JP2014053429A - 固体撮像装置、固体撮像装置を備えた電子機器、表示装置 - Google Patents

固体撮像装置、固体撮像装置を備えた電子機器、表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】入射光を反射して感度の向上や光の利用効率の向上を図ることができ、かつ混色を抑制することができる反射板を有する、固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部と、この光電変換部に対して、光の入射側とは反対の側に設けられ、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、第１の部分に対して入射側に凸に形成された第２の部分とを含み、第１の部分による反射光と第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる反射板を有する、固体撮像装置を構成する。
【選択図】図２

Description

本技術は、固体撮像装置、及び、固体撮像装置を備えた電子機器に係わる。また、本技術は、有機ＥＬ素子等を用いて表示を行う、表示装置に係わる。
固体撮像装置の感度を上げる手段として、特に裏面照射型のＣＩＳ（ＣＭＯＳ型イメージセンサ）の感度向上として、光の入射側とは反対の回路側に、反射板を配置する方法がある（例えば、特許文献１〜特許文献３を参照）。
しかしながら、平坦な反射板を配置するだけでは、反射した光が一部隣の画素に入ることで、感度向上が不十分になったり、あるいは混色の原因になったりすることがある。
以上の課題を克服するため、反射板の反射面を球面等とすることが提案されている（例えば、特許文献４や特許文献５を参照）。
一方、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）に代表されるディスプレイの分野においても、反射を用いて感度向上を目指すデバイスが存在する。
特に、白色光を発光させて、ＲＧＢ３色のカラーフィルタを通して色の分離を行う構成のディスプレイにおいては、反射した光が隣の画素を通過して混色を生じていると、色再現性に問題を引き起こす。
特開２０１０−１４７３３３号公報 特開昭５８−１２２７７５号公報 特開２００７−０２７６０４号公報 特開２０１０−１１８４１２号公報 特開２０１０−０５６１６７号公報
上述したように、反射板を設けることによって感度上昇となるが、同時に混色も増える。
また、反射板の反射面を球面等の曲面にすると、反射板を作製するプロセスが複雑になり、かつコストも高くなる欠点がある。
本技術の目的は、入射光を反射して感度の向上や光の利用効率の向上を図ることができ、かつ混色を抑制することができる反射板を有する、固体撮像装置や表示装置を提供するものである。また、この固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。
本技術の固体撮像装置は、光電変換部と、光電変換部に対して、光の入射側とは反対の側に設けられた反射板を有する。
そして、反射板は、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、第１の部分に対して入射側に凸に形成された第２の部分とを含む。また、反射板は、第１の部分による反射光と第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる構成である。
本技術の電子機器は、光学レンズと、固体撮像装置と、固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路を備えたものである。
本技術の表示装置は、発光部と、発光部の後方に設けられた反射板とを有する。
そして、反射板は、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、第１の部分に対して発光部側に凸に形成された第２の部分とを含む。また、反射板は、第１の部分による反射光と第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させて、発光部の前方に射出させる構成である。
上述の本技術の固体撮像装置の構成によれば、反射板の第１の部分による反射光と、反射板の第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる。
従って、反射板によって、反射光を前記領域の中央部に集めることが可能になり、反射光が隣接する領域へ漏れ込むことを防ぐことができる。
上述の本技術の電子機器の構成によれば、本技術の固体撮像装置を備えているので、固体撮像装置において、反射光を前記領域の中央部に集めることが可能になり、反射光が隣接する領域へ漏れ込むことを防ぐことができる。
上述の本技術の表示装置の構成によれば、反射板の第１の部分による反射光と、反射板の第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる。
従って、反射板によって、反射光を前記領域の中央部に集めることが可能になり、反射光が隣接する領域へ漏れ込むことを防ぐことができる。
上述の本技術によれば、反射板によって、反射光を領域の中央部に集めることが可能になり、反射光が隣接する領域へ漏れ込むことを防ぐことができる。
これにより、固体撮像装置では、隣接する領域への光の漏れ込みによる、隣の画素に入射するような混色等を増やすことなく、感度を効率的に向上させることが可能となる。
また、表示装置では、発光部からの光の利用効率を向上し、かつ、光が隣の画素に入射するような混色を防ぐことができる。
従って、本技術により、高い感度を有し、色再現性が良好で画質が良好な画像が得られる、固体撮像装置、並びに、固体撮像装置を備えた電子機器を実現することが可能になる。
また、本技術により、光の利用効率が高く、色再現性が良好で画質が良好な画像を表示することができる、表示装置を実現することが可能になる。
第１の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図（平面図）である。 第１の実施の形態の固体撮像装置の画素領域における断面図である。 第１の実施の形態の固体撮像装置の反射板の平面レイアウト図である。 Ａ、Ｂ 第２の実施の形態の固体撮像装置の画素領域における断面図である。 第２の実施の形態の固体撮像装置の反射板の平面レイアウト図である。 第３の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図（断面図）である。 第４の実施の形態の電子機器の概略構成図（ブロック図）である。 第５の実施の形態の表示装置の概略構成図（断面図）である。 Ａ、Ｂ 幾何光学での鏡面反射を説明する図である。 Ａ、Ｂ 幾何光学により反射光を集光する反射板の断面図である。 Ａ、Ｂ 画素サイズと集光の有無の関係を説明する図である。 Ａ、Ｂ 本技術の固体撮像装置の構成のシミュレーションを行った構造と結果を示す図である。 図１２Ｂのシミュレーション結果の図を拡大して、同じ位相の波面を破線で示したものである。 Ａ〜Ｃ 本技術に係る反射板の構造の例を示す図である。 Ａ、Ｂ 本技術に係る反射板の構造の例を示す図である。 本技術に係る反射板の構造の例を示す図である。 Ａ〜Ｄ 本技術に係る反射板の構造の例を示す図である。 本技術に係る反射板の構造の例を示す図である。 Ａ、Ｂ 反射板を非対称とした構成のシミュレーションを行った構造と結果を示す図である。 Ａ〜Ｃ 反射板を非対称とした、本技術に係る反射板の構造の例を示す図である。
