JPH1020135A

JPH1020135A - 光導波路デバイス及び光学薄膜の形成方法

Info

Publication number: JPH1020135A
Application number: JP8179707A
Authority: JP
Inventors: Takashi Shionoya; 孝塩野谷
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-07-09
Filing date: 1996-07-09
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】従来技術では端面の一部にしか光反射膜を形成
することができないため、例えば射出端の横方向へ生じ
た漏れ光は端面から出射してしまいノイズ等が生じてし
まう。【解決手段】基板１と、基板１の表面層の少なくとも一
部に形成された光導波路９を有し、基板１の端面３に光
導波路の端面６が位置する光導波路デバイスにおいて、
基板１の光導波路が形成されている面上に、基板１の端
面を延長するための補肋部材４を有し、補助部材４のい
ずれかの端面５は、光導波路の端面６が位置する基板の
端面３のうち少なくとも一の端面と同一平面上に配置さ
れ、基板１の端面３及び補助部材４の端面５の上であっ
て、光導波路の端面６の近傍以外の部分には両端面に渡
って連続した１以上の層からなる光学薄膜７が形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光計測装置等に用
いられる光導波路デバイスに関する。

【０００２】

【従釆の技術】近年、種々の分野で光導波路が注目され
ている。その理由は光導波路を用いることにより光学系
の小型、軽量化を図ることができ、また、光軸の調整が
不要になるという利点を有しているからである。光導波
路を全く新しい分野へ応用したものとしては、ダブルモ
ード光導波路におけるモード干渉現象を利用した光情報
検出装置があり、様々な応用分野が考えられる有用なデ
バイスとして各方面の注目を集めている。その基本原理
及びモード干渉型レーザ走査顕微鏡への応用について
は、H.Ooki and J.Iwasaki,Opt.Commun. 85(1991)177-1
82および特開平4-208913号公報及び特開平4-296810号公
報に詳述されている。また、光ピックアップへの応用に
ついては、特開平4-252444号公報に詳述されている。

【０００３】これらの公報に詳述されているモード干渉
型レーザ走査顕微鏡の概略構成図を図６に示す。この顕
微鏡は光導波路を有する。この光導波路は、スポット像
位置に端面３０５を持つダブルモード光導波路３０４
と、分岐部３０３と、ダブルモード光導波路に分岐部を
介して接続されている３本のシングルモード光導波路３
０２、３０９、３１０とから構成される。３本のシング
ルモード光導波路３０２、３０９、３１０のうち両脇の
２本のシングルモード光導波路３０９、３１０はダブル
モード光導波路３０４を伝搬する光の強度分布を検出す
るための光導波路であり、その端面には光検出器３１
１、３１２がそれぞれ配置されている。また、中央のシ
ングルモード光導波路３０２は被検物体に照射する光を
伝搬するために用いられ、被検物体に光を照射するため
の光源３０１が配置されている。また、中央のシングル
モード光導波路３０２の中心線はダブルモード光導波路
３０４の中心線と一致するように配置されている。

【０００４】光源３０１から出射された照明光は中央の
シングルモード光導波路３０２を伝搬し、さらにダブル
モード光導波路３０４を伝搬し、ダブルモード光導波路
３０４の端面３０５から出射される。中央のシングルモ
ード光導波路３０２の中心線とダブルモード光導波路３
０４の中心線が一致するように構成されているため、中
央のシングルモード光導波路３０２からダブルモード光
導波路３０４へ入射する光は、ダブルモード光導波路３
０４で０次モード光のみを励振する。従って、ダブルモ
ード光導波路３０４の端面３０５から出射される光は、
シングルモード状態となる。

【０００５】端面３０５から出射された光は、集光光学
系３０７によって集光され、被検物体３０８上に照射さ
れる。被検物体３０８からの反射光は、集光光学系３０
７によってダブルモード光導波路３０４の端面３０５に
集光され、ダブルモード光導波路３０４を伝搬する。こ
こでダブルモード光導波路３０４の入射端がピンホール
と同様の働きをするため、この顕微鏡はコンフォーカル
レーザ走査顕微鏡となる。ダブルモード光導波路３０４
を伝搬する反射光は分岐部３０３でシングルモード光導
波路３０９、３１０、３０２に分岐される。両脇の２本
のシングルモード光導波路３０９、３１０を伝搬した光
は光検出器３１１、３１２で検出される。

