JP2019004073A - 光電変換装置およびスキャナ - Google Patents

Abstract

【課題】多様な波長域の光を検出するための光電変換装置においてリップルを低減する。【解決手段】光電変換装置は、複数の画素が配列された半導体基板と、前記半導体基板を覆う透光性の絶縁部材と、を備え、前記半導体基板の前記絶縁部材と接する面には、複数の凹部が設けられ、前記複数の凹部のそれぞれは側面および底面を有し、前記絶縁部材は、各凹部の前記底面と接する第１下面と、隣り合う２つの凹部の間の面と接する第２下面と、を有し、前記絶縁部材の上面は、各画素の上方において、複数の第１上面および複数の第２上面を有し、前記第１下面からその直上の前記第１上面までの距離、前記第１下面からその直上の前記第２上面までの距離、前記第２下面からその直上の前記第１上面までの距離、及び、前記第２下面からその直上の前記第２上面までの距離、のうちの少なくとも３つは互いに異なる。【選択図】図１

Description

本発明は、光電変換装置およびスキャナに関する。

記録媒体上の画像を読み取るためのスキャナは、例えば、読取面を通過する記録媒体に対して光を照射する光源（例えばＬＥＤ）と、該照射された記録媒体からの光を検出するための光電変換装置（例えばラインセンサ）と、を備える。光電変換装置は、光電変換素子（例えばフォトダイオード）や読出回路が設けられた半導体基板、その上に配された絶縁部材（例えば層間絶縁膜）等を備える。カラー対応のスキャナの場合、例えば、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤが上記光源として用いられ、これら各色のＬＥＤを交互に駆動しながら記録媒体からの各色の光を光電変換装置により検出することで、記録媒体上の画像を読み取る。

特開２０１１−１２４５２２号公報 特開昭６４−７２５５７号公報

光電変換装置のなかには、反射光の干渉によって生じうるリップルを低減するため、光電変換部の受光面（即ち絶縁部材の下面）が凹凸状に形成されたものもある（特許文献１及び特許文献２）。

ところで、上記反射光の干渉は該反射光の波長によって態様が異なるため、前述のカラー対応のスキャナに用いられる光電変換装置等、多様な波長域の光の検出が求められる構造においては、リップルの低減の対象となる光の波長域も広い。そのため、光電変換装置の構造面での改善の余地があった。

本発明の目的は、多様な波長域の光を検出するための光電変換装置においてリップルを低減するのに有利な技術を提供することにある。

本発明の一つの側面は光電変換装置にかかり、前記光電変換装置は、複数の画素が配列された半導体基板と、前記半導体基板を覆う透光性の絶縁部材と、を備え、前記半導体基板の前記絶縁部材と接する面には、複数の凹部が設けられ、前記複数の凹部のそれぞれは側面および底面を有し、前記絶縁部材は、各凹部の前記底面と接する第１下面と、隣り合う２つの凹部の間の面と接する第２下面と、を有し、前記絶縁部材の上面は、各画素の上方において、複数の第１上面および複数の第２上面を有し、前記第１下面からその直上の前記第１上面までの距離、前記第１下面からその直上の前記第２上面までの距離、前記第２下面からその直上の前記第１上面までの距離、及び、前記第２下面からその直上の前記第２上面までの距離、のうちの少なくとも３つは互いに異なることを特徴とする。

本発明によれば、多様な波長域の光を検出するための光電変換装置においてリップルを低減することができる。

光電変換装置の構造を説明するための図である。 光電変換装置の構造を説明するための図である。 光電変換装置の構造を説明するための図である。 光電変換装置の構造を説明するための図である。 光電変換装置の構造を説明するための図である。 光電変換装置の構造を説明するための図である。 光電変換装置の構造を説明するための図である。 リップルの低減の効果を説明するための図である。 比較例としての光電変換装置の構造を説明するための図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、各図は、実施形態の構造ないし構成を示す模式図であり、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。

（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る光電変換装置ＡＰの上面レイアウトの一部を示す。図１（ｂ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ１−ｄ１での断面構造を示す。図１（ｃ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ２−ｄ２での断面構造を示す。図１（ｄ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ３−ｄ３での断面構造を示す。なお、構造の理解を容易にするため、図中には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示す（他の図においても同様とする。）。Ｘ方向及びＹ方向は水平方向に対応し、Ｚ方向は垂直方向（即ち、装置ＡＰの断面における上下方向）に対応する。

光電変換装置ＡＰは、複数の画素ＰＸが配列された半導体基板１と、半導体基板１を覆う透光性の絶縁部材２とを備える。ここでは説明の容易化のため単一の画素ＰＸに着目しながら光電変換装置ＡＰの構造を説明する。即ち、図１（ａ）に例示された画素ＰＸは、実際には、平面視においてライン状またはアレイ状に（１以上の列を形成するように）、複数、配列される。１つの画素の寸法（或いは、複数の画素ＰＸの配列間隔）は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれについて例えば１０μｍ〜３０μｍ程度とする。

なお、本明細書において、平面視とは、Ｚ方向で見た場合の態様（例えば図１（ａ）の視点での態様）をいい、即ち、半導体基板１の底面等の基準面に対して垂直な方向で見た場合の態様をいう。

半導体基板１には、本実施形態ではシリコン基板が用いられるが、他の実施形態としてガリウム砒素等の他の半導体で構成された基板が用いられてもよい。図１（ｂ）〜（ｄ）から分かるように、半導体基板１は、複数の半導体領域１１〜１５を含んでおり、これらは画素ＰＸを区画しながら各画素ＰＸに光電変換素子（例えばフォトダイオード）を形成するように設けられる。

例えば、半導体領域１１は、比較的低濃度のＮ型領域である（Ｎ型不純物の正味の濃度が比較的低い領域である。）。半導体領域１２は比較的高濃度のＮ型領域であり、少なくとも領域１１よりも高濃度の領域である。半導体領域１３は比較的高濃度のＮ型領域であり、少なくとも領域１１よりも高濃度の領域である。また、半導体領域１４は比較的低濃度のＮ型領域であり、少なくとも領域１２及び１３よりも低濃度の領域である。また、半導体領域１５は、比較的高濃度のＰ型領域である（Ｐ型不純物の正味の濃度が比較的高い領域であり、一般に、領域１５のＰ型濃度の絶対値は領域１４のＮ型濃度の絶対値よりも大きい。）。

