JPH06125068A

JPH06125068A - 固体撮像素子

Info

Publication number: JPH06125068A
Application number: JP4275987A
Authority: JP
Inventors: Masao Yamawaki; 正雄山脇; Hidekazu Yamamoto; 秀和山本; Naofumi Murata; 直文村田; Satoshi Yamakawa; 聡山川; Tadashi Shiraishi; 匡白石
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-10-14
Filing date: 1992-10-14
Publication date: 1994-05-06

Abstract

(57)【要約】【目的】分光応答特性におけるリップルが小さくて均
一性のよい固体撮像素子を提供する。【構成】固体撮像素子は絶縁保護膜の表面に付加され
た凹凸形状、または保護膜中に形成された局所的に屈折
率の異なる複数の領域、あるいは保護膜上に形成された
アイランド状の金属層を含み、あるいはまた、きわめて
小さなまたは大きな厚さを有する絶縁保護膜を含んでい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子（イメー
ジセンサともいう）に関し、特に、固体撮像素子の分光
感度特性の改善に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像素子（イメージセンサ）は、ビ
デオカメラ用センサとして用いられるのを初めとして、
他のいろいろな分野でも使用されており、たとえば狭帯
域のバンドパスフィルタと組合せた監視用センサあるい
は計測用センサとしても広く応用されるようになってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図１５において図解さ
れているように、狭帯域の分光感度特性を持つ分光フィ
ルタを備えたイメージセンサにおいては、そのイメージ
センサの分光応答特性が問題になることがある。図１５
（Ａ）は入射光の波長に対する光電変換素子の分光応答
特性を示し、図１５（Ｂ）は入射光の波長に対する狭帯
域の分光フィルタの透過率特性を示し、そして図１５
（Ｃ）は分光フィルタを通した後の光が光電変換素子に
入射して光電変換されたときにおける波長に対するイメ
ージセンサの総合光応答特性を示している。入射光の波
長に対する光電変換素子の分光応答特性としては、理想
的には図１５（Ａ）の曲線８２で示されているような特
性が好ましいが、実際には曲線８１で示されているよう
に、入射光の波長の変化に対して波状に変動する光応答
特性を示すことが多い。したがって、図１５（Ｂ）で示
されているような波長に対する透過率特性を有する狭帯
域フィルタで分光した光を撮像するとき、図１５（Ｃ）
に示すように、波長の変化に対してリップルを持つ光応
答特性がイメージセンサの総合特性となる。このような
リップル特性は、光電変換素子を覆う酸化膜などの絶縁
保護膜に起因したものである。

【０００４】図１６は、このようなリップルが発生する
メカニズムを説明するための概念図であり、固体撮像素
子の断面を示している。この固体撮像素子において、シ
リコン基板９１の表面層中に光電変換素子として動作す
る不純物層９２が形成されている。シリコン基板９１の
表面は、入射光に対して透明な絶縁保護膜として働くた
とえばＳｉＯ₂のような酸化膜９３によって覆われてい
る。絶縁保護膜９３の上方には空気層９４が存在してい
る。入射光は模式的矢印９５で記されており、固体撮像
素子に入射した光の一部は、他の矢印で示されているよ
うに、屈折率が異なる界面で反射されて酸化膜９３中で
多重反射することになる。

【０００５】今、簡略のために固体撮像素子の表面に対
して垂直に入射する光を考えた場合、入射光強度Ｅ₀と
透過光強度Ｅ_tから、光透過率Ｔは数１および数２によ
って与えられる。

【０００６】

【数１】

【０００７】

【数２】

【０００８】ここで、ｎ₁，ｎ₂，およびｎ₃はそれぞ
れ空気層９４，酸化膜９３，およびシリコン基板９１の
複素屈折率を表わし、ｋ₁，ｋ₂，およびｋ₃はそれぞ
れ空気層中，酸化膜中，およびシリコン基板中における
複素波数を表わし、そしてｄは酸化膜９３の厚さを表わ
している。波数は入射光の波長の関数であり、入射光の
波長に対して光透過率は振動する特性を有することにな
る。通常の固体撮像素子においては、酸化膜９３の厚さ
が１〜２μｍであって入射光の波長と同程度であるの
で、図１５（Ａ）に示されているように、光電変換素子
自体の光応答特性である曲線８２に加えて、酸化膜９３
中での干渉効果に起因するリップルが重畳され、酸化膜
９３を含む固体撮像素子の光応答特性は曲線８１に示さ
れたものとなる。

