JPS58216909A - 光フアイバジヤイロ - Google Patents
光フアイバジヤイロInfo
- Publication number
- JPS58216909A JPS58216909A JP57100975A JP10097582A JPS58216909A JP S58216909 A JPS58216909 A JP S58216909A JP 57100975 A JP57100975 A JP 57100975A JP 10097582 A JP10097582 A JP 10097582A JP S58216909 A JPS58216909 A JP S58216909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical
- optical fiber
- light
- phase shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/58—Turn-sensitive devices without moving masses
- G01C19/64—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電気光学効果を有する基板上に光学系を構
成する素子を集積化し、かつ同一基板中に、電気光学効
果を利用したフェーズシフタを設けた光フアイバジャイ
ロに係る。
成する素子を集積化し、かつ同一基板中に、電気光学効
果を利用したフェーズシフタを設けた光フアイバジャイ
ロに係る。
光フアイバジャイロは、物体の回転角速度を測定する装
置として有用である。
置として有用である。
第５図によって、従来の光フアイバジャイロの基本的な
構造を説明する。
構造を説明する。
レーザ４１から出たコヒーレントな光は、ビームスプリ
ッタ４２で２本の光束に分けられ、集光レンズ４３によ
って絞られて、シングルモードの光ファイバよりなる光
フアイバループ４４の両端へ入射する。それぞれの光束
は、光フアイバループ４４の中を時計廻り（ＣＷ）に或
は、反時計廻り（ＣＣＷ ）に通過し、光フアイバルー
プの反対側の端から出射して、集光レンズ４３、ビーム
スプリッタ４２を経て、再び１本の光束となって、光検
出器４５に入る。
ッタ４２で２本の光束に分けられ、集光レンズ４３によ
って絞られて、シングルモードの光ファイバよりなる光
フアイバループ４４の両端へ入射する。それぞれの光束
は、光フアイバループ４４の中を時計廻り（ＣＷ）に或
は、反時計廻り（ＣＣＷ ）に通過し、光フアイバルー
プの反対側の端から出射して、集光レンズ４３、ビーム
スプリッタ４２を経て、再び１本の光束となって、光検
出器４５に入る。
光フアイバループが静止していれば、時計触り光、反時
計廻り光に光路差はないから、位相差もない。光フアイ
バループか回転していると、回転角速度に比例した位相
差Δφが現われる。
計廻り光に光路差はないから、位相差もない。光フアイ
バループか回転していると、回転角速度に比例した位相
差Δφが現われる。
時計廻り光の振幅、反時計廻り光の振幅は理想的には等
しく、光の角周波数をωとすると、時計廻り光の波動を Ｅ、 ｅ ＋ （ｔｒ）【 ＋Δφ／２）
（１）と表し、反時計廻り
光の波動を Ｅｏｅ １ （ｏ）［−Δφ／ ２ ）
（２）とすると、光検出器の出
力は、両者の和の２乗に等しいので、 １＋ｌＬｌ ｏｃ Ｅｏ （ｌ−１−ｃｏｓΔφ）（３
）となる。
しく、光の角周波数をωとすると、時計廻り光の波動を Ｅ、 ｅ ＋ （ｔｒ）【 ＋Δφ／２）
（１）と表し、反時計廻り
光の波動を Ｅｏｅ １ （ｏ）［−Δφ／ ２ ）
（２）とすると、光検出器の出
力は、両者の和の２乗に等しいので、 １＋ｌＬｌ ｏｃ Ｅｏ （ｌ−１−ｃｏｓΔφ）（３
）となる。
出力は、匪Δφの項を持つ。Δφが小さい時、郭Δφの
変化分はΔφの２乗で、極めて小さい。