【０００６】上記の場合に、被検物体３０８のレーザ光
が照射されている領域に段差または反射率の変化がある
と、その変化に応じて、被検物体３０８から反射する光
も位相分布に傾斜が生じるか、または、振幅分布が非対
弥になる。そのため、ダブルモード光導波路３０４の端
面３０５に入射する光の位相分布に傾斜が生じるか、ま
たは、振幅分布に非対称が生じる。従って、ダブルモー
ド光導波路３０４に入射する光の位相分布の傾斜、また
は、振幅分布の非対称を検出(情報検出)することにより
被検物体の段差または反射率の変化を観察することがで
きる。このように位相分布に傾斜、または、振幅分布に
非対称がある光がダブルモード光導波路３０４に入射す
ると、ダブルモード光導波路３０４では０次モード光以
外に１次モード光が励振される。そのため、両モード光
の干渉によりダブルモード光導波路３０４内を伝搬する
光の強度分布は変化する。ダブルモード光導波路３０４
を伝搬する光は、分岐部３０３で３本のシングルモード
光導波路３０２、３０９、３１０に分岐され、２本のシ
ングルモード光導波路３０９、３１０を伝搬した光は、
２つの光検出器３１１、３１２で検出される。その後、
光検出器３１１、３１２からの２つの信号の差を差動検
出器３１３でとる。つまり、ダブルモード光導波路３０
４を伝搬する光の強度分布の変化は差動検出器３１３か
らの差動信号によって検出することができる。この差動
信号から被検物体３０８の微小な段差(位相情報)または
反射率変化(振幅情報)は検知される。ここで、ダブルモ
ード光導波路を伝搬する０次モードと１次モード光の位
相差が１８０゜となる長さ(完全結合長)をＬ_cとし、ダ
ブルモード領域の長さをＬとすると、

【０００７】

【数１】Ｌ＝Ｌ_c（２ｍ＋１）／２（ｍ＝０、１、２、・・・)・・・（１）となるとき、被検物体の段差による反射光の位相分布の
情報(位相情報)のみが検出され、

【０００８】

【数２】Ｌ＝ｍＬ_c （ｍ＝１、２、・・・)・・・（２）となるとき、被検物体の透過率や反射率による反射光の
振福分布の情報(振幅情報)のみが検出され、また、ダブ
ルモード領域の長さを（１）、（２）式以外の長さにす
ると位相分布の情報(位相情報)と振幅分布の情報(振幅
情報)の両者を一定の割合で検出することができる。こ
の構成はモード干渉系となる。

【０００９】ここで、ダブルモード領域の長さとは、ダ
ブルモード光導波路の実質的長さである。例えば、図６
のようにダブルモード光導波路３０４に分岐部３０３で
３本のシングルモード光導波路３０２、３０９、３１０
が接続されている場合、３本のシングルモード光導波路
３０２、３０９、３１０の間があまり離れていない領域
では、３本のシングルモード光導波路の間で結合が起こ
り、この領域では光がダブルモードで伝搬することがあ
る。従って、ダブルモード領域の長さとは、光が実質的
にダブルモードで伝搬している長さをいう。

【００１０】また、図６のように、光導波路を作製する
基板にLiNbO₃等の電気光学効果を有する材料を用いた場
合、ダブルモード光導波路３０４の近傍にバッファ層を
介して電極３１４を配置することが好ましい。バッファ
層の材料には、通常、ＳｉＯ ₂やＡｌ₂Ｏ₃を用いる。電
極３１４を配置する理由は、電極３１４に電圧を印加す
ることによってダブルモード光導波路３０４に電界を印
加することができ、上記した完全結合長の長さを変化さ
せることができるからである。このとき、完全結合長の
長さの変化は電界の大きさに対応する。つまり、電極３
１４に印加する電圧を制御することによって、ダブルモ
ード領城の長さが一定であっても被検物体の位相情報、
振幅情報及び位相情報と振幅情報を任意に観察すること
ができる。