【０００９】ところで、半導体デバイスの製造プロセス
においては、酸化膜の厚さが半導体ウェハの周辺と中心
部でばらつくという製造上の問題がある。ここで、光の
波長程度（４００ｎｍ〜１μｍ）の大きさで酸化膜厚の
不均一性があれば、図１５（Ａ）中の曲線８１で示され
た分光応答特性中のリップルのピーク位置が変動するこ
とになる。この結果、図１５（Ｃ）で示されるイメージ
センサの総合応答特性のカットオフ波長端（図中にはＸ
で示されている）が変動することになる。したがって、
たとえば大きなサイズのイメージセンサでは、チップの
周辺と中心部で分光応答特性の均一性が劣化するという
可能性がある。また、製造ロット間やウェハ間における
酸化膜条件のばらつきが固体撮像素子の分光応答特性を
変動させる可能性がある。

【００１０】この発明は以上のような課題を解決するた
めになされたものであり、分光応答特性におけるリップ
ルが小さくて均一性のよい固体撮像素子を提供すること
を目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様によ
る固体撮像素子は、１以上の光電変換素子と、その光電
変換素子の光入射表面上に形成された透明膜とを含み、
この透明膜の表面は入射光の約１波長以上の高低差を有
する１以上の凹凸を含んでいることを特徴としている。

【００１２】本発明のもう１つの態様による固体撮像素
子は、１以上の光電変換素子と、その光電変換素子の光
入射表面上に形成された透明膜とを含み、その透明膜は
局所的に屈折率が異なる複数の領域を含むことを特徴と
している。

【００１３】本発明のさらにもう１つの態様による固体
撮像素子は、１以上の光電変換素子と、その光電変換素
子の光入射表面上に形成された透明膜と、その透明膜上
に形成されていて頂点が鋭角にされている複数のアイラ
ンド状の金属層とを含むことを特徴としている。

【００１４】本発明のさらにもう１つの態様による固体
撮像素子は、１以上の光電変換素子と、その光電変換素
子の光入射表面上に形成された透明膜とを含み、その透
明膜は入射光の約半波長以下の厚さを有していることを
特徴としている。

【００１５】本発明のさらにもう１つの態様による固体
撮像素子は、１以上の光電変換素子と、その光電変換素
子の光入射表面上に形成された透明膜とを含み、その透
明膜は約１０μｍ以上の厚さを有していることを特徴と
している。

【００１６】

【作用】本発明による固体撮像素子においては、光電変
換素子の絶縁保護膜の表面に付加された凹凸形状、また
は保護膜中に形成された局所的に屈折率の異なる複数の
領域、あるいは保護膜上に形成されたアイランド状の金
属層が保護膜中に光の散乱を生じさせることによって、
保護膜中の光干渉効果が低減される。

【００１７】あるいはまた、極めて小さなまたは大きな
厚さを有する絶縁保護膜はその保護膜中の光干渉の周期
を極めて大きくまたは小さくするので、保護膜中の光干
渉効果が低減され得る。

【００１８】以上の作用によって、均一で精密な分光応
答特性を有する固体撮像素子の提供が可能となる。

【００１９】

【実施例】図１において、本発明の一実施例による固体
撮像素子を製造するプロセスが概略的な断面図によって
図解されている。

【００２０】まず、図１（Ａ）を参照して、従来技術に
おけるのと同様に、シリコン基板１の表面層内に光電変
換素子として働く不純物層２が形成される。その後、シ
リコン基板の表面は、たとえばＳｉＯ₂のような酸化物
からなる透明な絶縁保護膜３によって覆われる。

【００２１】図１（Ｂ）を参照して、絶縁保護膜３の表
面上に均一な膜厚の透明な下地層が形成される。この下
地層は、通常は保護膜３と同一の材料で形成されるが、
たとえばシリコンオキシナイトライド（Ｓｉ_xＮ
_iＯ_z）のような異なる屈折率を有する材料で形成され
てもよい。その後、この下地層は写真製版工程とエッチ
ング工程によって処理され、複数の矩形のアイランドか
らなる下地層パターン４が形成される。