本実施形態では、Ｎ型領域１４は、Ｐ型領域１５を取り囲むようにＰ型領域１５より深く設けられており、これにより、Ｎ型領域１４及びＰ型領域１５はＰＮ接合を形成し、フォトダイオードを形成している。このフォトダイオードは、高濃度Ｎ型領域１２により基板１の深い領域１１から電気的に分離され、また、高濃度Ｎ型領域１３により隣接画素の他のフォトダイオードから電気的に分離される。また、光電変換装置ＡＰは、フォトダイオードで発生した電荷を読み出すための配線部９を更に備えており、領域１５は配線部９に接続され、これにより、電荷量に応じた信号（画素信号）が不図示の読出回路に出力される。本実施形態では、信号電荷として正孔を用いるものとする。

なお、領域１１〜１５のＰ型（第１導電型）／Ｎ型（第２導電型）は必要に応じて変更されてもよい。例えば、領域１１はＰ型であってもよい。また、本実施形態では、信号電荷として正孔を用いるが、信号電荷として電子を用いる場合には領域１４をＰ型とし且つ領域１５をＮ型とすればよい。

絶縁部材２は、半導体基板１に対して光の入射側に配され、本実施形態では複数の絶縁層が積層されて成る。絶縁部材２は、半導体基板１上に設けられた複数のフィールド酸化層２１と、第１絶縁層２２と、第２絶縁層２３と、第３絶縁層２４とを含む。

各酸化層２１は、Ｙ方向に沿ったライン状に設けられた絶縁層である。各酸化層２１は、半導体基板１に対してフィールド酸化を行うことで形成され、本実施形態では、素子分離用のＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ оｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）と共に、即ちＬＯＣＯＳと同一工程で、形成される。酸化層２１は、酸化シリコンで構成され、その屈折率は１．４６程度である。なお、本明細書において、各層ないし各部材の屈折率は波長５５０ｎｍでの屈折率をいう。

図１（ａ）から分かるように、本実施形態では、平面視において、Ｐ型領域１５は、Ｎ型領域１４の矩形状の外縁の内側かつ該外縁の端近傍（辺の近傍）に設けられており、各酸化層２１は、Ｐ型領域１５と重ならないように設けられる。

絶縁層２２は、半導体基板１上に複数の酸化層２１を覆うように設けられる。本実施形態では、絶縁層２２は、例えば常圧ＣＶＤ（化学気相成長）や準常圧ＣＶＤで形成されたＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）であり、その屈折率は１．４６程度である。

絶縁層２３は、絶縁層２２上に設けられる。本実施形態では、絶縁層２３は、例えばプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコンであり、その屈折率は１．４６程度である。

絶縁層２４は、絶縁層２３上に設けられる。本実施形態では、絶縁層２４は、例えばプラズマＣＶＤで形成された酸化シリコン及び／又は酸窒化シリコンであり、その屈折率は１．６程度である。詳細については後述とするが、絶縁層２４の上面には凹凸形状が設けられている。このような形状は、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチングにより形成可能である。

本実施形態では、絶縁部材２は複数の絶縁層が積層されて成り、それらは例えば屈折率が１．４以上の範囲内の材料で構成されるが、他の実施形態として、絶縁部材２は単一の層で構成されてもよい。なお、本実施形態では、絶縁部材２の上面、即ち、絶縁部材２において最上の層である絶縁層２４の上面は、空気（屈折率１程度）に露出されているものとする。

ここで、絶縁部材２の下面および上面のそれぞれには、凹凸形状が形成されている。このことを、以下、図２を参照しながら説明する。

図２は、図１（ｃ）における絶縁部材２の上面の段差（「段差Ｓ」とする。）およびその直下の構造を含む領域の拡大図を示す。ここでは、装置ＡＰの断面における絶縁部材２の輪郭を実線で示し、絶縁部材２を構成する各層２１〜２４の境界面を一点鎖線で示す。

絶縁部材２の下面は、半導体基板１と絶縁部材２との間の境界面（或いは、画素ＰＸの受光面）を形成している。また、絶縁部材２の下面は、平坦な（Ｘ−Ｙ面と平行な）平坦下面を含む。この平坦下面は、本実施形態では、互いに平行で且つ凹凸形状を形成する複数の第１下面（凹面、凹部の底面）２１１および複数の第２下面（凸面、隣り合う２つの凹部の間の面）２１２を含む。下面２１１の個々と下面２１２の個々とは互いに高さが異なる。本実施形態では、図１（ａ）、１（ｂ）及び１（ｃ）からも分かるように、下面２１１及び２１２はＸ方向に所定の間隔（第１の間隔）で交互に配置される。

詳細については後述とするが、絶縁部材２の下面は、互いに隣り合う下面２１１と下面２１２とを接続する傾斜面２１３を更に含む。なお、ここでいう傾斜とは、Ｘ−Ｙ面と交差するように傾いていることをいい、図中では、傾斜面２１３を一直線で示したが、実際には緩やかな曲線を描く。

絶縁部材２の上面は、本実施形態では、絶縁部材２の空気に対する露出面（或いは、画素ＰＸへの光の入射面）を形成している。絶縁部材２の上面は、平坦な（Ｘ−Ｙ面と平行な）平坦上面を含む。この平坦上面は、本実施形態では、各画素の上方において、互いに平行で且つ凹凸形状を形成する複数の第１上面（凹面）２４１および複数の第２上面（凸面）２４２を含む。上面２４１の個々と上面２４２の個々とは互いに高さが異なる。本実施形態では、図１（ａ）及び１（ｄ）からも分かるように、上面２４１及び２４２はＹ方向に比較的大きい間隔（上記第１の間隔よりも大きい第２の間隔）で交互に配置される。

