JP2001249242A - 表面波伝播を減少した一体化光学チップ - Google Patents

表面波伝播を減少した一体化光学チップ

Info

Publication number
JP2001249242A
JP2001249242A JP2000404535A JP2000404535A JP2001249242A JP 2001249242 A JP2001249242 A JP 2001249242A JP 2000404535 A JP2000404535 A JP 2000404535A JP 2000404535 A JP2000404535 A JP 2000404535A JP 2001249242 A JP2001249242 A JP 2001249242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
optical
refractive index
optical waveguide
mioc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000404535A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4139070B2 (ja
Inventor
Lorrie L Gampp
エル． ギヤンプ ローリー
Arthur R Martinez
アール，マーチネツツ アーサー
Thomas Flaherty
フレイハーテイ トーマス
Gregory Zimmerman
ジツマーマン グレゴリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northrop Grumman Guidance and Electronics Co Inc
Original Assignee
Litton Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Litton Systems Inc filed Critical Litton Systems Inc
Publication of JP2001249242A publication Critical patent/JP2001249242A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4139070B2 publication Critical patent/JP4139070B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/125—Bends, branchings or intersections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
    • G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12104—Mirror; Reflectors or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12126—Light absorber
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12166—Manufacturing methods
    • G02B2006/12183—Ion-exchange
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 表面波を伝播させることにより、偏光消
光比を改良し、多機能一体化光学チップの偏光非相反エ
ラーを減少させる。 【解決手段】 光導波管ネットワークは電気光学的に活
性な材料からなる基板１６を含む一体化光学チップ５８
内に形成され、且つ光導波管ネットワークは光信号が光
導波管ネットワークへ入力可能な入力ファセット４６と
光信号が光導波管ネットワークから出力可能な出力ファ
セット４８とを有している。構造体６０は基板１６の上
面部４４内に配置され、基板１６内を伝播する表面波が
出力ファセット４８内にクロスカップリングすることを
防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一体化光学チップあ
るいは装置、更に詳細にはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
０３）基板上に形成される一体化光学部品を有した多機
能一体化光学チップに関する。このチップに形成される
一体化光学部品には導波管が含まれ、光学カプラ、偏光
子あるいは位相変調器として機能させるよう配列可能で
ある。多機能を果たす装置が単一の装置に内蔵させる場
合、インターフェース分離装置と関連するロス若しくは
エラーの発生を回避し得る。本発明は特に、光導波管と
接続される光ファイバピグテールを経て光ファイバにク
ロスカップリングされる表面波の伝播の結果、偏光消光
比を改良する、あるいは多機能一体化光学チップの偏光
非相反（ＰＮＲ）エラーを減少させる方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】多機能の一体化光学チップ（ＭＩＯＣ）
は通常従来のフォトマスク、真空蒸着、化学浴、プロト
ン交換、拡散、及びエッチングの各技術を用いてニオブ
酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）からなる３〜４インチウエ
ハ上に大量に製造し、多数の同一部品を低コスト、高信
頼性をもって形成する。上述した多機能を実現するＭＩ
ＯＣは中間及び高い精度の光ファイバジャイロスコープ
（ＦＯＧ）若しくは回転センサの製造に使用される。Ｆ
ＯＧはサニャック効果を利用してコイル状の光ファイバ
に対し直角な軸を中心とする回転速度を測定する。ＭＩ
ＯＣはまたマッハツェンダー干渉計またはマイケルソン
干渉計の原理に基く水管検漏器若しくはジオフォンのよ
うな他の光ファイバ光学センサを製造する場合にも使用
可能である。
【０００３】光ファイバジャイロスコープには、互いに
反対方向に進む波を光信号源から光ファイバコイル内に