変化分はΔφの２乗で、極めて小さい。
つまりΔφが小さい時、感度が低い。
むしろＳ石Δφの形で出力に含まれるようにすべきであ
る。２つの光束を分離し、一方の位相をπ／２だけずら
せは、このような函数形の光出力を得る。
る。２つの光束を分離し、一方の位相をπ／２だけずら
せは、このような函数形の光出力を得る。
第６図はそのような従来例に係る光フアイバジャイロの
平面図である。
平面図である。
レーザ４１の光を、ビームスプリッタ４２で２光束に分
け、集光レンズ４３を通して、シングルモード光ファイ
バループ４４に入射する点は第５図の例と共通する。
け、集光レンズ４３を通して、シングルモード光ファイ
バループ４４に入射する点は第５図の例と共通する。
ビームスプリッタ４２の他に、新しく３つのビームスプ
リッタ４６ 、４６ 、４７を、正方形の四角に対応す
るよう配置している。正方形の相対する２辺を時計廻り
光、或は反時計廻り光か通過する。つまり、時計廻り、
反時計廻りの光路が分離されている。一方の光路にフェ
ーズシフタ４８を介装して、レーザ光の位相をπ／２だ
けシフトさせている。
リッタ４６ 、４６ 、４７を、正方形の四角に対応す
るよう配置している。正方形の相対する２辺を時計廻り
光、或は反時計廻り光か通過する。つまり、時計廻り、
反時計廻りの光路が分離されている。一方の光路にフェ
ーズシフタ４８を介装して、レーザ光の位相をπ／２だ
けシフトさせている。
シフトさせた波動は： （２）の代わりにｉ（ｃ＋＋Ｌ
＋“／２−”φ／２）（４）Ｅｏ ｅ と書ける。（１）と（４）とを加え、２乗すると、光検
出器４５の出力ｌ２（Ｌ）を得る。Ｔ２（Ｌ）は、ｌ２
（ｌ ｃｃ”’０ （１＋ ｓｉｎ Δφ ）（５
）である。
＋“／２−”φ／２）（４）Ｅｏ ｅ と書ける。（１）と（４）とを加え、２乗すると、光検
出器４５の出力ｌ２（Ｌ）を得る。Ｔ２（Ｌ）は、ｌ２
（ｌ ｃｃ”’０ （１＋ ｓｉｎ Δφ ）（５
）である。
従来の光フアイバジャイロは、しかしながら、次のよう
な難点があった。
な難点があった。
（１） 光学系の不安定性か原因で、光検出器の出力
かドリフトする。
かドリフトする。
レーザ、ビームスプリッタ、集光レンズ、光ファイバ等
が独立した要素となっているから、これら要素の相対的
な位置変動か起る。
が独立した要素となっているから、これら要素の相対的
な位置変動か起る。
相対位置が変動すると、光ファイバの結合効率が変動し
、光検出器の出力がドリフトする。
、光検出器の出力がドリフトする。
いまひとつの理由がある。光検出器面上での時計廻り光
と反時計廻り光の重なり部分の面積が変動し、光検出器
出力がドリフトする。
と反時計廻り光の重なり部分の面積が変動し、光検出器
出力がドリフトする。
（１＋ｓｉｎΔφ）を検出する方式であっても、光検出
器出力の直流分を観測しているわけであるから、光学系
の不安定に基く出力のドリフトと、位相差Δφの変化と
を区別することができない。ドリフトがあれば、Δφを
測定する上で誤差を生じる原因となる。
器出力の直流分を観測しているわけであるから、光学系
の不安定に基く出力のドリフトと、位相差Δφの変化と
を区別することができない。ドリフトがあれば、Δφを
測定する上で誤差を生じる原因となる。
（２） 製作、組立が難しい。
従来の光フアイバジャイロは、ディスクリートな光学部
品で光学系を構成していた。このため、組立時の光軸調
整が難しかった。
品で光学系を構成していた。このため、組立時の光軸調
整が難しかった。
（３） フェーズシフタの角度調整が離しい。
従来の光フアイバジャイロに於て、フェーズシフタは、
平行なガラス板を傾斜させ、光路方向の実質的な厚みを
調整して、所望の位相差π／２を得ようとしていた。し
かし、光の波長は極めて短かく、位相差π／２を正確に
与えることは難しい。ガラス板の角度を変えると、光検
出器の出力がドリフトする。
平行なガラス板を傾斜させ、光路方向の実質的な厚みを