【００１１】ところが、光導波路が形成されている基板
の漏れ光によりノイズが発生するという間題がある。そ
れについて、図７、図８を用いて説明する。図７は図６
のモード干渉型レーザ走査顕微鏡の光導波路デバイス部
分の斜視図、図８は断面図である。尚、図７、８では図
６で示した電極３１４と光検出器３１１、３１２は省略
した。図６では光源３０１を基板３００に直接接合して
いるが、図７、８では光源３１７からの照明光を集光光
学系３１６を介して光導波路に入射させている。図６の
揚合も図７、図８の場合も、光源から出射した光のうち
一部は光導波路に結合しない。その結合しなかった光の
一部は基板３００の光導波路３０２、３０４以外を伝搬
する漏れ光となり、光導波路の端面３１５から空間へ出
射する。この漏れ光には前述した光源からの光のうち、
光導波路３０２に結合しなかった光以外に、光導波路３
０２、３０４を伝搬する光のうち、光導波路表面の荒れ
やLiNbO₃の結晶欠陥等により光導波路から基板へ放射さ
れる光も含まれる。このように光導波路端面３１５から
出射した漏れ光のうち一部は被検物体３０８や途中の光
学系で反射し、光導波路の端面３１５に戻ってくる。こ
れらの光のうち一部が、光導波路３０４に結合したり、
または、基板３００を透過し、光検出器３１１、３１２
に直接入ってしまい、ノイズの原因となっている。

【００１２】このような光導波路デバイスの基坂の漏れ
光を除去する方法が特開平5-196823号公報に記載されて
いる。図９を用いて、その方法について説明する。図９
の光導波路デバイス１３０はマッハツェンダ干渉計であ
る。基板の漏れ光１１３が端面１０８から出射するのを
防ぐため、漏れ光１１３が出射する部分に、光反射膜１
３１を設けている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示されるような従来技術では端面１０８の一部にしか光
反射膜１３１を形成することができないため、例えば射
出端１０７の横方向へ生じた漏れ光は端面１０８から出
射してしまいノイズ等が生じてしまういう問題点があっ
た。

【００１４】そこで、本発明は、光導波路の基板の横方
向の漏れ光を低減し、漏れ光の影響を低減させることの
可能な光導波路デバイスと方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は、基
板と、基板の表面層の少なくとも一部に形成された光導
波路を有し、基板の端面に光導波路の端面が位置する光
導波路デバイスにおいて、基板の光導波路が形成されて
いる面上に、基板の端面を延長するための補肋部材を有
し、補助部材のいずれかの端面は、光導波路の端面が位
置する基板の端面のうち少なくとも一の端面と同一平面
上に配置され、基板の端面及び補助部材の端面の上であ
って、光導波路の端面の近傍以外の部分には両端面に渡
って連続した１以上の層からなる光学薄膜を設ける（請
求項１）。

【００１６】また、本発明は基板と、基板の表面層の少
なくとも一部に形成された光導波路を有し、基板の端面
に光導波路の端面が位置する光導波路デバイスの光導波
路の端面以外の基板の端面に光学薄膜を形成する方法に
おいて、光導波路の端面が位置する基板の端面のうち少
なくとも一の端面と同一平面となるように基板の端面を
延長するための補助部材を設け、基板の端面にネガ型の
フォトレジストを塗布し、光導波路に光を伝搬させるこ
とによって光導波路の端面近傍のフォトレジストを露光
させ、フォトレジストを現像することによって光導波路
の端面近傍以外のフォトレジストを除去し、基板の端面
に光学薄膜を成膜し、リフトオフすることにより残りの
フォトレジスト及び光導波路の端面に形成されている光
学薄膜を取り除く（請求項５）。

【００１７】また、基板と、基板の表面層の少なくとも
一部に形成された光導波路を有し、基板の端面に光導波
路の端面が位置する光導波路デバイスの光導波路の端面
以外の基板の端面に光学薄膜を形成する方法において、
光導波路の端面が位置する基板の端面のうち少なくとも
一の端面と同一平面となるように基板の端面を延長する
ための補助部材を設け、基板の端面にネガ型のフォトレ
ジストを塗布し、光導波路に光を伝搬させ、光導波路の
端面から出射する光を集光する集光光学系を設け、集光
した部分にライトガイドの端面を配置し、ライトガイド
の他の端面から出射する光を光検出器で検出し、光検出
器によって検出される光の強度に基づいて基板とライト
ガイドの相対的な位置を調整し、調整後、ライトガイド
の他の端面に光を入射し、ライトガイドを通った光を集
光光学系により光導波路の端面に集光することによっ
て、フォトレジストを露光させ、フォトレジストを現像
し、光導波路の端面に光学簿膜を成膜し、リフトオフす
ることによりフォトレジストを剥離し、光導波路の端面
部分の光学薄膜を取り除く（請求項６）。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による光導波
路デバイスを図面を用いて説明する。本実施形態の光導
波路デバイスは図１に示すように、LiNb0₃を基板１と
し、基板１の表面に帯状にＴｉを拡散させ、この部分２
を光導波路としたチャンネル型光導波路である。したが
って、光導波路デバイスの端面３は、基板１の表面上に
位置している。