導入する手段が含まれる。コイル平面に対し直角な軸を
中心とするコイルの回転により、時計回り及び反時計回
りの波の間にサニャック効果により位相差が生じる。こ
の位相差は、回転方向にコイルを横断する波がコイルを
反対方向に横断する波より光ファイバコイルを経てトラ
ンジット時間が長くなるために生じる。これら波はコイ
ルを経て伝播した後、合流される。この合流波により干
渉パターンが形成され、処理されて回転速度が決定され
る。回転速度を決定する技術は当業者には周知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光信号源と通常偏波面
保存ファイバからなる光ファイバコイルとの間に多機能
を有する一体化光学チップ（ＭＩＯＣ）を含むようにＦ
ＯＧを形成することは通例である。ＭＩＯＣには通常、
Ｙ接合をなすべく配置された複数の光導波管が含まれ
る。Ｙ接合の基部は光信号源と接続され、一方Ｙ接合の
アーム部は光ファイバコイルの端部とインターフェース
を構成する。多機能の一体化光学チップへの光信号の入
力はＹ接合で分割され、互いに反対方向に進む波として
光ファイバコイルの端部へ入力される光信号となる。コ
イルを伝播した後、波はＹ接合のアーム部を構成する光
導波管に入る。次に波はＹ接合内で合流され、Ｙ接合の
基部から光ファイバへ出力される。合流波は光検出器へ
案内され、光検出器は電気信号を発生し、電気信号が処
理されて回転速度が決定される。
【０００５】光ファイバ回転センサ内での所望状態は通
路長を付加することなしに光ファイバコイル内及び光導
波管内を伝播するＴＥモードである。ＴＭモード及び通
路長の付加を有するＴＥモードの伝播は望ましくない状
態である。位相差（あるいは常時ファイバ内で２偏光成
分を有することに関連する偏光非相反（ＰＮＲ））を加
える偏光クロスカップリング（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏ
ｎ ｃｒｏｓｓ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）のような誤差源は
サニャック効果と直接争う付加光路差として現れる。こ
れらの誤差源のため、ＭＩＯＣ内の位相変調器により使
用される周波数で変調されるときに位相バイアス誤差及
び振幅バイアス誤差が生じる。偏光クロスカップリング
による光ファイバ回転センサ内のバイアス成分は偏光消
光比の絶対値の平方根に逆比例する。消光比はデシベル
単位で表される偏光モードの所望パワー（所望モードの
パワー）に対する不都合なパワー（望ましくないモード
のパワー）の比の対数の１０倍として定義される。ＭＩ
ＯＣ内のクロスカップリングを最小にすると（消光比の
絶対値を最大にすると）、この種のバイアス誤差が減少
される。
【０００６】更に背景技術としてここに開示されるよう
な一体化光学チップ（ＩＯＣ）は、「高電気光学係数を
有する多機能の一体化光学チップを製造する方法」と題
し、１９９３年３月９日に公布されたチン・エル・チャ
ン等による米国特許第５，１９３，１３６号；「一体化
光学チップ及びそれに光ファイバコイルを接続する方
法」と題し、１９９１年９月１０日に公布されたチン・
エル・チャンによる米国特許第５，０４６，８０８号；
「一体化光学チップ及びニオブ酸リチウム基板に対する
光ファイバの付設のためのレーザアブレーション法」と
題し、１９９５年２月２８日に公布されたチン・エル・
チャン等による米国特許第５，３９３，３７１号；「電
気光学導波管、位相変調器及びそれらを製造する方法」
と題し、１９９５年８月１５日に公布されたチン・エル
・チャン等による米国特許第５，４４２，７１９号；及
び「一体化光学チップに対しファイバの堅牢な接続のた
めの方法及びその製品」と題し、１９９０年１２月１１
日に公布されたジョージ・エイ・パビラスによる米国特
許第４，９７６，５０６号に開示されると同様の処理若
しくは工程を用いて形成される。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による一体化光学
チップは電気光学的に活性な材料からなる基板と基板の
第１の面上に形成される光導波管ネットワークとを備え
る。光導波管ネットワークは光信号が光導波管ネットワ
ークへ入力される入力ファセットと、光導波管ネットワ
ークから出力される出力ファセットとを有する。本発明
による一体化光学チップは更に基板内を伝播する表面波
が出力ファセットに連結することを防止するよう構成さ
れた基板の上層内に配置された構造体を含んでいる。
【０００８】基板内を伝播する表面波が出力ファセット
内に連結することを防止する構造体は第１の金属を含む
第１の層と第２の金属からなる第２の層とを備える。第
１の層はチタンからなり第２の層は金からなることが好
ましい。
【０００９】基板内を伝播する表面波が出力ファセット
と連結することを防止する構造体は処理されて基板の残
部の屈折率とは異なる第２の屈折率を有した基板の領域
を有している。
【００１０】第２の屈折率を有する構造体は光導波管ネ
ットワークのファセットから離間する表面波を配光す
る、あるいは表面を伝播する光を拡散してクロスカップ
リングを最小にするような焦点距離を有する焦点領域と
して形成可能である。
【００１１】本発明の目的、構造及びその動作は、添付
の図面に示す好ましい実施形態に沿った以下の説明から
より完全に理解されよう。
【００１２】
【発明の実施の形態】ここに添付された図面はいずれも
一定の割合で拡大して示してある。図面に示される構成
部品の一部の寸法は他の構成部品に比べ拡大して示す必
要があるほど小さい。
【００１３】図１Ａには基板１６上に形成される３個の
光導波管１２−１４からなる光導波管ネットワーク１１
を含む周知のＭＩＯＣ１０が示される。基板１６はこの
ような装置の製造に通常使用されるニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂ０３）のような電気光学的に活性な材料で作
られる。光導波管１２−１４は当業者には周知の処理法
を用いて基板１６の一部をドーピング処理することによ
り形成される。
【００１４】導波管１２は基板１６の縁部１８から光導
波管１２−１４が交差するＹ接合部２０へ向って延びて