調整して、所望の位相差π／２を得ようとしていた。し
かし、光の波長は極めて短かく、位相差π／２を正確に
与えることは難しい。ガラス板の角度を変えると、光検
出器の出力がドリフトする。
本発明は、このような難点を克服した光フアイバジャイ
ロを与える事を目的とする。
ロを与える事を目的とする。
本発明の光フアイバジャイロは、１つの電気光学効果を
有する基板」二に、光導波路、光分岐素子、フェーズシ
フタ等をフォトリソグラフィ技術により作製し、発光素
子、受光素子は基板端面に貼付けるか、又は基板上に設
はモノリシック化する。
有する基板」二に、光導波路、光分岐素子、フェーズシ
フタ等をフォトリソグラフィ技術により作製し、発光素
子、受光素子は基板端面に貼付けるか、又は基板上に設
はモノリシック化する。
以下、実施例を示す図面によって説明する。
第１図は本発明の実施例にかかる光フアイバジャイロの
平面図である。
平面図である。
電気光学効果を有する基板１の上に、縦、横に平行な２
本つつの光導波路２を設ける。
本つつの光導波路２を設ける。
光導波路２は、４箇所で直交し、直交部には、光分岐素
子３を作製する。光分枝素Ｔ−３は４つあって、正方形
の角に位置する。光導波路２は、分離されているので、
一方の光の光導波路の途中にフェーズシフタ６を設けて
いる。
子３を作製する。光分枝素Ｔ−３は４つあって、正方形
の角に位置する。光導波路２は、分離されているので、
一方の光の光導波路の途中にフェーズシフタ６を設けて
いる。
基板１の材料としては、例えば、Ｌ ｉ Ｎ＋）０３結
晶を用いることができる。
晶を用いることができる。
光導波路２は、例えは゛ｒ１拡散法によって作製できる
。周囲よりも屈折率の高い部分を線状に作って、光導波
路とする。
。周囲よりも屈折率の高い部分を線状に作って、光導波
路とする。
光分岐素子３はこの例では回折格子を用いている。基板
の」−に機械的手段で、平行な格子線を刻み、回折格子
とする事ができる。しかし、より簡単なのは、フォトリ
ソグラフィ技術を用いることである。光導波路よりも屈
折率の低いフォトレジストを、光導波路の直交部に塗布
し、三光束干渉露光法で、所望の間隔を有する干渉縞を
露光し、未硬化のフォトレジストを洗い流すようにする
。
の」−に機械的手段で、平行な格子線を刻み、回折格子
とする事ができる。しかし、より簡単なのは、フォトリ
ソグラフィ技術を用いることである。光導波路よりも屈
折率の低いフォトレジストを、光導波路の直交部に塗布
し、三光束干渉露光法で、所望の間隔を有する干渉縞を
露光し、未硬化のフォトレジストを洗い流すようにする
。
こうして、フォトレジストによる回折格子を作製し、光
分岐素子３とする事ができる。
分岐素子３とする事ができる。
発光素子４は、レーザダイオード、スーパールミネッセ
ントダイオードなとをチップのまま、基板４の端面に貼
付ける。もちろんチップをケースの中へ収納したものを
基板４の端面に貼付けてもよい。基板と発光素子４とが
強く固着されている、という事が必要なのである。
ントダイオードなとをチップのまま、基板４の端面に貼
付ける。もちろんチップをケースの中へ収納したものを
基板４の端面に貼付けてもよい。基板と発光素子４とが
強く固着されている、という事が必要なのである。
受光素子５は、通常のシリコンホトダイオードを使うこ
とができる。チップ又は適当なケースに入った素子を基
板の端面の光導波路２の終端に貼付ける。受光素子とし
て、ＧａＡ７Ａｓ などの化合物半導体のホトダイオー
ドを使用しても良い。
とができる。チップ又は適当なケースに入った素子を基
板の端面の光導波路２の終端に貼付ける。受光素子とし
て、ＧａＡ７Ａｓ などの化合物半導体のホトダイオー
ドを使用しても良い。
フェーズシフタ６は、分離された先導波路２の両側に平
行に設けた電極７と、電極７の間に直流電圧を印加する
電源８とよりなる。電源は基板１の外部にあり、適当な
リード線で電極７と接続される。