【００１９】また、基板１の表面には、LiNb0₃で作られ
たブロック４が接着剤によって、固定されている。ブロ
ック４の端面５は基板１の端面３と同一平面上に位置し
ている。本実施の形態では、接着剤として、エポキシテ
クノロジ社製の製品名オプトエレクトロニクス用エポテ
ック接着剤を使用した。光導波路を伝搬する光に対する
接着剤層の屈折率は、光導波路の屈折率より小さい。ま
た、接着剤の層は光導波路を伝搬する光に対して透明
（つまり、屈折率が小さい）である。

【００２０】基板１の端面３およびブロック４の端面５
の上には、光導波路の端面６を除いて連続した光反射膜
７が形成されている。光反射膜７はＡｌにより形成し
た。このように、基板の漏れ光は光反射膜７により端面
３から外部へ出射されることはなくなり、基板の漏れ光
によるノイズがなくなる。次に、本実施形態の光導波路
デバイスの第１の製造方法について図２を用いて説明す
る。図２は製造工程ごとに光導波路デバイスの端面の部
分の状態を示した図である。

【００２１】まず、基板１の表面より、公知のＴｉ拡散
法により、基板１中にＴｉを拡散させ、光導波路２を形
成する。次に、基板１の表面上に、ブロック４を接着剤
により接着し、この後、加熱して接着剤の層を硬化させ
る。この時、基板１の端面３とブロック４の端面５がほ
ぼ同一平面上に位置するように接着する。さらに、基板
１の端面３とブロック４の端面５とを一度に研磨し、こ
れらの端面の位置を完全に一致させ、同一平面となるよ
うにする（図２(a)）。この際に基板の端面３よりも少
しだけブロック４の端面を出っぱらせておくと不必要に
基板を研磨しないですむので光導波路の長さを精度よく
決定したい場合には好ましい。

【００２２】次に、基板１の端面３とブロック４の端面
５にネガ型のフォトレジスト８を塗布する。この時、本
実施の形態ではブロック４を設けることによって、光導
波路２の出射端付近を平面とし、かつ、出射端を平面の
端から遠ざけられているので容易に光学薄膜を均一に成
膜する事ができるので、出射端６付近のフォトレジスト
の厚さは均一になる（図２(b)）。尚、ブロックがない
場合は光導波路の入射端が光導波路基板の表面近傍に有
るため、膜厚を均一にすることは難しい。

【００２３】そして、図１の光導波路デバイスのフォト
レジストを塗布していない光導波路の他の端面９から光
導波路２に光を伝搬させ、光導波路２を伝搬した光によ
りフォトレジスト８を露光させる。この際、基板１には
光源からの光と光導波路２との結合ロスや光導波路２を
伝搬する光の放射により漏れ光が存在するが、その光量
は光導波路２を伝搬する光の量に比べ小さい。図３に本
実施の形態で用いたネガ型フォトレジストの感度曲線の
グラフを示す。図３のグラフの横軸は露光量を表し、縦
軸は現像後のフォトレジストの残膜率を表す。ここで光
導波路２を伝搬する光の量が図３のＩ₁となるように
し、基板の漏れ光の量がＩ_oとなるように光導波路に入
射する光量を調節することによって、光導波路の部分の
フォトレジスト１０は露光により架橋反応を起こし現像
後に残るが、光導波路以外の部分のフォトレジストは光
量が十分でないため架橋反応を起こさず、現像後に除去
される（図２(c)）。

