JPH03182705A - 光学素子及びその製造方法 - Google Patents
光学素子及びその製造方法Info
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- JPH03182705A JPH03182705A JP32355289A JP32355289A JPH03182705A JP H03182705 A JPH03182705 A JP H03182705A JP 32355289 A JP32355289 A JP 32355289A JP 32355289 A JP32355289 A JP 32355289A JP H03182705 A JPH03182705 A JP H03182705A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目 次〕
産業上の利用分野
従来の技術（第６図〉
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
（ａ）本発明の第１実施例の説明（第１図、第２図）
（ｂ）本発明の第２実施例の説明（第３図、第４図）
（ｃ）本発明のその他の実施例の説明（第５図）発明の
効果 ［概 要］ 光導波路を備えた光学素子及びその製造方法に関し、 光導波路を通る光を所望位置に容易に結像させることを
目的とし、 光導波路と、該光導波路を上面に支持する光透過性の基
板と、前記基板の裏面に形成されて、前記光導波路を通
って基板の下面側に照射される光と、前記基板の下方か
ら照射された光との干渉により形成される干渉縞と同一
パターンを有する回折格子とを含み構成する。
効果 ［概 要］ 光導波路を備えた光学素子及びその製造方法に関し、 光導波路を通る光を所望位置に容易に結像させることを
目的とし、 光導波路と、該光導波路を上面に支持する光透過性の基
板と、前記基板の裏面に形成されて、前記光導波路を通
って基板の下面側に照射される光と、前記基板の下方か
ら照射された光との干渉により形成される干渉縞と同一
パターンを有する回折格子とを含み構成する。
本発明は、光学素子及びその製造方法に関し、より詳し
くは、光導波路を備えた光学素子及びその製造方法に関
する。
くは、光導波路を備えた光学素子及びその製造方法に関
する。
光通信伝送路等において、光伝送路は、最低次横モード
のみを伝播する単モード導波路が重要であり、通常この
単モード導波路の断面寸法は縦横数μｍという大きさで
ある。
のみを伝播する単モード導波路が重要であり、通常この
単モード導波路の断面寸法は縦横数μｍという大きさで
ある。
このため、光導波路に外部光を人力させる場合、第６図
（ａ）に示すように、光導波路６０の端部にレンズ６１
を置いた装置や、或いは、第６図（ｂ）に示すように、
モノリシックレンズ６４を透明基板６５の裏面に形成し
、透明基板６５上面に設けた光導波路６２の反射面６３
にモノリシックレンズ６４の焦点を合わせた装置があり
、それらのレンズ６１．６４により入射光を収束して光
を導入するようにしている。
（ａ）に示すように、光導波路６０の端部にレンズ６１
を置いた装置や、或いは、第６図（ｂ）に示すように、
モノリシックレンズ６４を透明基板６５の裏面に形成し
、透明基板６５上面に設けた光導波路６２の反射面６３
にモノリシックレンズ６４の焦点を合わせた装置があり
、それらのレンズ６１．６４により入射光を収束して光
を導入するようにしている。
〔発明が解決しようとする課題）
しかし、前者の装置においては、黒点を合わせるために
レンズ６１の位置を調整する必要があり、光導波路６０
の入射面が微小なためにその調整に手間がかかるといっ
た問題がある。
レンズ６１の位置を調整する必要があり、光導波路６０
の入射面が微小なためにその調整に手間がかかるといっ
た問題がある。
また、後者の装置においては、モノリシックレンズ６４
の焦点を光導波路中の反射面６３に結ばせる必要がある
が、その加工精度を高くすることが難しく、歩留りが低
くなるといった不都合かある。
の焦点を光導波路中の反射面６３に結ばせる必要がある
が、その加工精度を高くすることが難しく、歩留りが低
くなるといった不都合かある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、光導波路を通る光を所望位置に容易に結像させること