いる。光導波管１３、１４はＹ接合部２０と平行部２
６、２８との間をそれぞれ延びる角度部２２、２４を有
している。光導波管１３、１４は基板１６のＹ接合部２
０と縁部３０との間に延び、縁部１８、３０は全体とし
てその縁部（１８）に対し平行にされる。
【００１５】光導波管１２−１４は、光ファイバ３２−
３４がそれぞれ突き合わせ連結されて形成され、他の構
成部品（図示せず）とＭＩＯＣ１０とのインターフェー
スをなすように形成される。従来の構成及び本発明の構
成両方を簡単に説明するために、光ファイバ３２は入力
ファイバピグテールと呼び、光ファイバ３３、３４は出
力ファイバピグテールと呼ぶ。
【００１６】上述したように、ＭＩＯＣの製造に使用さ
れた処理により図１Ｂに示す如く基板の上部に薄いスラ
ブ光導波管３６が製造され得る。光ファイバジャイロス
コープのような装置を製造する際にＭＩＯＣ１０が使用
されるとき、光信号は入力光ファイバピグテール３２か
ら光導波管１２へ入力される。入力ピグテール３２から
の信号の一部はピグテール３２と光導波管１２との間の
インターフェースで散乱される。特にこの散乱光の一部
はスラブ光導波管３６内に結合される。光はスラブ光導
波管３６内で反射が生じるＭＩＯＣ１０の側面３８、４
０へ向って伝播する。矢印Ａ、Ｂは表面導波管３６内で
移動可能な表面波の通路を示している。図１Ｃに示すよ
うに、反射された表面波は出力ピグテール３３、３４内
に結合される。更に、矢印Ａで示すように、表面波の一
部は反射することなく出力ピグテール３３、３４へ直接
伝播し、またＭＩＯＣ１０の出力と結合される。
【００１７】図１ＤはＭＩＯＣ１０の上面４４上に形成
される３個の電極５０〜５２を示す。電極５０〜５２は
電極５１が光導波管１３、１４の平行部分間にあるよう
に配置される。光導波管１３は電極５０、５１間に配設
され、光導波管１４は電極５１、５２間に配設される。
電気コンタクト５４、５６もまた上面４４に形成可能で
ある。電極５０〜５２は通常ＭＩＯＣ１０がＦＯＧ（図
示せず）内に含まれるときプッシュ・プル位相変調器を
構成するために使用される。
【００１８】表面モードが弱く案内されるために生じる
クロスカップリングを防止するため、表面モードが光フ
ァイバピグテールにクロスカップリングするＭＩＯＣの
全長を横切って伝播することを防止する光阻止、トラッ
プあるいは分散するように構成する必要があることが判
明した。本発明の説明上、光信号が光ファイバピグテー
ル３２へ入力され、Ｙ接合部で分割され、次に光ファイ
バピグテール３３、３４で出力されるものとする。
【００１９】弱く案内される表面モードを消滅させる本
発明の一の構成によれば、例えば金属若しくは他の吸光
あるいは反射材料を用いて薄いスラブ導波管が形成され
たＭＩＯＣ面での境界条件が変更される。弱く案内され
る表面モードを消滅させる本発明の他の一の構成によれ
ば、極めて焦点距離の短いレンズのように作用するよう
に屈折率が設定される。本発明の更に別の構成によれ
ば、材料の幾何学的形状をＭＩＯＣの表面に与えること
により、スラブ導波管内の屈折率が変化される。この波
の中断により、一体化光学チップ内の偏光クロスカップ
リングによるエラーが効果的に停止あるいは阻止でき
る。
【００２０】表面案内されるモード光を阻止、分散ある
いは吸収する概念の実現には、本発明により選択された
特徴部がＭＩＯＣ１０製造用のファオトリソグラフィマ
スク内に含ませる必要がある。この幾何学的構成体は導
波管ネットワーク１５に触れるか、あるいは横断するよ
うに含ませることができる。幾何学的構成体はまた導波
管ネットワーク１５の近傍に配置可能である。且つ幾何
学的構成体は導波管ネットワーク１５からある距離離間
された位置において、且つ対象である表面伝播波の通路
内に直接配設可能である。形状及び位置を設定するとき
所望の結果を得るためには、材料が受ける処理工程のす
べてを考慮する必要がある。
【００２１】図２〜図１５は吸光材や反射材を与える、
あるいはチップの表面の幾何学的形状またはパターンの
屈折率変化を与え、表面波の移動方向を変更する、ある
いは表面光を吸収する例を示す。また屈折率変化と材料
付加を共に使用可能である。表面屈折率の変化を起こさ
せる最簡潔の方法は、光導波管１２−１４の形成と同一
の手段を経てパターン若しくは形状を作ることである。
この場合プロトン交換法が好ましい方法であり、ＭＩＯ
Ｃ１０の製造でコストが増すことはない。またチタン拡
散導波管製造ラインでは、表面伝播光の方向を阻止、抑
制あるいは変更するために幾何学的パターンのチタン拡
散表面屈折率の変化を利用し得、これもコストが増すこ
とはない。
【００２２】金属バリア若しくは吸光体のパターンは変
調器の電極のフォトリソグラフィマスクに一体化され、
ＭＩＯＣ１０の製造でコストが増すことはない。パター
ン若しくは形状が複数回反復されて、効果が増大され
る。可能な複数の構成について以下に説明する。この場
合同一あるいは異なる幾何学的パターンを用いた屈折率
変化法、局所塗布法あるいはそれらの組合法が使用され
よう。横及び長手方向のブロック、レンズ、分散体また
は吸光体のサイズ、形状及び延長は、光学チップの全チ
ップ長及び導波管構成、並びに光ファイバピグテールの
位置により決定される。マッハ・ツェンダー干渉計のよ
うに、あるいはＹ接合部の後に吸光体若しくは分散体が
平行通路位置に使用されるとき、図６、図１０、図１３
及び図１５に示すようにオフセットあるいは互い違いに
する必要がある。またオフセットは光源のコヒーレンス
長より大きくする必要がある。
【００２３】図２〜図１５は一体化光学チップ内の表面
波の伝播を減少させる装置及び方法を示す。これらの図
面はすべて簡単な線で示す光導波管を有した上部平面図
である。構造体あるいは材料を与えて表面波伝播を減少
させる以外は、一体化光学チップは図１Ａ及び図１Ｄを
参照して説明した周知の一体化光学チップと同様である
ことは理解されよう。従って図２〜図１６の一体化光学
チップのすべてに、Ｙ接合部２０を含む光導波管ネット
ワークを構成する基板１６及び光導波管１２−１４が含
まれている。導波管ネットワーク１５の他の構成も可能
である。この詳細な構成が図面に開示し以下に説明され
る。
【００２４】図２Ａは基板１６の上面４４に付加された