【００２２】図１（Ｃ）を参照して、たとえばＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法によって、下地層パターン４が透明な上
層膜５によって覆われる。この上層膜５も通常は保護膜
３と同一の材料で形成されるが、異なる屈折率を有する
材料で形成されてもよい。また、上層膜５は、ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法だけでなく、有機シランであるＴＥＯＳ
（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法などの他の
種々の方法によっても形成され得る。

【００２３】以上のように形成された透明な上層膜５の
表面は、下地層パターン４の影響を受けて、高低差がｔ
_{o x p - p}である凹凸を有している。この凹凸ｔ
_{o x p - p}は入射光の波長と同程度の大きさになるよう
に形成される。したがって、上層膜５の表面からシリコ
ン基板１の表面までの厚さ（数２のｄに相当）が二次元
的に入射光の波長程度の範囲内で変動することになり、
これによって光干渉効果がランダムに発生するので、前
述のリップルの発生を弱めることができる。ここで、凹
凸ｔ_{o x p - p}は、下地パターン中のアイランドの間隔
や幅を適切に設定することによって調整することができ
る。

【００２４】図２において、本発明のもう１つの実施例
が図解されている。図２（Ａ）の固体撮像素子は図１
（Ｃ）のものに類似しているが、透明な上層膜５ａの表
面が約４５°の傾斜面を有する複数の三角山型に形成さ
れている。このような上層膜５ａは、バイアススパッタ
リング法によって形成され得る。

【００２５】図２（Ｂ）は、バイアススパッタリング装
置の一例を概略的に図解している。この装置において、
堆積チャンバ２１は、真空ポンプ（図示せず）によって
矢印２Ａのように排気され、スパッタリング中は１０
^{- 3}〜１０^{- 1}ｔｏｒｒの圧力に保持される。ウェハホ
ルダー２２上にはシリコン基板２３がセットされ、矢印
２Ｃで示されているように冷却水が流される。ターゲッ
ト２４も、矢印２Ｄで表わされた冷却水によてっ冷やさ
れる。ウェハホルダ２２には、高周波電源２７がマッチ
ングボックス２５を介して接続されている。同様に、タ
ーゲット２４には、高周波電源２８がマッチングボック
ス２６を介して接続されている。

【００２６】堆積チャンバ２１内には、矢印２Ｄで示さ
れているようにアルゴンガスが導入される。チャンバ２
１内でアルゴンガスはイオン化する。これらのアルゴン
イオンはターゲットに衝突してターゲット粒子をたたき
出し、それらの粒子が基板２３の表面上に堆積する。こ
れに加えて、バイアススパッタリング法では、基板２３
側にも電界が形成され、基板２３上の堆積膜はアルゴン
イオンの衝撃を受けながら形成される。すなわち、上層
膜５ａのエッチングと堆積が同時に起こり、上層膜５ａ
の表面は三角山型の凹凸を有することになる。

【００２７】図３において、本発明のさらにもう１つの
実施例による固体撮像素子を製造するプロセスが概略的
な断面図によって示されている。

【００２８】ここで、図３（Ａ）に示された状態は図１
（Ａ）と同一の状態であるので、その説明は省略され
る。

【００２９】図３（Ｂ）を参照して、酸化膜３上にＯＦ
ＰＲ８００のようなポジ型フォトレジストが塗布され、
写真製版工程を経て所定のレジストパターン３０が形成
される。

【００３０】図３（Ｃ）を参照して、レジストパターン
３０をマスクとして、６：１の緩衝弗酸溶液のエッチャ
ントを用いて酸化膜３がエッチングされる。このとき、
ポジ型レジストは酸化膜との密着性がよくなく、ウェッ
トエッチングの際にエッチャントがレジスト３０と酸化
膜３との界面にしみ込んで、横方向にもエッチングが進
行する。その結果、図３（Ｃ）に示されているような凹
部を有する酸化膜３ａが形成される。

【００３１】図３（Ｄ）を参照して、レジストパターン
３０が除去され、光電変換素子２の各１つ上に１つの凹
部を有する絶縁保護膜３ａを備えた固体撮像素子が得ら
れる。

【００３２】図３（Ｄ）の固体撮像素子においても、絶
縁保護膜３ａの表面からシリコン基板１の表面までの厚
さ（数２のｄに相当）が二次元的に入射光の波長程度の
大きさで変化することになる。これによって、保護膜３
中で光干渉効果がランダムに発生するので、前述のリッ
プルの発生を弱めることができる。