【００２４】次に、光反射膜を成膜する。光反射膜の材
料にはＡｌを用い、ＥＢ蒸着や抵抗加熱蒸着やスバッタ
等により成膜する。光反射膜の膜厚が、フォトレジスト
の膜厚に比べ薄くなるように、光反射膜の膜厚と、フォ
トレジストの膜厚を設定しておくと、リフトオフするこ
とにより、フォトレジストが剥離する際、同時にフォト
レジスト上の光反射膜も剥離され、光導波路デバイス端
面の光導波路部分以外にのみ光反射膜７が形成されるこ
とになる（図２(d)）。

【００２５】以上のようにして漏れ光の殆どを防ぐこと
の可能な光導波路デバイスを作成することができた。次
に、本実施の形態の光導波路デバイスの第２の製造方法
について図４およぴ図５を用いて説明する。図４は製造
工程ごとに光導波路デバイスの端面の部分の状態を示し
た図である。尚、図２と同一の構成については同じ符号
を付した。また、図４（ａ）及び（ｂ）で示される工程
は図２（ａ）及び（ｂ）で示される工程と同じである。

【００２６】まず、基板１の表面より、公知のＴｉ拡散
法により、基坂１中にＴｉを拡散させ、光導波路２を形
成する。次に、基板１の表面上に、ブロック４を接着剤
により接着し、この後、加熱して接着剤の層を硬化させ
る。この時、基板１の端面３とブロック４の端面５がほ
ぽ同一平面上に位置するように接着する。さらに、基板
１の端面３とブロック４の端面５とを一度に研磨し、こ
れらの端面の位置を完全に一致させ、同一平面となるよ
うにする（図４(a)）。

【００２７】次に、基板１の端面３とブロック４の端面
５にネガ型のフォトレジスト８を塗布する。この時、ブ
ロック５が設けられているため、光導波路２の端面６付
近のフォトレジストの厚さは均一になる(図４(b))。そ
して、光導波路デバイスと第１の集光光学系１１とライ
トガイド１２と第２の集光光学系１３と光検出器１４を
図５(a)に示す順に配置する。製造工程の図では図４(c)
が対応する。図４(c)ではライトガイド１２の半分と第
２の集光光学系１３と光検出器１４は省略している。

【００２８】そして、図１の光導波路デバイスの他の端
面９から光導波路２に光を伝搬させ、光導波路の端面６
から出射する光を第１の集光光学系１１で集光し、集光
された光スポットの位置にライトガイド１２の端面１５
を配置する。ライトガイド１２としてはマルチモード光
ファイバやファイババンドル等を用いる。この時、ライ
トガイド１２の他の端面１７から出射する光を第２の集
光光学系１３で集光し、光検出器１４で光強度を検出
し、光量が最大になるように基板１とライトガイド１２
の端面１５の相対位置をアライメントする。尚、このよ
うなアライメント時に端面３、５に形成したフォトレジ
ストが感光してしまわないように、アライメントはフォ
トレジストが感光しない波長の光を用いるか、または、
図３に示されるようなフォトレジストを殆ど感光させな
いような露光量となるように光強度が十分に低い光を用
いる。

【００２９】基板１とライトガイド１２の相対位置のア
ライメントが済んだ後、それらの位置を固定する。そし
て、図５(b)に示すように光検出器１４を光源１６と置
き換える。光源１６から出射する光を第２の集光光学系
１３で集光し、集光された光スポットの位置にライトガ
イド１２の端面１７を配置する。ライトガイド１２の端
面１５と光導波路の端面６の位置が固定されているの
で、ライトガイド１２の端面１５から出射する光源１６
からの光は第１の集光光学系１１により光導波路の端面
６に集光し、光スポットを形成する。この時、光源１６
の波長をフォトレジストが感光する波長にすると、光導
波路の部分のフォトレジスト１０は露光により架橋反応
を起こし現像後に残るが、光導波路以外の部分のフォト
レジストは光源１６からの光が照射されないため架橋反
応を起こさず、現像後に除去される（図４(d)）。ま
た、光強度が最大となるように設定することによって、
ファイバの端面１５から出射した光は十分に光導波路の
端面６に集光することになり、端面６の近傍のみに光が
照射されて露光される。