表面波阻止構造体６０を有するＭＩＯＣ５８を示す。構
造体６０は光導波管１２のＹ接合部２０と隣接する領域
に加えられる。この上部平面図に示すように、構造体６
０は一対の矩形構造を有し、一方は光導波管１２の両側
あるいは光導波管１２と連続して設けることができる。
図２Ｂに示すように構造体６０にはチタンのような金属
の第１の層６２及び金のような金属の層６４とが含まれ
る。チタン・金構造体６０に入射される表面波は、反
射、散乱あるいは吸収される。金属層が周知の技術によ
り蒸着されることは理解されよう。
【００２５】また図２Ｃに示すように、構造体６０はニ
オブ酸リチウムの屈折率とは異なる屈折率を有する基板
１６の領域６１として構成可能である。異なる屈折率を
有する基板１６の領域６１は光導波管１２−１４を形成
している間に、プロトン交換法により形成される。屈折
率の変化と対向する表面波の一部は反射あるいはその方
向が変更される。反射される光は周知の光学原理に従い
屈折率の差及び構造体表面に入射される角度により決定
される。
【００２６】図３は本発明によるＭＩＯＣ６５を示し、
この場合一対の薄い矩形表面波阻止構造体６６、６８が
基板１６を横断させて付加される。構造体６６、６８は
図２Ｂ〜図２Ｄに示すものと同様の形態の単層あるいは
複層にできる。構造体６６、６８により、入射表面波が
反射、再配向あるいは吸収できる。
【００２７】図４は本発明によるＭＩＯＣ７０を示し、
この場合複数の焦点領域７２〜７９がレンズとして作用
するように形成される。焦点領域７２〜７９は光導波管
１２の長手方向に沿い離間して配置される。焦点領域７
２〜７９は極めて短い焦点距離を有し表面波がＭＩＯＣ
７０のピグテール３２〜３４から離間するよう配向され
ることが好ましい。焦点領域７２〜７９はプロトン交換
法により形成可能である。焦点領域７２〜７９は導波管
ネットワーク１５に沿った任意の個所に配置できよう。
これらの構造体の最適位置は他の構造体、即ち電極若し
くは導波管ネットワーク１５の構成により決定される。
【００２８】図５は本発明によるＭＩＯＣ８０を示し、
この場合その上に複数の矩形構造体８２〜８５を有して
いる。矩形の構造体８２、８３は基板１６の光導波管１
２の側縁部３８、４０と隣接させた対向して配置され
る。矩形の構造体８４、８５は基板１６の側縁部３８、
４０と隣接し、光導波管１３、１４はその間に配置され
る。これらの構造体は金属を加えるのではなく材料内の
屈折率変化を与えることにより構成させることが好まし
い。
【００２９】図６は本発明によるＭＩＯＣ９０を示し、
この場合基板１６内に形成される複数の焦点領域９２〜
９９を有している。焦点領域９２、９３は基板１６の縁
部１８の近傍において光導波管１２の反対側に配置され
る。焦点領域９４、９５はＹ接合部２０の近傍において
光導波管１２の反対側に配置される。焦点領域９６、９
７は基板１６の縁部３０の近傍において光導波管１４の
反対側に配置され、焦点領域９８、９９もまた縁部３０
の近傍において光導波管１３の反対側に配置される。対
をなす焦点領域９６、９７及び焦点領域９８、９９は互
いに偏位しオフセットされる。このオフセットは偏光ク
ロスカップリングの発生を防止するため減偏光長（ｄｅ
ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きく
する必要がある。減偏光長はＴＥモードとＴＭモードと
の間の屈折率差により除算された光波のコヒーレンス長
として定義される。
【００３０】図７は本発明によるＭＩＯＣ１０２を示
し、この場合複数の三角構造体１０５〜１０７が基板１
６上に形成される。三角構造体１０４、１０５は基板１
６の縁部１８の近傍において光導波管１２の反対側に配
置される。三角構造体１０６、１０７はそれぞれ側縁部
３８、４０の近傍において基板１６の縁部３０近傍に配
置される。
【００３１】図８は本発明によるＭＩＯＣ１１０を示
し、この場合一対の三角構造体１１２、１１４はそれぞ
れ側縁部３８、４０の近傍において基板１６の縁部３０
の近くに形成される。三角構造体１１６はＹ接合部２０
の近傍において光導波管１３、１４間に形成される。三
角構造体１１８、１２０はＹ接合部２０の反対側におい
てそれぞれ側縁部３８、４０と隣接する基板１６上に形
成される。
【００３２】図９は本発明によるＭＩＯＣ１０２を示
し、この場合上述したような三角構造体１１２、１１４
を有する。一対の三角構造体１２４、１２６は光導波管
１２の反対側でＹ接合部２０の近傍の基板１６上に配置
される。三角構造体１２４、１２６の間には約１〜１０
μｍの狭い間隙１２５が形成される。
【００３３】図１０は本発明のＭＩＯＣ１２８を示し、
この場合光導波管１３、１４の近傍に配置される２対４
個の側部を有する構造体１３０〜１３３を具備する。各
対の間には小さな間隙が置かれる。この間隙は隣接する
光導波管１２〜１４の縁部から１〜１０μｍ離れる間隙
であることが好ましい。構造体は図６に沿って上述した
ような方法で互いにオフセットされている。４個の側部
を有する第１の構造体１３４は光導波管１２の片側に配
置され、４個の側部を有する第２の構造体１３６は反対
側に配置される。構造体１３４、１３６と光導波管１２
との間には約１〜１０μｍの狭い間隙が置かれる。
【００３４】図１１は本発明によるＭＩＯＣ１４０を示
し、この場合それぞれ縁部１８及び３０の近傍に形成さ
れる一対の薄い矩形構造体１４２、１４４を有する。
【００３５】図１２は本発明のＭＩＯＣ１５０を示し、
この場合表面波を分散、反射あるいは吸収する材料の薄
いライン１５２、１５６がそれぞれ基板端部１８、３０
の近傍に配置される。この材料の近接離間させて複数の
ライン１５４はＹ接合部２０の近傍に光導波管１２と隣
接して配置される。
【００３６】図１３は本発明のＭＩＯＣ１６０を示し、
この場合光導波管１２の反対端部の近傍に配設された表
面波阻止材料からなる複数のライン１６２、１６４を有
する。表面波阻止材料からなる薄いライン１６６は光導
波管１３、１４を横切って延びている。ライン１６６は
光導波管１３、１４の軸に対し直角ではない。
【００３７】図１４は本発明のＭＩＯＣ１７０を示し、
この場合表面波阻止材料からなる複数の矩形構造体１７
２〜１７５が基板１６上に形成される。矩形構造体１７
