JP2011086904A - フォトニックミキサ、その使用およびシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多数キャリア電流を半導体基板に注入するための注入接触領域3,4と、光電流を集めるための検出部領域7,8との対を備える。上記注入接触領域3,4は、半導体基板1よりも高いドーパント濃度で第1導電型P+のドーパントでドープされる。検出部領域7,8は、第1導電型とは反対の第2導電型n+のドーパントでドープされ、半導体基板1に設けられた接合部11,12を有し、上記接合部11,12の周囲の半導体基板1におけるゾーンは空乏基板ゾーン101,102である。上記対は、対のラテラル方向端部を規定し、半導体基板1のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する第1導電型p−のフィールド形成ゾーンをさらに備える。
【選択図】図1B
Description
多数キャリア電流を半導体基板に注入することによって多数キャリア電流および関連する電界を生成するための第1導電型の少なくとも1つの注入接触領域であって、そのドーパント濃度は半導体基板よりも高い、注入接触領域と、
光電流を集めるための第1導電型とは反対の第2導電型の少なくとも1つの検出部領域であって、基板との接合部を有し、上記接合部の周りの基板ゾーンは空乏基板ゾーンである、検出部領域と、を備える、フォトニックミキサに関する。
Claims (18)
- 第1導電型でドープされる半導体基板が設けられ、上記半導体基板は、フィールド領域と、多数キャリア電流および当該半導体基板において関連する電界を生成するための手段とを有し、電磁放射が上記フィールド領域内の基板に衝突するとき、多数キャリアおよび少数キャリアのペアが基板において生成されることにより、少数キャリアの光電流を生成する、フォトニックミキサであって、上記基板は、多数キャリア電流を上記半導体基板に注入するための注入接触領域と光電流を集める検出部領域との対と、上記半導体基板のゾーンとを備え、上記注入接触領域は、上記半導体基板よりも高いドーパント濃度の第1導電型のドーパントでドープされ、上記検出部領域は、第1導電型とは反対の第2導電型のドーパントでドープされ、上記半導体基板に対して接合部を有し、上記接合部の周囲に存在する上記半導体基板のゾーンは、空乏基板ゾーンであり、上記対は、当該対のラテラル方向の端部を規定し上記半導体基板のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する第1導電型のフィールド形成ゾーンをさらに備え、上記フィールド形成ゾーンは、上記空乏ゾーンのラテラル方向の拡張を制限するように設計されている、ことを特徴とするフォトニックミキサ。
- 上記検出部領域は、検出部接触領域と、相互境界を共有する検出部コレクタ領域とを備え、上記検出部コレクタ領域は、上記検出部接触領域よりも低い濃度でドープされ、基板に対する接合部によって区切られる、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニックミキサ。
- 上記検出部領域は、単一のフィールド形成ゾーンによってラテラル方向に囲まれる、ことを特徴とする請求項1または2に記載のフォトニックミキサ。
- 上記フィールド領域は、少なくとも1つの接触部によって、ラテラル方向が区切られ、当該接触部は、好ましくは上記半導体基板において規定される接触領域であり、第1導電型のドーパントでドープされる、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- 上記対は、上から見たとき略矩形状を有し、長さ/幅比が0.05と20の間、好ましくは0.25と4の間に規定される、長さおよび幅を有している、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- 上記対には、下層フィールド形成領域に対する接触領域が存在する中央部が設けられ、1つのリング状の検出部領域、または複数の検出部領域が、上記対に対する上記接触領域の反対側に存在する、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- フォトニックミキサは差動フォトニックミキサであり、第2対が、第1対に加えて上記フィールド領域内に存在し、上記第2対は、注入接触領域と、半導体基板に対する接合部および関連する空乏基板ゾーンを有する検出部領域と、第1対のドーパントおよびドーパント濃度に対応するドーパントおよびドーパント濃度を有するフィールド形成ゾーンとを備え、上記フィールド形成ゾーンは、上記空乏基板ゾーンのラテラル方向の拡張を制限する、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- 第3対および第4対が、上記フィールド領域内に存在する、ことを特徴とする請求項7に記載のフォトニックミキサ。