行に設けた電極７と、電極７の間に直流電圧を印加する
電源８とよりなる。電源は基板１の外部にあり、適当な
リード線で電極７と接続される。
電極７として、例えばＡ７をコーティングしたものを用
いる事ができる。
いる事ができる。
電極７の間に直流電圧を印加すると、基板１の、電極７
で挾まれる部分に強い電界が生じる。基板１は電気光学
効果を有するので、電界に比例して、屈折率が変化する
。光導波路２は、Ｔｉ拡散等により、基板の他の部分よ
り屈折率を大きくし、光をとしこめるものであるが、電
界によって屈折率が変化すると、ここを通過する光の速
度が変化する。
で挾まれる部分に強い電界が生じる。基板１は電気光学
効果を有するので、電界に比例して、屈折率が変化する
。光導波路２は、Ｔｉ拡散等により、基板の他の部分よ
り屈折率を大きくし、光をとしこめるものであるが、電
界によって屈折率が変化すると、ここを通過する光の速
度が変化する。
飄
印加する電圧を調節すれば、任意の位相シフトを与える
ことかできる。
ことかできる。
光フアイバループ９は、シングルモード光ファイバを多
数回巻回したもので、両端は、基板１の光導波路２の端
面に接続される。ロッドレンズなどを用いて、光導波路
の光を絞って、光フアイバループ９へ入射するようにし
ても良い。
数回巻回したもので、両端は、基板１の光導波路２の端
面に接続される。ロッドレンズなどを用いて、光導波路
の光を絞って、光フアイバループ９へ入射するようにし
ても良い。
基板１の材料としては、電気光学効果を有するものであ
れば良い。
れば良い。
ＬｉＮｂ０ａ 、 Ｂｉｔ２ＳｉＯｚｏなどの誘電体材
料、又はＧａＡｓ 、 ＩｎＰ などの化合物半導体
を基板材料とする事ができる。
料、又はＧａＡｓ 、 ＩｎＰ などの化合物半導体
を基板材料とする事ができる。
化合物半導体を基板として使用すれば、第２図に示すこ
とく、全ての光学素子を同一基板」二に作製できる。モ
ノリシック化か可能である。
とく、全ての光学素子を同一基板」二に作製できる。モ
ノリシック化か可能である。
第２図の実施例は、ｎ型ＧａＡｓを基板１として用いる
。
。
発光素子４はＧａＡＪＡｓ系のレーザダイオードで前例
と同しであるが、基板の端面ではなく、基板１上の光導
波路２の上に設けである。
と同しであるが、基板の端面ではなく、基板１上の光導
波路２の上に設けである。
基板Ｊは、下から順に電極１０、厚いｎ −ＧａＡｓ層
１１、ｎ −Ｇａｏ４Ａ、１０．ｓＡｓＡｓ層、及びｎ
−ＧａＡｓの光導波層１３より成る。
１１、ｎ −Ｇａｏ４Ａ、１０．ｓＡｓＡｓ層、及びｎ
−ＧａＡｓの光導波層１３より成る。
受光素子５はシリコンホトタイオードてはなく、ＧａＡ
ｓ系のホトダイオードである。
ｓ系のホトダイオードである。
光導波路２ （Ａ −Ｇａｏ、２ＡＪｏ、ｇ Ａｓ層で
ある。先導波路２の−１−に形成された受光素子５は、
下から順に、ｎ −ＧａＡｓ層（吸収層）１５、Ｐ −
Ｇａ ｏ、２Ａｌ！０．８ＡＳ層１６、Ｐ −ＧａＡｓ
層１７及び電極１８よりなる。
ある。先導波路２の−１−に形成された受光素子５は、
下から順に、ｎ −ＧａＡｓ層（吸収層）１５、Ｐ −
Ｇａ ｏ、２Ａｌ！０．８ＡＳ層１６、Ｐ −ＧａＡｓ
層１７及び電極１８よりなる。
受光素子と発光素子の構造が対応するので、１個のＧａ
ＮＡｓ系基板からフォトリングラフィ技術によって、全
光学系をモノリシックに作製できる。
ＮＡｓ系基板からフォトリングラフィ技術によって、全
光学系をモノリシックに作製できる。
第１図、第２図の例では、分岐素子３として、回折格子
を用いている。分岐素子としては、これに限られるもの
ではない。
を用いている。分岐素子としては、これに限られるもの
ではない。
第３図に示すようなＹ型分岐方式２０を用いる事もてき
る。
る。
さらに、第４図に示すような、エバネツセント結合方式
２１を用いる事もてきる。２本の光導波路２２．２３か
近接して設けられる時、エノにネツセント波か一方光導