２、１７３は光導波管１２の反対側部に配置され、基板
１６の側縁部３８、４０にそれぞれ近接して配置され
る。矩形構造体１７４は光導波管１２、１４及びＹ接合
部２０の近傍において側部４０と隣接して配置される。
【００３８】図１５は表面波阻止材料からなる複数の薄
いライン１８２〜１８５を有するＭＩＯＣ１８を示す。
ライン１８２は光導波管１２に対し直角であり、基板１
６の縁部１８近傍に配置される。ライン１８２は約８０
度の角度でＹ接合部２０の近傍において基板１６をある
角度で横断して延びる。ライン１８４、１８５はそれぞ
れ光導波管１３、１４を約８０度の角度をもって延びて
いる。ライン１８４、１８５は図６に関して上述した場
合と同一の方法で互いにオフセットされる。
【００３９】図１６は導波管ネットワーク１５の外側に
沿って構造体１８７、１８８が付加されたＭＩＯＣ１９
０を示す。構造体１８７、１８８はそれぞれＭＩＯＣ１
９０の長さに沿って延びるライン１８７Ａ、１８８Ａを
含む。構造体１８７、１８８はそれぞれ広く湾曲した湾
曲部１８７Ｂ、１８８Ｂを有している。湾曲部１８７
Ｂ、１８８ＢはＭＩＯＣ１９０のＹ接合部２０上面の中
央領域の近傍に配置され、ピグテールに連結される縁部
から通常反射する光を捕捉、分散あるいは吸収するよう
に構成される。
【００４０】ここに開示した構造及び方法は本発明の原
理を示すためのものである。本発明はその精神及び本質
的な特性から離れることなく他の形態も採用可能であ
る。本発明のいくつかの実施形態を上述したが、表面波
を阻止あるいは反射させる装置の他の多くの構成が本発
明の範囲内で形成可能であることは理解されよう。従っ
て開示した実施形態は全ての点において制限されるもの
ではなく一例として開示したに過ぎない。従って上述の
説明の範囲ではなく、添付の請求項によって本発明の範
囲が定まる。請求項に記載の等価物の意味及び範囲内に
入るここに開示の実施形態に対する全ての設計変更が本
発明の範囲に含まれよう。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】図１Ａは従来のＭＩＯＣの斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａの従来のＭＩＯＣの縦側面図
である。
【図１Ｃ】図１Ｃは図１Ａの従来のＭＩＯＣの上部平面
図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは図１Ａ及び図１Ｂの上部平面図であ
る。
【図２Ａ】図２Ａは基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図３】図３は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図４】図４は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図５】図５は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図６】図６は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図７】図７は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図８】図８は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図９】図９は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明の
原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料パ
ターンの上部平面図である。
【図１０】図１０は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図１１】図１１は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図１２】図１２は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図１３】図９は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発明
の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材料
パターンの上部平面図である。
【図１４】図１０は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図１５】図１１は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【図１６】図１２は基板に与えてＭＩＯＣを製造し本発
明の原理に基き表面波伝播を除去あるいは減少させる材
料パターンの上部平面図である。
【符号の説明】
１０；ＭＩＯＣ、１１；光導波管ネットワーク、１２；
光導波管、１３；光導波管、１４；光導波管、１６；基
板、１８；縁部、２０；Ｙ接合部、３０；縁部、３２；
ピグテール、３６；スラブ光導波管、４０；側部、４
４；上面層、４６；入力ファセット、４８；出力ファセ
ット、５１；電極、５８；一体化光学チップ、６０；構
造体、６１；領域、６２；第１の層、６４；第２の層、
６５；ＭＩＯＣ、６６；トレンチ、７２；基板、７３；
第１の面、７４；トレンチ、７５；吸光材、７６；中央
底部、７８；カバー、７９；上面、８０；ＭＩＯＣ、８
２；側部、８４；光線、９４；散乱源、１０４；散乱
源、１０６；上面、１０８；内端部、１１０；ＭＩＯ
Ｃ、１１６；三角構造体、１２０；ＭＩＯＣ、１２６；
溝、１２８；ＭＩＯＣ、１３４；第１の構造体、１３
６；第２の構造体、１４２；トレンチ、１５０；ＭＩＯ
Ｃ、１５４；ライン、１５６；縁部、１６０；ＭＩＯ
Ｃ、１６２；接合線、１６６；ライン、１７０；ＭＩＯ
Ｃ、１７４；構造体、１８０；ＭＩＯＣ、１８２；ライ
ン、１９０；ＭＩＯＣ、１８７Ａ、１８８Ａ；ライン、
１９０；ＭＩＯＣ、１８７Ｂ、１８８Ｂ；湾曲部
