JP6972563B2 - 光導波路デバイスの製造方法 - Google Patents

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本発明は、光導波路デバイスとその製造方法に関する。
光ファイバ通信技術の大容量化・長距離化は,高速な強度変調信号と波長多重化によって大きく進展してきた。最近,高速なデジタル信号処理の実現に伴い、光ファイバの分散や非線形性による信号劣化を,デジタル処理で回復できるデジタルコヒーレント技術が進展している。デジタルコヒーレント技術では,信号光の周波数利用効率を向上させるため、波長多重化に加えて、偏光多重化と多値位相変調技術を用いており、既設の光ファイバ網を活用して伝送容量を飛躍的に増加させることが可能となった。
一方,携帯端末の普及に伴い、多くの人が常時光ネットワークに接続してデータ通信を利用するようになった。このような現状では,デジタルコヒーレント技術の導入に伴いデータ通信対価(例えばビット当たりの単価等)を下げることが求められており,使用される光通信用デバイスの小型化・低価格化が強く要求されている。
このような技術的・市場的背景の中で、光通信用デバイスに用いられる光導波路デバイスモジュールは,より高い性能を実現しつつ,同時に小型化・集積化を進める必要がある。小型化・集積化を行うには、各光部品が独立に動作する必要があるが、光部品が密集することで迷光による影響が顕著となってきており、これを防止する方法が必要となっている。
特許文献1には、次のような光導波路デバイスが記載されている。
LiNbO3等の基板1の光導波路が形成されている面上に、基板1の端面を延長するための補肋部材4を有し、補助部材4(ブロック4)のいずれかの端面5は、光導波路の端面6が位置する基板の端面3のうち少なくとも一の端面と同一平面上に配置され、基板1の端面3及び補助部材4の端面5の上であって、光導波路の端面6の近傍以外の部分には両端面に渡って連続した光学薄膜7(Al等の光反射膜7)((0018)〜(0020)段落、図1)を形成する。このようにすれば、光導波路の出射端面以外の部分から基板の漏れ光が外部へ出射されることを低減することができる、としている((0032)段落)。なお、基板1の端面とブロック4の端面5とを一度に研磨し、これらの端面を完全に一致させ、同一平面となるようにすることも記載されている((0026)段落)。
また特許文献1には、光導波路の端面6から光を入出射させる際に、光を反射させたくない場合には、端面6に光反射防止膜を形成することが好ましいこと((0032)段落)が記載されている。さらに、光反射膜7の代わりに光吸収膜を用いても基板の漏れ光が、基板の端面から外部に出射されず、同様の効果が得られること((0033)段落)、も記載されている。
また特許文献2には、次のような導波路チップが記載されている。
導波路チップの射出端面8のうち導波路3の結合部6より生ずる漏れ光12が射出する部分13、具体的には導波路3の射出端7を除いた部分に、光反射膜31または光吸収膜41を設ける。このようにすれば、漏れ光が発生した場合に、漏れ光12を射出側端面8から射出させないように作用する、としている。((0025)〜(0030)段落、図1,2)
また特許文献3には次のような導波路チップが記載されている。
光源からの出射光を伝播させる導波層を有する光導波素子において、導波層が形成された基板の側面に光源の位置決め部材を形成する。なお位置決め部材は導波層の光入射端面には形成せず、ギャップが存在する。ギャップは透明部材で埋め込んでもよい。光源1と導波層3との結合部分では導波層3に結合できなかった光71が基板2内に侵入しようとする。光71はノイズとなる恐れがあるが、光71は位置決め部材5によって遮断される((0009)〜(0010)、(0013)、(0018)段落)。
特許文献3では、位置決め部材は導波層の光入射端面には形成せず、光源と導波層の光入射端面の間にギャップが存在する。ギャップは透明部材で埋め込むかギャップのままにしておく。
特開平10−020135号公報 特開平5−196823号公報 特開平4−321005号公報
