JP4139070B2 - 表面波伝播を減少した集積化光学チップ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は集積化光学チップあるいは装置、更に詳細にはニオブ酸リチウム(LiNb03)基板上に形成される集積化光学部品を有した多機能集積化光学チップに関する。このチップに形成される集積化光学部品には導波管が含まれ、光学カプラ、偏光子あるいは位相変調器として機能させるよう配列可能である。多機能を果たす装置が単一の装置に内蔵させる場合、インターフェース分離装置と関連するロス若しくはエラーの発生を回避し得る。本発明は特に、光導波管と接続される光ファイバピグテールを経て光ファイバにクロスカップリングされる表面波の伝播の結果、偏光消光比を改良する、あるいは多機能集積化光学チップの偏光非相反(PNR)エラーを減少させる方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
多機能の集積化光学チップ(MIOC)は通常従来のフォトマスク、真空蒸着、化学浴、プロトン交換、拡散、及びエッチングの各技術を用いてニオブ酸リチウム(LiNb03)からなる3〜4インチウエハ上に大量に製造し、多数の同一部品を低コスト、高信頼性をもって形成する。上述した多機能を実現するMIOCは中間及び高い精度の光ファイバジャイロスコープ(FOG)若しくは回転センサの製造に使用される。FOGはサニャック効果を利用してコイル状の光ファイバに対し直角な軸を中心とする回転速度を測定する。MIOCはまたマッハツェンダー干渉計またはマイケルソン干渉計の原理に基く水管検漏器若しくはジオフォンのような他の光ファイバ光学センサを製造する場合にも使用可能である。
【0003】
光ファイバジャイロスコープには、互いに反対方向に進む波を光信号源から光ファイバコイル内に導入する手段が含まれる。コイル平面に対し直角な軸を中心とするコイルの回転により、時計回り及び反時計回りの波の間にサニャック効果により位相差が生じる。この位相差は、回転方向にコイルを横断する波がコイルを反対方向に横断する波より光ファイバコイルを経てトランジット時間が長くなるために生じる。これら波はコイルを経て伝播した後、合流される。この合流波により干渉パターンが形成され、処理されて回転速度が決定される。回転速度を決定する技術は当業者には周知である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
光信号源と通常偏波面保存ファイバからなる光ファイバコイルとの間に多機能を有する集積化光学チップ(MIOC)を含むようにFOGを形成することは通例である。MIOCには通常、Y接合をなすべく配置された複数の光導波管が含まれる。Y接合の基部は光信号源と接続され、一方Y接合のアーム部は光ファイバコイルの端部とインターフェースを構成する。多機能の集積化光学チップへの光信号の入力はY接合で分割され、互いに反対方向に進む波として光ファイバコイルの端部へ入力される光信号となる。コイルを伝播した後、波はY接合のアーム部を構成する光導波管に入る。次に波はY接合内で合流され、Y接合の基部から光ファイバへ出力される。合流波は光検出器へ案内され、光検出器は電気信号を発生し、電気信号が処理されて回転速度が決定される。
【0005】
光ファイバ回転センサ内での所望状態は通路長を付加することなしに光ファイバコイル内及び光導波管内を伝播するTEモードである。TMモード及び通路長の付加を有するTEモードの伝播は望ましくない状態である。位相差(あるいは常時ファイバ内で2偏光成分を有することに関連する偏光非相反(PNR))を加える偏光クロスカップリング(polarization cross coupling)のような誤差源はサニャック効果と直接争う付加光路差として現れる。これらの誤差源のため、MIOC内の位相変調器により使用される周波数で変調されるときに位相バイアス誤差及び振幅バイアス誤差が生じる。偏光クロスカップリングによる光ファイバ回転センサ内のバイアス成分は偏光消光比の絶対値の平方根に逆比例する。消光比はデシベル単位で表される偏光モードの所望パワー(所望モードのパワー)に対する不都合なパワー(望ましくないモードのパワー)の比の対数の10倍として定義される。MIOC内のクロスカップリングを最小にすると(消光比の絶対値を最大にすると)、この種のバイアス誤差が減少される。
【0006】
更に背景技術としてここに開示されるような集積化光学チップ(MIOC)は、「高電気光学係数を有する多機能の集積化光学チップを製造する方法」と題し、1993年3月9日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第5,193,136号;「集積化光学チップ及びそれに光ファイバコイルを接続する方法」と題し、1991年9月10日に公布されたチン・エル・チャンによる米国特許第5,046,808号;「集積化光学チップ及びニオブ酸リチウム基板に対する光ファイバの付設のためのレーザアブレーション法」と題し、1995年2月28日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第5,393,371号;「電気光学導波管、位相変調器及びそれらを製造する方法」と題し、1995年8月15日に公布されたチン・エル・チャン等による米国特許第5,442,719号;及び「集積化光学チップに対しファイバの堅牢な接続のための方法及びその製品」と題し、1990年12月11日に公布されたジョージ・エイ・パビラスによる米国特許第4,976,506号に開示されると同様の処理若しくは工程を用いて形成される。