フロントページの続き (72)発明者 アーサー アール，マーチネツツ アメリカ合衆国 カリフオルニア州 91306，カノガ パーク，メイスン アベ ニユー 8010 (72)発明者 トーマス フレイハーテイ アメリカ合衆国 カリフオルニア州 91301，アゴーラ ヒルズ，ヴアイア ア ミストサ 27828 (72)発明者 グレゴリー ジツマーマン アメリカ合衆国 ユタ州 84040，レイト ン，1975 イースト 2243 ノース

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気光学的に活性な材料からなる基板
    （１６）と、基板（１６）の第１の面上に形成される光
    導波管ネットワーク（１１）と、基板（１６）の上面層
    （４４）に配置され、基板（１６）内において伝播する
    表面波が出力ファセット（４８）と連結することを防止
    する構造体（６０）とを備え、光導波管ネットワーク
    （１１）は光信号を光導波管ネットワーク（１１）へ入
    力可能な入力ファセット（４６）と光信号を光導波管ネ
    ットワーク（１１）から出力可能な出力ファセット（４
    ８）とを有してなる一体化光学チップ（５８）。
  2. 【請求項２】 構造体（６０）が第１の金属を含む第１
    の層（６２）と第２の金属からなる第２の層（６４）と
    を包有してなる請求項１の一体化光学チップ（５８）。
  3. 【請求項３】 光導波管ネットワーク（１１）はＹ接合
    部（２０）を形成すべく配置された複数の光導波管（１
    ２〜１４）を含み、構造体（６０）はＹ接合部に隣接す
    る複数の光導波管（１２〜１４）の第１の光導波管（１
    ２）上に配置される光導波管請求項２の一体化光学チッ
    プ（５８）。
  4. 【請求項４】 基板（１６）は第１の屈折率を有し、構
    造体は処理されて第１の屈折率とは異なる第２の屈折率
    を有する基板（１６）の領域（６１）を有する請求項１
    の一体化光学チップ（５８）。
  5. 【請求項５】 構造体（６０）が光導波管ネットワーク
    （１１）の出力ファセット（４８）から離間する方向に
    表面波を配向するような焦点距離を持つ焦点領域（７
    ４、７８）として形成される請求項１の一体化光学チッ
    プ（５８）。
  6. 【請求項６】 基板（１６）の屈折率と異なる第２の屈
    折率を有するよう処理された基板（１６）の複数の領域
    （８２〜８５）を備える請求項１の一体化光学チップ
    （５８）。
  7. 【請求項７】 基板（１６）は光導波管ネットワーク
    （１１）の反対端部の近傍に配置される第１の屈折率と
    異なる第２の屈折率を有するよう処理された請求項１の
    一体化光学チップ（５８）。
  8. 【請求項８】 基板（１６）は第２の屈折率を有し、第
    １の屈折率と異なる屈折率を有する基板（１６）の複数
    のライン領域（１５４）を持つ請求項１の一体化光学チ
    ップ（５８）。
  9. 【請求項９】 第１の屈折率と異なる第１の屈折率を有
    するよう処理された基板（１６）の領域（１８７、１８
    ８）は基板（１６）の実質的に長手方向に沿って延びる
    薄い線形部（１８７Ａ、１８８Ａ）と、基板（１６）の
    側部（１９０、１９１１）と隣接する位置からＹ接合部
    へ向かって延びる幅広の湾曲部（１８７Ｂ、１８８Ｂ）
    とを有するよう形成される請求項１の一体化光学チップ
    （５８）。
JP2000404535A 1999-12-23 2000-12-22 表面波伝播を減少した集積化光学チップ Expired - Fee Related JP4139070B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/469427 1999-12-23
US09/469,427 US6438280B1 (en) 1999-12-23 1999-12-23 Integrated optics chip having reduced surface wave propagation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001249242A true JP2001249242A (ja) 2001-09-14
JP4139070B2 JP4139070B2 (ja) 2008-08-27

Family

ID=23863759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000404535A Expired - Fee Related JP4139070B2 (ja) 1999-12-23 2000-12-22 表面波伝播を減少した集積化光学チップ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6438280B1 (ja)
EP (1) EP1111411B1 (ja)
JP (1) JP4139070B2 (ja)
KR (1) KR100408179B1 (ja)
CA (1) CA2328787C (ja)
DE (1) DE60028519T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003270481A (ja) * 2002-02-07 2003-09-25 Qinetiq Ltd 光部品を整列させるための方法および装置
KR100408179B1 (ko) * 1999-12-23 2003-12-01 리톤 시스템즈 인코포레이티드 표면파 전파가 감소된 집적 광학 칩
JP2010060669A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光導波路
JP2017067986A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1396741A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-10 Avanex Corporation Stray light suppression structures using a waverguide and angled, deep etched trendches filled with an absorbing material