【００３３】図４において、本発明のさらに他の実施例
による固体撮像素子が概略的な断面図で示されている。
図４（Ａ）の固体撮像素子は図３（Ｄ）のものに類似し
ているが、図４（Ａ）においては光電変換素子２の各１
つ上に１つの凸部を有する絶縁保護膜３ｂが設けられて
いる。さらに、図４（Ｂ）の固体撮像素子においては、
絶縁保護膜３ｃの表面は光電変換素子２の各１つ上に複
数の凹部または凸部を有している。これらの保護膜３ｂ
や３ｃは、図３（Ｄ）における保護膜３ａと同様に形成
することができ、かつ光干渉に対して同様に作用し得る
ことが理解されよう。

【００３４】図５と図６において、本発明のさらにもう
１つの実施例による固体撮像素子を製造するプロセスが
概略的な断面図で図解されている。

【００３５】まず、図５（Ａ）の状態は図１（Ａ）の状
態と同一である。図５（Ｂ）を参照して、酸化膜３上に
遮光用材料（ＡｌＳｉ）の層３１が形成される。このと
き、遮光層３１の成膜時の基板の温度を上げたり、また
は遮光層３１の成膜後のパターニング前にシリコンウェ
ハに熱処理を加えるなどによって、遮光層３１内にシリ
コン析出粒子３２を多量に発生させる。

【００３６】図５（Ｃ）を参照して、遮光層３１上にレ
ジストパターン３３が形成される。図６（Ａ）を参照し
て、レジストパターン３３をマスクとして遮光層３１を
エッチングすることによって、遮光膜パターン３１ａが
形成される。このエッチングは、アルミとシリコンの選
択比がある程度とれる条件で実施され、最後に遮光層３
１のエッチング残が残らないように酸化膜３の領域まで
オーバエッチングする。このとき、シリコン析出粒子３
２のエッチング速度はアルミのエッチング速度に比べて
遅いので、酸化膜３の表面にはシリコン析出粒子３２に
対応した凹凸が形成されることになる。

【００３７】図６（Ｂ）を参照して、レジストパターン
３３が除去され、各光電変換素子２の境界部が遮光膜パ
ターンによって覆われた固体撮像素子が得られる。この
固体撮像素子は、その酸化膜３の表面がシリコン析出粒
子３２に対応した微細な凹凸を有しているので、酸化膜
３中の干渉効果による前述のリップルの発生を抑制する
ことができる。

【００３８】図７において本発明のさらにもう１つの実
施例による固体撮像素子を製造するプロセスが概略的な
断面図によって示されている。

【００３９】図７（Ａ）の状態も図１（Ａ）の状態と同
一である。図７（Ｂ）を参照して、酸化膜３上にレジス
トパターン４２が形成される。

【００４０】図７（Ｃ）を参照して、レジストパターン
４２をマスクとして、酸化膜３中に窒素分子Ｎ₂がイオ
ン注入される。

【００４１】図７（Ｄ）を参照して、レジストパターン
４２が除去される。そして、酸化膜３は約４５０℃にお
いてＮ₂ガス中で熱処理され、Ｎ₂がイオン注入された
領域４３がシリコンオキシナイトライドになる。

【００４２】図８において、酸化膜３中にＮ₂をイオン
注入した直後の不純物（Ｎ）の濃度分布が模式的に図解
されている。図８（Ａ）は固体撮像素子の断面を示し、
図８（Ｂ）において、縦軸は図８（Ａ）の酸化膜３の表
面からの深さを表わし、横軸はイオン注入量を表わして
いる。すなわち、イオン注入時のイオンの加速エネルギ
は、図８から理解されるように、Ｎの濃度ピークが酸化
膜３中に形成されかつ光電変換素子領域２内にＮが注入
されないようなエネルギでなければならない。また、確
実にシリコンオキシナイトライド領域４３を形成するた
めに、Ｎの注入量は１×１０^{1 4}ｃｍ^{- 2}以上であるこ
とが望ましい。

【００４３】図７（Ｄ）の固体撮像素子において、酸化
膜３がたとえばプラズマＣＶＤで形成されている場合、
その光屈折率は約１．５であるのに対して、シリコンオ
キシナイトライド領域４３の屈折率は約１．４になる。
すなわち、絶縁保護膜３内において、屈折率の異なる複
数の領域４３が分散配置されているので、光干渉効果が
ランダムに発生し、それによって前述のリップルの発生
が低減される。なお、図７（Ｄ）の例では屈折率の異な
る領域４３が等間隔で配置されているが、それが不等間
隔であっても同様にリップルを低減させることができ
る。

【００４４】図９と図１０において、本発明のさらにも
う１つの実施例による固体撮像素子を製造するプロセス
が概略的な断面図で示されている。

【００４５】図９（Ａ）を参照して、図１（Ａ）の状態
における酸化膜３上に金属膜５１が形成される。

【００４６】図９（Ｂ）を参照して、金属膜５１上にフ
ォトレジストの微細パターン５２が形成される。このフ
ォトレジストパターン５２中の各レジスト領域の幅は、
典型的には光電変換部２の上方で約０．１〜０．３μｍ
である。

【００４７】図９（Ｃ）において、レジストパターン５
２をマスクとして金属膜５１がテーパエッチングされ、
複数の金属アイランド５１ａが形成される。このとき、
各金属アイランド５１ａのテーパ角は、典型的には、酸
化膜３の表面に立てた法線に対して約５〜１５°にされ
る。このようなテーパ角の調節は、エッチングガスの制
御によって可能である。

【００４８】図９（Ｃ）とともに図１０（Ａ）を参照し
て、アイランド状の金属層５１ａは、レジストパターン
５２が除去された後にさらにスパッタエッチングされ
る。このとき、スパッタリング速度は金属アイランド層
５１ａへのスパッタリングイオンの入射角が４５〜６０
°のときに最大となり、このような条件下では各金属ア
イランド５１ａの肩部のみがエッチングされる。したが
って、このスパッタエッチングの初期においては、図１
０（Ａ）に示されているような金属アイランド５１ｂの
形状となる。

【００４９】このようなスパッタエッチングをこのまま
継続していけば、ついには図１０（Ｂ）に示されている
ような形状の金属アイランド層５１ｃが得られる。

【００５０】図１１は、図１０（Ｂ）の固体撮像素子の
一部を拡大して示している。この図から理解されるよう
に、各金属アイランド５１ｃの頂角が鋭角にされている
ので、矢印Ｅで示されているように、金属アイランド層
５１ｃの存在に関わらず、入射光のすべてが絶縁膜３に
到達する。絶縁膜３に到達した入射光は、一部が絶縁膜
３の表面で反射されるが（この反射量は金属アイランド
パターン５１ｃの有無に依存しない）、大部分が絶縁膜
３中に入る。絶縁膜３中に入った光はシリコン基板１の
表面に達し、その一部は基板１の表面で反射される。こ
の反射された光が絶縁膜３の外部に放出されれば、前述
のリップルの原因となる。しかし、図１１中の矢印Ｆで
示されているように、シリコン基板１の表面で反射され
た光のほとんどが金属アイランド層５１ｃの底面で反射
され、再び基板１側へ戻される。すなわち、一旦酸化膜
３中に入射した光は、ほとんどが光電変換素子２に吸収
されるまで、酸化膜３中で多重反射を繰返すので、前述
のリップルが低減され得る。

【００５１】図１２と図１３において、本発明のさらに
もう１つの実施例による固体撮像素子を製造するプロセ
スが概略的な断面図で示されている。

【００５２】図１２（Ａ）の状態は、図１（Ａ）におけ
る酸化膜３を形成する直前の状態に相当する。

【００５３】図１２（Ｂ）において、シリコン基板１の
表面が非常に薄いシリコン窒化膜６１によって覆われ
る。

【００５４】図１２（Ｃ）において、窒化膜６１はシリ
コン酸化膜６２によって覆われる。図１２（Ｄ）におい
て、酸化膜６２か遮光膜６３によって覆われる。

【００５５】図１３（Ａ）において、遮光膜６３上にレ
ジストパターン６４が形成される。図１３（Ｂ）におい
て、レジストパターン６４をマスクとしかつ窒化膜６１
をエッチングストッパとして、遮光膜６３と酸化膜６２
がエッチングされる。

【００５６】図１３（Ｃ）において、レジストパターン
６４が除去される。図１３（Ｃ）の固体撮像素子におい
て、光電変換素子領域２上の絶縁保護膜６１は、入射光
の約半波長以下の薄さで形成されている。したがって、
数２中のｄの値が非常に小さくなり、光干渉の周期が非
常に長くなる。その結果、図１３（Ｃ）の固体撮像素子
においては、細かい周期のリップルを低減することがで
きる。

【００５７】図１４を参照して、本発明のさらにもう１
つの実施例による固体撮像素子の断面が概略的に図解さ
れている。この固体撮像素子は図１（Ａ）の状態に類似
しているが、絶縁保護膜３上に厚い透明層７０が形成さ
れている。この透明層７０は、絶縁保護膜３と同一の材
料であるシリコン酸化膜で形成することができる。ま
た、透明層７０は、たとえば透明なレジストやエポキシ
系の樹脂、さらにアクリル系の樹脂などで形成されても
よい。さらにまた、透明層７０は、複数の材料からなる
多層膜として形成されてもよい。

【００５８】図１４の固体撮像素子において、透明層７
０の厚さは、絶縁保護膜３と合わせた厚さｔ_{t r a n s}
が約１０μｍ以上になるように形成されている。すなわ
ち、数２におけるｄが大きな値となる。したがって、前
述のリップルの発生する周期が非常に短くなり、光干渉
効果が焼失したのと同等の効果が得られる。

【００５９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光電変
換素子上の絶縁保護膜中の光干渉に基づく固体撮像素子
の分光感度特性におけるリップルを低減させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による固体撮像素子を製造す
るプロセスを図解した概略的な断面図である。

【図２】本発明のもう１つの実施例による固体撮像素子
を説明するための図である。

【図３】本発明のさらにもう１つの実施例による固体撮
像素子を製造するプロセスを示す概略的な断面図であ
る。

【図４】本発明のさらに他の実施例による固体撮像素子
を示す断面図である。

【図５】本発明のさらにもう１つの実施例による固体撮
像素子の製造プロセスの一部を示す断面図である。

【図６】図５に続く製造プロセスを示す断面図である。

【図７】本発明のさらにもう１つの実施例による固体撮
像素子の製造プロセスを示す断面図である。

【図８】固体撮像素子の絶縁保護膜中への注入イオンの
分布を示す図である。

【図９】本発明のさらにもう１つの実施例による固体撮
像素子の製造プロセスの一部を示す断面図である。

【図１０】図９に続く製造プロセスを示す断面図であ
る。

【図１１】図１０の固体撮像素子の一部を拡大した図で
ある。

【図１２】本発明のさらにもう１つの実施例による固体
撮像素子の製造プロセスの一部を示す断面図である。

【図１３】図１２に続く製造プロセスを示す断面図であ
る。

【図１４】本発明のさらにもう１つの実施例による固体
撮像素子を示す断面図である。

【図１５】先行技術における固体撮像素子の分光応答特
性を説明するための図である。

【図１６】先行技術による固体撮像素子の絶縁保護膜中
における光干渉を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１シリコン基板２光電変換素子領域３絶縁保護膜４下地層パターン５上層透明膜３１遮光膜４３異なる光屈折率を有する領域５１ｃアイランド状金属層６１シリコン窒化膜７０透明層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山川聡兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電機株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者白石匡兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地三菱電機株式会社エル・エス・アイ研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１以上の光電変換素子と、前記光電変換素子の光入射表面上に形成された透明膜と
を含み、前記透明膜の表面は入射光の約１波長以上の高低差を有
する１以上の凹凸を含んでいることを特徴とする固体撮
像素子。
【請求項２】１以上の光電変換素子と、前記光電変換素子の光入射表面上に形成された透明膜と
を含み、前記透明膜は局所的に屈折率の異なる複数の領域を含む
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項３】１以上の光電変換素子と、前記光電変換素子の光入射表面上に形成された透明膜
と、前記透明膜上に形成されて、頂点が鋭角にされている複
数のアイランド状の金属層を含んでいることを特徴とす
る固体撮像素子。
【請求項４】１以上の光電変換素子と、前記光電変換素子の光入射表面上に形成された透明膜と
を含み、前記透明膜は入射光の約半波長以下の厚さを有している
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項５】１以上の光電変換素子と、前記光電変換素子の光入射表面上に形成された透明膜と
を含み、前記透明膜は約１０μｍ以上の厚さを有していることを
特徴とする固体撮像素子。