KR19990014061A - 반사, 전송, 및 산란을 방지하는 광 매체의 흡수 코팅 - Google Patents

반사, 전송, 및 산란을 방지하는 광 매체의 흡수 코팅 Download PDF

Info

Publication number
KR19990014061A
KR19990014061A KR1019980029435A KR19980029435A KR19990014061A KR 19990014061 A KR19990014061 A KR 19990014061A KR 1019980029435 A KR1019980029435 A KR 1019980029435A KR 19980029435 A KR19980029435 A KR 19980029435A KR 19990014061 A KR19990014061 A KR 19990014061A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
refractive index
light
mount
absorbing layer
Prior art date
Application number
KR1019980029435A
Other languages
English (en)
Inventor
존 피. 란
Original Assignee
고든 린딘
리튼 시스템즈, 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고든 린딘, 리튼 시스템즈, 인크 filed Critical 고든 린딘
Publication of KR19990014061A publication Critical patent/KR19990014061A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/58—Turn-sensitive devices without moving masses
    • G01C19/64—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
    • G01C19/72—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams with counter-rotating light beams in a passive ring, e.g. fibre laser gyrometers
    • G01C19/721—Details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12126—Light absorber
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/1215—Splitter

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

광 구성요소의 표면에 입사되는 표유광(stray light)은 반사, 산란 또는 전송없이 흡수된다. 광 흡수 재료의 층이 상기 표면 상에 배치되고 코팅된 광 구성요소는 마운트(mount)에 부착된다. 상기 흡수층은 층 굴절률 nL및 소광비 k를 갖는다. 상기 마운트 및 상기 흡수층은 상기 광 구성요소 내부로부터 흡수층에 입사되는 선택된 광 파장의 광이 반사하지 않고 흡수되도록 마운트 굴절률 nm및 층 굴절률 nL및 소광비 k를 갖는다.