光導波路デバイスにおいて、接続部品の屈折率差が大きい場合には、接続部での光反射を防止するために反射防止膜を形成するが、反射防止膜の成膜方法上、導波路コアのみではなく基板にも反射防止膜が形成される。そのため、基板に漏洩した迷光が反射防止膜を介して光導波路デバイス外部に放射され、最小受信感度を劣化させるなど、特性に悪影響を引き起こすという課題があった。
特許文献1では光導波路の端面6にだけ反射防止膜を形成している(同文献(0032)段落)が、基板1の端面3には反射防止膜はなく、別工程で光反射膜7(Al)を形成しており、反射防止膜を迷光防止に利用することはない。
また特許文献2では、導波路3の射出端7上に何らかの膜を形成するかどうかは記載されておらず、何も形成しないと反射が発生する恐れがある。
また特許文献3では、導波層が形成された基板の側面に光源の位置決め部材を形成する。光源1と導波層3との結合部分では導波層3に結合できなかった光71が基板2内に侵入しようとするが、光71は位置決め部材5によって遮断される。しかし基板から基板外に出射しようとする迷光についての記述はない。また、導波層の光入射端面は何も形成しないかまたは透明部材(反射防止膜ではない)を形成しており、反射防止膜は形成されておらず、反射が発生する恐れがある。
本発明の目的は、以上述べた問題点を解決し、迷光を光導波路デバイスから外部に漏れないようにすることである。
本発明は、基板上に光導波路層を形成した光導波路デバイスであって、前記光導波路層の端面には反射防止膜が形成され、前記基板の端面には前記反射防止膜、及び、前記反射防止膜と積層されたとき迷光を反射する迷光放射防止膜となる反射膜、が形成されていることを特徴とする光導波路デバイス、である。
また本発明は、光導波路層及び前記光導波路層が形成された基板の端面に反射膜を形成し、前記光導波路層または前記光導波路層の端面を研磨して前記基板の端面に前記反射膜を残し、前記光導波路層及び前記基板の端面上に反射防止膜を形成し、前記反射膜と前記反射防止膜が積層された膜を、迷光を反射する迷光放射防止膜とする光導波路デバイスの製造方法、である。
以上のような構成とすることで、基板に漏洩した迷光が光導波路デバイスから外部に放射されることを防止でき、結果として特性劣化を防止することができる。
本発明の第1の実施形態の光導波路デバイス1の構成を示す断面図である。 本発明の第1の実施形態の光導波路デバイス2’と既存の光導波路デバイス2における動作を比較した断面図である。 既存の光導波路デバイスの外部に受光器300を設けて光強度モニタとしたものの平面図である。 本発明の第1の実施形態の光導波路デバイス1を作製する手順を説明するための断面図である。 本発明の第2の実施形態の光導波路デバイス5の構成を示す断面図である。 図5の光導波路デバイス5の製造方法を示す断面図である 本発明の第3の実施形態の光導波路デバイス7の構成を示す断面図である。
(第1の実施形態)
(構成)
図1〜図4を用いて本発明の第1の実施形態を説明する。図1は第1の実施形態の光導波路デバイス1の構成を示す断面図である。
光導波路デバイス1では、基板12上に光導波路層11が形成されておりを備えており、少なくとも1つの接続端面13を有する。光導波路層11の接続端面13側に入力導波路14が形成されている。入力導波路14は図1では途中で途切れているが、表示を省略しているだけであり、実際のデバイスではその先に続いている。
光導波路層11の接続端面13には反射防止膜15が形成され、基板12の接続端面13’には反射膜16が形成され、その上に反射防止膜15が形成される。反射防止膜15と反射膜16を重ね合わせた膜を迷光放射防止膜17と呼称する。
なお、基板12の材料は例えばシリコン、光導波路層11はシリコンとSiO2、入力導波路はシリコン、反射防止膜15と反射膜16は同じ誘電体多層膜である。誘電体多層膜は例えばTiO2とSiO2の積層膜や、Si3N4とSiO2の積層膜などである。反射防止膜15と反射膜16とは同じ誘電体単層膜でもよい。例えば単層のTiO2、SiO2、Si3N4である。