KR100480280B1 (ko) * 2003-06-09 2005-04-07 삼성전자주식회사 광 하이브리드 모듈 및 그 제작방법
US7366372B2 (en) 2006-02-27 2008-04-29 Honeywell International, Inc. Waveguide device having improved spatial filter configurations
JP4406023B2 (ja) * 2007-08-24 2010-01-27 富士通株式会社 光集積素子
CN101526354B (zh) * 2009-04-15 2010-12-01 东南大学 基于表面等离子体激元波导的集成光学光纤陀螺芯片
FR2986623B1 (fr) 2012-02-07 2016-11-25 Ixblue Circuit optique integre a reflexion primaire attenuee
CN103267998B (zh) * 2013-05-20 2015-06-17 中国电子科技集团公司第四十四研究所 提高光纤陀螺用y波导芯片消光比的方法
KR20180079009A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 삼성전자주식회사 비가역 광투과 소자 및 이를 포함하는 광학 장치
WO2020181938A1 (zh) * 2019-03-14 2020-09-17 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
JP7436881B2 (ja) * 2019-07-09 2024-02-22 日本電信電話株式会社 光合波回路
CN112068245B (zh) * 2020-09-21 2021-08-10 珠海奇芯光电科技有限公司 一种杂散光偏转器、光芯片及其制作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4262992A (en) * 1979-04-18 1981-04-21 The United States Of America As Represented By The Director Of The National Security Agency Variable integrated optical logic element
US4789212A (en) * 1986-12-22 1988-12-06 Amphenol Corporation Integrated optical polarizer with high extinstion ratio and low insertion loss, and improved method of fabrication thereof
US4976506A (en) 1989-02-13 1990-12-11 Pavlath George A Methods for rugged attachment of fibers to integrated optics chips and product thereof
US5193136A (en) 1989-10-27 1993-03-09 Litton Systems, Inc. Process for making multifunction integrated optics chips having high electro-optic coefficients
US5393371A (en) 1989-12-18 1995-02-28 Litton Systems, Inc. Integrated optics chips and laser ablation methods for attachment of optical fibers thereto for LiNbO3 substrates
US5046808A (en) 1989-12-18 1991-09-10 Litton Systems, Inc. Integrated optics chip and method of connecting optical fiber thereto
US5175781A (en) * 1991-10-11 1992-12-29 United Technologies Corporation Attaching optical fibers to integrated optic chips
US5231683A (en) * 1991-10-11 1993-07-27 United Technologies Corporation Attaching optical fibers to integrated optic chips
JPH05215927A (ja) * 1992-02-05 1993-08-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光集積回路及びその作製方法
US5321779A (en) * 1992-11-06 1994-06-14 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Optical substrate with light absorbing segments
US5442719A (en) 1993-07-21 1995-08-15 Litton Systems, Inc., A Delaware Corporation Electro-optic waveguides and phase modulators and methods for making them
US5475772A (en) * 1994-06-02 1995-12-12 Honeywell Inc. Spatial filter for improving polarization extinction ratio in a proton exchange wave guide device