Description

반사, 전송, 및 산란을 방지하는 광 매체의 흡수 코팅
본 발명은 일반적으로 광 매체에 대한 코팅에 관한 것으로, 특히 광섬유 회전 센서 시스템의 집적된 광 구성요소에 대한 코팅에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 표유광(stray light)을 흡수하여 칩의 표면으로부터 도파관의 출력면으로의 반사를 방지하기 위한 광도파관을 포함하는 집적된 광 칩(optical chip)에 대한 코팅에 관한 것이다.
광섬유 회전 센서에 대한 바람직한 구조는 광원과 감지 코일 간에 놓인 다기능 집적 광 칩(multifunction integrated optics chip: MIOC)을 포함한다. MIOC는 리듐 니오베이트와 같은 광학적으로 활성인 재료로 형성되는 기판을 포함한다. 기판 상부면의 일부는 광도파관을 형성하기 위해 도핑된다. 광섬유는 전형적으로 광섬유 회전 센서 시스템을 형성하는데 사용되는 위상 변조기, 편파기, Y-커플러 등과 같은 구성요소를 역시 포함하는 MIOC로 광을 안내한다.
광섬유 회전 센서 아키텍처에서, MIOC는 높은 소광비(extinction ratio: ER)의 편파기로서 작용한다. 정확한 회전 측정은 하나의 편파 상태만이 전파되고 분석되는 것을 필요로 한다. 하나 이상의 편파 상태로 인한 에러는 편파 비-상반성(polarization non-reciprocity: PNR) 에러라 칭한다. 이상적으로, MIOC 도파관은, 도파관의 초과 인덱스가 그 편파 성분에 대해 음(negative)이므로 어떠한 TM(transverse magnetic) 편파광도 전송하지 않는다. MIOC가 높은 소광비의 편파기로서 작용하기 위해서는, 기판 바닥과 후면으로부터 도파관 출력면까지 반사하는 표유 TM 편파광을 제어하는 것이 여전히 필요하다. 이 표유광은 ER을 감소시킨다. 이 표유광의 주요 성분은 가이드의 바닥 중앙에서 반사된 다음, 대칭으로 출력면까지 반사되는 성분이다. 54㎜ 길이와 2㎜ 두께의 MIOC 기판인 경우, 이 구성요소는 85.8°의 입사각을 갖는다.
본 발명은 개선된 MIOC 구조를 제공한다. 본 발명에 따른 MIOC의 소광비는 종래 기술의 MIOC 장치의 소광비보다 크다.
개선된 소광비는 반사, 산란 또는 전송없이, 광도파관이 형성된 표면으로부터 반대에 있는 MIOC 기판의 측면에 입사되는 표유광 성분을 흡수함으로써 실현된다. 이 표유광은 상기 MIOC에 부가된 흡수층에 의해 흡수된다.
무반사이고 주위 굴절률 nA를 갖는 광 구성요소의 광 파장 λ을 흡수하는 본 발명에 따른 코팅은 마운트 굴절률(mount refractive index) nm을 갖는 마운트에 인접해 있다. 흡수층은 광 구성요소 상에 형성된다. 흡수층은 층 굴절률 nL및 소광비 k를 갖는다. 흡수층은 주위 매체인 광 구성요소의 바닥면 상에 코팅된다. 마운트는 굴절률 nm을 갖고, 흡수층은, 광 구성요소의 내부로부터 흡수층에 입사되는 선택된 광 파장이 반사하지 않고 흡수되도록 굴절률 nL및 소광비 k를 갖는다.
마운트는 바람직하게 약 1.46의 마운트 굴절률 nm을 갖는 SiO2를 포함하고, 흡수층은 약 6.3의 층 굴절률 nL및 약 1.0의 소광비 k를 갖는 SnTe를 포함한다. 흡수층의 광 두께는 선택된 파장의 약 1/4이다.
흡수층은 대안적으로 유전체 재료의 다층 스택을 포함할 수 있다. 각 층은 약 1/4 파장의 두께를 갖는다. 스택은 선택된 광 파장의 흡수와 무반사 모두가 실현되도록 선택되는 높은 굴절률 nHIGH및 낮은 굴절률 nLOW의 교번층으로 형성된다.
도 1은 간략화한 MIOC의 상부 평면도.
도 2는 도 1의 MIOC의 정면도.
도 3a는 흡수층이 MIOC의 바닥측에 근접하는 본 발명에 따른 MIOC의 정면도.
도 3b는 도 3a의 단일 흡수층 대신에 사용될 수 있는 다층 스택의 정면도.
도 4는 본 발명에 따른 광 코팅을 갖는 MIOC를 포함하는 광섬유 회전 센서를 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 LiNbO3기판 상에 형성된 SnTe 및 SiO2의 층을 포함하도록 형성되는 본 발명에 따른 MIOC에 대한 입사각의 함수로서 반사율 에러를 도식적으로 도시한 도면.
도 6은 바람직한 공칭 두께로부터 벗어난 비율로서 표현되는 흡수층 두께의 함수로서 도 4의 MIOC의 반사율 에러를 도식적으로 도시한 도면.
도 7은 굴절률의 바람직한 공칭값으로부터 벗어난 비율로서 표현되는 흡수층의 굴절률의 함수로서 도 4의 MIOC의 반사율 에러를 도식적으로 도시한 도면.
도 8은 바람직한 공칭 편파 계수로부터 벗어난 비율로서 표현되는 흡수층의 편파 계수의 함수로서 도 4의 MIOC의 반사율 에러를 도식적으로 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
14, 15, 16 : 도파관
18 : Y-커플러
20, 21, 22 : 광섬유
24 : MIOC
30 : 광 신호원
32 : 광 커플러
34 : 광섬유 감지 코일
38 : 검출기
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 간략화된 MIOC(10)는 바람직하게 LiNbO3를 포함하는 광 구성요소(12)를 포함한다. 복수의 도파관(14 내지 16)은 공지되어 있는 공정에 따라 기판(12)의 일부를 도핑함으로써 기판(12) 상에 형성된다. 3개의 도파관(14 내지 16)은 Y-커플러(18)를 형성하기 위해 교차한다.