反射防止膜15と反射膜16が同じ材料の誘電体単層膜である場合は、反射防止膜15は合計光学膜厚が伝搬光波長の1/4、反射膜16は合計光学膜厚が伝搬光波長の1/2となるように設定する。光学膜厚=屈折率×膜厚である。また反射防止膜15と反射膜16が同じ材料の誘電体多層膜である場合は、より広い波長範囲で位相状態が誘電体単層膜の場合と同様になるように設定する。
なお、反射防止膜15と反射膜16とは同じ材料の方が製造プロセス上は簡単であるが、異なる材料の誘電体多層膜あるいは誘電体単層膜でもよい。材料が異なる場合もそれぞれの膜の光学膜厚(屈折率×膜厚)を用いて上記と同様に設定する。
なお反射防止膜15と反射膜16の成膜方法は、プラズマアシストEB(Electron Beam)蒸着等の真空蒸着法を初めとする種々の方法を用いることができる。
(動作の説明)
図1の光導波路デバイスの動作を説明する。図2は第1の実施形態の光導波路デバイス2’と既存の光導波路デバイス2における動作を比較した断面図である。
光導波路層21にある入力導波路24に反射防止膜25を介して光(たとえば図2のように光ファイバ28を伝搬し、レンズ29を通ってきた光)が入射された後、光導波路回路で形成されたフィルタ等により入力導波路24から光が基板22に放射される。基板22に放射された光は拡がりつつ減衰しながら伝搬し、光導波路デバイス2、2’内の様々な経路を通って入射端面23、23’へと戻ってくる。このとき、光導波路層21と基板22が同じ材質であった場合、入射端面23へ戻ってきた迷光100は、図2(a)のように入射端面に反射防止膜25のみが形成されている場合には基板22から外部に放射される。
しかし図2(b)のように、入射端面23’に、反射防止膜22と反射膜26が重ねて形成された迷光放射防止膜27がある場合には、迷光100は基板22から外部に放射されずに入射端面23’で反射され、基板22の内部に留まる。基板内部に留まる時間が長いほど、基板内部での吸収により迷光100は熱エネルギーに変わり、光特性への悪影響を防止することができる。
以上述べたように、本実施形態では、光導波路端面に反射防止膜を形成する際に、あらかじめ光導波路層以外にも所定の膜厚の膜を成膜しておき、その上に反射防止膜を成膜すると反射率が高くなるようにすることで基板からの迷光放射を防止する。それによって光導波路デバイスは期待した特性を実現できる。
別の言い方をすると、本実施形態では、基板端面に反射膜を形成して反射防止膜と重なるようにし、重ねた膜が迷光に対する反射膜になるように反射膜の膜厚、材料を設定している。このようにすれば、光導波路用の反射防止膜が基板の端面にも形成されてしまう点を逆に利用して、基板端面に迷光用の反射膜を形成することができる。
基板から迷光が放射されることで悪影響が及ぼされる例として、図3に示す光強度モニタ3が挙げられる。図3は既存の光導波路デバイスの外部に受光器300を設けて光強度モニタとしたものの平面図である。
図3では光導波路層31に方向性結合器36を介して結合した別の光導波路層34’を備え、別の光導波路層34’を光導波路デバイスの端面33まで延伸させる。方向性結合器36で分岐した光は、反射防止膜35を通過して基板と対向して基板外に設けた受光器300に入射させる。入力導波路34に入射した光の一部(たとえば光強度の5%)を別の光導波路34’に分岐し、受光器300で電気信号に変換する場合、主な光導波路伝搬光に対して非常に小さな光強度を感度良く検出する必要がある。しかし、主な光導波路伝搬光のたとえば10%が伝搬中に基板に放射され、基板内を伝搬した後に図2(a)のように基板から外部に放射されて、一部が受光器300に入射した場合、方向性結合器36で分岐した光と同じ波長であるために区別がつかず、光強度が変化してしまう。すると正確な光強度検出ができなくなってしまう。一方図2(b)のように端面に迷光放射防止膜27が形成されている場合には受光器300に放射光が入ることはなく、正確な光強度検出を行うことができる。
(光導波路デバイスの作製方法)
図1の形状の作製方法は図4に示すような手順で行われる。図4は第1の実施形態の光導波路デバイス1を作製する手順を説明するための断面図である。