ができる光学素子及びその製造方法を提供することを目
的とする。
、光導波路を通る光を所望位置に容易に結像させること
ができる光学素子及びその製造方法を提供することを目
的とする。
上記した課題は、第１図に例示するように、端に反射面
２、他端に光入射面３を設けた光導波路ｌと、該光導波
路ｌを上面に支持する光透過性の基板４と、前記基板４
の裏面に形成されて、前記光導波路１を通って前記反射
面２から基板４の下面に照射された光と、前記基板４の
下方から照射された光との干渉により形成される干渉縞
と同一パターンを有する回折格子５とを備えたことを特
徴とする光学素子、 または、第２図に例示するように、光透過性の基板４の
上に設けられた光導波路ｌに入射した光を、該光導波路
ｌ端部の反射面２に反射させ、前記基板４下面に設けた
感光材膜６に照射するとともに、前記基板４の下方から
前記感光材膜６に光を照射することにより、前記感光材
膜６の面方向に干渉縞を形成し、前記感光材［６に干渉
縞の潜像を形成した後、前記感光材膜６を現像して回折
格子５を形成することを特徴とする光学素子の製造方法
、 または、第５謂に例示するように、光透過性の基板４の
上に設けられた光導波路ｌに入射した光を、該光導波路
１端部の反射面２に反射させ、前記基Ｆｉ４下面に設け
た感光材Ｍ６に照射するとともに、前記基板４の下方か
ら前記感光材膜６に光を照射することにより、前記感光
材Ｗｊ、６の面方向に干渉縞を形成し、前記感光材膜６
に干渉縞の潜像を形成した後、前記感光材膜６を現像す
ることにより形成された縞状のパターン５をマスクにし
て、前記基板４の裏面をエツチングして回折格子９を形
成することを特徴とする光学素子の製造方法により解決
する。
２、他端に光入射面３を設けた光導波路ｌと、該光導波
路ｌを上面に支持する光透過性の基板４と、前記基板４
の裏面に形成されて、前記光導波路１を通って前記反射
面２から基板４の下面に照射された光と、前記基板４の
下方から照射された光との干渉により形成される干渉縞
と同一パターンを有する回折格子５とを備えたことを特
徴とする光学素子、 または、第２図に例示するように、光透過性の基板４の
上に設けられた光導波路ｌに入射した光を、該光導波路
ｌ端部の反射面２に反射させ、前記基板４下面に設けた
感光材膜６に照射するとともに、前記基板４の下方から
前記感光材膜６に光を照射することにより、前記感光材
膜６の面方向に干渉縞を形成し、前記感光材［６に干渉
縞の潜像を形成した後、前記感光材膜６を現像して回折
格子５を形成することを特徴とする光学素子の製造方法
、 または、第５謂に例示するように、光透過性の基板４の
上に設けられた光導波路ｌに入射した光を、該光導波路
１端部の反射面２に反射させ、前記基Ｆｉ４下面に設け
た感光材Ｍ６に照射するとともに、前記基板４の下方か
ら前記感光材膜６に光を照射することにより、前記感光
材Ｗｊ、６の面方向に干渉縞を形成し、前記感光材膜６
に干渉縞の潜像を形成した後、前記感光材膜６を現像す
ることにより形成された縞状のパターン５をマスクにし
て、前記基板４の裏面をエツチングして回折格子９を形
成することを特徴とする光学素子の製造方法により解決
する。
〔作 用〕
本発明によれば、光導波路ｌの反射面２により反射した
光を、光透過性基板４の下面に形成した感光材膜６に照
射するとともに、基板４の下側から光を感光材膜６に照
射することにより、基板４の下面に振幅変調型の回折格
子５または位相変調型の回折格子９を形成するようにし
ている。
光を、光透過性基板４の下面に形成した感光材膜６に照
射するとともに、基板４の下側から光を感光材膜６に照
射することにより、基板４の下面に振幅変調型の回折格
子５または位相変調型の回折格子９を形成するようにし
ている。
このため、回折格子５．９を形成する際に基板４に照射
した光の方向と同一の向きに光を照射すると、その光は
回折格子５．９により回折されて光導波路１の反射面２
に焦点を結ぶことになる。
した光の方向と同一の向きに光を照射すると、その光は
回折格子５．９により回折されて光導波路１の反射面２
に焦点を結ぶことになる。
また、これと反対に、光導波路１の光入射面２から光を
照射すると、この光は反射面２により反射されて回折格
子５．９により所定の位置に収束する。
照射すると、この光は反射面２により反射されて回折格