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明による集積化光学チップは電気工学的に活性な材料からなる基板と基板の第1の面上に形成される光導波管ネットワークとを備える。光導波管ネットワークは光信号が光導波管ネットワークへ入力される入力ファセットと、光導波管ネットワークから出力される出力ファセットとを有する。本発明による集積化光学チップは更に基板内を伝播する表面波が出力ファセットに連結することを防止するため、光導波間の長手方向に沿って互いに離間して配置され、表面波を出力ファセットに向かわない方向に配向し、それぞれレンズとして作用する複数の焦点領域として形成され、基板の上層内に配置された構造体を含んでいる。
【0008】
本発明の目的、構造及びその動作は、添付の図面に示す好ましい実施形態に沿った以下の説明からより完全に理解されよう。
【0009】
【発明の実施の形態】
ここに添付された図面はいずれも一定の割合で拡大して示してある。図面に示される構成部品の一部の寸法は他の構成部品に比べ拡大して示す必要があるほど小さい。
【0010】
図1Aには基板16上に形成される3個の光導波管12−14からなる光導波管ネットワーク11を含む周知のMIOC10が示される。基板16はこのような装置の製造に通常使用されるニオブ酸リチウム(LiNb03)のような電気光学的に活性な材料で作られる。光導波管12−14は当業者には周知の処理法を用いて基板16の一部をドーピング処理することにより形成される。
【0011】
導波管12は基板16の縁部18から光導波管12−14が交差するY接合部20へ向って延びている。光導波管13、14はY接合部20と平行部26、28との間をそれぞれ延びる角度部22、24を有している。光導波管13、14は基板16のY接合部20と縁部30との間に延び、縁部18、30は全体としてその縁部(18)に対し平行にされる。
【0012】
光導波管12−14は、光ファイバ32−34がそれぞれ突き合わせ連結されて形成され、他の構成部品(図示せず)とMIOC10とのインターフェースをなすように形成される。従来の構成及び本発明の構成両方を簡単に説明するために、光ファイバ32は入力ファイバピグテールと呼び、光ファイバ33、34は出力ファイバピグテールと呼ぶ。
【0013】
上述したように、MIOCの製造に使用された処理により図1Bに示す如く基板の上部に薄いスラブ光導波管36が製造され得る。光ファイバジャイロスコープのような装置を製造する際にMIOC10が使用されるとき、光信号は入力光ファイバピグテール32から光導波管12へ入力される。入力ピグテール32からの信号の一部はピグテール32と光導波管12との間のインターフェースで散乱される。特にこの散乱光の一部はスラブ光導波管36内に結合される。光はスラブ光導波管36内で反射が生じるMIOC10の側面38、40へ向って伝播する。矢印A、Bは表面導波管36内で移動可能な表面波の通路を示している。図1Cに示すように、反射された表面波は出力ピグテール33、34内に結合される。更に、矢印Aで示すように、表面波の一部は反射することなく出力ピグテール33、34へ直接伝播し、またMIOC10の出力と結合される。
【0014】
図1DはMIOC10の上面44上に形成される3個の電極50〜52を示す。電極50〜52は電極51が光導波管13、14の平行部分間にあるように配置される。光導波管13は電極50、51間に配設され、光導波管14は電極51、52間に配設される。電気コンタクト54、56もまた上面44に形成可能である。電極50〜52は通常MIOC10がFOG(図示せず)内に含まれるときプッシュ・プル位相変調器を構成するために使用される。
【0015】
表面モードが弱く案内されるために生じるクロスカップリングを防止するため、表面モードが光ファイバピグテールにクロスカップリングするMIOCの全長を横切って伝播することを防止する光阻止、トラップあるいは分散するように構成する必要があることが判明した。本発明の説明上、光信号が光ファイバピグテール32へ入力され、Y接合部で分割され、次に光ファイバピグテール33、34で出力されるものとする。
【0016】
弱く案内される表面モードを消滅させる本発明の一の構成によれば、例えば金属若しくは他の吸光あるいは反射材料を用いて薄いスラブ導波管が形成されたMIOC面での境界条件が変更される。弱く案内される表面モードを消滅させる本発明の他の一の構成によれば、極めて焦点距離の短いレンズのように作用するように屈折率が設定される。本発明の更に別の構成によれば、材料の幾何学的形状をMIOCの表面に与えることにより、スラブ導波管内の屈折率が変化される。この波の中断により、集積化光学チップ内の偏光クロスカップリングによるエラーが効果的に停止あるいは阻止できる。
【0017】
