているウェーハをターゲットとして、これ等を
所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
行う。

例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及び・・ロゲン原
子を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈ
ｅ等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳ
ｌウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣは別々のターゲットとするか、ちるいはＳ
ｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場合
には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／及
び・・ロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。

窒素原子を含有する層または層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればほとん
どのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（へ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子■又は／及びノ・ロゲン原子■を構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（ト）及び水素原子［Ｆ］を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子■とを構
成原子とする原料ガスに窒素原子（へ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（へ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２　）、アンモニア
（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素
（ＮＨ３）、　アジ化アンモニウム（ＮＩ（４Ｎ３　’
）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ
化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、
窒素原子（へ）の導入に加えて、・・ロゲン原子■の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ’）、四
弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げ
ることができる。

スパッターリング法によって、窒素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウ
エーハー又はＳｉ３Ｎ４ウェー・・−１又はＳｉとＳｉ
３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをターゲ
ットとして、これ等を４種のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及び・・ロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェー・・
−ラスパラターリングすればよい。

又、別には、ＳｌとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとｓ　ｉ　３Ｎ４の混合した一枚のター
ゲットを使用することによって、スパッター用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子０
又は／及びハロゲン原子閃を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成でき
る。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
り行われる。

また、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を有す
る光受容部材を得るためには重要な要因であり、形成す
る層の機能に考慮をはらって適宜選択されるものである
。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表面層
に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によっても異
なることもあることから、含有せしめる原子の種類ある
いはその量等にも考慮をはらって決定する必要もある。

。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ（）（、Ｘ）からなる光受容層を形成する
場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とするが
、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内のガ
ス圧は、通常０．０１〜ｌ’ｌ’ｏｒｒとするが、特に
好ましくは０．１〜Ｑ、５　Ｔｏｒｒとする。

また、放電パワーは０．００５〜５０　Ｗ／ｃＡ　　と
するのが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０
Ｗ／ｉ、特に好ましくは０．０１〜２０　Ｗ／ｌｔｄと
する。

ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場
合、ちるいは第■族原子又は第■族原子を含有せしめた
ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場
合については、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とす
るが、より好ましくは５０〜３ｏｏ℃、特に好ましくは
１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガス圧は
、通常０．０１〜５’ｌ’ｏｒｒとするが、好ましくは
、０．００１〜３　Ｔｏ　ｒ　ｒとし、特に好マシくは
０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは０．
００５〜５０Ｗ／ｃｒｌ　とするのが通常であるが、好
ましくは０．０１〜３０　Ｗ／ｃａ　とし、特に好まし
くは０．０１〜２０　Ｗ／ｉとする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保
つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子
又は第■族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有す、る層を形成するには、グ
ロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、
ある°いは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を所望の変化
率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつ
つ形成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体
的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の途中に
設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変化させ
る操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型で
ある必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線を得ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の層
厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方
向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場
合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子
、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆
積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に従って
変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１０に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第３８図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２８０２．２８０３．２８０４．２８０５．２８
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その１例として、たと
えば、２８０２は５ＩＦ４ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、２８０３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純
度９９．９９９チ、以下ＢｚＨｓ／Ｈ２，と略す。）永
／ぺ、２８０４はＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、２８０５はＧｅＦ４ガス（純度９９．９９９チ）
ボンベ、２８０６は不活性ガス（ｌｅ）ボンベである。