子５．９により所定の位置に収束する。
このような装置や製造方法によれば、光導波路１の反射
面２が焦点となるホログラフィックレンズを容易に形成
することができる。
面２が焦点となるホログラフィックレンズを容易に形成
することができる。
そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
（ａ）本発明の第１実施例の説明
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図であっ
て、図中符号１は、ＧａＡｓ等よりなる光導波路で、こ
の光導波路１は、石英等よりなる光透過性基板４の上に
形成され、その一端には、反射面２が形成され、また、
その他端には光透過面３が設けられており、光透過面３
から入射した光が光導波路ｌを通って反射面２で反射さ
れ、後述する光透過性基板４下面に設けた縞状パターン
５に向けて照射するように構成されている。
て、図中符号１は、ＧａＡｓ等よりなる光導波路で、こ
の光導波路１は、石英等よりなる光透過性基板４の上に
形成され、その一端には、反射面２が形成され、また、
その他端には光透過面３が設けられており、光透過面３
から入射した光が光導波路ｌを通って反射面２で反射さ
れ、後述する光透過性基板４下面に設けた縞状パターン
５に向けて照射するように構成されている。
上記した縞状パターン５は、光を干渉により所定位置に
収束させるもので、光導波路１の反射面２により光透過
性基板４方向に反射された光と、光透過性基板４裏面の
特定方向から照射された光との干渉縞によって光透過性
基板４下面のフォトレジスト膜６を露光し、これを現像
することにより形成される。
収束させるもので、光導波路１の反射面２により光透過
性基板４方向に反射された光と、光透過性基板４裏面の
特定方向から照射された光との干渉縞によって光透過性
基板４下面のフォトレジスト膜６を露光し、これを現像
することにより形成される。
なお、符号７は、光導波路１の光透過面３に接続される
光ファイバ、８は、光透過性基板４裏面の特定方向に向
けて配設された光ファイバを示している。
光ファイバ、８は、光透過性基板４裏面の特定方向に向
けて配設された光ファイバを示している。
この装置において、光透過性基板１真面の特定方向に配
設した光ファイバ８から出た光を縞状パターン５に照射
すると、第１図の破線で示すように、縞状パターン５を
通った光が干渉によって反射面２に焦点を結んで収束し
、さらに、収束した光が反射面２により反射して光導波
路１の透過面３から出射して光ファイバ７に入ることに
なる。
設した光ファイバ８から出た光を縞状パターン５に照射
すると、第１図の破線で示すように、縞状パターン５を
通った光が干渉によって反射面２に焦点を結んで収束し
、さらに、収束した光が反射面２により反射して光導波
路１の透過面３から出射して光ファイバ７に入ることに
なる。
またこの逆に、光導波路ｌの光透過面３から反射面２に
向けて光を照射すると、反射面２で反射した光は、光透
過性基板４裏面の縞状パターン５を通って干渉し、光フ
ァイバ８の先端に焦点を結んで照射されることになる。
向けて光を照射すると、反射面２で反射した光は、光透
過性基板４裏面の縞状パターン５を通って干渉し、光フ
ァイバ８の先端に焦点を結んで照射されることになる。
次に、上記した装置の懲戒方法を第２図に基づいて説明
する。
する。
まず、光透過性基板４の上にＧａＡｓよりなる光導波路
ｌを形成するとともに、光導波路１の一端を斜め上向き
に削除してこれを反射面２となし、また、その他端を長
手方向に対して垂直に形成してこれを光透過面３となす
（第２図（ａ））。
ｌを形成するとともに、光導波路１の一端を斜め上向き
に削除してこれを反射面２となし、また、その他端を長
手方向に対して垂直に形成してこれを光透過面３となす
（第２図（ａ））。
さらに、光透過性基板４の裏面にフォトレジスト膜６を
３００〜７００Å程度の厚さに形成する（第２図（ｂ）
）。
３００〜７００Å程度の厚さに形成する（第２図（ｂ）
）。
このような状態において、第１の光ファイバ８の端面を
光透過性基板４真面に向けて配設する一方、第２の光フ
ァイバ８の端面を光導波路１の光透過面３に接続する。
光透過性基板４真面に向けて配設する一方、第２の光フ
ァイバ８の端面を光導波路１の光透過面３に接続する。