【００３０】次に、光反射膜を成膜する。光反射膜の材
料にはＡｌを用い、ＥＢ蒸着や抵抗加熱蒸着やスパッタ
等により成膜する。光反射膜の厚さが、フォトレジスト
の厚さに比べ薄くなるように、光反射膜の膜厚と、フォ
トレジストの膜厚を設定しておくと、リフトオフするこ
とにより、フォトレジストが剥離する際、同時にフォト
レジスト上の光反射膜も剥離され、光導波路デバイス端
面の光導波路部分以外にのみ光反射膜７が形成されるこ
とになる（図５(e)）。

【００３１】尚、第２の製造方法においてライトガイド
１２の端面１５と光導波路の端面６、および、ライトガ
イド１２の端面１７と光検出器１４および光源１６を近
接して配置することにより、第１の集光光学系１１と第
２の集光光学系１３を省くことができる。このように本
実施の形態では、基板１の表面上に、ブロック４を搭載
することにより、ブロック４と基板１と接着剤の層を介
して接触する面に光導波路を位置させる。したがって、
見かけ上、光導波路の端面６は、ブロックの端面５およ
び基板の端面３の形成する面の中央部に位置する。これ
により、フォトレジストを塗布する際に、基板１やブロ
ック４の外周部におけるレジストの回り込みの影響が、
光導波路の端面の上に及ぶことがなく、光導波路の端面
上に一様な膜厚の光反射膜を容易に形成することができ
る。尚、ブロック４としては光導波路基板と同一の材料
で構成しても構わないし、他の材料で構成しても構わな
いが、屈折率が大きいと光の損失が大きいので基板に近
い屈折率のものが好ましい。また、接着剤の屈折率が光
導波路の屈折率に比べ大きすぎるときにも、光導波路内
を伝搬する光の損失は増加するので、用いる接着剤は光
導波路の屈折率を大きく越えないものを用いることが好
ましい。

【００３２】尚、光導波路の端面６から光を入出射させ
る際に、光を反射させたくない場合には、端面６に光反
射防止膜を形成することが好ましい。反射防止膜を形成
する場合は、第１の製造方法では図２(a)の後か、図２
(d)の後に反射防止膜を成膜すれば良く、第２の製造方
法では図４(a)の後か、図４(e)の後に反射防止膜を成膜
すれば良い。反射防止膜を成膜することにより、光導波
路２を伝搬した光の光導波路の端面６での反射を防ぎ、
ノイズを減らすことができる。

【００３３】光反射膜７の材料としてＡｌを用いるとし
て説明したが、他の適当な材料でも良い。また、光反射
膜７の代わりに光吸収膜を用いても基板の漏れ光が、基
板の端面から外部に出射されず、同様の効果が得られ
る。光導波路デバイスとしてモード干渉型レーザ走査頭
微鏡等に用いられる３分岐光導波路を説明したが、マッ
ハツェンダ干渉計やその他の光導波路デバイスでも端面
に光導波路の端面を有するデバイスであれば本発明は有
効となる。

【００３４】光導波路基板１の材料としてＬｉＮｂＯ₃
を用いると説明したが、ガラスのように他の適当な材料
でも良い。また、基板とブロックを接着するために熱硬
化型の接着剤を用いるのではなく、屈折率および可能な
場合には強度の点で要求を滴たすような、他のタイブの
接着剤を使用してもよい。

【００３５】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば光導波路の
出射端面以外の部分から基板の漏れ光が外部へ出射され
ることを低減することができるので、測定等に光導波路
デバイスを用いる場合には測定精度を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本実施の形態で作製した光導波路デバイス
の斜視図である。