そして、２８０６’は５ｎＣｔ４が入った密閉容器であ
る。

これらのガスを反応室２８０１に流入させるにはガスボ
ンベ２８０２〜２８０６のパルプ２８２２〜２８２６リ
ークバルプ２８３５　が閉じられていることを確認し又
、流入パルプ２８１２〜２８１６、流出パルプ２８１７
〜２８２１、補助パルプ２８３２．２８３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインパルプ２８３４を開い
て反応室２８０工、ガス配管内を排気する。次に真空Ａ
ｔシリンダー２８３７上に感光層及び表面層を形成する
場合の１例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ２８０２よりＳｉＦ４ガス、ガスボン
ベ２８０３よυＢｚＨａ／Ｈ２ガス、ガスボンベ２８０
５よりＧｅＦ４ガスの夫々をパルプ２８２２．２８２３
．２８２５を開いて出口圧ゲージ２８２７．２８２８．
２８３０　　の圧をＩＫ９／−に調整し、流入バルブ２
８１２．２８１３．２８１５を徐々に開けて、　マスフ
ロコントローラ２８０７２８０８２８１０内に流入させ
る。引き続いて流出バルブ２８１７．２８１８．２８２
０、補助パルプ２８３２を徐々に開いてガスを反応室２
８０１内に流入させる。このときのＳｉＦ４ガス流量、
ＧｅＦ４ガス流量、８２Ｈ６／Ｈ２ガス流量の比が所望
の値になるように流出パルプ２８１７．２８１８．２８
２０を調整し、又、反応室２８０１内の圧力が所望の値
になるように、に突針２８３６の読みを見ながらメイン
パルプ２８３４の開口を調整する。そして基体シリンダ
ー　２８３７の温度が加熱ヒーター２８３８により５ト
４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認され
た後、電源２８４０を所望の電力て設定して反応室２８
０１内にグロー放電を生起せしめるとともに、マイクロ
コンビューター（図示セス）を用いて、あらかじめ設計
された流量変化率線に従って、ＳｉＦ４ガス、Ｇｅ　Ｆ
　４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガスのガス流量を制御しな
がら、基体シリンダ−２８３７上に先ず、シリコン原子
、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有する感光層を形
成する。

上記と同様の操作により、感光層上に表面層を形成する
には、例えばＳｉＦ４ガス、及びＣＨ４ガスの夫々を、
必要に応じてＨｅ％　ＡｒＮ　Ｈ２等の稀釈ガスで稀釈
して、所望のガス流量で反応室２８０１内に流入し、所
望の条件に従ってグロー族ｔを生起せしめ、マイクロコ
ンピュータ−により　ＳｉＦ４ガスとＣＨ４ガスのガス
流量を制御しながら、表面層を形成する。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２８０１内、流出バルブ２８１７〜２８２１から反応室
２８０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２８１７〜２８２１を閉じ補助バルブ
２８３２．２８３３を開いてメインバルブ２８３４　　
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

また、感光層中にスズ原子を含有せしめる場合にあって
、原料ガスとして５ｎＣＬ４を出発物質としたガスを用
いる場合には、２８０６′に入れられた固体状５ｎ（Ｊ
４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに、
該５ｎＣ７４中にＡｒｇｕｅ等の不活性ガスボンベ２８
０６よりＡｒＸ）（ｅ等の不活性ガスを吹き込み、バブ
リングする。発生した５ｎＣ４４のガスは、前述のＳｉ
Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス等と同
様の手順により反応室内に流入させる。

試験例 径２ｍｒｎのＳＯＳステンレス製剛体真球を用い、前述
の第６図に示した装置を用い、アルミニウム合金製シリ
ンダー（径６０　ｍｍ、　　長さ２９８＋ｙ＋ｍ　）の
表面を処理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ’、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅りと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅りとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。

また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの密度、また凹凸の
ピッチ）は、シリンダーの回転速度、回転数乃至は剛体
真球の落下量等を制御して所望のピッチに調整すること
ができることが確認された。

実施例１ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ及び−Ｎｏ、　１０１〜
１０６）を得た 次に、該Ａｊ支持体（シリンダーＮｏ、　１０１〜１０
６）上に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第２８図に示
した製造装置により光受容層を形成した。この際、表面
層形成時におけるＣＨ４ガスガス上び５ｊＦ４　ガスの
流量変化は、第３０図に示す流量変化線に従って、マイ
クロコンピュータ−制御により、自動的に調整した。

これらの光受容部材について、第２９図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０μｍのレ
ーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転写を行
なって画像を得た。

得られた画像の干渉縞の発生状況は第１Ａ表下欄に示す
とおりであった。

なお、第２９（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２９（じ図は露光装置の全体を模式
的に示す側面略図である。図中、２９０１は光受容部材
、２９０２は半導体レーザー、２９０３ハｆθレンズ、
２９０４はポリゴンミラーを示している。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製／リンダ−（Ｎｏ、　
１０７　）（径５０ｍｒｎ、長さ２９８ｍｍ。