そして、光導波路ｌを通過させようとする光と同一の波
長の光を２つの光ファイバ７．８を通して照射すると、
２つの光ファイバ７．８から照射された光がフォトレジ
スト膜６の面方向において干渉し、明暗の縞を形成する
〈第２図（ｃ））。
長の光を２つの光ファイバ７．８を通して照射すると、
２つの光ファイバ７．８から照射された光がフォトレジ
スト膜６の面方向において干渉し、明暗の縞を形成する
〈第２図（ｃ））。
この結果、フォトレジスト膜６には干渉縞の潜像パター
ンが形成されることになり、これを現像すると、光透過
性基板４の裏面には縞状パ、ターン５が形成されること
になる（第２図（ｄ） ）。
ンが形成されることになり、これを現像すると、光透過
性基板４の裏面には縞状パ、ターン５が形成されること
になる（第２図（ｄ） ）。
このような工程により形成した光学素子を使用する際に
は、フォトレジスト膜６を露光する際の光の向きと同一
方向に光ファイバ７．８を設定して、これにより光透過
性基板４裏面から縞状パターン５を通過する光が、光導
波路ｌの反射面２に焦点を結ぶようにする。
は、フォトレジスト膜６を露光する際の光の向きと同一
方向に光ファイバ７．８を設定して、これにより光透過
性基板４裏面から縞状パターン５を通過する光が、光導
波路ｌの反射面２に焦点を結ぶようにする。
（ｂ）本発明の第２実施例の説明
上記した実施例では、光透過性基Ｆｉ４の上に導波路１
を形成した場合について説明したが、光透過性基板４を
ガラス基板に載置して、ガラス基板の裏面に縞状パター
ンを形成する場合について以下に説明する。
を形成した場合について説明したが、光透過性基板４を
ガラス基板に載置して、ガラス基板の裏面に縞状パター
ンを形成する場合について以下に説明する。
第３図は、ガラス基板上にリッジ型光導波路を形成する
工程を示す斜視図及び側面図であって、まず、第３図（
ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板１０の上に膜厚３ｐｍ
の＾＋、、 １Ｇａ、）、９＾３１１１１と１μｍのＧ
ａＡｓ層１２を形成した状態で、ＧａＡｓ層１２上の中
央に、幅５μｍの帯状のレジストマスク１３を形成し、
硫酸、水及び過酸化水素を含む液を用いてレジストマス
ク１３両側のＧａＡｓＪｉ １２を０．３μｍの深さに
エツチングする。
工程を示す斜視図及び側面図であって、まず、第３図（
ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板１０の上に膜厚３ｐｍ
の＾＋、、 １Ｇａ、）、９＾３１１１１と１μｍのＧ
ａＡｓ層１２を形成した状態で、ＧａＡｓ層１２上の中
央に、幅５μｍの帯状のレジストマスク１３を形成し、
硫酸、水及び過酸化水素を含む液を用いてレジストマス
ク１３両側のＧａＡｓＪｉ １２を０．３μｍの深さに
エツチングする。
これにより、ＧａＡｓ層１３には帯状の突出部が形成さ
れ、これを光導波路１５とする。
れ、これを光導波路１５とする。
この後に、ＧａＡｓ層１２の一部にレジストマスク１６
を形成して、光導波路１５の経路の半分を覆うとともに
、レジストマスク１６の縁部を光導波路１５に直交させ
る。
を形成して、光導波路１５の経路の半分を覆うとともに
、レジストマスク１６の縁部を光導波路１５に直交させ
る。
次に、塩素ガスを含むエツチングガスを用いてＲＩ Ｂ
Ｅ （ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）法により、ＧａＡｓＪＩＩ １２からＧａＡ
ｓ基板１０をパターニングするが、この場合、レジスト
マスク１６側のＧａＡｓ基板１０面に対して１０〜３０
度程度傾けた方向から塩素プラズマをＧａＡｓ基板に向
けて照射し、等方性のエツチングを施すことにより、Ｇ
ａＡｓ層１２、Ａ１゜。
Ｅ （ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）法により、ＧａＡｓＪＩＩ １２からＧａＡ
ｓ基板１０をパターニングするが、この場合、レジスト
マスク１６側のＧａＡｓ基板１０面に対して１０〜３０
度程度傾けた方向から塩素プラズマをＧａＡｓ基板に向
けて照射し、等方性のエツチングを施すことにより、Ｇ
ａＡｓ層１２、Ａ１゜。
Ｇａ＠、 ９Ａ３層１１からＧａＡｓ基板２０の表層に