광섬유(20 내지 22)는 광도파관(14 내지 16)에 각각 버트-결합(butt-coupled)된다. 도 4에 도시된 바와 같은 광섬유 회전 센서 시스템(29)에서, 광 신호원(30)으로부터의 광 신호는 광섬유(20)로 입력된다. 광섬유 회전 센서 시스템(29)은 본 발명에 따라 형성된 MIOC(24)를 포함한다. 광 신호는 광섬유(20)로부터, 광신호를 Y-커플러(18)로 안내하는 광도파관(14)으로 전파한다. Y-커플러(18)는 광도파관(15 및 16) 간의 광신호를 분할한다. 이 때, 광도파관(15 및 16)에 의해 안내되는 광신호의 일부는 광섬유(21 및 22)로 각각 입력된다. 광섬유 감지 코일(34)은, 반대로 전파하는 파형이 감지 코일로 입력되도록 광섬유(21 및 22)에 연결된다. 이 때, 이 반대로 전파하는 파형은 공지되어 있는 샤낙 효과(Sagnac effect)에 따라 간섭하여, 감지 코일(34)의 평면에 수직인 축에 대한 회전을 측정하도록 처리될 수 있는 광신호를 생성한다.
광 커플러(32)는 광신호원(30)과 MIOC(24) 간에 배치될 수 있다. 반대로 전파하는 파형이 감지 코일(34)과 MIOC(10)로부터 간섭하고 전파한 후, 광 커플러는 감지 코일의 광 출력 신호를 검출기(38)로 보내고, 이 검출기는 반대로 전파하는 파형들 간의 샤낙 위상 천이를 나타내는 전기 신호를 생성한다.
적절한 MIOC는 약 54㎜의 길이 및 약 2㎜의 두께를 가질 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, MIOC 기판(12)의 바닥면(23) 중앙으로부터 출력면이 형성되어 있는 광도파관(14 내지 16)의 끝단으로 반사하는 표유광이 높은 소광비의 편파기로서의 MIOC 성능을 감소시킨다는 것이 알려져 있다. 이 표유광의 성분은 기판(12)의 전면(24)에 대해 약 85.8°의 입사각을 갖는다.
보통의 1/4 파장 유전체 무반사(AR) 코팅은 약 2.21의 굴절률을 갖는 MIOC 기판 매체로 잘 수행하지 않는다. 약 86°의 큰 입사각으로, 보통의 AR 코팅층에 입사되는 광은 일반적으로 MIOC로 모두다 내부로 역반사된 다음, 광섬유 회전 센서 기술로 잘 공지되어 있는 편파 비-상반성(PNR) 에러를 일으킬 것이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 무반사 광 흡수 장치(25)는 흡수층(26)을 MIOC(12) 상에 증착한 다음, 마운트(28)를 흡수층(26)에 부가함으로써 형성될 수 있다. 마운트(28)는 SiO2로 형성될 수 있다. 흡수층(26)은 바람직하게 SnTe으로 형성되며, 이 SnTe는 조정가능한 밴드 갭의 적외선 검출기를 만들기 위하여, 리드(lead)(즉 PbSnTe)를 갖는 제3의 합성물로서 종종 사용되는 반도체이다. SnTe는 1550㎚의 파장에서 굴절률 n=6.3 및 소광비 k=1.09를 갖는다. 1550㎚의 파장에 대한 SnTe 흡수층(26)의 코팅 두께는 558Å이다. 무반사 및 흡수 모두를 실현하는 SnTe 흡수층(26)의 코팅 두께는 광 파장의 함수이다.
흡수층(26)은 광도파관(14 내지 16)이 형성되는 측면으로부터 반대에 있는 MIOC 기판(12)의 바닥측(23) 상에 증착된다. 마운트(28)의 것과 유사한 굴절률을 갖는 접착부(27)는 코팅된 MIOC를 마운트(28)에 부착하는데 사용될 수 있다.
도 5는 반사 에러, 1-R(R은 반사 계수임), 대 입사각을 도시한다. 도 1에서, 상기 주어진 디멘죤을 갖는 MIOC(12)에서 최소한의 반사를 생성하도록 요구되는 바와 같이, 0.001의 최소 반사가 약 86°에서 발생한다는 것을 알 수 있다. 종래 기술의 장치에서, 85.8°의 공칭값과 차이가 있는 입사각을 갖는 일부 광은 광도파관(14 내지 16)의 출력면에 반사된다. 따라서, 본 발명의 중요한 특징은 낮은 반사를 위한 각도의 범위가 86°의 공칭값보다 낮고 그보다 높은 입사각에 대해 낮은 반사를 제공할 수 있을 정도로 충분히 크다는 것이다.
고려할 다른 사항은 두께에 대한 코팅(26) 감도의 의존성이다. 도 6은 558Å의 공칭 두께로부터 ±10% 벗어난 범위 전체에 걸친 두께에 대한 AR 코팅(26)의 감도를 도시한다. 두께의 허용차는 본 발명의 코팅 시스템의 성능 내에 속하는 것으로 나타난다.
굴절률에 대한 코팅(26)의 감도는 코팅(26) 설계시 고려되어야 하는 다른 인자이다. 도 7은 굴절률에 대한 코팅(26)의 감도를 도시한다. 도 7의 그래프는 6.3의 공칭값으로부터 굴절률의 비율 편차의 함수로서 반사 에러를 제공한다. 도 7의 수평축의 범위는 공칭값±10%이다.
도 8은 공칭 매개 변수의 동일한 ±10% 범위 전체에 걸친 소광비의 변화에 대한 코팅 감도를 도식적으로 도시한다. 게다가, 이 감도는 결정적이지 않으므로 이들 매개 변수들은 만족스럽게 조절될 수 없다.
SnTe 코팅(28)은 우수한 흡수와 낮은 산란을 갖기 때문에, 매우 충분히 살포되는 트렌치 또는 거친 종단부 상의 부분적인 흡수(예를 들면, 탄소블랙) 코팅에 비해 그의 소광비가 크게 개선된다.
동작의 원리
본 발명의 동작에 대한 다음의 설명에서, MIOC 기판(12)은 흡수층(26) 상에 입사되기 전에 광이 전파하는 매체이므로 주위 매체라 한다. MIOC 기판(12)은 아랫첨자 A로 나타낸다. 층(26)은 아랫첨자 L로 나타낸다. 코팅된 MIOC가 장착되어 있는 매체(28)(준-무한한 것으로 도시됨)는 기판(28)이라 하고 아랫첨자 m으로 나타낸다.