以下、本技術を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施の形態（固体撮像装置）
３．第２の実施の形態（固体撮像装置）
４．第３の実施の形態（固体撮像装置）
５．第４の実施の形態（固体撮像装置を備えた電子機器）
６．第５の実施の形態（表示装置）
＜１．本技術の概要＞
まず、具体的な実施の形態の説明に先立ち、本技術の概要を説明する。
（基本構造）
本技術では、光が入射する側とは反対の側に、凸部を有する反射板を設けた構造とすることにより、集光の対象とする領域（１個の画素もしくは複数個の画素）の中央部に光を集め、感度を向上すると共に、混色の発生を低減させて画質向上を図る。
即ち、反射板を、集光の対象とする領域（１個の画素もしくは複数個の画素）の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成された第２の部分とを含む構成とする。第２の部分は、第１の部分に対して入射側に凸に形成され、第１の部分に対する凸部となっている。
そして、詳細を後述するように、反射板の第１の部分による反射光と、反射板の第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光して領域の中央部に集めることができる。
（従来技術と本技術の違い）
従来提案されている反射板は、反射面が例えば球面又は曲面であったり、断面形状が台形状であったりしていた。
これらの構成の場合、幾何光学での鏡面反射が生じることによって、集光が可能となる。
ここで、この幾何光学での鏡面反射を、図９Ａ及び図９Ｂを参照して説明する。
図９Ａ及び図９Ｂに示すように、平坦な基板面に入射した光に対して、反射光線と屈折光線、入射面（入射光線と反射光線と屈折光線が同時に存在する面）、法線（基板面に対して垂直で入射面内にある直線）を定義することができる。
そして、図９Ｂに示すように、入射光線と法線とのなす角度（入射角）と、反射光線と法線とのなす角度（反射角）は等しく、いわゆる鏡面反射が生じる。
この鏡面反射の現象は、基板が曲面であっても同様に、光が入射した基板面に対して、入射面と法線を定義することができ、入射角と反射角が等しくなる。
この原理により、図１０Ａに示す、反射面が球面又は曲面である反射板２０１や、図１０Ｂに示す、断面形状が台形状の反射板２０２でも、反射光を集光することが可能である。
これが、幾何光学を用いた、従来提案されている反射板の構成である。
これに対して、本技術では、光の位相差を利用して反射光を集光するものであり、上述した、幾何光学を用いて集光する構成とは、原理が異なる。
そして、特に、画素サイズが小さくなることによって、本技術による効果が大きくなる。
これは、画素サイズが小さくなることによって、幾何光学が成立しなくなり、波動関数の用度が増えるためである。
このことを、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、説明する。
図１１Ａ及び図１１Ｂでは、下層の画素全体に形成された、第１の反射板１０１と、上層の画素の端部（隣接する画素との境界部）に形成された、第２の反射板１０２とを有する反射板の構成としたときに、画素サイズと集光の有無を説明している。第１の反射板１０１は、前述した「反射板の第１の部分」に相当し、第２の反射板１０２は、前述した「反射板の第２の部分」に相当する。
第１の反射板１０１は、下層にあり、光が入射する奥側にある。第２の反射板１０２は、上層にあり、光が入射する手前側にある。第２の反射板１０２は、第１の反射板１０１に対して入射側に凸に形成され、凸部となっている。
反射板をこのような構成としたことにより、入射した光は、第１の反射板１０１と第２の反射板とで、それぞれ反射するが、反射する位置が異なる。
図１１Ａに示す、画素サイズが大きい場合には、画素の端部と画素の中央部とで、それぞれ反射板で反射された光は、鏡面反射に基づいて、それぞれ独立に反射面に垂直な方向に反射される。そして、反射光の波面が水平になるため、反射光が集光されない。
図１１Ｂに示す、画素サイズが小さい場合には、波動関数の連続性により、反射光の波面が曲がり、その結果として、反射光が集光される。
即ち、第１の反射板１０１と第２の反射板１０２とでは、反射位置が異なるために、それぞれの光の位相が異なり、手前側の第２の反射板１０２で反射した光は早く進み、奧側の第１の反射板１０１で反射した光は遅く進み、結果として位相差になる。
そして、画素サイズが小さい場合には、波動関数が連続的につながることにより、位相差を有する反射光がつながって、図１１Ｂに示すように、等位相面である波面が曲がる。波面が曲がったことによって、反射光に集光が生じる。
本技術の反射光が集光される効果は、画素サイズが２〜３μｍよりも小さい場合に、特に有効になる。また、第１の反射板と第２の反射板の反射面の高さの差が１μｍ以下であれば、特に有効になる。
これは、画素サイズが光の波長（赤色の光で０．７μｍ程度）に近づくことにより、波動関数の連続性が顕著になるためである。
（本技術の構成の効果）
次に、本技術の固体撮像装置の構成において、ＦＤＴＤ（Finite-difference time-domain method）法による波動シミュレーションを行った。
シミュレーションを行った構造を、図１２Ａに示す。
図１２Ａに示すように、Ｓｉ基板の下方、反射板の上方に、光入射面を水平面（反射板の反射面と平行な平面）で設定して、この光入射面から垂直な方向へ、波長λ＝６００ｎｍの光が、Ｃｕ（銅）からなる反射板１０１，１０２に射出するように設定した。また、画素サイズは、１．６μｍと設定した。これらの設定条件で、反射板１０１，１０２で反射した光の状態をシミュレーションした。
シミュレーションの結果を、図１２Ｂに示す。図１２Ｂは、十分に時間が経過して平衡状態に達したときの電界強度分布を示す。
この結果から、反射した光の波面が球面状に曲がり、画素の中心で集光していることが判る。
このことは、第１の反射板１０１と第２の反射板１０２との段差における反射によって作られた位相差によって、波面が曲がり、結果として集光したことを意味する。
また、図１３では、図１２Ｂのシミュレーション結果の図を拡大して、同じ位相の波面を破線で示したものである。
図１３の４本の破線は、隣接する破線との間隔が、ほぼ位相πとなっている。
図１３の破線で示すように、上方にいくに従い、波面が曲がってきていて、反射光が集光されていることがわかる。
（反射板の具体例）
以上のような原理と反射板の構造で、反射光を集光できることが判ったが、以下の図１４〜図１８に示される反射板の構造でも、同じ原理で、反射光の集光が可能となる。