到る５■域に斜面１７を形成する。そして、光導波路１
５に形成された斜面１７を光の反射面１８として使用す
るとともに、エツチングされない光導波路の端部に垂直
面を形成してこの面を光入射面１９となす（第３図（ｂ
））。
到る５■域に斜面１７を形成する。そして、光導波路１
５に形成された斜面１７を光の反射面１８として使用す
るとともに、エツチングされない光導波路の端部に垂直
面を形成してこの面を光入射面１９となす（第３図（ｂ
））。
このような工程を経た後に、光透過性を有するエポキシ
系樹脂接着剤により、ＧａＡｓ５板の裏面をガラス基板
２０上面に接着し、ついで、ガラス基板２０の下面にレ
ジスト膜２１を３００〜７００人の厚さに形成する（第
３図（ｃ））。
系樹脂接着剤により、ＧａＡｓ５板の裏面をガラス基板
２０上面に接着し、ついで、ガラス基板２０の下面にレ
ジスト膜２１を３００〜７００人の厚さに形成する（第
３図（ｃ））。
この後に、第３図（ｄ）に示すように、レーザ発光ｔＸ
２２から照射したレーザ光を半透明ｔｌｉ２３を通過さ
せて光導波路２４の光ｉ！遇面１９に照射し、また、半
透明鏡２３から反射したレーザ光を鏡２４．２５によっ
て偏向するとともに、このレーザ光をレンズ系２６によ
り平行状態に修正してガラス基板２３に向けて照射する
。
２２から照射したレーザ光を半透明ｔｌｉ２３を通過さ
せて光導波路２４の光ｉ！遇面１９に照射し、また、半
透明鏡２３から反射したレーザ光を鏡２４．２５によっ
て偏向するとともに、このレーザ光をレンズ系２６によ
り平行状態に修正してガラス基板２３に向けて照射する
。
この場合、光導波路１５を通るレーザ光は反射面１８に
より反射されてガラス基板２０下面のレジストに照射さ
れるため、この光は、ガラス基板２０の下方から照射さ
れたレーザ光と干渉し、レジスト膜２１において干渉縞
の潜像を形成する。
より反射されてガラス基板２０下面のレジストに照射さ
れるため、この光は、ガラス基板２０の下方から照射さ
れたレーザ光と干渉し、レジスト膜２１において干渉縞
の潜像を形成する。
このため、レジスト膜２１は干渉光により露光された状
態となり、干渉縞の潜像が形成され、このレジスト膜２
１を現像すると、レジスト膜２１よりなる縞状パターン
２７が形成される（第３図（ｅ））、縞状パターン２７
は、ヘーキングにより定着することになる。
態となり、干渉縞の潜像が形成され、このレジスト膜２
１を現像すると、レジスト膜２１よりなる縞状パターン
２７が形成される（第３図（ｅ））、縞状パターン２７
は、ヘーキングにより定着することになる。
なお、このような光学素子を量産する場合には、第４図
に例示するように、長尺上に形成したＧａＡｓ基Ｆｉ１
０の上にＡｌＧａＡｓ層１１ 、 ＧａＡｓ層１２を形
成し、ＧａＡｓ層１２をパターニングして帯状の光導波
路１５を平行に複数形成する。そして、光導波路１５の
端部に反射面１８と光透過面１９を形成した後、ＧａＡ
ｓ基板１０をガラス基板２０に接着する。
に例示するように、長尺上に形成したＧａＡｓ基Ｆｉ１
０の上にＡｌＧａＡｓ層１１ 、 ＧａＡｓ層１２を形
成し、ＧａＡｓ層１２をパターニングして帯状の光導波
路１５を平行に複数形成する。そして、光導波路１５の
端部に反射面１８と光透過面１９を形成した後、ＧａＡ
ｓ基板１０をガラス基板２０に接着する。
一方、レーザ発光源２２の出力端を光ファイバを介して
図示しない分波器の入力端に接続し、分波された光を複
数の光ファイバ３０により取り出すように構成する。
図示しない分波器の入力端に接続し、分波された光を複
数の光ファイバ３０により取り出すように構成する。
また、分岐器に接続された光ファイバ３０の出力端は、
平行に複数形成した２つのコネクタ３１．３２の溝３３
．３４に取付けられている。
平行に複数形成した２つのコネクタ３１．３２の溝３３
．３４に取付けられている。
そして、一方のコネクタ３１をガラス基板２０の端部に
装着し、光ファイバ３０の端部と光導波路１５の端部と
を接続しする。また、他方のコネクタ３２をガラス基板
２０の下方に配置する。
装着し、光ファイバ３０の端部と光導波路１５の端部と
を接続しする。また、他方のコネクタ３２をガラス基板
２０の下方に配置する。
さらに、各導波路１５の入射面１８とガラス基板２０下
面からそれぞれ光を照射して、レジスト膜２１に縞状の
潜像を形成し、その後レジスト膜２１を現像することに