図中に示されるように、下面２１１及び２１２間の高低差（Ｚ方向での長さ。以下同様。）をＤ１とし、また、上面２４１及び２４２間、即ち段差Ｓの高低差をＤ２とする。また、下面２１１からその直上の上面２４１までの距離（Ｚ方向での長さ。以下同様。）をＴ１とする。また、下面２１２からその直上の上面２４１までの距離をＴ２（＝Ｔ１−Ｄ１）とする。また、下面２１１からその直上の上面２４２までの距離をＴ３（＝Ｔ１＋Ｄ２）とする。また、下面２１２からその直上の上面２４２までの距離をＴ４（＝Ｔ３−Ｄ１）とする。本実施形態では、Ｄ１≠Ｄ２とし、距離Ｔ１〜Ｔ４はいずれも互いに異なる。

ここで、発明の理解の容易化のため、第１比較例として、図９（ａ）を参照しながら、光電変換装置ＡＰ’について述べる。第１比較例の装置ＡＰ’は、高低差Ｄ１及びＤ２を有しない、という点で本実施形態の装置ＡＰと異なっている。即ち、第１比較例の装置ＡＰ’では、絶縁部材２の上面および下面の何れも、画素ＰＸの全域にわたって段差のない平坦面となっている。

ここで、画素ＰＸに上方側から入射した光（入射光）Ｌ０は、絶縁部材２の下面および上面においてそれぞれ反射され、反射光Ｌ１及びＬ２が生じる可能性がある。或る波長の光に着目すると、反射光Ｌ１及びＬ２の間に光路差に伴う１８０°程度の位相差が生じる条件では、反射光Ｌ１及びＬ２は低減ないし抑制される。即ち、上記位相差が１８０°程度の場合、入射光Ｌ０の光量に対する反射光Ｌ１及びＬ２の光量の割合（本明細書において「光反射率」と定義される。）が低減され、言い換えると、入射光Ｌ０のうち反射されずに画素ＰＸで検出される光量の割合（本明細書において「光透過率」と定義される。）が高くなる。一方、上記位相差が１８０°程度とならない条件では、光反射率が大きくなり、光透過率は低くなる。

なお、絶縁部材２は複数の層２１〜２４で構成されるが、これらの層間の境界面で生じうる反射は、この反射での光量が上記反射光Ｌ１及びＬ２に比べて十分に小さいため、本明細書では考慮しないものとする。

上記位相差が１８０°となるか否かは、光の波長に依存する。例えば、或る波長においては、上記位相差が１８０°となるため、光透過率が高くなるのに対して、他の波長においては、上記位相差が１８０°とならないため、光透過率が低くなる場合がある。即ち、画素ＰＸの受光効率は光の波長によって変動し得、例えば、波長を大きく（或いは小さく）していくと、画素ＰＸの受光効率は大きくなったり、小さくなったりする。この現象は「リップル」とも称され、詳細については図８（図中のＳＰＬ＃１）を参照しながら後述する。

また、上記位相差が１８０°となるか否かは、絶縁部材２の膜厚Ｔ（或いは光学膜厚）にも依存する。例えば、或る膜厚Ｔにおいては光透過率が高くなるのに対して、他の膜厚Ｔ’においては光透過率が低くなる。そのため、例えば装置ＡＰ’間／画素間の製造ばらつき等、巨視的な製造ばらつきにより画素間で膜厚Ｔが異なった場合、入射光Ｌ０の光量が均一であっても、画素間で光透過率が異なって画素信号の信号値（画素値）が異なってしまう場合がある。

本実施形態に係る光電変換装置ＡＰは、上述のことを考慮して構成されたものであり、多様な波長域の光を検出可能で且つ上記リップルを効果的に低減することを可能にする。

再び図１〜２を参照すると、本実施形態によれば、絶縁部材２は互いに高さの異なる下面２１１及び２１２を有する。或る波長の光において、下面２１１での反射光と、下面２１２での反射光との間に１８０°程度の位相差が生じる条件にすることで、該波長における光透過率の大／小（光反射率の大／小）を逆の関係にすることができる。よって、画素ＰＸ内に互いに異なる高さの下面２１１及び２１２を設けることで、或る波長の光において、それぞれの反射光の強弱が相殺される形となり、それにより、リップルを低減することができる。また、絶縁部材２は互いに高さの異なる上面２４１及び２４２を有する。上面２４１での反射光と、上面２４２での反射光との間に１８０°程度の位相差が生じる条件にすることで、同様にして、リップルを低減することができる。

ここで、
ｎ１ ：層２１〜２３の屈折率（本実施形態では、ｎ１≒１．４６）、
ｎ２ ：層２４の屈折率（本実施形態では、ｎ２≒１．６）、
λ ：反射光の低減対象とする波長、
ｋ_ＯＤＤ：任意の奇数（１、３、５、・・・等）、
とする。このとき、高低差Ｄ１及びＤ２は、理想的には、
Ｄ１＝λ／（４×ｎ１）×ｋ_ＯＤＤ、
Ｄ２＝λ／（４×ｎ２）×ｋ_ＯＤＤ、
で設定されるとよい。

製造ばらつき等に伴う高低差Ｄ１及びＤ２の誤差を考慮すると、
Ｄ１＝λ／（４×ｎ１）×ｋ_ＯＤＤ±λ／８、
Ｄ２＝λ／（４×ｎ２）×ｋ_ＯＤＤ±λ／８、
であればよい。より好適には、
Ｄ１＝λ／（４×ｎ１）×ｋ_ＯＤＤ±λ／（８×ｎ１）、
Ｄ２＝λ／（４×ｎ２）×ｋ_ＯＤＤ±λ／（８×ｎ１）、
であればよい。

このようにして高低差Ｄ１及びＤ２を設定することで、所望の波長について逆位相の反射光を重ね合わせて、上述のリップルを低減することができる。

例えば、高低差Ｄ１については、可視光領域（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度）のいずれかの波長についてのリップル低減を目的として、Ｄ１＝６０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度と設定することが可能である。また、例えば、高低差Ｄ２については、λ＝６３０ｎｍ程度（赤色光）についてのリップル低減を目的として、Ｄ２＝３００ｎｍ程度（ｋ_ＯＤＤ＝３の場合）と設定することが可能である。