本技術は、以下の図１４〜図１８に示される反射板の構造も含むものである。
図１４Ａ〜図１４Ｃに示す構造は、反射板の出っ張り部（第２の反射板１０２）が画素と画素の間にある構造であり、下層の第１の反射板１０１と上層の第２の反射板１０２とが、くっついていて分離されていない。
図１４Ａに示す構造は、第１の反射板１０１が平板であり、第２の反射板１０２が平板であり、これら第１の反射板１０１と第２の反射板１０２とがくっついている。
図１４Ｂに示す構造は、第１の反射板１０１が、画素の端部（境界部）で分離されており、第２の反射板１０２は図１４Ａと同じである。第１の反射板１０１と第２の反射板１０２は、それぞれの端部でくっついている。
図１４Ｃに示す構造は、第２の反射板１０２が、画素の端部（境界部）で分離されており、第１の反射板１０１は図１４Ｂと同じである。第１の反射板１０１と第２の反射板１０２は、それぞれの端部でくっついており、反射板１０１，１０２が画素毎に分離されている。
本技術では、図１４Ａ〜図１４Ｃに示した構造のように、下層の反射板と上層の反射板とをくっつけて形成してもよく、上下の反射板を必ずしも分離する必要がない。
この構造の場合も、出っ張り部での反射とその下の平面での反射で光の位相差が生じ、上下の反射板を分離した構成と同様に、反射光を画素の中央部に集光することが可能となる。
また、図１４Ｃに示した構造のように、出っ張り部において隙間があっても、効果がある。また、その下の面で隙間があっても効果がある。
図１５Ａ〜図１５Ｂに示す構造は、下層の第１の反射板１０１と上層の第２の反射板１０２が分離され、かつ下層の第１の反射板１０１が画素毎に分離されている。
図１５Ａに示す構造は、第１の反射板１０１が平板であり、第２の反射板１０２が平板であり、第１の反射板１０１と第２の反射板１０２とが上下に離れている。また、第１の反射板１０１が画素毎に分離されている。そして、第１の反射板１０１と第２の反射板１０２は、ちょうど互いの隣接する反射板との隙間を埋めるように配置されている。
図１５Ｂに示す構造は、第２の反射板１０２が、画素の端部（境界部）で分離されており、第１の反射板１０１は図１５Ａと同じである。
図１５Ａ〜図１５Ｂに示した構造は、下層の第１の反射板１０１の隙間を覆うように上層の第２の反射板１０２が形成されていることにより、光の反射効率の向上を図ることができる。
また、図１５Ｂに示した構造のように、上層の反射板において隙間があっても、効果がある。また、１層目の反射板において隙間があっても効果がある。
図１６に示す構造は、反射板が多層構造となっており、１層では反射率が少なく、反射率を稼ぐときには有効となる。
ここでは、反射板を、第１の反射板１０１、第２の反射板１０２、第３の反射板１０３の３層構造としているが、さらに多層としても、同様な効果が得られる。
図１６に示す構造の場合には、第２の反射板１０２及び第３の反射板１０３が、前述した「反射板の第２の部分」となっている。
図１７Ａ〜図１７Ｄに示す構造は、上層の反射板を、矩形形状ではなく、角が取れた形状としている。
図１７Ａに示す構造は、図１４Ａに示した構造の第２の反射板１０２を、矩形形状から角が取れた形状に変更したものである。
図１７Ｂに示す構造は、図１４Ｂに示した構造の第１の反射板１０１及び第２の反射板１０２を、矩形形状から角が取れた形状に変更したものである。
図１７Ｃに示す構造は、図１２Ａに示した構造の第２の反射板１０２を、矩形形状から角が取れた形状に変更したものである。
図１７Ｄに示す構造は、図１６に示した構造の第２の反射板１０２及び第３の反射板１０３を、矩形形状から角が取れた形状に変更したものである。
本技術では、図１７Ａ〜図１７Ｄに示した構造のように、角が取れた反射板構造でも良く、必ずしも反射板を矩形形状とする必要はない。
図１８に示す構造は、図１７Ａに示した構造に対して、第１の反射板１０１を全体的に湾曲した形状としたものである。第１の反射板１０１の下面と上面とがそれぞれ下に凸な湾曲した曲面になっている。なお、第１の反射板の上面と下面とでは、下面の方が曲面の曲率が大きくなっている。
製造プロセス上、平坦な膜を作製することは一般的には難しく、反射板の膜厚が薄くなると、図１８に示すように、反射板の上下の面が湾曲することがある。図１８では下に凸な曲面となっているが、上に凸な曲面となる場合もある。
本技術においては、図１８に示した構造のように、反射板の全体が湾曲していても、同様な効果が得られる。
以上は、基板に対して垂直入射の光を反射して、各画素の中心に集光する反射板構造について述べた。
次に、固体撮像装置のレンズ系によって、チップの端において、光が斜めに入射する場合について考える。
この場合、図１４から図１８に示した構造では、光が斜めに入射することによって、画素の中心に集光できないことがある。
そこで、反射板を非対称な構造とすることで、画素の中心に戻すことが可能となる。
図１９Ａに示すように、上層の画素の端部に設ける、上層の反射板を非対称な形状とした、反射板の構造とする。図１９Ａに示す構造では、具体的には、画素の端部の反射板を、幅の広い第２の反射板１０２と幅の狭い第３の反射板１０３とをくっつけて積層し、かつ、第２の反射板１０２の右半分の上に第３の反射板１０３を形成した構成としている。これにより、上層の反射板が左右非対称な形状となっている。
図１９Ａに示す構造に対して、ＦＤＴＤ法による波動シミュレーションを行った、
図１９Ａに示す構造において、Ｓｉ基板の下方、反射板の上方に、光入射面を水平面（反射板の反射面と平行な平面）で設定した。そして、この光入射面から、斜め５°左下の方向へ、波長λ＝６００ｎｍの光が、Ｃｕ（銅）からなる反射板１０１，１０２，１０３に射出するように設定した。これらの設定条件で、反射板１０１，１０２，１０３で反射した光の状態をシミュレーションした。
シミュレーションの結果を、図１９Ｂに示す。図１９Ｂは、十分に時間が経過して平衡状態に達したときの電界強度分布を示す。
この結果から、反射した光の波面が球面状に曲がり、画素の中心で集光し、かつシリコン基板にほぼ垂直に光が入射していることが判る。このことは、下層の第１の反射板１０１と上層の反射板１０２，１０３での段差と、上層の反射板１０２，１０３の非対称性によって、波面が曲がり、結果として、集光と、斜め入射を垂直方向に補正する働きとを意味する。
また、反射板を非対称な構造とし、図１９Ａに示した構造と同様な効果を有する、反射板の構造を、図２０Ａ〜図２０Ｃに示す。
図２０Ａに示す構造は、図１９Ａに示した構造に対して、さらに、第１の反射板１０１と第２の反射板１０２とをくっつけて積層したものである。
図２０Ｂに示す構造は、図１９Ａに示した構造に対して、第２の反射膜１０２を第３の反射膜１０３と同様の幅にして、第２の反射膜１０２と第３の反射膜１０３の位置を左右にずらして形成したものである。
図２０Ｃに示す構造は、図１９Ａに示した構造に対して、第２の反射板１０２と第３の反射板１０３を上下に分離したものである。
これら図２０Ａ〜図２０Ｃに示す構造においても、図１９Ａに示した構造と同様に、集光と、斜め入射を垂直方向に補正する働きを有する。