FR2748573B1 (fr) * 1996-05-10 1998-06-05 Commissariat Energie Atomique Filtre en optique integree
DE59709377D1 (de) * 1996-09-20 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Anordnung aus zwei auf der Oberfläche eines Substrates integrierten optischen Wellenleitern
CA2240117A1 (en) * 1997-07-23 1999-01-23 Litton Systems, Inc. Absorbing coating of optical media to prevent reflection, transmission and scatter
FR2783933B1 (fr) * 1998-09-24 2000-11-24 Cit Alcatel Composant optique integre
US6438280B1 (en) * 1999-12-23 2002-08-20 Litton Systems, Inc. Integrated optics chip having reduced surface wave propagation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100408179B1 (ko) * 1999-12-23 2003-12-01 리톤 시스템즈 인코포레이티드 표면파 전파가 감소된 집적 광학 칩
JP2003270481A (ja) * 2002-02-07 2003-09-25 Qinetiq Ltd 光部品を整列させるための方法および装置
JP2010060669A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光導波路
JP2017067986A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子

Also Published As

Publication number Publication date
CA2328787C (en) 2004-12-07
KR20010062610A (ko) 2001-07-07
US6438280B1 (en) 2002-08-20
DE60028519T2 (de) 2006-12-28
EP1111411A3 (en) 2003-06-25
EP1111411A2 (en) 2001-06-27
JP4139070B2 (ja) 2008-08-27
EP1111411B1 (en) 2006-06-07
CA2328787A1 (en) 2001-06-23
DE60028519D1 (de) 2006-07-20
KR100408179B1 (ko) 2003-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3774743B2 (ja) 改良された偏光消光比を有する多機能一体化光学チップ
US4468085A (en) Hybrid optical junction and its use in a loop interferometer
JP4139070B2 (ja) 表面波伝播を減少した集積化光学チップ
US4273445A (en) Interferometer gyroscope formed on a single plane optical waveguide
US8805135B2 (en) Practical silicon photonic multi-function integrated-optic chip for fiber sensor applications
CA1311821C (en) Asymmetric mode filter
JP3804451B2 (ja) 一体化光学チップでのクロスカップリング抑制用のトレンチ構成体
US8953913B2 (en) Integrated optical circuit with an off-center groove
CN112833873A (zh) 光子集成芯片以及干涉型光纤陀螺
US9081136B2 (en) Attenuated primary reflection integrated optical circuit
CA2486574A1 (en) Low-loss compact reflective turns in optical wavelengths
US5293439A (en) Integrated optical circuit for fiber-optics gyroscopes
JP6218335B2 (ja) 横断する減衰域を含む光集積回路
JPH02504080A (ja) 統合されたオプチック干渉計的ファイバジャイロスコープモジュール
JPS62119504A (ja) 光導波路デイバイス
JPS58202406A (ja) 導波形光ビ−ム・スプリツタ
WO1990011491A1 (en) Single-polarization, integrated optical components for optical gyroscopes
Kersten Integrated Optical Sensors
JPS58216909A (ja) 光フアイバジヤイロ
JPH05240650A (ja) 光ファイバージャイロ用光集積回路
JPS62166306A (ja) 偏光分離導波路

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070213

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080422

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080521

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4139070

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees