JP2022093360A - 測距素子 - Google Patents
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Abstract
Description
1.受光素子の基本構成例
2.基本画素構造の改善の必要性
3.画素の第1実施の形態
4.画素の第2実施の形態
5.画素の第3実施の形態
6.画素の第4実施の形態
7.画素の第5実施の形態
8.画素の第6実施の形態
9.画素の第7実施の形態
10.画素の第8実施の形態
11.画素の第9実施の形態
12.まとめ
13.測距モジュールの構成例
14.内視鏡手術システムへの応用例
15.移動体への応用例
本技術は、裏面照射型のCAPDセンサとして機能する受光素子に関するが、初めに、本技術を適用する受光素子の前提となる、受光素子の基本構造について説明する。
図1は、受光素子の構成例を示すブロック図である。
次に、画素アレイ部21に設けられた画素の構成例について説明する。画素アレイ部21に設けられた画素は、例えば図2に示すように構成される。
図4は、画素51の等価回路を示している。
図2を再び参照して、画素51の検出動作について説明する。
Cmod={|I0-I1|/(I0+I1)}x100・・・(1)
以上の受光素子1によれば、以下のような効果を奏することができる。
すなわち、例えば矢印A23や矢印A24に示すように、ある程度の角度を持ってPD114に対して斜めに入射してくる光は配線に遮られることなくPD114に入射する。これにより、より多くの光を受光して画素の感度を向上させることができる。
また、表面照射型のCAPDセンサは、光入射面側に配線123や、信号取り出し部122に接続されたコンタクトやメタルなどの配線124が形成された構造となっている。
図10および図11は、上述した画素51が複数(3個)並んだ状態の断面図を示している。
以上、本技術が適用される受光素子の基本構造について説明した。以下、上述した基本構造を有する受光素子に対して、本技術を適用した受光素子の構成について説明する。
図13は、本技術を適用した画素の第1実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図15は、本技術を適用した画素の第2実施の形態の画素構造を示す断面図である。
反射抑制膜212の材料は、層間絶縁膜92であるSiO2よりも光の反射率が低い膜であればよく、例えば、SiN,SiCN等の窒化膜とされる。反射抑制膜212は、第1実施の形態の反射抑制膜211と同様に、図15において電荷検出部であるN+半導体領域71の下側、換言すれば、電荷検出部であるN+半導体領域71と、金属膜M1の配線層との間に形成されており、反射抑制膜212が形成されている平面領域は、例えば、電荷検出部であるN+半導体領域71と同様に、八角形形状とされる。
図16は、本技術を適用した画素の第3実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図17は、本技術を適用した画素の第4実施の形態の画素構造を示す断面図である。
なお、図17の画素構造では、反射抑制膜212と金属膜M1の反射部材213の縦方向(基板深さ方向)の位置が、異なる位置とされている。
図19は、本技術を適用した画素の第5実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図21は、本技術を適用した画素の第6実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図23は、本技術を適用した画素の第7実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図25は、本技術を適用した画素の第8実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図26は、本技術を適用した画素の第9実施の形態の画素構造を示す断面図である。
より具体的には、画素中央部のN+半導体領域71-1と71-2との間の埋め込み絶縁膜232内、画素境界近傍のN+半導体領域71-1と右隣りの画素201のN+半導体領域71-2(不図示)との間の埋め込み絶縁膜232内、および、画素境界近傍のN+半導体領域71-2と、左隣りの画素201のN+半導体領域71-1(不図示)との間の埋め込み絶縁膜232内の上面近傍にも、遮光膜241が形成されている。
上述した第1乃至第9実施の形態に係る画素201は、第1の電荷検出部(例えば、N+半導体領域71-1)および第2の電荷検出部(例えば、N+半導体領域71-2)に対応する多層配線層91内の平面領域に、光の反射を抑制する反射抑制構造を有する。
図28は、第1乃至第9実施の形態のいずれかの画素構造を備える受光素子1を用いて測距情報を出力する測距モジュールの構成例を示すブロック図である。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
また、この場合には、RGBレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御することにより、RGBそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
鏡筒11101の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド11102まで導光され、当該レンズユニット11401に入射する。レンズユニット11401は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部11402が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってRGBそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部11402は、3D(Dimensional)表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための1対の撮像素子を有するように構成されてもよい。3D表示が行われることにより、術者11131は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部11402が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット11401も複数系統設けられ得る。