本技術において、反射板の材料としては、金属材料、無機材料や樹脂の多層膜等を使用することができる。
金属材料としては、例えば、図１２Ｂのシミュレーションを行った構造で採用したＣｕの他、Ａｌ，Ｔａ，Ａｇを使用することができる。
なお、下層の第１の反射板１０１と、上層の第２の反射板１０２や第３の反射板１０３とは、同じ材料で形成しても良く、異なる材料で形成しても良い。
異なる材料で形成する場合に、例えば、上層の反射板を、細かいパターンに形成しやすい材料や、トレンチ内への埋め込み性の良好な材料で、形成することが考えられる。
また、本技術に係る反射板を、基板に対して、光入射側とは反対の側、即ち、裏面照射構造の表面側に設けられる、配線層と兼用させることも可能である。
裏面照射構造の表面側では、基板に画素トランジスタや周辺回路部のトランジスタ等の回路素子が設けられ、基板よりも表面側に、回路素子の電極に電圧を供給するための電極配線が設けられる。この電極配線を構成する配線層を、反射板と兼用させることが可能である。
なお、実際に回路素子に電圧を供給する電極配線とは別に、電極配線と同じ層の配線層（電圧供給のないダミー配線）を形成して、反射板とすることも可能である。この構成を製造する場合、配線層を形成した後に、配線層をパターニングして、電極配線と反射板とをそれぞれ形成すればよい。
さらにまた、裏面照射構造において、基板よりも表面側に設けられる、多層配線の複数の配線層を、それぞれ下層の反射板１０１、上層の反射板１０２，１０３として兼用することも可能である。
（反射板の表示装置への適用）
本技術に係る反射板は、固体撮像装置及び固体撮像装置を備えた電子機器に限らず、表示装置にも適用することができる。
本技術に係る反射板を適用する表示装置としては、発光層から、前方だけでなく後方にも光が射出される構成であり、かつ、カラーフィルタ等を設けて画素毎に色を異ならせた構成の表示装置が挙げられる。例えば、発光層が有機ＥＬ層である有機ＥＬ素子を発光部に備えた表示装置に適用することができる。
発光層から後方にも光が射出される構成では、反射板を設けることによって、後方に射出させる光を前方に反射して、発光層からの光の利用効率を向上することができる。
カラーフィルタ等を設けて画素毎に色を異ならせた構成では、隣接する画素に光が漏れ込むと混色が生じて色再現性が劣化する。本技術に係る反射板を設けることにより、反射光を画素内に集光させることができ、隣接する画素に漏れ込む光を低減して、混色の発生を抑制することができる。
（反射板の変形例）
以上の説明では、反射板を画素毎に反射光を集光させる構成としていた。
本技術においては、画素毎に反射光を集光する構成に限定されるものではなく、複数個の画素からなる領域毎に反射光を集光する構成とすることも可能である。
＜２．第１の実施の形態（固体撮像装置）＞
続いて、本技術の具体的な実施の形態について説明する。
第１の実施の形態の固体撮像装置の概略構成図（平面図）を、図１に示す。
本実施の形態は、本技術を、ＣＭＯＳ型イメージセンサに適用した場合である。
図１に示すように、本実施の形態の固体撮像装置１は、シリコンからなる基板１１上に配列された複数の画素２から構成される画素領域３と、垂直駆動回路４と、カラム信号処理回路５と、水平駆動回路６と、出力回路７と、制御回路８を有して構成される。
画素２は、フォトダイオードからなる光電変換部と、複数の画素トランジスタとから構成され、基板１１上に２次元アレイ状に規則的に複数配列される。
画素２を構成する画素トランジスタとしては、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、増幅トランジスタが挙げられる。
画素領域３は、２次元アレイ状に規則的に配列された複数の画素２から構成される。画素領域３は、入射した光を光電変換して生成した信号電荷を増幅して、カラム信号処理回路５に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域（図示せず）とから構成されている。黒基準画素領域は、通常、有効画素領域の外周部に形成されている。
制御回路８は、垂直同期信号、水平同期信号、マスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６等の動作の基準となる、クロック信号や制御信号等を生成する。そして、制御回路８で生成されたクロック信号や制御信号等は、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５、水平駆動回路６等に入力される。
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素領域３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各画素２のフォトダイオードにおいて受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線９を通してカラム信号処理回路５に供給する。
カラム信号処理回路５は、例えば、画素２の列毎に配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列毎に黒基準画素領域（図示しないが、有効画素領域の外周部に形成される）からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路５の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１０との間に設けられている。
水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順に選択して、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１０に出力させる。
出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１０を通して供給される信号に対して、信号処理を行って出力する。
次に、本実施の形態の固体撮像装置１の各画素２の構成について説明する。
本実施の形態の固体撮像装置１は、半導体基板の表面側を回路形成面として、半導体基板の裏面側を光入射面とした、裏面照射型構造の固体撮像装置である。
本実施の形態の固体撮像装置１の画素領域３における概略断面図を、図２に示す。
図２に示すように、本実施の形態の固体撮像装置１は、シリコン基板等の基板１１に、光電変換部１２が画素毎に形成されている。
そして、基板１１の上面が光入射面とされ、光Ｌが上方から基板１１に入射する。
基板１１の下面、即ち光入射面とは反対側の面には、図示しないが、画素トランジスタ等の回路が形成される。
なお、図２において、基板１１よりも上層の構成の図示も省略している。本実施の形態の固体撮像装置１でも、通常の固体撮像装置と同様に、例えば、基板１１の上層にカラーフィルタ層やオンチップレンズを設けることができる。
また、基板１１の光入射面と反対の側（基板１１よりも表面側）に、反射板が設けられている。