波路から他方の導波路へと伝わり、エネルギーを伝達す
ることができる。これによって分岐素子を構成できる。
２１を用いる事もてきる。２本の光導波路２２．２３か
近接して設けられる時、エノにネツセント波か一方光導
波路から他方の導波路へと伝わり、エネルギーを伝達す
ることができる。これによって分岐素子を構成できる。
効果を述べる。
（１）光学系を１つの基板上に集積化したので、小型、
軽量、高信頼性、高安定性の光フアイバジャイロを得る
ことができる。
軽量、高信頼性、高安定性の光フアイバジャイロを得る
ことができる。
（２） 光学系の光軸調整要素が全く不要になるか、
著しく少なくなる。従って製作、組立か容易となる。
著しく少なくなる。従って製作、組立か容易となる。
（３）位相シフト用を、電圧により連続的に制御する事
ができる。位相シフト量の調整か容易である。低角速度
域で、高感度の光フアイバジャイロを得る。
ができる。位相シフト量の調整か容易である。低角速度
域で、高感度の光フアイバジャイロを得る。
本発明の光フアイバジャイロは、自動車、船舶、航空機
に搭載し、回転角速度、回転変位を測定する為に用いる
事ができる。
に搭載し、回転角速度、回転変位を測定する為に用いる
事ができる。
さらに、ロボット等の移動体に搭載して、移動体の位置
を検出するための位置センサとして使用できる。
を検出するための位置センサとして使用できる。
第１図は本発明の実施例にかかる光フアイバジャイロの
全体平面図。 第２図は本発明の他の実施例にかかる光フアイバジャイ
ロの光学素子部分を同一基板上へモノリシックに作製し
たものの斜視図。 第３図はＹ型分岐方式による光分岐素子の略平面図。 第４図はエバネッセント結合方式による光分岐素子の略
平面図。 第５図は従来例にかかる光フアイバジャイロの基本的光
学系構成図。 第６図はフェーズシフタを用いる従来例の光フアイハン
ヤイロの基本的光学系構成図。 １・・・・・基 板 ２・・・・光導波路 ３ ・・・光分岐素子 ４ ・・発光素子 ５・・・・・・受光素子 ６・・・・・フェーズシフタ ７・・・・・電 極 ８・・・・・電 源 ９・・・・光フアイバループ 】０・・・・・電 極 １１・・・ｎ −ＧａＡｓ層 １２ 、、・・・−ｎ−Ｇａｏ、２Ａｌ！ｏ、ｇＡｓＡ
ｌＢ１２− ｎ −ＧａＡｓ層 １４、、、−− ｎ−Ｇａｏ、ｚＡｔ！ｏ、ａＡｓ層１
５ ・・・ｎ −ＧａＡｓ層 １５−’ Ｐ −Ｇａｏ、２Ａｌ！ｏ、＋＋Ａｓ層１７
− Ｐ−ＧａＡｓ層 １８・・・・・電 極 ２０・・・・・Ｙ型分岐方式分岐素子 ２１・・・・エバネツセント結合方式分岐素子発 明
者 吉 １） 健 −横原恭士 小 野 公 三 西 脇 由 和 津 野 浩 − 第１ 図 第４図
全体平面図。 第２図は本発明の他の実施例にかかる光フアイバジャイ
ロの光学素子部分を同一基板上へモノリシックに作製し
たものの斜視図。 第３図はＹ型分岐方式による光分岐素子の略平面図。 第４図はエバネッセント結合方式による光分岐素子の略
平面図。 第５図は従来例にかかる光フアイバジャイロの基本的光
学系構成図。 第６図はフェーズシフタを用いる従来例の光フアイハン
ヤイロの基本的光学系構成図。 １・・・・・基 板 ２・・・・光導波路 ３ ・・・光分岐素子 ４ ・・発光素子 ５・・・・・・受光素子 ６・・・・・フェーズシフタ ７・・・・・電 極 ８・・・・・電 源 ９・・・・光フアイバループ 】０・・・・・電 極 １１・・・ｎ −ＧａＡｓ層 １２ 、、・・・−ｎ−Ｇａｏ、２Ａｌ！ｏ、ｇＡｓＡ
ｌＢ１２− ｎ −ＧａＡｓ層 １４、、、−− ｎ−Ｇａｏ、ｚＡｔ！ｏ、ａＡｓ層１
５ ・・・ｎ −ＧａＡｓ層 １５−’ Ｐ −Ｇａｏ、２Ａｌ！ｏ、＋＋Ａｓ層１７
− Ｐ−ＧａＡｓ層 １８・・・・・電 極 ２０・・・・・Ｙ型分岐方式分岐素子 ２１・・・・エバネツセント結合方式分岐素子発 明
者 吉 １） 健 −横原恭士 小 野 公 三 西 脇 由 和 津 野 浩 − 第１ 図 第４図