より、各導波路１５の反射面１８に対応するガラス基板
２０裏面の位置に縞状パターン２７を形成する。
面からそれぞれ光を照射して、レジスト膜２１に縞状の
潜像を形成し、その後レジスト膜２１を現像することに
より、各導波路１５の反射面１８に対応するガラス基板
２０裏面の位置に縞状パターン２７を形成する。
この後に、各導波路１５を分離する。
（ｃ）本発明のその他の実施例の説明
上記した実施例では、光透過性基板４やガラス基板２０
の底面に縞状パターン５．２７を形成し、これらを振幅
変調型の回折格子として使用するようにしたが、第５図
に例示するように、第１実施例で形成した縞状パターン
５をマスクにして、ｌＢＥ法により光透過性基板４裏面
をエツチングし、その面に縞状の溝を形成し、これを位
相変調型（ブレーズド）回折格子９として使用すること
もできる。
の底面に縞状パターン５．２７を形成し、これらを振幅
変調型の回折格子として使用するようにしたが、第５図
に例示するように、第１実施例で形成した縞状パターン
５をマスクにして、ｌＢＥ法により光透過性基板４裏面
をエツチングし、その面に縞状の溝を形成し、これを位
相変調型（ブレーズド）回折格子９として使用すること
もできる。
この回折格子９により、基板４下方から照射した光を光
導波路１の反射面２に収束することができる。
導波路１の反射面２に収束することができる。
なお、第２実施例のガラス基板２０裏面ににおいても同
様な方法により、位相変調型回折格子を形成することが
できる。
様な方法により、位相変調型回折格子を形成することが
できる。
以上述べたように本発明によれば、光導波路の反射面に
より反射した光を、光透過性基板の下面に形成した感光
材膜に照射するとともに、基板の下側から光を感光材膜
に照射することにより、基板の下面に振幅変調型又は位
相変調型の回折格子を形成するようにしたので、回折格
子を形成する際に基板に照射した光の方向と同一の向き
に光を照射すると、その光は回折格子により回折されて
光導波路の反射面に焦点を結ぶことになる。また、これ
と反対に、光導波路の光入射面から光を照射すると、こ
の光は反射面により反射されて回折格子により所定の位
置に収束する。
より反射した光を、光透過性基板の下面に形成した感光
材膜に照射するとともに、基板の下側から光を感光材膜
に照射することにより、基板の下面に振幅変調型又は位
相変調型の回折格子を形成するようにしたので、回折格
子を形成する際に基板に照射した光の方向と同一の向き
に光を照射すると、その光は回折格子により回折されて
光導波路の反射面に焦点を結ぶことになる。また、これ
と反対に、光導波路の光入射面から光を照射すると、こ
の光は反射面により反射されて回折格子により所定の位
置に収束する。
したがって、光導波路の反射面を焦点としたホログラフ
ィックレンズを容易に形成することができる。
ィックレンズを容易に形成することができる。
第１図は、本発明の第１実施例を示す装置の側断面図、
第２図は、本発明の第１実施例装置の製造工程図、
第３図は、本発明の第２実施例装置を形成する工程図、
第４図は、本発明の第２実施例装置を形成する他の工程
図、 第５図は、本発明の第３実施例装置を示す側面図、 第６図は、従来装置の一例を示す装置の側面図である。 （符号の説明） ｌ・・・光導波路、 ２・・・反射面、 ３・・・光入射面、 ４・・・光透過性基板、 ５・・・縞状パターン（回折格子）、 ６・・・フォトレジスト膜（感光材膜）１０−ＧａＡｓ
基板、 １１ ・・・＾ｌｅ、 ｔｃａｏ、 ９＾Ｓ層、１２−
ＧａＡｓ層、 １８・・・反射面、 １９・・・光入射面、 ２７・・・縞状パターン（回折格子）、９・・・位相変
調型回折格子。 出 願 人 富士通株式会社
図、 第５図は、本発明の第３実施例装置を示す側面図、 第６図は、従来装置の一例を示す装置の側面図である。 （符号の説明） ｌ・・・光導波路、 ２・・・反射面、 ３・・・光入射面、 ４・・・光透過性基板、 ５・・・縞状パターン（回折格子）、 ６・・・フォトレジスト膜（感光材膜）１０−ＧａＡｓ
基板、 １１ ・・・＾ｌｅ、 ｔｃａｏ、 ９＾Ｓ層、１２−
ＧａＡｓ層、 １８・・・反射面、 １９・・・光入射面、 ２７・・・縞状パターン（回折格子）、９・・・位相変
調型回折格子。 出 願 人 富士通株式会社
Claims (3)