本実施の形態においては、特に、基板１１よりも表面側に設けた反射板を、下層の第１の反射板２１と上層の第２の反射板２２の２層構造として、第１の反射板２１を画素全体に平板状に形成し、第２の反射板２２を画素の端部（境界部）に形成している。
また、第２の反射板２２は、第１の反射板２１から離れて形成されており、これらの反射板２１，２２の層間にも絶縁層２３が形成されている。
即ち、本実施の形態の反射板２１，２２の構造は、図１２Ａに示した反射板１０１，１０２の構造とほぼ同様となっている。そして、本実施の形態では、第１の反射板２１が、前述した「反射板の第１の部分」に相当し、第２の反射板２２が、前述した「反射板の第２の部分」に相当する。
反射板２１，２２の材料としては、反射率の高い、金属等の材料を使用することができる。従来の構成の反射板に使用されていた材料も、使用することができる。
例えば、図１２Ｂのシミュレーションを行った構造で採用したＣｕの他、Ａｌ，Ｔａ，Ａｇ等を反射板の材料として使用することができる。
さらに、光を反射する材料であれば、金属に限定されるものではなく、無機材料や樹脂の多層膜等でも良い。
なお、第１の反射板２１と第２の反射板２２の材料は、同じ材料でも良く、異なる材料でも良い。
反射板２１，２２は、例えば、蒸着法やダマシン法によって、形成することができる。
第１の反射板２１及び第２の反射板２２は、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じるように、画素サイズや反射面の高さの差を選定する。
好ましくは、画素サイズを２〜３μｍよりも小さい構成とする。
また、好ましくは、第１の反射板２１と第２の反射板２２との反射面の高さの差が１μｍ以下である構成とする。
これらの構成とすることにより、第１の反射板２１と第２の反射板２２とにおける、反射光の位相差を大きくすることができるので、反射板による集光効果を高めることができる。
次に、本実施の形態の固体撮像装置の反射板の平面レイアウトを、図３に示す。
図３は、図２の固体撮像装置の画素の構造を示す断面図における反射板の平面構造を示しており、図３におけるＡ−Ａ’に沿った断面図が、図２における反射板の断面図に相当する。
図３に示すように、第２の反射板２２は、画素の周辺部及び画素間の部分に形成されている。
図２及び図３に示すように、反射板が、第１の反射板２１と第２の反射板２２とに分かれて、かつ段差を有して形成されているので、反射光が光電変換部中央に集められる。
このため、隣接する画素の光電変換部１２への光の漏れ（混色）が減るとともに、感度が高くなる。
さらに、イメージセンサチップの受光面の端になるほど、主光線が斜めに入射するため、斜めに入射する光を補正するために、画素部の中央部以外の画素において、反射板を図１９Ａや図２０Ａ〜図２０Ｃに示したような非対称な構造としてもよい。
これにより、主光線が斜めに入射する場合でも、反射光が光電変換部中央に集められ、隣接する光電変換部（画素）への光の漏れ（混色）が減るとともに、感度が高くなる。
上述の本実施の形態の固体撮像装置１の構成によれば、反射板を、画素の中央部を含み画素全体に形成された第１の反射板２１と、隣接する画素の境界部に形成され、第１の反射板２１に対して上層（入射側）に形成された第２の反射板２２で構成している。
そして、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じることにより、画素内で反射光を集光させて、隣接する画素への光の漏れ込みを防ぐことができる。
これにより、隣接する画素への光の漏れ込みによる混色を増やすことなく、感度を効率的に向上させることが可能となる。
従って、本実施の形態によれば、高い感度を有し、色再現性が良好で画質が良好な画像が得られる固体撮像装置１を実現することが可能になる。
＜３．第２の実施の形態（固体撮像装置）＞
第２実施の形態の固体撮像装置２０の概略構成図を、図４〜図５に示す。
本実施の形態も、本技術を、ＣＭＯＳ型イメージセンサに適用した場合である。
図４Ａ及び図４Ｂは、画素領域における断面図を示し、図５は、反射板の平面レイアウト図を示している。
また、本実施の形態の固体撮像装置２０も、裏面照射型構造の固体撮像装置である。
本実施の形態の固体撮像装置２０では、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、基板１１の光入射側とは反対の側（基板１１よりも表面側）に、反射板が設けられている。
本実施の形態においては、特に、基板１１よりも表面側に設けた反射板を、下層の第１の反射板２１と上層の第２の反射板２２の２層構造として、第１の反射板２１を画素全体に平板状に形成し、第２の反射板２２を画素の端部（境界部）に形成している。
また、第２の反射板２２は、第１の反射板２１から離れて形成されており、これらの反射板２１，２２の層間にも絶縁層２３が形成されている。
即ち、本実施の形態の反射板２１，２２の構造は、図１２Ａに示した反射板１０１，１０２の構造とほぼ同様となっている。そして、本実施の形態では、第１の反射板２１が、前述した「反射板の第１の部分」に相当し、第２の反射板２２が、前述した「反射板の第２の部分」に相当する。
反射板２１，２２の材料としては、反射率の高い、金属等の材料を使用することができる。従来の構成の反射板に使用されていた材料も、使用することができる。
例えば、図１２Ｂのシミュレーションを行った構造で採用したＣｕの他、Ａｌ，Ｔａ，Ａｇ等を反射板の材料として使用することができる。
さらに、光を反射する材料であれば、金属に限定されるものではなく、無機材料や樹脂の多層膜等でも良い。
なお、第１の反射板２１と第２の反射板２２の材料は、同じ材料でも良く、異なる材料でも良い。
反射板２１，２２は、例えば、蒸着法やダマシン法によって、形成することができる。
第１の反射板２１及び第２の反射板２２は、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じるように、画素サイズや反射面の高さの差を選定する。
好ましくは、画素サイズを２〜３μｍよりも小さい構成とする。
また、好ましくは、第１の反射板２１と第２の反射板２２との反射面の高さの差が１μｍ以下である構成とする。
これらの構成とすることにより、第１の反射板２１と第２の反射板２２とにおける、反射光の位相差を大きくすることができるので、反射板による集光効果を高めることができる。
さらに、本実施の形態においては、図４Ａ及び図４Ｂの断面図、図５の平面レイアウトにそれぞれ示すように、画素の対角方向において、画素の水平方向よりも、第２の反射板２２を長くしている。図４Ａ及び図４Ｂを比較して判るように、画素の対角方向は画素の水平方向に比べて距離が長くなっており、第２の反射板２２を長くすることによって、反射光をより光電変換部１２の中央に集めることができる。これにより、混色をさらに抑制することができ、感度を向上することもできる。
さらに、イメージセンサチップの受光面の端になるほど、主光線が斜めに入射するため、斜めに入射する光を補正するために、画素部の中央部以外の画素において、反射板を図１９Ａや図２０Ａ〜図２０Ｃに示したような非対称な構造としてもよい。
