JPWO2018154627A1 - 固体光検出器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1〜図10を参照して、本発明の第1実施形態による固体光検出器10の構成について説明する。
固体光検出器10は、たとえば、受光部11(フォトダイオード)を含むCMOS(complementary metal oxide semiconductor)センサおよびCCD(Charge Coupled Device)センサからなる。第1実施形態では、固体光検出器10は、配線パターン8が設けられる側から光が入射される表面入射型である。
次に、図6〜図10を参照して機能層13の機能について説明する。
第1実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
次に、図11を参照して、第2実施形態について説明する。この第2実施形態では、機能層43は、シリンドリカルレンズ形状を有する。
次に、図12を参照して、第3実施形態について説明する。この第3実施形態では、複数の受光部11に渡って1つの形状(1つのレンズ形状)の機能層93が設けられている。
第3実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
次に、図14を参照して、第4実施形態について説明する。この第4実施形態では、機能層103と表面膜12とを接合するための接合層104が設けられている。
第4実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。
10、40、90、100、130、150、200 固体光検出器
11 受光部
11a 受光面
12、153 表面膜
13、43、93、93a、93b、103、133 機能層
104 接合層
上記一の局面による固体光検出器において、好ましくは、機能層は、表面膜の表面上に接合されている。
上記一の局面による固体光検出器において、好ましくは、1つの凸状の機能層は、マトリクス状に配置されている複数の受光部を部分的に、または、全体を覆うように設けられている。
Claims (13)
- 受光した光の強度に応じた信号を出力する複数の受光部と、
前記受光部を保護するための表面膜と、
前記表面膜の表面上に設けられる機能層とを備え、
前記機能層は、前記機能層に入射した光の平面波が、受光面から前記受光部内に浸透した第一の波面と、前記受光部に浸透せず前記受光面にて反射した後に前記機能層表面にて反射し、再度前記受光部内に浸透する第二の波面、および、第二の波面が発生するまでに前記機能層および前記表面膜内に存在する屈折率境界面にて反射した後に前記受光部内へ浸透する各波面とが、互いに進行方位もしくは波面形状の少なくともいずれかが一致せず、各波面が相互に干渉しないよう構成されている、固体光検出器。 - 前記機能層の屈折率と、前記表面膜の屈折率とは、略等しい、または、前記機能層と前記表面膜とは、同一物質で構成される、請求項1に記載の固体光検出器。
- 前記機能層は、レンズ形状を有する、請求項1または2に記載の固体光検出器。
- 前記機能層は、1つのレンズ形状を有する、請求項3に記載の固体光検出器。
- 前記機能層は、複数のレンズ形状を有する、請求項3に記載の固体光検出器。
- 前記機能層および前記受光部は、それぞれ、繰り返しの構造を有し、
前記機能層の繰り返し構造と、前記受光部の繰り返し構造とは、一致していない、請求項5に記載の固体光検出器。 - 前記表面膜と前記機能層とは、一体的に構成されている、請求項1または2に記載の固体光検出器。
- 前記機能層は、前記機能層に入射した光の平面波が、前記受光面から前記受光部内に浸透した第一の波面と、前記受光部に浸透せず前記受光面にて反射した後に前記機能層の表面にて反射し、再度前記受光部内に浸透する第二の波面、および、第二の波面が発生するまでに前記機能層および前記表面膜内に存在する屈折率境界面にて反射した後に前記受光部内へ浸透する各波面とが、互いに進行方位もしくは波面形状の少なくともいずれかが一致せず、各波面が相互に干渉しないよう予め形成されている、請求項1または2に記載の固体光検出器。
- 前記機能層と前記表面膜との間に設けられ、予め形成された前記機能層と前記表面膜とを接合するための接合層をさらに備える、請求項8に記載の固体光検出器。
- 前記表面膜と前記機能層との間に、前記表面膜の厚さに対して大きい厚み有する厚膜をさらに備える、請求項8に記載の固体光検出器。
- 前記表面膜と前記厚膜との間に設けられ前記表面膜と前記厚膜と接合するための接合層と、前記機能層と前記厚膜との間に設けられ前記機能層と前記厚膜と接合するための接合層とのうちの少なくとも一方の前記接合層を備える、請求項10に記載の固体光検出器。
- 前記接合層は、前記表面膜と前記厚膜との間、および、前記機能層と前記厚膜との間の両方に設けられている、請求項11に記載の固体光検出器。
- 前記機能層と前記表面膜との間に設けられる前記接合層に面する前記機能層の表面が平面でない、請求項9に記載の固体光検出器。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6258261A (ja) * | 1985-09-08 | 1987-03-13 | Canon Inc | 光受容部材 |
JPH06125068A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JP2015068853A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | ソニー株式会社 | 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
JPH06310750A (ja) * | 1993-04-20 | 1994-11-04 | Sony Corp | モノクロームセンサ |
JP2003249639A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Sony Corp | 光電変換装置およびその製造方法ならびに固体撮像装置ならびにその製造方法 |
US7838956B2 (en) | 2008-12-17 | 2010-11-23 | Eastman Kodak Company | Back illuminated sensor with low crosstalk |
JP5468353B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-04-09 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
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JP2015216187A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6258261A (ja) * | 1985-09-08 | 1987-03-13 | Canon Inc | 光受容部材 |
JPH06125068A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JP2015068853A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | ソニー株式会社 | 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 |
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