表面案内されるモード光を阻止、分散あるいは吸収する概念の実現には、本発明により選択された特徴部がMIOC10製造用のフォトリソグラフィマスク内に含ませる必要がある。この幾何学的構成体は導波管ネットワーク15に触れるか、あるいは横断するように含ませることができる。幾何学的構成体はまた導波管ネットワーク15の近傍に配置可能である。且つ幾何学的構成体は導波管ネットワーク15からある距離離間された位置において、且つ対象である表面伝播波の通路内に直接配設可能である。形状及び位置を設定するとき所望の結果を得るためには、材料が受ける処理工程のすべてを考慮する必要がある。
【0018】
図2〜図15は吸光材や反射材を与える、あるいはチップの表面の幾何学的形状またはパターンの屈折率変化を与え、表面波の移動方向を変更する、あるいは表面光を吸収する例を示す。また屈折率変化と材料付加を共に使用可能である。表面屈折率の変化を起こさせる最簡潔の方法は、光導波管12−14の形成と同一の手段を経てパターン若しくは形状を作ることである。この場合プロトン交換法が好ましい方法であり、MIOC10の製造でコストが増すことはない。またチタン拡散導波管製造ラインでは、表面伝播光の方向を阻止、抑制あるいは変更するために幾何学的パターンのチタン拡散表面屈折率の変化を利用し得、これもコストが増すことはない。
【0019】
金属バリア若しくは吸光体のパターンは変調器の電極のフォトリソグラフィマスクに一体化され、MIOC10の製造でコストが増すことはない。パターン若しくは形状が複数回反復されて、効果が増大される。可能な複数の構成について以下に説明する。この場合同一あるいは異なる幾何学的パターンを用いた屈折率変化法、局所塗布法あるいはそれらの組合法が使用されよう。横及び長手方向のブロック、レンズ、分散体または吸光体のサイズ、形状及び延長は、光学チップの全チップ長及び導波管構成、並びに光ファイバピグテールの位置により決定される。マッハ・ツェンダー干渉計のように、あるいはY接合部の後に吸光体若しくは分散体が平行通路位置に使用されるとき、図6、図10、図13及び図15に示すようにオフセットあるいは互い違いにする必要がある。またオフセットは光源のコヒーレンス長より大きくする必要がある。
【0020】
図2〜図15は集積化光学チップ内の表面波の伝播を減少させる装置及び方法を示す。これらの図面はすべて簡単な線で示す光導波管を有した上部平面図である。構造体あるいは材料を与えて表面波伝播を減少させる以外は、集積化光学チップは図1A及び図1Dを参照して説明した周知の集積化光学チップと同様であることは理解されよう。従って図2〜図16の集積化光学チップのすべてに、Y接合部20を含む光導波管ネットワークを構成する基板16及び光導波管12−14が含まれている。導波管ネットワーク15の他の構成も可能である。この詳細な構成が図面に開示し以下に説明される。
【0021】
図2Aは基板16の上面44に付加された表面波阻止構造体60を有するMIOC58を示す。構造体60は光導波管12のY接合部20と隣接する領域に加えられる。この上部平面図に示すように、構造体60は一対の矩形構造を有し、一方は光導波管12の両側あるいは光導波管12と連続して設けることができる。図2Bに示すように構造体60にはチタンのような金属の第1の層62及び金のような金属の層64とが含まれる。チタン・金構造体60に入射される表面波は、反射、散乱あるいは吸収される。金属層が周知の技術により蒸着されることは理解されよう。
【0022】
また図2Cに示すように、構造体60はニオブ酸リチウムの屈折率とは異なる屈折率を有する基板16の領域61として構成可能である。異なる屈折率を有する基板16の領域61は光導波管12−14を形成している間に、プロトン交換法により形成される。屈折率の変化と対向する表面波の一部は反射あるいはその方向が変更される。反射される光は周知の光学原理に従い屈折率の差及び構造体表面に入射される角度により決定される。
【0023】
図3は本発明によるMIOC65を示し、この場合一対の薄い矩形表面波阻止構造体66、68が基板16を横断させて付加される。構造体66、68は図2B〜図2Dに示すものと同様の形態の単層あるいは複層にできる。構造体66、68により、入射表面波が反射、再配向あるいは吸収できる。
【0024】
図4は本発明によるMIOC70を示し、この場合複数の焦点領域72〜79がレンズとして作用するように形成される。焦点領域72〜79は光導波管12の長手方向に沿い離間して配置される。焦点領域72〜79は表面波がMIOC70のピグテール32〜34から離間するように配向されることが好ましい。焦点領域72〜79はプロトン交換法により形成可能である。焦点領域72〜79は導波管ネットワーク15に沿った任意の個所に配置できよう。これらの構造体の最適位置は他の構造体、即ち電極若しくは導波管ネットワーク15の構成により決定される。
【0025】
図5は本発明によるMIOC80を示し、この場合その上に複数の矩形構造体82〜85を有している。矩形の構造体82、83は基板16の光導波管12の側縁部38、40と隣接させた対向して配置される。矩形の構造体84、85は基板16の側縁部38、40と隣接し、光導波管13、14はその間に配置される。これらの構造体は金属を加えるのではなく材料内の屈折率変化を与えることにより構成させることが好ましい。