これにより、主光線が斜めに入射する場合でも、反射光が光電変換部中央に集められ、隣接する光電変換部（画素）への光の漏れ（混色）が減るとともに、感度が高くなる。
その他の構成は、第１の実施の形態の固体撮像装置１と同様であるので、同一符号を付して、重複説明を省略する。
本実施の形態において、固体撮像装置２０の平面構造は、図１に示した平面構造と同様の構造とすることができる。
上述の本実施の形態の固体撮像装置２０の構成によれば、反射板を、画素の中央部を含み画素全体に形成された第１の反射板２１と、隣接する画素の境界部に形成され、第１の反射板２１に対して上層（入射側）に形成された第２の反射板２２で構成している。
そして、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じることにより、画素内で反射光を集光させて、隣接する画素への光の漏れ込みを防ぐことができる。
これにより、隣接する画素への光の漏れ込みによる混色を増やすことなく、感度を効率的に向上させることが可能となる。
従って、本実施の形態によれば、高い感度を有し、色再現性が良好で画質が良好な画像が得られる固体撮像装置２０を実現することが可能になる。
＜４．第３の実施の形態（固体撮像装置）＞
第３実施の形態の固体撮像装置３０の概略構成図（断面図）を、図６に示す。
本実施の形態の固体撮像装置３０も、裏面照射型構造の固体撮像装置である。
図６に示すように、本実施の形態の固体撮像装置３０では、ＲＧＢ３色の別々の分光特性を持った３層の光電変換部が、縦方向に積層されている。
下層の２層の光電変換部は、シリコン基板等の基板３１内に、下から、赤Ｒの光電変換部３２、青Ｂの光電変換部３３が、それぞれ形成されている。これらの光電変換部３２，３３では、吸収係数の波長依存性が大きいことを利用して、それぞれ、赤色の光、青色の光を感知する。
そして、最も上層にある緑Ｇの光電変換部は、有機光電変換膜３５で形成され、有機光電変換膜３５を下層の透明電極（下部電極）３４と上層の透明電極（上部電極）３６で挟んだ構造となっていて、主として緑色の光を感知する。
光電変換膜３５の上層の透明電極（上部電極）３６の上には、絶縁層３７を介して、オンチップレンズ３８が形成されている。
また、基板３１の光入射側とは反対の側（基板３１よりも表面側）に、反射板が設けられている。
本実施の形態においては、特に、基板３１よりも表面側に設けた反射板を、下層の第１の反射板２１と上層の第２の反射板２２の２層構造として、第１の反射板２１を画素全体に平板状に形成し、第２の反射板２２を画素の端部（境界部）に形成している。
また、第２の反射板２２は、第１の反射板２１から離れて形成されており、これらの反射板２１，２２の層間にも絶縁層２３が形成されている。
即ち、本実施の形態の反射板２１，２２の構造は、図１２Ａに示した反射板１０１，１０２の構造とほぼ同様となっている。そして、本実施の形態では、第１の反射板２１が、前述した「反射板の第１の部分」に相当し、第２の反射板２２が、前述した「反射板の第２の部分」に相当する。
反射板２１，２２の材料としては、反射率の高い、金属等の材料を使用することができる。従来の構成の反射板に使用されていた材料も、使用することができる。
例えば、図１２Ｂのシミュレーションを行った構造で採用したＣｕの他、Ａｌ，Ｔａ，Ａｇ等を反射板の材料として使用することができる。
さらに、光を反射する材料であれば、金属に限定されるものではなく、無機材料や樹脂の多層膜等でも良い。
なお、第１の反射板２１と第２の反射板２２の材料は、同じ材料でも良く、異なる材料でも良い。
反射板２１，２２は、例えば、蒸着法やダマシン法によって、形成することができる。
第１の反射板２１及び第２の反射板２２は、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じるように、画素サイズや反射面の高さの差を選定する。
好ましくは、画素サイズを２〜３μｍよりも小さい構成とする。
また、好ましくは、第１の反射板２１と第２の反射板２２との反射面の高さの差が１μｍ以下である構成とする。
これらの構成とすることにより、第１の反射板２１と第２の反射板２２とにおける、反射光の位相差を大きくすることができるので、反射板による集光効果を高めることができる。
さらに、イメージセンサチップの受光面の端になるほど、主光線が斜めに入射するため、斜めに入射する光を補正するために、画素部の中央部以外の画素において、反射板を図１９Ａや図２０Ａ〜図２０Ｃに示したような非対称な構造としてもよい。
これにより、主光線が斜めに入射する場合でも、反射光が光電変換部中央に集められ、隣接する光電変換部（画素）への光の漏れ（混色）が減るとともに、感度が高くなる。
本実施の形態の固体撮像装置３０において、反射板２１，２２の平面レイアウトは、図３に示した第１の実施の形態の平面レイアウトや、図５に示した第２の実施の形態の平面レイアウトと、同じ構成を採用することが可能である。
上述の本実施の形態の固体撮像装置３０の構成によれば、反射板を、画素の中央部を含み画素全体に形成された第１の反射板２１と、隣接する画素の境界部に形成され、第１の反射板２１に対して上層（入射側）に形成された第２の反射板２２で構成している。
そして、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じることにより、画素内で反射光を集光させて、隣接する画素への光の漏れ込みを防ぐことができる。
これにより、隣接する画素への光の漏れ込みによる混色を増やすことなく、感度を効率的に向上させることが可能となる。
従って、本実施の形態によれば、高い感度を有し、色再現性が良好で画質が良好な画像が得られる固体撮像装置３０を実現することが可能になる。
従来の縦方向に複数の光電変換部を積層した固体撮像装置では、赤色光が緑の光電変換部や青の光電変換部にも入射して吸収されるため、赤の感度が低下する。
これに対して、本実施の形態の固体撮像装置３０では、反射板２１，２２によって、基板３１を抜けた光を反射して赤Ｒの光電変換部３２に戻すことができるので、赤の感度を向上させることができる。
なお、上述の各実施の形態では、第１の反射板２１を画素全体に形成しているが、図１５Ａや図１５Ｂに示した構造のように、第１の反射板の画素と画素の境界領域に隙間があってもよい。
また、上述の各実施の形態では、第１の反射板２１と第２の反射板２２は２層に分離した構造であったが、図１４Ａ〜図１４Ｃに示した構造のような、２層がくっついた構造でもよいし、図１６に示した構造のように３層以上の構造でもよい。
また、図１７に示した構造のように角が取れた構造でも良いし、図１８に示した構造のように湾曲してもよい。
さらに、上述の各実施の形態において、反射板２１，２２を配線層と兼用してもよい。特に、ＣＭＯＳ型イメージセンサでは多層に配線層が形成されていることが多いが、多層の配線層を反射板２１，２２と兼用してもよい。
上述の各実施の形態では、反射板を、画素毎に反射光を集光する構成としていた。
本技術においては、画素毎に反射光を集光する構成に限定されるものではなく、複数の画素からなる領域毎に反射光を集光する構成とすることも可能である。