本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部11402に適用され得る。具体的には、画素201を有する受光素子1を、撮像部11402の構成の一部として適用することができる。撮像部11402の構成の一部として本開示に係る技術を適用することにより、術部までの距離を高精度に測定することができ、より鮮明な術部画像を得ることができる。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
(1)
オンチップレンズと、
配線層と、
前記オンチップレンズと前記配線層との間に配される半導体層と
を備え、
前記半導体層は、
第1の電圧が印加される第1の電圧印加部と、
前記第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加される第2の電圧印加部と、
前記第1の電圧印加部の周囲に配置される第1の電荷検出部と、
前記第2の電圧印加部の周囲に配置される第2の電荷検出部と
を備え、
前記配線層は、前記第1の電荷検出部および前記第2の電荷検出部に対応する平面領域に、光の反射を抑制する反射抑制構造を有する
受光素子。
(2)
前記反射抑制構造は、ポリシリコンで形成された膜である
前記(1)に記載の受光素子。
(3)
前記反射抑制構造は、窒化膜で形成された膜である
前記(1)に記載の受光素子。
(4)
前記反射抑制構造は、ポリシリコンで形成された第1の反射抑制膜と、窒化膜で形成された第2の反射抑制膜とが前記配線層の積層方向に積層された構造である
前記(1)に記載の受光素子。
(5)
前記配線層は、前記第1の電圧を供給する第1の電圧印加配線と、前記第2の電圧を供給する第2の電圧印加配線と、反射部材とを備える1層の配線を少なくとも有し、
前記反射部材は、前記第1の電荷検出部および前記第2の電荷検出部に対応する平面領域には形成されていない
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の受光素子。
(6)
前記第1の電圧印加配線と、前記第2の電圧印加配線と、前記反射部材とを備える前記1層の配線は、複数層の配線のうち、前記半導体層に最も近い配線である
前記(5)に記載の受光素子。
(7)
前記反射部材は、金属膜である
前記(5)または(6)に記載の受光素子。
(8)
前記半導体層は、
前記第1の電圧印加部と前記第1の電荷検出部との間、および、前記第2の電圧印加部と前記第2の電荷検出部との間に、第1の埋め込み絶縁膜をさらに備える
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の受光素子。
(9)
前記第1の埋め込み絶縁膜の内部に、遮光膜をさらに備える
前記(8)に記載の受光素子。
(10)
前記半導体層は、
前記第1の電荷検出部と前記第2の電荷検出部との間にも、第2の埋め込み絶縁膜をさらに備える
前記(8)または(9)に記載の受光素子。
(11)
前記第1の電荷検出部と前記第2の電荷検出部との間の前記第2の埋め込み絶縁膜の内部に、遮光膜をさらに備える
前記(10)に記載の受光素子。
(12)
オンチップレンズと、
配線層と、
前記オンチップレンズと前記配線層との間に配される半導体層と
を備え、
前記半導体層は、
第1の電圧が印加される第1の電圧印加部と、
前記第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加される第2の電圧印加部と、
前記第1の電圧印加部の周囲に配置される第1の電荷検出部と、
前記第2の電圧印加部の周囲に配置される第2の電荷検出部と
を備え、
前記配線層は、前記第1の電荷検出部および前記第2の電荷検出部に対応する平面領域に、光の反射を抑制する反射抑制構造を有する
受光素子
を備える電子機器。
Claims (12)
- 光入射面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記光入射面と反対側の面に設けられた配線層と、
前記半導体基板に設けられた、第1の電圧が印加される第1の電圧印加部と、
前記半導体基板に設けられ、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加される第2の電圧印加部と、
前記第1の電圧印加部と前記第2の電圧印加部との間に設けられた絶縁膜と
を有する測距素子。 - 前記絶縁膜の内部に所定の膜をさらに備える
請求項1に記載の測距素子。 - 前記所定の膜は、遮光膜である
請求項2に記載の測距素子。 - 前記第1の電圧印加部と前記絶縁膜との間の第1の膜と、
前記第2の電圧印加部と前記絶縁膜との間の第2の膜と
をさらに備える
請求項1に記載の測距素子。 - 前記第1の膜及び前記第2の膜は、遮光膜である
請求項4に記載の測距素子。 - 前記配線層は、反射部材が形成された1層を少なくとも有する
請求項1に記載の測距素子。 - 前記反射部材は、金属膜である
請求項6に記載の測距素子。 - 前記配線層は、光の反射を抑制する反射抑制膜を有する
請求項1に記載の測距素子。 - 前記反射抑制膜は、ポリシリコンまたは窒化膜で形成された膜である
請求項8に記載の測距素子。 - 前記反射抑制膜は、ポリシリコンで形成された第1の反射抑制膜と、窒化膜で形成された第2の反射抑制膜とが前記配線層の積層方向に積層された構造である
請求項8に記載の測距素子。 - 前記半導体基板には、
前記第1の電圧印加部の周囲に配置される第1の電荷検出部と、
前記第2の電圧印加部の周囲に配置される第2の電荷検出部と
が設けられ、
前記配線層は、前記第1の電圧を供給する第1の電圧印加配線と、前記第2の電圧を供給する第2の電圧印加配線と、反射部材とを備える1層の配線を少なくとも有し、
前記反射部材は、前記第1の電荷検出部および前記第2の電荷検出部に対応する平面領域には形成されていない
請求項1に記載の測距素子。 - 前記第1の電圧印加配線と、前記第2の電圧印加配線と、前記反射部材とを備える前記1層の配線は、複数層の配線のうち、前記半導体基板に最も近い配線である
請求項11に記載の測距素子。
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