【0026】
図6は本発明によるMIOC90を示し、この場合基板16内に形成される複数の焦点領域92〜99を有している。焦点領域92、93は基板16の縁部18の近傍において光導波管12の反対側に配置される。焦点領域94、95はY接合部20の近傍において光導波管12の反対側に配置される。焦点領域96、97は基板16の縁部30の近傍において光導波管14の反対側に配置され、焦点領域98、99もまた縁部30の近傍において光導波管13の反対側に配置される。対をなす焦点領域96、97及び焦点領域98、99は互いに偏位しオフセットされる。このオフセットは偏光クロスカップリングの発生を防止するため減偏光長(depolarization length)より大きくする必要がある。減偏光長はTEモードとTMモードとの間の屈折率差により除算された光波のコヒーレンス長として定義される。
【0027】
図7は本発明によるMIOC102を示し、この場合複数の三角構造体105〜107が基板16上に形成される。三角構造体104、105は基板16の縁部18の近傍において光導波管12の反対側に配置される。三角構造体106、107はそれぞれ側縁部38、40の近傍において基板16の縁部30近傍に配置される。
【0028】
図8は本発明によるMIOC110を示し、この場合一対の三角構造体112、114はそれぞれ側縁部38、40の近傍において基板16の縁部30の近くに形成される。三角構造体116はY接合部20の近傍において光導波管13、14間に形成される。三角構造体118、120はY接合部20の反対側においてそれぞれ側縁部38、40と隣接する基板16上に形成される。
【0029】
図9は本発明によるMIOC102を示し、この場合上述したような三角構造体112、114を有する。一対の三角構造体124、126は光導波管12の反対側でY接合部20の近傍の基板16上に配置される。三角構造体124、126の間には約1〜10μmの狭い間隙125が形成される。
【0030】
図10は本発明のMIOC128を示し、この場合光導波管13、14の近傍に配置される2対4個の側部を有する構造体130〜133を具備する。各対の間には小さな間隙が置かれる。この間隙は隣接する光導波管12〜14の縁部から1〜10μm離れる間隙であることが好ましい。構造体は図6に沿って上述したような方法で互いにオフセットされている。4個の側部を有する第1の構造体134は光導波管12の片側に配置され、4個の側部を有する第2の構造体136は反対側に配置される。構造体134、136と光導波管12との間には約1〜10μmの狭い間隙が置かれる。
【0031】
図11は本発明によるMIOC140を示し、この場合それぞれ縁部18及び30の近傍に形成される一対の薄い矩形構造体142を有する。
【0032】
図12は本発明のMIOC150を示し、この場合表面波を分散、反射あるいは吸収する材料の薄いライン152、156がそれぞれ基板端部18、30の近傍に配置される。近接して離間するこの材料の複数のライン154はY接合部20の近傍に光導波管12と隣接して配置される。
【0033】
図13は本発明のMIOC160を示し、この場合光導波管12の反対端部の近傍に配設された表面波阻止材料からなる複数のライン162、164を有する。表面波阻止材料からなる薄いライン166は光導波管13、14を横切って延びている。ライン166は光導波管13、14の軸に対し直角ではない。
【0034】
図14は本発明のMIOC170を示し、この場合表面波阻止材料からなる複数の矩形構造体172〜175が基板16上に形成される。矩形構造体172、173は光導波管12の反対側部に配置され、基板16の側縁部38、40にそれぞれ近接して配置される。矩形構造体174は光導波管12、14及びY接合部20の近傍において側部40と隣接して配置される。
【0035】
図15は表面波阻止材料からなる複数の薄いライン182〜185を有するMIOC18を示す。ライン182は光導波管12に対し直角であり、基板16の縁部18近傍に配置される。ライン182は約80度の角度でY接合部20の近傍において基板16をある角度で横断して延びる。ライン184、185はそれぞれ光導波管13、14を約80度の角度をもって延びている。ライン184、185は図6に関して上述した場合と同一の方法で互いにオフセットされる。
【0036】
図16は導波管ネットワーク15の外側に沿って構造体187、188が付加されたMIOC190を示す。構造体187、188はそれぞれMIOC190の長さに沿って延びるライン187A、188Aを含む。構造体187、188はそれぞれ広く湾曲した湾曲部187B、188Bを有している。湾曲部187B、188BはMIOC190のY接合部20上面の中央領域の近傍に配置され、ピグテールに連結される縁部から通常反射する光を捕捉、分散あるいは吸収するように構成される。
【0037】