なお、上述の例では、高低差Ｄ２についてＤ２＝３００ｎｍ程度（ｋ_ＯＤＤ＝３の場合）とすることを述べたが、奇数ｋ_ＯＤＤの値は、例えば製造面から決定されればよい。例えば、高低差Ｄ２を小さく設定すると、高低差Ｄ２を形成するための処理（エッチング等）の時間の調節が困難になり、製造ばらつき等の原因となりうる。これに対し、高低差Ｄ２を大きく設定すると、高低差Ｄ２を形成するための処理の時間が長くなってしまい、製造コストの増大等の原因となりうる。よって、本実施形態では、ｋ_ＯＤＤ＝３とし、Ｄ２＝３００ｎｍ程度（２５０ｎｍ以上かつ３５０ｎｍ以下）と設定した。

本実施形態では、絶縁部材２は、下面側において、下面２１１及び２１２の他、それらを接続する傾斜面２１３を有し、それにより、絶縁部材２の下面には高低差Ｄ１以下となる領域が存在する。そのため、絶縁部材２の下面では、高低差Ｄ１に対応する波長（６３０ｎｍ）よりも短い波長域についてもリップルを低減させることができる。下面２１１、下面２１２および傾斜面２１３は、平面視において、それらの割合が互いに略等しくなるように設けられてもよい。

例えば、平面視における下面２１１の幅（Ｘ方向での幅。以下同様。）をＷ１とし、下面２１２の幅をＷ２とし、傾斜面２１３の幅をＷ３としたときに、
Ｗ１×０．８≦Ｗ２≦Ｗ１×１．２、かつ、
Ｗ１×０．８≦Ｗ３≦Ｗ１×１．２、
が成立してもよい。代替的または付随的に、Ｗ１／（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｗ３）は、１／３から２／３の範囲内であるとよい。

ところで、一般に、長波長の光（例えば赤色光）の方が、短波長の光（例えば青色光）に比べて視覚への影響が大きいことから（視覚的に目立つことから）、リップルは特に長波長域において低減されることが好ましい。そのため、本実施形態では、絶縁部材２の上面側の高低差Ｄ２を、長波長域（ここでは６３０ｎｍ）でのリップルが低減されるように設定した。

以上のことから、本実施形態では、Ｄ１＝１５０ｎｍ程度（誤差±５０ｎｍの範囲内、より好ましくは±１０％の範囲内）と設定し、Ｄ２＝３００ｎｍ程度（誤差±５０ｎｍの範囲内）とした。これにより、長波長域でのリップルが効果的に低減される。

図８を参照しながら、光電変換装置１によるリップルの低減効果を説明する。図８は、画素信号の信号値（画素値）についての入射光の波長の依存性（以下、単に「画素特性」と表現する。）を示す。図中において、横軸は、入射光の波長を示し、また、縦軸は、赤色光の波長における画素値で規格化された画素値を示す。

図中には、３種類のサンプルについて画素特性が示される。ここで示されるサンプルは、
ＳＰＬ＃１ 高低差Ｄ１及びＤ２の何れも設けられていない構造（第１比較例）、
ＳＰＬ＃２ 高低差Ｄ１のみが設けられた構造（第２比較例）、
ＳＰＬ＃３ 高低差Ｄ１及びＤ２の双方が設けられた構造（本実施形態）、
である。ＳＰＬ＃１は、図９（ａ）に示された前述の第１比較例に係る装置ＡＰ’の構造に対応する。本実施形態の構造（図１〜２参照）との関係で言い換えると、第１比較例では、少なくとも各画素ＰＸについて、絶縁部材２の下面および上面はいずれも実質的に段差のない平坦面となっている（凹凸形状が実質的にない。）。また、ＳＰＬ＃２は、図９（ｂ）に示された第２比較例に係る装置ＡＰ”の構造に対応する。本実施形態の構造との関係で言い換えると、第２比較例では、少なくとも各画素ＰＸについて、絶縁部材２の下面側には下面２１１及び２１２並びに傾斜面２１３が設けられ、絶縁部材２の上面は実質的に段差のない平坦面となっている（凹凸形状が実質的にない。）。なお、ここでいう平坦面について、前述の反射光の位相差が実質的に生じない程度の段差（本実施形態では例えば２０ｎｍ以下）については無視するものとする。

図中において、第１比較例（ＳＰＬ＃１）の画素特性は一点鎖線で示され、第２比較例（ＳＰＬ＃２）の画素特性は二点鎖線で示され、また、本実施形態（ＳＰＬ＃３）の画素特性は実線で示される。画素特性は、或る波長域において振幅するような波形を示している場合、その波長域においてリップルが発生していることを示す。よって、第１比較例（ＳＰＬ＃１）では、図中のほぼ全波長域にわたって（少なくとも波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおいて）リップルが大きいことが分かる。

一方、第２比較例（ＳＰＬ＃２）では、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおいて、第１比較例（ＳＰＬ＃１）に対してリップルが低減されていることが分かる。第２比較例（ＳＰＬ＃２）では、絶縁部材２は、平坦な下面２１１及び２１２、並びに、それらを接続する傾斜面２１３を有し、即ち、絶縁部材２の下面には高低差Ｄ１以下となる領域が存在する。そのため、前述のとおり、絶縁部材２の下面側では、高低差Ｄ１に対応する波長（ここでは６３０ｎｍ）及びそれより短い波長域についてもリップルが低減されうる。よって、第２比較例（ＳＰＬ＃２）によれば、リップルは、比較的広い波長域について、ある程度まで低減される。

これに対し、本実施形態（ＳＰＬ＃３）によれば、第２比較例（ＳＰＬ＃２）に対してリップルが更に低減され、特に赤色光の波長域（図中のλ_Ｔ近傍）においてリップルが効果的に低減されていることが分かる。前述のとおり、一般に、長波長の光（例えば赤色光）の方が視覚への影響が大きい。そのため、本実施形態では、絶縁部材２の下面側の高低差Ｄ１の他、図１〜２を参照しながら述べたように、絶縁部材２の上面側に、長波長域でのリップルを低減可能とする高低差Ｄ２を設けた。これにより、図８からも分かるように、波長域λ_Ｔでは、リップルは５分の１程度まで低減される。