例えば、カラーフィルタの色が縦２画素×横２画素の４画素で同じ色である固体撮像装置に適用する場合に、この４画素の領域の境界に第２の反射板２２等の凸部を設けて、反射板を４画素の領域毎に反射光を集光する構成としても良い。
なお、カラーフィルタの色が縦２画素×横２画素の４画素で同じ色である固体撮像装置においても、反射板を画素毎に反射光を集光する構成とすることが可能であり、画素毎に集光する方が高い解像度が得られる。
＜５．第４の実施の形態（固体撮像装置を備えた電子機器）＞
次に、第４の実施の形態として、固体撮像装置を備えた電子機器の実施の形態を説明する。
第４の実施の形態の電子機器の概略構成図（ブロック図）を、図７に示す。
図７に示すように、本実施の形態の電子機器２００は、第１の実施の形態の固体撮像装置１と、光学レンズ２１０と、シャッタ装置２１１と、駆動回路２１２と、信号処理回路２１３とを有する。
光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１内に一定期間信号電荷が蓄積される。
シャッタ装置２１１は、固体撮像装置１への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路２１２は、固体撮像装置１において、信号電荷の転送動作及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１の信号転送を行う。
信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。
本実施の形態の電子機器２００では、固体撮像装置１において画素の微細化が図られるため、電子機器２００の小型化や高解像度化が図られる。また、固体撮像装置１において全画素同時の露光が可能になり、高いＳ／Ｎ比が得られるため、画質の向上が図られる。
固体撮像装置１を適用できる電子機器２００としては、デジタルビデオカメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用可能である。
上述した本実施の形態の電子機器では、固体撮像装置として第１の実施の形態の固体撮像装置１を使用していた。
本技術の電子機器は、第１の実施の形態の固体撮像装置１を使用する構成に限定されず、本技術の固体撮像装置であれば、任意の固体撮像装置を使用することができる。
また、本技術の電子機器の構成は、図７に示した構成に限定されるものではなく、本技術の固体撮像装置を使用する構成であれば、図７に示した以外の構成とすることも可能である。
＜６．第５の実施の形態（表示装置）＞
第５の実施の形態として、表示装置の実施の形態を説明する。
第５の実施の形態の表示装置の概略構成図（断面図）を、図８に示す。
本実施の形態は、本技術を、発光部に有機ＥＬ素子が用いられ、白色で発光する有機ＥＬディスプレイに適用した場合である。
図８に示すように、この表示装置５０は、基板５１と、有機ＥＬ層５５と、透明電極層５６と、絶縁層５７と、カラーフィルタ５８とを有している。
有機ＥＬ層５５は、下層の有機層５２と、発光層５３と、上層の有機層５４とから構成されている。
下層の有機層５２と上層の有機層５４は、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層等によって構成される。
発光層５３は、発光材料を含んで構成される。例えば、ホスト材料に発光性のゲスト化合物をドーピングして構成される。
有機ＥＬ層５５により、発光部となる有機ＥＬ素子が構成される。
カラーフィルタ５８は、表示装置５０の画素毎に形成されており、図８では、左の画素に赤Ｒのカラーフィルタが形成されており、右の画素に緑Ｇのカラーフィルタが形成されている。なお、図示しない画素に青Ｂのカラーフィルタが形成されている。
このように、それぞれの画素において、発光層５３で発光し、射出された白色光が、カラーフィルタ５８で色分別されるために、カラー表示が可能となる。
このような表示装置において、斜め光となって隣の画素のフィルタを通過する場合には、混色となり、色再現性が劣化することになる。
発光層５３から射出される光は前方向だけでなく、後方向にもあるために、光のロスが発生する。
本実施の形態の表示装置５０においては、図８に示すように、発光層５３を含む有機ＥＬ層５５の後方に、第１の反射板２１と第２の反射板２２からなる反射板が設けられている。
反射板の構造は、図８に示すように、出っ張り部である第２の反射板２２が画素と画素の間にあり、第１の反射板２１及び第２の反射板２２が画素間において隙間があり、第１の反射板２１と第２の反射板２２が接している構造となっている。
即ち、本実施の形態の反射板は、図１４Ｃに示した構造と同様の構造としている。そして、本実施の形態では、第１の反射板２１が、前述した「反射板の第１の部分」に相当し、第２の反射板２２が、前述した「反射板の第２の部分」に相当する。
また、反射板２１及び反射板２２は、有機ＥＬ層５５の有機層５２に接しており、有機ＥＬ層５５用の電極と反射板とを兼用させている。
反射板２１，２２の材料としては、金属材料が好適であり、好ましくはＡｌを用いることができる。その他の金属材料としては、例えば、ＣｕやＴａやＡｇ等を用いることができる。
第１の反射板２１及び第２の反射板２２は、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じるように、画素サイズや反射面の高さの差を選定する。
好ましくは、画素サイズを２〜３μｍよりも小さい構成とする。
また、好ましくは、第１の反射板２１と第２の反射板２２との反射面の高さの差が１μｍ以下である構成とする。
これらの構成とすることにより、第１の反射板２１と第２の反射板２２とにおける、反射光の位相差を大きくすることができるので、反射板による集光効果を高めることができる。
上述の本実施の形態の表示装置５０の構成では、有機ＥＬ層５５の後方に設けた反射板を、画素の中央部に形成された第１の反射板２１と、隣接する画素の境界部に形成され、第１の反射板２１に対して入射側に形成された第２の反射板２２で構成している。
そして、第１の反射板２１による反射光と第２の反射板２２による反射光との間で位相差を生じることにより、画素内で反射光を集光させている。
即ち、有機ＥＬ層５５の発光層５３から発光した光を、反射板２１，２２によって集光させるように反射するので、一方向に射出させることができ、隣接する画素に漏れ込むことなく、カラーフィルタ５８を通過させることができる。
これにより、光が隣の画素に入射するような混色を防ぐことができ、かつ、発光部からの光の利用効率を向上することができる。
従って、本実施の形態によれば、光の利用効率が高く、色再現性が良好で画質が良好な画像を表示することができる、表示装置５０を実現することが可能になる。
本実施の形態の表示装置５０等、本技術の表示装置は、有機ＥＬ素子等を表示パネルに用いたヘッドマウントディスプレイ（例えば、国際特許公開第２００５／０９３４９３号、特開２０１２−１４１４６１号公報を参照）に適用することが可能である。