凹凸ピッチ１００μｍ１凹凸の深さ３μｍ）を用いて、
前述と同様にして光受容部材を炸裂した。

得られた光受容部材を電子顕微鏡で観察したところ、支
持体表面と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平
行をなしていた。この光受容部材を用いて、前述と同様
にして画像形成をおこない、得られた画像について前述
と同様の評価を行なった。その結果は、第１Ａ表下欄に
示すとおシであった。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（シリ
ンダーＮｏ、１０１〜１０７）上に光受容層を形成した
。この際、感光層形成時におけるＧｅＦ４ガス及びＳｉ
Ｆ４ガス流量の変化、および表面層形成時におけるＮＨ
３ガス、Ｈ２ガス及びＳｉＦ４ガスのガス流量の変化は
、各々第３１図及び第３２図に示す流量変化線に従って
、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整し
た。なお、感光層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ
６／５ｉＦｔ＃１００　ｐｐｍであって、該属音層につ
いて約２ｏｏｐｐｍドーピングされているようになるべ
く導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例３〜１０ 実施例１のｋｌ支持体（シリンダーＮ０．１０３〜１０
６）上に、第３〜１０表に示す層形成条件に従って光受
容層を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受
容部材を作製した。なお、各実施例において、感光層形
成時及び表面層形成時における使用ガスのガス流量は、
各々第１１表に示したように第３３図〜第４５図のガス
流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御によ
り自動的に調整した。また、感光層中に含有せしめる硼
素原子は、実施例２と同じ条件で導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

第　　　１１　　　表 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の
感光層中におけるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚
方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図は、
本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の
分布状態を表わす図であり、第２５〜２７図は、本発明
の表面層中におけるンリコン原子、及び酸素原子、炭素
原子又は窒素原子の層厚方向の分布状態を表わす図であ
り、各図において、縦軸は感光層又は表面層の層厚を示
し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。 第２８図は、本発明の光受容部材の感光層及び表面層を
製造するための装置の例で、グロー放電法による製造装
置の模式的説明図である。第２９図は、レーザー光によ
る画像露光装置を説明する図である。第３０乃至４５図
は、本発明の光受容層形成におけるガス流量比の変化状
態を示す図であり、縦軸は感光層又は表面層の層厚、横
軸は使用ガスのガス流量を示している。 第１乃至３図について、 １００・・・光受容部材　　１０１・・・支持体１０２
　、２０１　、３０１・・・感光層１０３　、２０２　
、３０２・・・表面層１０４　、２０３　、３０３・・
・自由表面２０４　、３０４・・・感光層と表面層との
界面筒４．５図について、 ４０１　、５０１・・・支持体　４０２　、５０２・・
・支持体表面４０３　、５０３　、５０３’・・・剛体
真球４０４　、５０４・・・球状窪み 第６図について ６０１・・・シリンダー　　６０２・・・回転軸６０３
・・・駆動手段　　　６０４・・・落下装置６０５・・
・剛体真球　　　６０６・・・ボールフィーダー６０７
・・・振動機　　　　６０８・・・回収槽６（１１）・
・・ボール送り装置　６１０・・・洗浄装置６１１・・
・洗浄液だめ　　６１２・・・洗浄液回収槽６１３・・
・落下口 第２８図について ２８０１・・・反応室２８０２〜２８０６・・・ガスボ
ンベ２８０６′・・・５ｎＣ６４用密閉容器２８０７〜
３２１１・・・マスフロコントローラ２８１２〜２８１
６・・・流入パルプ ２８１７〜２８２１・・・流出パルプ ２８２２〜２８２６・・・バ　ル　ブ ２８２７〜２８３１・・・圧力調整器 ２８３２　、２８３３・・・補助パルプ２８３４・・・
メインパルプ　２８３５・・・リークパルプ２８３６・
・・真空計　　２８３７・・・基体シリンダー２８３８
・・・加熱ヒーター　２８３９・・・モーター２８４０
・・・高周波電源 第２９図について、

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
   質材料で構成された感光層と、シリコン原子と、酸素原
   子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
   一種とを含有する非晶質材料で構成された表面層とを有
   する光受容層を備えた光受容部材であつて、前記感光層
   と前記表面層との界面において光学的バンドギャップが
   整合しており、前記支持体表面が、複数の球状痕跡窪み
   による凹凸形状を有していることを特徴とする光受容部
   材。
2. （２）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
   から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
   許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。
5. （５）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
   注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の範
   囲第（４）項に記載の光受容部材。
6. （６）感光層が、構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
7. （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
9. （９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体の表面に複数
   の剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕
   跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項
   に記載の光受容部材。
10. （１０）支持体表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体真
    球をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球の
    痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）
    項に記載の光受容部材。
11. （１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
    ０３５≦Ｄ／Ｒ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
    光受容部材。
12. （１２）球状痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下である特
    許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材。
13. （１３）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
    ）項に記載の光受容部材。