このことは、次のように説明することができる。先ず、第２比較例（ＳＰＬ＃２）に着目すると、第１比較例（ＳＰＬ＃１）の構造に対して絶縁部材２の下面側に高低差Ｄ１を設けることで、第１比較例（ＳＰＬ＃１）に対して、１種類の光の波長についてリップルを低減可能となる。ここでは、Ｄ１＝１５０ｎｍ程度とすることで、リップルの低減対象を波長６３０ｎｍとした。また、第２比較例（ＳＰＬ＃２）では、前述のとおり、絶縁部材２の下面に更に傾斜面２１３を設けることで、リップルの低減対象の波長域を広げている。ここで、傾斜面２１３の割合を大きくすると、比較的広い波長域についてリップルを低減可能となるが、その一方、本来のリップルの低減対象である波長６３０ｎｍにおいて、その効果が損なわれてしまう。よって、第２比較例（ＳＰＬ＃２）では所望のリップルの低減効果が十分に得られない場合がある。

これに対して、本実施形態（ＳＰＬ＃３）では、更に絶縁部材２の上面側に高低差Ｄ２を設けることで、リップルの低減対象となる光の波長を更に増やすことが可能となり、第２比較例（ＳＰＬ＃２）に比べて、より効果的にリップルを低減可能となる。ここでは、高低差Ｄ２を設けることによるリップルの低減対象の波長を、Ｄ２＝３００ｎｍ程度とすることで、波長６３０ｎｍとした。このことは、上記画素特性（図８）からも分かるように、波長域λ_Ｔ（波長６３０ｎｍ近傍）において第２比較例（ＳＰＬ＃２）と本実施形態（ＳＰＬ＃３）とのリップルの低減効果の差として表れている。

前述のとおり、赤色光（波長６３０ｎｍ）等の長波長の光は視覚への影響の大きい。そのため、本実施形態（ＳＰＬ＃３）では、リップルの低減対象として長波長域を選択し、即ち、長波長域でのリップルが低減されるように高低差Ｄ１及びＤ２の双方を設定した。しかしながら、高低差Ｄ１及びＤ２は、異なる２種類の波長域でのリップルが低減されるように、それぞれ設定されてもよい。

本実施形態では、絶縁部材２の下面側及び上面側にそれぞれ高低差Ｄ１及びＤ２を設けることで、絶縁部材２の平坦下面および平坦上面の間の距離は距離Ｔ１〜Ｔ４の４種類となる。このような構造によれば、リップルの低減対象となる光の波長の種類を増やすことができ、光電変換装置ＡＰは、製造ばらつきに起因するリップルの影響を受けることなく多様な波長域の光を安定的に検出可能となる。

この観点で、本実施形態では、距離Ｔ１〜Ｔ４はいずれも互いに異なるものとしたが、これらの少なくとも３つが互いに異なればよい（例えば、Ｄ１＝Ｄ２の場合、Ｔ１＝Ｔ４となり、距離Ｔ１〜Ｔ４のうち３つが互いに異なることになる。）。即ち、絶縁部材２は、これら平坦下面および平坦上面の間の距離が互いに異なる位置が３以上になるように構成されればよい。他の観点では、絶縁部材２は、単一画素ＰＸ内において光反射率のばらつき或いは光透過率のばらつきを平滑化する機能し、そして、膜厚（Ｚ方向の厚さ）が互いに異なる部分を各画素ＰＸの上方において少なくとも３つ有するように構成されるとよい。

再び図１（ａ）を参照すると、平面視において、Ｐ型領域１５は、Ｎ型領域１４の矩形状の外縁内の上辺（＋Ｙ方向側の辺）側近傍に設けられる。そのため、光電変換によって発生する電荷のうち、本実施形態において信号電荷となる正孔は、主に＋Ｙ方向に導かれることで領域１５に集められる。よって、ライン状の各酸化層２１はＹ方向に沿って設けられ、即ち、絶縁部材２の下面側の凹凸形状を形成する下面２１１及び２１２はＸ方向に交互に配置され、これにより電荷収集効率を向上させることができる。一方、絶縁部材２の上面側の凹凸形状を形成する上面２４１及び２４２は、Ｙ方向（即ち上記２１１及び２１２とは異なる方向）に交互に配置される。よって、本実施形態によれば、多様な入射角の入射光についてリップルを低減することができる。

ここで、平面視において、上面２４１及び２４２間の段差Ｓは、領域１５と重ならないように設けられるとよい。領域１４及び１５で形成されるフォトダイオードの特性、即ち画素ＰＸの電気特性は、領域１４及び１５のＰＮ接合部の影響を受けやすい。そのため、このＰＮ接合部の直上には段差Ｓが設けられないことが好ましい。よって、平面視において段差Ｓを領域１５と重ならないようにすることで、例えば画素の電気特性を安定化させることができる。

以上、本実施形態によれば、絶縁部材２の下面側および上面側に高低差Ｄ１及びＤ２をそれぞれ設けることにより、リップルの低減対象となる光の波長の種類を増やし、多様な波長域の光を安定的に検出可能な光電変換装置ＡＰを実現可能となる。

本実施形態では、絶縁部材２の下面側の凹凸形状、即ち下面２１１及び２１２（並びに付随的に傾斜面２１３）を、ＬＯＣＯＳと共に酸化層２１を形成することで設ける態様を例示したが、これに限られるものではない。例えば、絶縁部材２の下面側の凹凸形状は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）により設けられてもよい。この場合、ＳＴＩの側面が傾斜するようにしてもよい。

また、本実施形態では、絶縁部材２の下面２１１及び２１２をＸ方向に交互に配置し、上面２４１及び２４２をＹ方向に交互に配置する態様を例示したが、これらの配置方向は、Ｘ方向及びＹ方向の双方と交差する平面方向、例えば画素区画の対角方向にしてもよい。

また、本実施形態では、絶縁部材２の上面側の凹凸形状について、上面２４１及び２４２間の段差Ｓが略垂直となっている態様を例示したが、これに限られるものではない。例えば、他の実施形態として、上面２４１及び２４２は傾斜面により接続されてもよい。