本技術の表示装置を適用することにより、ヘッドマウントディスプレイにおいて、混色を生じることなく、色再現性が良好であり、良好な画質を有する画像を表示することができる。
上述の実施の形態の表示装置では、画素毎にカラーフィルタ５８を有し、有機ＥＬ層５５の発光層５３から、白色光を射出させる構成としたが、本技術の表示装置は、その他の構成とすることも可能である。例えば、発光層を有する発光部に、有機ＥＬ素子以外の他の素子を用いた構成の表示装置に本技術を適用することも可能である。
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）光電変換部と、前記光電変換部に対して、光の入射側とは反対の側に設けられ、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、前記第１の部分に対して前記入射側に凸に形成された第２の部分とを含み、前記第１の部分による反射光と前記第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる反射板を有する固体撮像装置。
（２）集光の対象とする前記領域が、１つの画素である前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）チップの中心部以外において、前記第２の部分が非対称に形成され、チップの端になるほど、前記第２の部分がチップの中心側にずらして形成された、前記（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）前記反射板の前記第１の部分又は前記第２の部分が、配線層と兼用されている、前記（１）から（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（５）複数の前記光電変換部が縦に積層されている、前記（１）から（４）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（６）光学レンズと、前記（１）から（５）のいずれかに記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路を備えた電子機器。
（７）発光部と、前記発光部の後方に設けられ、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、前記第１の部分に対して前記発光部側に凸に形成された第２の部分とを含み、前記第１の部分による反射光と前記第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させて、前記発光部の前方に射出させる反射板を有する表示装置。
（８）集光の対象とする前記領域が、１つの画素である、前記（７）に記載の表示装置。
（９）前記発光部の前方に、前記画素毎にカラーフィルタが設けられている前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記発光部に有機ＥＬ素子が用いられている、前記（７）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
本技術は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
１，２０，３０ 固体撮像装置、２ 画素、３ 画素領域、４ 垂直駆動回路、５ カラム信号処理回路、６ 水平駆動回路、７ 出力回路、８ 制御回路、９ 垂直信号線、１０ 水平信号線、１１，３１，５１ 基板、２１，１０１ 第１の反射板、２２，１０２ 第２の反射板、１０３ 第３の反射板、２３，３７，５７ 絶縁層、３２ （赤Ｒの）光電変換部、３３ （青Ｂの）光電変換部、３４ 透明電極（下部電極）、３５ 有機光電変換膜、３６ 透明電極（上部電極）、３８ オンチップレンズ、５２，５４ 有機層、５３ 発光層、５５ 有機ＥＬ層、５６ 透明電極層、５８ カラーフィルタ、２００ 電子機器、２１０ 光学レンズ、２１１ シャッタ装置、２１２ 駆動回路、２１３ 信号処理回路

Claims (10)

  1. 光電変換部と、
    前記光電変換部に対して、光の入射側とは反対の側に設けられ、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、前記第１の部分に対して前記入射側に凸に形成された第２の部分とを含み、前記第１の部分による反射光と前記第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる反射板を有する
    固体撮像装置。
  2. 集光の対象とする前記領域が、１つの画素である請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. チップの中心部以外において、前記第２の部分が非対称に形成され、チップの端になるほど、前記第２の部分がチップの中心側にずらして形成された、請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 前記反射板の前記第１の部分又は前記第２の部分が、配線層と兼用されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 複数の前記光電変換部が縦に積層されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
  6. 光学レンズと、
    光電変換部と、前記光電変換部に対して、光の入射側とは反対の側に設けられ、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、前記第１の部分に対して前記入射側に凸に形成された第２の部分とを含み、前記第１の部分による反射光と前記第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させる反射板を有する固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路を備えた
    電子機器。
  7. 発光部と、
    前記発光部の後方に設けられ、集光の対象とする領域の中央部に形成された第１の部分と、隣接する前記領域の境界部に形成され、前記第１の部分に対して前記発光部側に凸に形成された第２の部分とを含み、前記第１の部分による反射光と前記第２の部分による反射光との間で位相差を生じることにより、前記領域内で反射光を集光させて、前記発光部の前方に射出させる反射板を有する
    表示装置。
  8. 集光の対象とする前記領域が、１つの画素である、請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記発光部の前方に、前記画素毎にカラーフィルタが設けられている請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記発光部に有機ＥＬ素子が用いられている、請求項７に記載の表示装置。
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