【図２】は、本実施の形態の光導波路デバイスの第１の
製造方法を示す光導波路端面部分の製造工程図である。

【図３】は、ネガ型フォトレジストの感度曲線のグラフ
である。

【図４】は、本実施の形態の光導波路デバイスの第２の
製造方法を示す光導波路端面部分の製造工程図である。

【図５】は、本実施の形態の光導波路デバイスの第２の
製造方法の製造工程のうち、光導波路デバイスとライト
ガイドのアライメントの様子を示す断面図である。

【図６】は、光導波路デバイスを用いたモード干渉型レ
ーザ走査穎微鏡の概略構成図である。

【図７】は、光導波路デバイスを用いたモード干渉型レ
ーザ走査顕微鏡の光導波路デバイス部分の斜視図であ
る。

【図８】は、光導波路デバイスを用いたモード干渉型レ
ーザ走査顕微鏡の光導波路デバイス部分の断面図であ
る。

【図９】は、従来の光導波路デバイスを示す図である。

【符号の説明】 1、130、300・・・基板 2、103、302、304、309、310・・・光導波路 3、108、315・・・基板の端面 4・・・ブロック 5・・・ブロックの端面 6、9、107、305・・・光導波路の端面 7、131・・・光反射膜 8・・・現像前のネガ型フォトレジスト 10・・・現像後のネガ型フォトレジスト 11・・・第１の集光光学系 12・・・ライトガイド 13・・・第２の集光光学系 14、311、312・・・光検出器 15、17・・・ライトガイドの端面 16、301、317・・・光源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板の表面層の少なくとも一
部に形成された光導波路を有し、前記基板の端面に前記
光導波路の端面が位置する光導波路デバイスにおいて、前記基板の光導波路が形成されている面上に、前記基板
の端面を延長するための補肋部材を有し、前記補助部材
のいずれかの端面は、前記光導波路の端面が位置する基
板の端面のうち少なくとも一の端面と同一平面上に配置
され、前記基板の端面及び前記補助部材の端面の上であって、
前記光導波路の端面の近傍以外の部分には両端面に渡っ
て連続した１以上の層からなる光学薄膜が形成されてい
ることを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項２】前記光学薄膜が光反射膜であることを特徴
とする請求項１に記載の光導波路デバイス。
【請求項３】前記光学薄膜が光吸収膜であることを特徴
とする請求項１に記載の光導波路デバイス。
【請求項４】前記光導波路の端面に反射防止膜を設けた
ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の光導波
路デバイス。
【請求項５】基板と、前記基板の表面層の少なくとも一
部に形成された光導波路を有し、前記基板の端面に前記
光導波路の端面が位置する光導波路デバイスの前記光導
波路の端面以外の前記基板の端面に光学薄膜を形成する
方法において、前記光導波路の端面が位置する基板の端面のうち少なく
とも一の端面と同一平面となるように前記基板の端面を
延長するための補助部材を設け、前記基板の端面にネガ型のフォトレジストを塗布し、前記光導波路に光を伝搬させることによって前記光導波
路の端面近傍のフォトレジストを露光させ、前記フォトレジストを現像することによって前記光導波
路の端面近傍以外のフォトレジストを除去し、前記基板の端面に光学薄膜を成膜し、リフトオフすることにより残りのフォトレジスト及び前
記光導波路の端面に形成されている光学薄膜を取り除く
ことを特徴とする方法。
【請求項６】基板と、前記基板の表面層の少なくとも一
部に形成された光導波路を有し、前記基板の端面に前記
光導波路の端面が位置する光導波路デバイスの前記光導
波路の端面以外の前記基板の端面に光学薄膜を形成する
方法において、前記光導波路の端面が位置する基板の端面のうち少なく
とも一の端面と同一平面となるように前記基板の端面を
延長するための補助部材を設け、前記基板の端面にネガ型のフォトレジストを塗布し、前記光導波路に光を伝搬させ、前記光導波路の端面から
出射する光を集光する集光光学系を設け、集光した部分にライトガイドの端面を配置し、前記ライトガイドの他の端面から出射する光を光検出器
で検出し、該光検出器によって検出される光の強度に基づいて前記
基板と前記ライトガイドの相対的な位置を調整し、調整後、前記ライトガイドの他の端面に光を入射し、前記ライトガイドを通った光を前記集光光学系により前
記光導波路の端面に集光することによって、前記フォト
レジストを露光させ、前記フォトレジストを現像し、前記光導波路の端面に光学簿膜を成膜し、リフトオフすることにより前記フォトレジストを剥離
し、前記光導波路の端面部分の前記光学薄膜を取り除く
ことを特徴とする方法。
【請求項７】前記光学薄膜が光反射膜であることを特徴
とする請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】前記光学薄膜が光吸収膜であることを特徴
とする請求項５または６に記載の方法。
【請求項９】前記ネガ型フォトレジストの塗布前か、も
しくは、前記光学薄膜の成膜後に、少なくとも前記基板
の端面の光導波路の部分近傍に反射防止膜を設けること
を特徴とする請求項５、６、７または８に記載の方法。