코팅(26)은 단일층의 1/4 파장 무반사 코팅과 유사하지만, 한가지 중요한 부수적인 필요조건을 갖는다. 즉, 설계는 광이 접근하는 곳의 반대에 있는 마운트(28)로 어떠한 광도 전송되지 않도록 행해야한다. 이 후자의 조건은 총 내부 반사가 층(26)과 마운트(28) 사이의 인터페이스에서 발생하도록 굴절률 nm인기판(28)을 선택함으로써 만족될 수 있다.
표준 1/4 파장의 무반사층 설계가 아래에 설명된다. 층의 굴절률은 수학식 1과 같다.
여기서 nA는 주위 매체(MIOC 기판(12))의 굴절률이다. 이 주위 매체로부터 광이 무반사층(26S)으로 접근한다. 이렇게 선택한 무반사층의 굴절률은 층-마운트(layer-mount: LM) 인터페이스의 반사와 동일한 주위-층(ambient-layer: AL) 인터페이스의 반사를 제공한다. 따라서, AL 인터페이스로부터 되돌아오는 광의 진폭은 LM 인터페이스로부터 반사되는 광의 진폭과 동일하다. 1/4 파장층의 두께는 LM 인터페이스로부터의 광 위상을 주위층 인터페이스의 위상으로부터 180°로 되게 하는 1/2 하프 파장의 왕복 길이를 갖는다. 이 위상차는 두 인터페이스의 반사를 완전히 상쇄시킨다. 따라서, 전체 시스템으로부터 선택된 파장의 어떠한 반사도 없다.
본 발명에서, 마운트(28)를 통해서는 어떠한 전송도 없다. 따라서, 마운트(28)의 굴절률은, 모든 광이 LM 인터페이스로부터 반사되도록 총 내부 반사에 대해 선택된다. 따라서, 층(26)에서 단지 매우 적은 흡수가 있다면, AL 인터페이스에서의 반사는, 180°의 이상으로 층-기판 인터페이스로부터 되돌아오는 전송된 나머지 50%의 광이 상쇄되어 무반사가 실현되도록 50%이여야 한다. 반도체층에서의 입사각은 높은 굴절률에 의해서 매우 작다는 것을 스넬의 굴절 법칙으로부터 알 수 있다. 이 때, 1/4 파장층에서 1회 왕복시 세기의 스루풋(throughput)은 대략적으로 수학식 2로 표현된다.
여기서 반도체의 굴절률, nL은 6.3이고 소광비 k는 약 1.0인 경우 T1/4=e-1=0.37이다. 따라서, AL 인터페이스의 반사, RAL은 수학식 3과 같아야 한다.
여기서 TAL은 AL 인터페이스의 전송 세기이다.
수학식 3은 R 및 T가 n에 보다 강하게 관련있는 한편, T1/4는 k에 보다 강하게 관련되어 있으므로, 층의 k와 n를 상충시킬 수 있다는 것을 보여주고 있다. 이런 상충관계는 층(26) 및 마운트(28)용 재료를 보다 자유롭게 선택할 수 있다.
간결성을 위해, 층(26)의 인덱스에 대한 필요 조건을 마치 입사각이 0°인 것으로 해서 설명하였다. 입사각이 0이 아닐 때는, 실효 인덱스 개념이 이용될 수 있다. TM 광(p-편파)에 대한 실효 인덱스는 수학식 4로 표현된다.
여기서 θ는 인터페이스 법선에 대한 광선의 각도이다. n=2.2의 θ=86°인 경우, neff는 약 30인데, 이는 마운트(28)에 대한 인덱스 n=2.2보다 훨씬 큰 값이다. 수학식 1의 굴절률 nA및 nm은 수학식 4를 이용하여 그 실효값으로 변환된다. 이 경우, 수학식 1은 nL의 실효값으로 되며, nL은 수학식 4를 다시 이용하여 그 실효값으로부터 변환되어야 한다.
층의 적당한 n 및 k를 여전히 찾을 수 없다면, 이 때 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제3 층이 높은 굴절률 nH를 갖고, 중간층은 낮은 굴절률 nLOW를 갖는 대칭 3층 구조인 1/4 파장 스택(40)을 형성할 수 있다는 것을 주목하여야 한다. 이는 이른바 허핀 등가층(Herpin equivalent layer: HEL)인 실효 1/4 파장층이다. 직각 입사시, 이 스택의 실효 굴절률은 수학식 5로 표현된다.
직각이 아닌 각으로 입사시, 수학식 4가 다시 적용되어야 한다. 직각 동작인 경우, HEL의 모든 층은 총 내부 반사가 발생하지 않도록 충분히 큰 굴절률을 가져야 한다. 그렇다 하더라도, 수학식 5를 적용하여, n 및 k에 대한 상기 주어진 필요조건을 만족시킬 재료를 보다 자유롭게 선택할 수 있다는 것을 알 것이다.
여기에 개시된 구조 및 방법은 본 발명의 원리를 설명한다. 본 발명은 그 사상 또는 근본적인 특징에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구현될 수 있다. 설명된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시 및 설명으로서 모든 면이 고려되어야 한다. 그러므로, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 첨부된 청구범위로 한정된다. 청구범위의 의미와 그 범위 내에 속하는 여기에 설명된 실시예의 모든 수정은 본 발명의 범위 내에 속한다.
따라서, 본 발명의 중요한 특징은 낮은 반사를 위한 각도의 범위가 86°의 공칭값보다 낮고 그보다 높은 입사각에 대해 낮은 반사를 제공할 수 있을 정도로 충분히 크다는 것이다. 또한, SnTe 코팅(28)은 우수한 흡수와 낮은 산란을 갖기 때문에, 매우 충분히 살포되는 트렌치 또는 거친 종단부 상의 부분적인 흡수(예를 들면, 탄소블랙) 코팅에 비해 그의 소광비가 크게 개선된다. 개선된 소광비는 반사, 산란 또는 전송없이, 광도파관이 형성된 표면으로부터 반대에 있는 MIOC 기판의 측면에 입사되는 표유광 성분을 흡수함으로써 실현된다.