- 光学的透明電極が、フィールド領域に設けられ、表面再結合を低減するために、上記フィールド領域において電荷分配を誘発する、ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- 光学的透明電極はポリシリコン層を有する、ことを特徴とする請求項9に記載のフォトニックミキサ。
- 半導体基板は、第1側部および反対の第2側部を有する活性層を備え、上記検出部領域および上記注入接触領域は第1側部に配置され、多数キャリア電流を集めるための接触部は上記活性層の第2側部に配置される、ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- 第1導電型でドープされる半導体基板が設けられ、上記半導体基板は、フィールド領域と、多数キャリア電流および当該半導体基板において関連する電界を生成するための手段とを有し、電磁放射が上記フィールド領域内の基板に衝突するとき、多数キャリアおよび少数キャリアのペアが基板において生成されることにより、少数キャリアの光電流を生成する、フォトニックミキサであって、上記基板は、多数キャリア電流を上記半導体基板に注入するための注入接触領域と光電流を集める検出部領域との対と、上記半導体基板のゾーンとを備え、上記注入接触領域は、上記半導体基板よりも高いドーパント濃度の第1導電型のドーパントでドープされ、上記検出部領域は、第1導電型とは反対の第2導電型のドーパントでドープされ、上記半導体基板に対して接合部を有し、上記接合部の周囲に存在する上記半導体基板のゾーンは、空乏基板ゾーンであり、上記検出部領域はリング状であり、上記注入接触領域の周囲に伸びており、第1導電型のフィールド形成ゾーンは、上記検出部領域の周囲のラテラル方向に伸びる上記半導体基板のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する、ことを特徴とするフォトニックミキサ。
- 上記注入接触領域は、上記半導体基板のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する第1導電型のフィールド形成ゾーンに対する境界を有し、上記フィールド形成ゾーンは、上記空乏基板ゾーンのラテラル方向の拡張を制限するように設計されている、ことを特徴とする請求項12に記載のフォトニックミキサ。
- 上記注入接触領域は、半導体基板のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する第1導電型のフィールド形成ゾーンに対する境界を有し、上記フィールド形成は、上記検出部領域の周囲のラテラル方向に伸びるフィールド形成ゾーンよりも実質的に深く上記半導体基板内部に伸びている、ことを特徴とする請求項1、12または13に記載のフォトニックミキサ。
- 上記半導体基板は、第1側部および反対の第2側部を有する活性層を備え、上記検出部領域および上記注入接触領域は第1側部に配置され、多数キャリア電流を集める接触部は上記活性層の第2側部に配置される、ことを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載のフォトニックミキサ。
- 第1導電型でドープされる半導体基板が設けられ、上記半導体基板は、フィールド領域と、多数キャリア電流および当該半導体基板において関連する電界を生成するための手段とを有し、電磁放射が上記フィールド領域内の基板に衝突するとき、多数キャリアおよび少数キャリアのペアが基板において生成されることにより、少数キャリアの光電流を生成する、フォトニックミキサであって、上記基板は、多数キャリア電流を上記半導体基板に注入するための注入接触領域と光電流を集める検出部領域との対と、上記半導体基板のゾーンとを備え、上記注入接触領域は、上記半導体基板よりも高いドーパント濃度の第1導電型のドーパントでドープされ、上記検出部領域は、第1導電型とは反対の第2導電型のドーパントでドープされ、上記半導体基板に対して接合部を有し、上記接合部の周囲に存在する上記半導体基板のゾーンは、空乏基板ゾーンであり、、上記半導体基板は、第1側部および反対の第2側部を有する活性層を備え、上記検出部領域および上記注入接触領域は第1側部に配置され、多数キャリア電流を集める接触部は上記活性層の第2側部に配置される、ことを特徴とするフォトニックミキサ。
- 請求項1から16のいずれか1項に記載のフォトニックミキサの飛行時間範囲検出装置のための使用。
- 物体までの距離を測定するためのシステム、特に飛行時間(TOF)アプリケーションのためのシステムであって、
変調周波数にて変調電磁放射線を出射する少なくとも1つのエミッタと、
出射され光学的に反射された上記変調電磁放射線を検出することにより得られる光電流を、印加信号とそのまま混合するためのフォトニックミキサとを備え、
上記フォトニックミキサは、上記検出された放射における時間遅延を示す出力信号を発生し、
請求項1から16のいずれか1項に記載のフォトニックミキサが設けられる、ことを特徴とするシステム。
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