JPH05196823A - 導波路チップ - Google Patents

導波路チップ

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JPH05196823A
JPH05196823A JP995492A JP995492A JPH05196823A JP H05196823 A JPH05196823 A JP H05196823A JP 995492 A JP995492 A JP 995492A JP 995492 A JP995492 A JP 995492A JP H05196823 A JPH05196823 A JP H05196823A
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JP
Japan
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light
chip
waveguide
projection
waveguide chip
Prior art date
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Withdrawn
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JP995492A
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English (en)
Inventor
Toshihiro Otani
俊博 大谷
Hideki Noda
秀樹 野田
Yasuhiro Omori
康弘 大森
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は導波路チップに関し、漏れ光による
影響を無くすることを実現することを目的とする。 【構成】 マッハツェンダ型導波路チップ30の射出側
端面8のうち、導波路の結合部6から発する漏れ光12
が射出する部位17に、光反射膜31を設けて構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は結合部を有する導波路チ
ップに関する。
【0002】結合部を有する導波路チップにあっては、
結合部より発生する漏れ光に対する対策を有する構造で
あることが望ましい。
【0003】
【従来の技術】図4は従来のマッハツェンダ型導波路チ
ップ1を示す。
【0004】2はニオブ酸リチウム(LiNbO3 )結
晶2の上面に形成してある。
【0005】24は入射端、5は分岐部、6は結合部、
7は射出端である。
【0006】8はチップ1の出力側端面であり、鏡面で
ある。
【0007】チップ1の特性は、入射光10を入射端4
より導波路3内に入射させ、射出端7から射出するメイ
ン光11の強度等を測定することにより求まる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】チップ1によっては、
導波路3の長さのばらつき等が原因で、結合部6で光が
干渉して打ち消し合ってしまうことがある。
【0009】この場合には、上記のメイン光11は強度
が弱いものとなり、代わりに、結合部6より光のエネル
ギが導波路3外に漏れ出し、メイン光11より強い漏れ
光12が出力側端面8のうち位置13より射出する。
【0010】上記の位置13と、射出端7との間の間隔
dは数10μmと極く狭い。
【0011】このため、漏れ光12をメイン光11であ
ると誤って認識してしまう虞れが多い。
【0012】漏れ光12をメイン光1であると認識して
しまうと、チップ1の特性を正確に測定することが出来
なくなる。
【0013】また、外部変調器モジュールの組立てに際
して誤った調整を行なってしまう虞れがある。
【0014】こゝで図5を参照してマッハツェンダ型導
波路チップを使用した外部変調器モジュールの構造につ
いて説明する。
【0015】この外部変調器モジュール21は、ケース
22内にマッハツェンダ型導波路チップ1が固定され、
ケース22に固定された光ファイバ23とチップ1の入
射端4とがレンズ24,25により光結合され、同じ
く、チップ1の射出端7とケース22に固定された光フ
ァイバ26とがレンズ27,28によって光結合された
構造である。
【0016】光ファイバ26は、図4中のメイン光11
と結合すべきところを、誤って漏れ光12と結合させて
しまう虞れがある。
【0017】そこで、本発明は、漏れ光がチップの射出
側端面から射出しないようにして漏れ光の影響が生じな
いようにしたことを実現した導波路チップを提供するこ
とを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、導波
路チップの射出側端面のうち、導波路の結合部より生ず
る漏れ光が射出する部分に、光反射膜を設けた構成とし
たものである。
【0019】請求項2の発明は、導波路チップの射出側
端面のうち、導波路の結合部より生ずる漏れ光が射出す
る部分に、光吸収膜を設けた構成としたものである。
【0020】請求項3の発明は、導波路チップの射出側
端面のうち、導波路の結合部より生ずる漏れ光が射出す
る部分をスリ面とした構成としたものである。
【0021】
【作用】請求項1の漏れ光が射出する部分に光反射膜を
設けた構成は、漏れ光が発生した場合にも、漏れ光を射
出側端面から射出させないように作用する。
【0022】請求項2の漏れ光が射出する部分に光吸収
膜を設けた構成は、漏れ光が発生した場合にも、漏れ光
を射出側端面から射出させないように作用する。
【0023】請求項3の漏れ光が射出する部分をスリ面
に設けた構成は、漏れ光が発生した場合にも、これを散
乱させるように作用する。
【0024】
【実施例】図1は本発明装置の第1実施例のマッハツェ
ンダ型導波路チップ30を示す。図1中、図 に示す構
成部分と対応する部分には同一符号を付し、その説明は
省略する。
【0025】31は光反射膜であり、射出側端面28の
うち、漏れた光射出位置13の部分を含んだ部分であっ
て、導波路3の射出端7を除いた部分に形成してある。
【0026】このため、チップ30が漏れ光12を発生
させるものであっても、この漏れ光12は、光反射膜3
1によって符号12aで示すように反射され、チップ5
0の射出側端面8からは射出しない。
【0027】チップ30の射出側端面8からは、メイン
光11だけが射出する。このため、チップ30の特性
は、漏れ光の影響を受けずに正しく測定される。また、
外部変調器モジュールの製造時には、漏れ光の影響を受
けずに、チップ30の射出端7を光ファイバ27(図5
参照)とが正しく光結合される。これにより、上記モジ
ュールは歩留り良く製造される。
【0028】図2は、本発明の第2実施例のマッハツェ
ンダ型導波路チップ40を示す。
【0029】このチップ40は、図1中の光反射膜31
に代えて光吸収膜41を設けた構成である。
【0030】漏れ光12は、光吸収膜41によって吸収
されて、チップ40の射出出側端面8からは射出しな
い。
【0031】図3は本発明の第3実施例のマッハツェン
ダ型導波路チップ50を示す。
【0032】このチップ50は、図1中の光反射膜31
に代えて射出側側面をザラザラなスリ面51とした構成
である。
【0033】スリ面51は、研磨等の機械的加工又はエ
ッチング等の化学的加工によって形成される。
【0034】漏れ光12は、スリ面51において、符号
12bで示すように散乱される。
【0035】上記の第2及び第3実施例のマッハツェン
ダ型導波路チップ40,50も、上記第1実施例の導波
路チップ30と同様に、漏れ光の影響を無くするとが出
来、前記と同様の効果を有する。
【0036】また、本実施例は、マッハ11ツェンダ型
導波路チップに限らず、結合部を有する導波路を備えた
チップには同様に適用し得、同様な効果を有する。
【0037】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項1の発明によ
れば、漏れ光を本来のメイン光と誤って認識することを
確実に防止出来、然して導波路チップの特性の測定を正
確に行うことが出来、また導波路チップを使用した変調
器モジュールの製作を正しく然して歩留り良く行うこと
が出来る。
【0038】請求項2の発明によれば、漏れ光を本来の
メイン光と誤って認識することを確実に防止出来、然し
て導波路チップの特性の測定を正確に行うことが出来、
また導波路チップを使用した変調器モジュールの製作を
正しく然して歩留り良く行うことが出来る。
【0039】請求項3の発明によれば、漏れ光を本来の
メイン光と誤って認識することを確実に防止出来、然し
て導波路チップの特性の測定を正確に行うことが出来、
また導波路チップを使用した変調器モジュールの製作を
正しく然して歩留り良く行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の導波路チップの第1実施例を示す図で
ある。
【図2】本発明の導波路チップの第2実施例を示す図で
ある。
【図3】本発明の導波路チップの第3実施例を示す図で
ある。
【図4】従来の導波路チップの1例を示す図である。
【図5】導波路チップの使用例を示す図である。
【符号の説明】
1 マッハツェンダ型導波路チップ 2 LiNbO3 結晶 3 導波路 4 入射端 5 分岐部 6 結合部 7 射出端 8 射出側端面 10 入射光 11 メイン光 12 漏れ光 12a 反射した漏れ光 12b 散乱した漏れ光 13 漏れ光の射出位置 21 外部変調器モジュール 30,40,50 マッハツェンダ型導波路チップ 31 光反射膜 41 光吸収膜 51 スリ面