（第２実施形態）
図３（ａ）は、第２実施形態の光電変換装置ＡＰの上面レイアウトであり、図３（ｂ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ４−ｄ４での断面図である。本実施形態は、絶縁部材２の上面側の凹凸形状を形成する上面２４１及び２４２がＸ方向に交互に配置される、という点で前述の第１実施形態と異なる。本実施形態によっても第１実施形態同様の効果が得られる。

図３（ａ）から分かるように、また、第１実施形態でも述べたとおり、ライン状の各酸化層２１はＹ方向に沿って設けられ、即ち、絶縁部材２の下面側の凹凸形状を形成する下面２１１及び２１２（図２参照。以下の他の実施形態においても同様。）はＸ方向に交互に配置される。本実施形態では、絶縁部材２の上面側の凹凸形状を形成する上面２４１及び２４２は、下面２１１及び２１２同様、Ｘ方向に交互に配置される。例えば、光電変換装置ＡＰの用途等から入射光の入射角が＋Ｙ方向／−Ｙ方向に傾くことが予測される場合には（例えば、装置ＡＰがラインセンサに用いられる場合には）、本実施形態によれば、リップルを効果的に低減させることができる。

なお、本実施形態では、上面２４１及び２４２は、平面視において、段差Ｓが領域１５と重なるように設けられるが、段差Ｓが領域１５と重ならないように設けられてもよい。このことは以下の他の実施形態においても同様である。

（第３実施形態）
図４（ａ）は、第３実施形態の光電変換装置ＡＰの上面レイアウトであり、図４（ｂ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ５−ｄ５での断面図である。本実施形態は、光電変換装置ＡＰが透光性の低屈折部材３を更に備える、という点で前述の第１実施形態と異なる。低屈折部材３は、絶縁部材２の上に、上面２４１及び２４２を覆うように配された第２の絶縁部材であり、本実施形態では、低屈折部材３の上面は平坦化されている。低屈折部材３は、屈折率が比較的低い材料で構成され、本実施形態では、例えば多孔質／非多孔質シリコンオキシカーバイドで構成され、その屈折率は１．３程度またはそれより小さい。

低屈折部材３の屈折率は、絶縁部材２を構成する各層２１〜２４のいずれの屈折率よりも小さい。本実施形態では、絶縁部材２の各層２１〜２４は、Ｚ方向で隣り合う２層間で下層の屈折率が上層の屈折率と等しく、又は、それより小さくなるように配されている。この場合、低屈折部材３の屈折率は、最下層である酸化層２１の屈折率（１．４６程度）よりも小さい。このような構成においては、入射光は、絶縁部材２の層２４と低屈折部材３との間の境界面と、絶縁部材２の下面とでの反射が主となる可能性があるため、第１実施形態同様、リップルの低減を考慮する必要がある。

よって、本実施形態においても、絶縁部材２の下面側および上面側に高低差Ｄ１及びＤ２をそれぞれ設けることにより、リップルの低減対象となる光の波長の種類を増やすことができ、結果として、第１実施形態同様の効果を得ることができる。また、低屈折部材３の上面が平坦化されているため、例えば、その上に光学系（レンズ）等の他の部材を更に配置することができ、構造面においても有利である。或いは、装置ＡＰの製造の観点では、例えば、洗浄処理等を行った際に薬液が段差Ｓに残ってしまうような事態を防ぐことができ、製造面においても有利である。

本実施形態では、低屈折部材３として屈折率１．３程度のものを用いる態様を例示したが、低屈折部材３の屈折率は、絶縁部材２の構成（具体的には、各層２１〜２４に用いられた材料）に基づいて設定可能である。例えば、
ｎ２１：酸化層２１の屈折率、
ｎ２２：絶縁層２２の屈折率、
ｎ２３：絶縁層２３の屈折率、
ｎ２４：絶縁層２４の屈折率、
ｎ０ ：空気の屈折率、
ｎ３ ：低屈折部材３の屈折率、
とした場合、
｜ｎ３−ｎ２４｜＞｜ｎ２１−ｎ２２｜、
｜ｎ３−ｎ２４｜＞｜ｎ２２−ｎ２３｜、
｜ｎ３−ｎ２４｜＞｜ｎ２３−ｎ２４｜、及び、
｜ｎ３−ｎ２４｜≧｜ｎ３−ｎ０｜、
を何れも満たすように、低屈折部材３の材料を選択すればよい。

（第４実施形態）
図５（ａ）は、第４実施形態の光電変換装置ＡＰの上面レイアウトであり、図５（ｂ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ６−ｄ６での断面図である。本実施形態は、絶縁部材２の上面が凹凸形状ではなく階段状に成形されている、という点で前述の第１実施形態と異なる。このような構造によっても、絶縁部材２を、その平坦下面および平坦上面の間の距離が互いに異なる位置が３以上になるように構成することができ、第１実施形態同様の効果を得ることができる。

本実施形態では、絶縁部材２の平坦上面は、Ｘ方向に並んだ４つの上面２４１〜２４４を含み、これらのうち最も低い面は上面２４１である。面２４２は、面２４１より高く位置しており、上面２４１及び２４２間の段差Ｓ１の高低差をＤ２１とする。面２４３は、面２４２より高く位置しており、上面２４２及び２４３間の段差Ｓ２の高低差をＤ２２とする。また、面２４４は、上面２４１〜２４４のうち最も高い面であり、上面２４３及び２４４間の段差Ｓ３の高低差をＤ２３とする。

上記高低差Ｄ２１〜Ｄ２３の一部／全部は、互いに等しくてもよいし、或いは、互いに異なっていてもよい。しかし、好適には上記高低差Ｄ２１〜Ｄ２３の少なくとも一部は互いに異なるとよい。例えば、Ｄ２１＝Ｄ２３且つＤ２２≠Ｄ２１（Ｄ２２≠Ｄ２３）の場合は特に好適であり、高低差Ｄ２１及びＤ２３によるリップルの低減対象となる光の波長と、高低差Ｄ２２によるリップルの低減対象となる光の波長とは、互いに異なる。即ち、高低差Ｄ２１、Ｄ２２及びＤ２３によるリップルの低減対象の狙いの光の波長を、λ１、λ２、λ３及びλ４とすると、
λ１＝４×ｎ２×Ｄ２１／ｋ_ＯＤＤ、
λ２＝４×ｎ２×Ｄ２３／ｋ_ＯＤＤ（＝λ１）、
λ３＝４×ｎ２×（Ｄ２１＋Ｄ２２）／ｋ_ＯＤＤ（≠λ１）、
λ４＝４×ｎ２×（Ｄ２２＋Ｄ２３）／ｋ_ＯＤＤ（＝λ３）、
となる。