- （１）光導波路と、 該光導波路を上面に支持する光透過性の基板と、前記基
板の裏面に形成されて、前記光導波路を通って基板の下
面側に照射される光と、前記基板の下方から照射された
光との干渉により形成される干渉縞と同一パターンを有
する回折格子とを備えたことを特徴とする光学素子。 - （２）光透過性の基板の上に設けられた光導波路に入射
した光を、該光導波路端部の反射面に反射させ、前記基
板下面に設けた感光材膜に照射するとともに、前記基板
の下方から前記感光材膜に光を照射することにより、前
記感光材膜の面方向に干渉縞を形成し、前記感光材膜に
干渉縞の潜像を形成した後、 前記感光材膜を現像して振幅変調型の回折格子を形成す
ることを特徴とする光学素子の製造方法。 - （３）前記感光材膜を現像することにより形成された縞
状のパターンをマスクにして、前記基板の裏面をエッチ
ングして位相変調型の回折格子を形成することを特徴と
する請求項２記載の光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32355289A JPH03182705A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光学素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32355289A JPH03182705A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光学素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182705A true JPH03182705A (ja) | 1991-08-08 |
Family
ID=18155975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32355289A Pending JPH03182705A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光学素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03182705A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2716268A1 (fr) * | 1994-02-17 | 1995-08-18 | Whitaker Corp | Appareil pour coupler un faisceau optique entre un dispositif optoélectronique et un guide d'ondes. |
| US6187515B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-13 | Trw Inc. | Optical integrated circuit microbench system |
| JP2004125854A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32355289A patent/JPH03182705A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2716268A1 (fr) * | 1994-02-17 | 1995-08-18 | Whitaker Corp | Appareil pour coupler un faisceau optique entre un dispositif optoélectronique et un guide d'ondes. |
| US6187515B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-13 | Trw Inc. | Optical integrated circuit microbench system |
| JP2004125854A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子及びその製造方法 |
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