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導波路チップの射出側端面(8)のう
    ち、導波路(3)の結合部(6)より生ずる漏れ光(1
    2)が射出する部分(13)に、光反射膜(31)を設
    けた構成としたことを特徴とする導波路チップ。
  2. 【請求項2】 導波路チップの射出側端面(8)のう
    ち、導波路(3)の結合部(6)より生ずる漏れ光(1
    2)が射出する部分(13)に、光吸収膜(41)を設
    けた構成としたことを特徴とする導波路チップ。
  3. 【請求項3】 導波路チップの射出側端面(8)のう
    ち、導波路(3)の結合部(6)より生ずる漏れ光(1
    2)が射出する部分(13)をスリ面(51)とした構
    成としたことを特徴とする導波路チップ。
JP995492A 1992-01-23 1992-01-23 導波路チップ Withdrawn JPH05196823A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098495A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 出力光モニタ付光導波路型光変調器
JP2006301612A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光変調器
CN105068183A (zh) * 2015-04-24 2015-11-18 燕山大学 一种表面镀覆纳米薄膜的特种光锥
JP2018173594A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 住友大阪セメント株式会社 光変調器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098495A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 出力光モニタ付光導波路型光変調器
JP4623894B2 (ja) * 2001-09-21 2011-02-02 住友大阪セメント株式会社 出力光モニタ付光導波路型光変調器
JP2006301612A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光変調器
CN105068183A (zh) * 2015-04-24 2015-11-18 燕山大学 一种表面镀覆纳米薄膜的特种光锥
CN105068183B (zh) * 2015-04-24 2017-12-29 燕山大学 一种表面镀覆纳米薄膜的特种光锥
JP2018173594A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 住友大阪セメント株式会社 光変調器

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Effective date: 19990408