図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照しながら、上面２４１〜２４４の平面視での面積が互いに等しい場合を考える。例えば、上面２４１の反射光には上面２４２の反射光が対応し、高低差Ｄ２１によって波長λ１のリップルが効果的に低減される。また、例えば、上面２４３の反射光には上面２４４の反射光が対応し、高低差Ｄ２３（＝Ｄ２１）によって波長λ１のリップルが効果的に低減される。即ち、画素領域における或る面積の領域と、同面積の他の領域とは、反射光が逆位相の関係となり、波長λ１のリップルを効果的に低減可能となる。また、上面２４１の反射光には上面２４３の反射光が対応し、上面２４２の反射光には上面２４４の反射光が対応し、高低差（Ｄ２１＋Ｄ２２＝Ｄ２２＋Ｄ２３）によって波長λ３のリップルが効果的に低減される。即ち、波長λ１同様、波長λ３についても、画素領域における或る面積の領域と、同面積の他の領域とは、反射光が逆位相の関係となり、波長λ３のリップルを効果的に低減可能となる。よって、λ１及びλ３の２種類の波長について、互いにリップル低減効果に影響を与えることなく、それぞれ、効果的にリップル低減が可能となる。

以上、本実施形態によっても、リップルの低減対象となる光の波長の種類を更に増やすことが可能となり、光電変換装置ＡＰは、製造ばらつきに起因するリップルの影響を受けることなく多様な波長域の光を安定的に検出可能となる。

なお、上面２４１〜２４４は、本実施形態では、Ｘ方向に階段状にそれぞれ段差Ｓ１〜Ｓ３を形成するように設けられた態様を例示したが、他の実施形態として、これらは、Ｙ方向に、又は、Ｘ方向及びＹ方向の双方に設けられてもよい。また、絶縁部材２の上面の段差Ｓ１等の数は、本例に限られるものではなく、更に多くの段差が設けられてもよい。

（第５実施形態）
図６（ａ）は、第５実施形態の光電変換装置ＡＰの上面レイアウトであり、図６（ｂ）は、光電変換装置ＡＰの線ｄ７−ｄ７での断面図である。本実施形態は、主に、前述の第１実施形態に対してライン状の酸化層２１の数を減らした、という点で第１実施形態と異なる。これにより、本実施形態において信号電荷となる正孔は、Ｐ型領域１５に集まりやすくなるため、電荷収集効率を向上させることができる。

また、本実施形態では、酸化層２１の数を減らしたことで、平面視において、各上面２４２が下面２１１及び２１２の双方と重なる一方で、各上面２４１は下面２１１及び２１２のいずれとも重なっていない。即ち、本実施形態では、絶縁部材２の平坦下面および平坦上面の間の距離は距離Ｔ２〜Ｔ４の３種類である。しかしながら、前述のとおり（第１実施形態参照）、絶縁部材２は、その平坦下面および平坦上面の間の距離が互いに異なる位置が３以上になるように構成されればよい。本実施形態によっても、リップルの低減対象となる光の波長の種類を増やすことができ、結果として、第１実施形態同様の効果を得ることができる。

なお、本実施形態では、平面視において、上面２４２の個々が、下面２１１及び２１２の双方と重なる態様を例示したが、他の実施形態として、上面２４１の個々が、下面２１１及び２１２の双方と重なってもよい。

（第６実施形態）
図７（ａ）は、第６実施形態の光電変換装置ＡＰの上面レイアウトであり、図７（ｂ）及び７（ｃ）は、それぞれ、光電変換装置ＡＰの線ｄ８−ｄ８及び線ｄ９−ｄ９での断面図である。本実施形態は、絶縁部材２の上面を全域にわたって平坦にし、且つ、下面に２種類の凹凸形状を設けた、という点で前述の第１実施形態と異なる。

具体的には、本実施形態では、図７（ａ）及び７（ｃ）から分かるように、半導体基板１は、凹凸形状を形成する複数の上面（凹面）１４１及び複数の上面（凸面）１４２を有し、上面１４１及び１４２は、互いに高さが異なっており、Ｙ方向に交互に配置されている。そして、図７（ａ）から分かるように、各面１４１及び１４２には、複数の酸化層２１がＸ方向に所定の間隔で配置される。

なお、各酸化層２１は、Ｙ方向に延びたライン状であるが、面１４１及び１４２間には段差Ｓ’が存在するため、Ｙ方向で隣り合う２つの段差Ｓ’の間に形成されることで第１実施形態に比べてＹ方向の長さが短くなっている。段差Ｓ’の高低差は、本実施形態では前述の高低差Ｄ２と同じとするが、絶縁層２１〜２２の屈折率に合わせて変更されてもよい。

このような構造は、半導体基板１の上面に対してフォトリソグラフィ技術を用いてエッチングを行うことで凹面１４１及び凸面１４２を形成し、その後、各面１４１及び１４２上に、フィールド酸化により酸化層２１を形成することで、得られる。なお、面１４１及び１４２により形成される凹凸形状は、複数の画素ＰＸの全域にわたって設けられてもよいが、少なくとも各画素ＰＸ内のＮ型領域１４に設けられればよい。

上述の構造は、絶縁部材２の観点で次のように換言することができる。即ち、絶縁部材２の下面には、複数の凹面１４１および複数の凸面１４２がＹ方向に比較的大きい間隔で並ぶように凹凸形状が形成される。そして、各面１４１及び１４２には、複数の凹面２１１および複数の凸面２１２がＸ方向に比較的小さい間隔で並ぶように凹凸形状が形成される。