Claims (2)
- （１）光フアイバジャイロの光学系を構成する光導波路
、光分岐素子、発光素子、受光素子及びフェーズシフタ
を電気光学効果を有する基板上に作製し、フェーズシフ
タは分離された光導波路の両側に電極を設け、電極間に
電圧を印加するものとした事を特徴とする光フアイバジ
ャイロ。 - （２）基板が化合物半導体ＧａＡ ｓの単結晶でＧａＡ
ｔ！Ａｓ系のレーザダイオード、ホトダイオードが基板
上にモノリシックに構成されている特許請求の範囲第（
１）項記載の光フアイバジャイロ０
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100975A JPS58216909A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 光フアイバジヤイロ |
| CA000426375A CA1230663A (en) | 1982-04-28 | 1983-04-21 | Optical fiber gyro |
| EP83104040A EP0092831A3 (en) | 1982-04-28 | 1983-04-25 | Optical fiber gyro |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100975A JPS58216909A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 光フアイバジヤイロ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216909A true JPS58216909A (ja) | 1983-12-16 |
Family
ID=14288347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100975A Pending JPS58216909A (ja) | 1982-04-28 | 1982-06-11 | 光フアイバジヤイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04265816A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-09-22 | Hughes Aircraft Co | 集積光学ジャイロスコープセンサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4273445A (en) * | 1978-08-23 | 1981-06-16 | Rockwell International Corporation | Interferometer gyroscope formed on a single plane optical waveguide |
| JPS5694680A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-31 | Thomson Csf | Method and device for modulating phase |
| JPS56125611A (en) * | 1980-01-17 | 1981-10-02 | Int Standard Electric Corp | Rotary speed measuring device using sagnac effect |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP57100975A patent/JPS58216909A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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