まず、反射防止膜15を形成する光導波路層11の端面の角度(図1では基板12の上面に対して垂直)とは異なる角度で研磨を行う(図4(b))。ウェーハ上に複数の光導波路デバイス1を作製し、高速回転する刃で個々のチップに切断(チップダイシング)する。しかし切断面が凹凸のある荒れた状態になり、その状態のままだと光が散乱され損失が発生する。この損失を防止するため、端面を光学的に平坦面とするために図4(b)の研磨を行う。
次に、研磨した端面に反射防止膜15と重ねたときに反射膜となるような膜厚の反射膜16を成膜する(図4(c))。次に、反射防止膜15だけが形成されている光導波路層11の端面が、基板12の上面に対して所望の角度となるよう精密研磨を行う(図4(d))。このときに角度の異なる基板側の研磨が行われないようにすることで、光導波路層11の端面のみを露出させる。次に、端面全体に反射防止膜15を成膜する(図4(e))。
なお、図4(d)で述べた研磨によって反射膜16の一部の膜厚が薄くなる。反射防止膜15の膜厚が均一だとすると、その箇所では迷光の放出防止機能が低下する。しかし薄くなる箇所の面積は、実際には基板端面全体から見ると小さく、また反射膜16の膜厚はそもそも薄くてよいので、大きな問題にはならない。
(第2の実施形態)
図4の製造方法では、図4(e)の工程で、光導波路層11がある側を研磨したが、基板12側から研磨してもよい。本第2の実施形態はそのような場合である。図5は基板側から研磨した場合の光導波路デバイス5の断面図である。
図6は図5のデバイスの製造方法を示す断面図である。まず、チップダイシング後に光導波路層端面53を垂直研磨する(図6(a))。次に、研磨した端面に、後述する反射防止膜55と重ねたときに反射膜(迷光放射防止膜57)となるような光学膜厚の反射膜56を成膜する(図6(b))。次に、反射防止膜を形成する光導波路層端面53が、基板52の上面に対して所望の角度となるよう精密研磨を行う(図6(c))。つまり光導波路層端面53は、基板52の上面に対して、光導波路層51がある側に傾斜している。このとき角度の異なる基板側の研磨が行われないように研磨量を制御することで、光導波路層端面53のみを露出させる。次に、端面全体に反射防止膜55を成膜する(図6(d))。
この構造では、光導波路層端面でわずかに生じる反射戻り光の光軸が光導波路伝搬光の光軸と異なるため、反射防止効果が高い。
(第3の実施形態)
図7は本発明の第3の実施形態の光導波路デバイス7の構成を示す断面図である。
光導波路デバイス7は基板72上に光導波路層71を形成している。光導波路層71の端面73には反射防止膜75が形成される。また基板72の端面73’には反射防止膜75と反射膜76が積層されて迷光放射防止膜77となっており、迷光放射防止膜77は迷光を反射する反射膜となる。迷光放射防止膜77を迷光の反射膜となるように、反射防止膜75と反射膜76の光学膜厚を調整する。
1、2、2’、7 光導波路デバイス
3 光強度モニタ
12、22、52、72 基板
13 接続端面
13、13’ 接続端面
23、23’ 入射端面
14、24、34 入力導波路
15、25、35 反射防止膜
16、26、56、76 反射膜
17、27、57、77 迷光放射防止膜
28 光ファイバ
29 レンズ
34’ 別の光導波路層
36 方向性結合器
73、73’ 端面
100 迷光

Claims (2)

  1. 光導波路層の端面及び前記光導波路層が形成された基板の端面に反射膜を形成し、前記光導波路層の端面に形成された前記反射膜を研磨して前記光導波路層の端面を露出させるとともに、前記基板の端面に前記反射膜を残し、前記光導波路層の露出した端面上及び前記基板の端面に残っている前記反射膜上に反射防止膜を形成し、前記反射膜と前記反射防止膜が積層された膜を、迷光を反射する迷光放射防止膜とする光導波路デバイスの製造方法。
  2. 前記反射膜は前記反射防止膜と積層されて迷光放射防止膜としたときに、迷光を反射する光学膜厚である請求項に記載の光導波路デバイスの製造方法。
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