Claims (4)

  1. 표면을 향해 광 구성요소에서 전파하는 광이 반사 및 산란없이 흡수되도록 상기 광 구성요소의 표면에 부착되는 장치에 있어서,
    상기 광 구성요소의 표면 상에 형성되는 흡수층 -상기 흡수층은 층 굴절률 nL, 상기 흡수층에서 광 파장의 약 1/4의 층 두께, 및 소광비 k를 가짐-, 및
    상기 흡수층이 마운트(mount)와 상기 광 구성요소의 표면 간에 있도록 상기 흡수층에 부착되는 마운트 굴절률 nm을 갖는 마운트
    를 포함하되,
    상기 흡수층의 굴절률 nL및 소광비 k 및 마운트의 굴절률 nm은, 상기 흡수층이 형성된 광 구성요소의 표면에 광 구성요소 내부로부터 입사된 광이 반사 및 산란없이 흡수되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마운트의 굴절률 nm에 거의 동일한 굴절률을 갖는 접착층(adhesive layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마운트는 약 1.46의 마운트 굴절률 nm을 갖는 SiO2를 포함하고, 상기 흡수층은 약 6.3의 층 굴절률 nL및 약 1.0의 소광비 k를 갖는 SnTe를 포함하고, 상기 광 구성요소는 약 2.2의 주위 굴절률(ambient refractive index) nA를 갖는 리듐 니오베이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 흡수층은 높은 굴절률 nHIGH및 낮은 굴절률 nLOW의 교번층(alternating layer)을 갖는 유전체 재료의 다층 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
KR1019980029435A 1997-07-23 1998-07-22 반사, 전송, 및 산란을 방지하는 광 매체의 흡수 코팅 KR19990014061A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89936197A 1997-07-23 1997-07-23
US8/899,361 1997-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990014061A true KR19990014061A (ko) 1999-02-25

Family

ID=25410853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980029435A KR19990014061A (ko) 1997-07-23 1998-07-22 반사, 전송, 및 산란을 방지하는 광 매체의 흡수 코팅

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0893713A3 (ko)
JP (1) JPH11132772A (ko)
KR (1) KR19990014061A (ko)
CN (1) CN1213086A (ko)
CA (1) CA2240117A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438280B1 (en) * 1999-12-23 2002-08-20 Litton Systems, Inc. Integrated optics chip having reduced surface wave propagation
JP4407601B2 (ja) * 2005-01-12 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および画像印刷装置
FR2986623B1 (fr) 2012-02-07 2016-11-25 Ixblue Circuit optique integre a reflexion primaire attenuee
WO2013184556A1 (en) * 2012-06-05 2013-12-12 President And Fellows Of Harvard College Ultra-thin optical coatings and devices and methods of using ultra-thin optical coatings
CN114846369A (zh) * 2019-12-23 2022-08-02 3M创新有限公司 高透射率光控膜

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4938594A (en) * 1988-10-14 1990-07-03 Litton Systems, Inc. Asymmetric
GB2231683A (en) * 1989-05-12 1990-11-21 Plessey Co Plc A semi-conductor waveguide arrangement and method of fabrication therefof
US5321779A (en) * 1992-11-06 1994-06-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Optical substrate with light absorbing segments
US5475772A (en) * 1994-06-02 1995-12-12 Honeywell Inc. Spatial filter for improving polarization extinction ratio in a proton exchange wave guide device
JPH09145927A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 導波路型光フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0893713A2 (en) 1999-01-27
EP0893713A3 (en) 1999-06-09
CA2240117A1 (en) 1999-01-23
CN1213086A (zh) 1999-04-07
JPH11132772A (ja) 1999-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7058261B2 (en) Interfacing multiple wavelength sources to thin optical waveguides utilizing evanescent coupling
US6128133A (en) Optical beamsplitter
US7228013B1 (en) Polymer phase modulator
CA2328789C (en) Multifunction integrated optics chip having improved polarization extinction ratio
EP0840305A2 (en) Optical apparatus
EP0618464B1 (en) Polarization splitter
EP0668507B1 (en) Electric field sensor
US20150204723A1 (en) Optical phase device, method and system
US4725113A (en) Form birefringent cutoff polarizer and method
JPH0366642B2 (ko)
JP4139070B2 (ja) 表面波伝播を減少した集積化光学チップ
WO1989001171A1 (en) Optical fibre components
KR19990014061A (ko) 반사, 전송, 및 산란을 방지하는 광 매체의 흡수 코팅
Ramer Single-mode fiber-to-channel waveguide coupling
US20130120750A1 (en) Optical phase device, method and system
JP2791414B2 (ja) 光ファイバジャイロ
JP3642967B2 (ja) 光通信デバイスおよび双方向光通信装置
JPH024864B2 (ko)
US7239765B1 (en) Polymer phase modulator
EP0448415B1 (fr) Dispositif de détection à distance d'une grandeur physique, fonctionnant en réflexion
JPH05196823A (ja) 導波路チップ
KR100368789B1 (ko) 전계흡수형 소자의 단면 반사율 측정 방법
JP2560058Y2 (ja) 光固定減衰器
JPS6135940Y2 (ko)
Raizada et al. Estimating performance of fiber optic modulators/switches with multimode electrooptic overlay/interlay waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application