このような構造によれば、図７（ｂ）に示されるように、絶縁部材２の平坦下面および平坦上面の間の距離は、距離Ｔ１〜Ｔ４の４種類となる。よって、本実施形態によっても、絶縁部材２は、その平坦下面および平坦上面の間の距離が互いに異なる位置が３以上になるように構成される。このような構造によっても、リップルの低減対象となる光の波長の種類を増やすことができ、結果として、第１実施形態同様の効果を得ることができる。

（その他）
各実施形態に係る光電変換装置ＡＰは、スキャナ（画像読取装置）に適用可能である。スキャナの概念には、画像の読取りを主たる機能とするものの他、この機能を補助的に備えるもの、例えばマルチファンクションプリンタ等も含まれるものとする。例えば、スキャナは、光電変換装置ＡＰと、この光電変換装置ＡＰからの信号を処理するプロセッサと、ＬＥＤアレイ等の光源と、を具備する。光源により照射された読取対象物からの光は、例えばロッドレンズ等の光学系を介して光電変換装置ＡＰに入射し、光電変換装置ＡＰは、この入射光に応じた信号をプロセッサに出力する。プロセッサは、各光電変換装置ＡＰから出力された信号を処理して画像データを生成する。画像データは、スキャナ内の記憶媒体（例えば、ハードディスク、フラッシュＥＥＰＲＯＭ等）に格納され、或いは、スキャナと通信可能なサーバに格納されうる。スキャナは、複数の光電変換装置ＡＰを具備していてもよく、これらは、所定方向に配列されることでラインセンサを形成していてもよい。

以上、いくつかの好適な態様を例示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよい。例えば、或る実施形態の内容に、他の実施形態の内容の一部が組み合わされてもよいし、これと共に／これに代替して、必要に応じて公知の要素が追加され又は削除されてもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。

ＡＰ：光電変換装置、ＰＸ：画素、１：半導体基板、２：絶縁部材。

Claims (14)

1. 複数の画素が配列された半導体基板と、
   前記半導体基板を覆う透光性の絶縁部材と、を備え、
   前記半導体基板の前記絶縁部材と接する面には、複数の凹部が設けられ、
   前記複数の凹部のそれぞれは側面および底面を有し、
   前記絶縁部材は、各凹部の前記底面と接する第１下面と、隣り合う２つの凹部の間の面と接する第２下面と、を有し、
   前記絶縁部材の上面は、各画素の上方において、複数の第１上面および複数の第２上面を有し、
   前記第１下面からその直上の前記第１上面までの距離、
   前記第１下面からその直上の前記第２上面までの距離、
   前記第２下面からその直上の前記第１上面までの距離、及び、
   前記第２下面からその直上の前記第２上面までの距離、
   のうちの少なくとも３つは互いに異なる
   ことを特徴とするに記載の光電変換装置。
2. 平面視において、
   前記第１上面の個々は、前記第１下面および前記第２下面の双方と重なり、
   及び／又は、
   前記第２上面の個々は、前記第１下面および前記第２下面の双方と重なる
   ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 平面視において、
   前記第１下面と前記第２下面とは、第１の間隔で交互に配置されており、
   前記第１上面と前記第２上面とは、前記第１の間隔より大きい第２の間隔で交互に配置されている
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
4. 平面視において、
   前記第１下面と前記第２下面とは、第１方向に交互に配置されており、
   前記第１上面と前記第２上面とは、前記第１方向と交差する第２方向に交互に配置されている
   ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
5. 平面視において、
   前記第１下面と前記第２下面とは、第１方向に交互に配置されており、
   前記第１上面と前記第２上面とは、前記第１方向に交互に配置されている
   ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
6. 前記半導体基板はシリコン基板であり、
   前記絶縁部材は、複数の絶縁層が積層されて成り、
   前記複数の絶縁層は、いずれも、屈折率が１．４以上の材料で構成されている
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
7. 前記絶縁部材は、複数の絶縁層が積層されて成り、
   前記第１上面と前記第２上面との段差をＤ２とし、前記複数の絶縁層の最上のものの屈折率をｎ２とし、波長６３０ｎｍをλとし、任意の奇数をｋ_ＯＤＤとしたときに、
   Ｄ２＝λ／（４×ｎ２）×ｋ_ＯＤＤ±λ／８
   を満たす
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
8. 前記第１上面と前記第２上面との段差をＤ２とし、前記絶縁部材の屈折率をｎ２とし、波長６３０ｎｍをλとし、任意の奇数をｋ_ＯＤＤとしたときに、
   Ｄ２＝λ／（４×ｎ２）×ｋ_ＯＤＤ±λ／８
   を満たす
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
9. 前記絶縁部材の前記上面は空気に露出された
   ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
10. 前記絶縁部材は、第１の絶縁部材であり、
    前記光電変換装置は、前記第１の絶縁部材の上に前記複数の第１上面および前記複数の第２上面を覆うように配された第２の絶縁部材を更に備え、
    前記第２の絶縁部材の屈折率は、前記第１の絶縁部材の屈折率よりも小さい
    ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
11. 各凹部の前記側面は傾斜面であり、
    平面視における前記第１下面の幅をＷ１とし、前記第２下面の幅をＷ２とし、前記傾斜面の幅をＷ３とした場合に、
    Ｗ１×０．８≦Ｗ２≦Ｗ１×１．２、かつ、
    Ｗ１×０．８≦Ｗ３≦Ｗ１×１．２、
    を満たす
    ことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
12. 前記半導体基板は、各画素において、第１導電型の第１領域と、前記第１領域を取り囲むように前記第１領域より深く設けられた第２導電型の第２領域と、を含み、
    前記第１領域は、光電変換により発生した電荷に基づく信号を出力するための配線部に接続されており、
    平面視において、前記第１上面と前記第２上面とは、それらの段差が前記第１領域と重ならないように設けられている
    ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
13. 請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の光電変換装置と、前記光電変換装置からの信号を処理するプロセッサと、を具備する
    ことを特徴とするスキャナ。
14. 前記光電変換装置は、所定方向に複数配列されており、
    前記プロセッサは、前記複数の光電変換装置のそれぞれからの信号を処理して画像データを生成する
    ことを特徴とする請求項１３に記載のスキャナ。

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