ここに開示した構造及び方法は本発明の原理を示すためのものである。本発明はその精神及び本質的な特性から離れることなく他の形態も採用可能である。本発明のいくつかの実施形態を上述したが、表面波を阻止あるいは反射させる装置の他の多くの構成が本発明の範囲内で形成可能であることは理解されよう。従って開示した実施形態は全ての点において制限されるものではなく一例として開示したに過ぎない。従って上述の説明の範囲ではなく、添付の請求項によって本発明の範囲が定まる。請求項に記載の等価物の意味及び範囲内に入るここに開示の実施形態に対する全ての設計変更が本発明の範囲に含まれよう。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 図1Aは従来のMIOCの斜視図である。
【図1B】 図1Bは図1Aの従来のMIOCの縦側面図である。
【図1C】 図1Cは図1Aの従来のMIOCの上部平面図である。
【図1D】 図1Dは図1A及び図1Bの上部平面図である。
【図2A】 図2Aは基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図2B】 図2Bは基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図2C】 図2Cは基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図3】 図3は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図4】 図4は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図5】 図5は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図6】 図6は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図7】 図7は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図8】 図8は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図9】 図9は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図10】 図10は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図11】 図11は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図12】 図12は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図13】 図9は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図14】 図10は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図15】 図11は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【図16】 図12は基板に与えてMIOCを製造し本発明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パターンの上部平面図である。
【符号の説明】
10;MIOC、11;光導波管ネットワーク、12;光導波管、13;光導波管、14;光導波管、16;基板、18;縁部、20;Y接合部、30;縁部、32;ピグテール、36;スラブ光導波管、40;側部、44;上面層、46;入力ファセット、48;出力ファセット、51;電極、58;集積化光学チップ、60;構造体、61;領域、62;第1の層、64;第2の層、65;MIOC、66;トレンチ、72〜79;焦点領域、80;MIOC、82〜85;矩形構造体、94;散乱源、104;散乱源、106;上面、108;内端部、110;MIOC、116;三角構造体、120;MIOC、126;溝、128;MIOC、134;第1の構造体、136;第2の構造体、142;一対の薄い矩形構造体、150;MIOC、154;ライン、156;縁部、160;MIOC、162;接合線、166;ライン、170;MIOC、174;構造体、180;MIOC、182;ライン、190;MIOC、187A、188A;ライン、190;MIOC、187B、188B;湾曲部
Claims (1)
- 電気光学的に活性な材料からなる基板(16)と、基板(16)の第1の面上に形成される光導波管ネットワーク(11)と、基板(16)の上面層(44)に光導波管(12)の長手方向に沿って互いに離間して配置され、表面波を光導波管ネットワーク(11)の出力ファセット(48)に向かわない方向に配向し、それぞれレンズとして作用する複数の焦点領域(72〜79)として形成されることにより基板(16)内において伝播する表面波が出力ファセット(48)と連結することを防止する構造体(60)とを備え、光導波管ネットワーク(11)は光信号を光導波管ネットワーク(11)へ入力可能な入力ファセット(46)と光信号を光導波管ネットワーク(11)から出力可能な出力ファセット(48)とを有してなる集積化光学チップ(58)。
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