JPH0434505A - 光導波路型デバイスとその製造方法 - Google Patents
光導波路型デバイスとその製造方法Info
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- JPH0434505A JPH0434505A JP14235690A JP14235690A JPH0434505A JP H0434505 A JPH0434505 A JP H0434505A JP 14235690 A JP14235690 A JP 14235690A JP 14235690 A JP14235690 A JP 14235690A JP H0434505 A JPH0434505 A JP H0434505A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光導波路型デバイスとその製造方法に関し、たとえば、
半導体レーザからの光を光導波路型デバイスを通して光
ファイバへ単一モードで効率よく簡易に結合することを
目的とし、 電気光学効果を有する基板上に部分的に屈折率を大きく
するような材料を拡散させ、少なくとも光入射端と光出
射端とを備えた光導波路を形成してなる光導波路型デバ
イスにおいて、前記光入射端と光出射端の少なくとも一
方の近傍の先導波路の断面形状が導波路端部に向かって
変化し、そのフィールド径が結合される光学素子のフィ
ールド径に近くなるように光導波路型デバイスとその製
造方法を構成する。
半導体レーザからの光を光導波路型デバイスを通して光
ファイバへ単一モードで効率よく簡易に結合することを
目的とし、 電気光学効果を有する基板上に部分的に屈折率を大きく
するような材料を拡散させ、少なくとも光入射端と光出
射端とを備えた光導波路を形成してなる光導波路型デバ
イスにおいて、前記光入射端と光出射端の少なくとも一
方の近傍の先導波路の断面形状が導波路端部に向かって
変化し、そのフィールド径が結合される光学素子のフィ
ールド径に近くなるように光導波路型デバイスとその製
造方法を構成する。
本発明は光導波路型デバイス、とくに、ＬｉＮｂＯ５や
ＬｉＴａ０，１などの電気光学効果を有する基板上の所
定部分にＴｉなどを拡散させて光導波路を形成して構成
される光変調器や光スィッチなどの光導波路型デバイス
が、結合される光学素子、たとえば、光ファイバに低損
失で結合されるための導波路端部の構成に関する。
ＬｉＴａ０，１などの電気光学効果を有する基板上の所
定部分にＴｉなどを拡散させて光導波路を形成して構成
される光変調器や光スィッチなどの光導波路型デバイス
が、結合される光学素子、たとえば、光ファイバに低損
失で結合されるための導波路端部の構成に関する。
第４図は光導波路と光ファイバの結合関係を示す図で、
同図（イ）は上面図、同図（ロ）は側断面図である。図
中、１は基板で、たとえば、ＬｉＮｂ０１のＺカット板
、２は先導波路で、たとえば、基板１の表面にＴｉなど
の金属を巾約ｌＯμｍの光導波路となる部分だけに選択
的に拡散させ、その部分の屈折率を回りの部分よりも少
し大きくなるようにしである。同図（ロ）の側断面図で
、２８部分は基板１のＬｉＮｂＯ５にＴｉが拡散した領
域、２ｂ部分はＴｉの層にＬｉやＯが拡散した領域を模
式的に示したものであり、光導波路２全体の厚さは約３
μｍ程度である。１００は光ファイバ、たとえば、シン
グルモード光ファイバで直径約７μｍ程度のコア１０１
を中心にして、その周囲を屈折率かや＼低いクラッド層
１０２が囲んでいる。
同図（イ）は上面図、同図（ロ）は側断面図である。図
中、１は基板で、たとえば、ＬｉＮｂ０１のＺカット板
、２は先導波路で、たとえば、基板１の表面にＴｉなど
の金属を巾約ｌＯμｍの光導波路となる部分だけに選択
的に拡散させ、その部分の屈折率を回りの部分よりも少
し大きくなるようにしである。同図（ロ）の側断面図で
、２８部分は基板１のＬｉＮｂＯ５にＴｉが拡散した領
域、２ｂ部分はＴｉの層にＬｉやＯが拡散した領域を模
式的に示したものであり、光導波路２全体の厚さは約３
μｍ程度である。１００は光ファイバ、たとえば、シン
グルモード光ファイバで直径約７μｍ程度のコア１０１
を中心にして、その周囲を屈折率かや＼低いクラッド層
１０２が囲んでいる。
したがって、たとえば光が光導波路２を出射するときは
断面が細長い楕円状になっている。一方、光ファイバ１
００のコア１０１の断面は円形なので、先導波路２とコ
アｌｏｔとを直接突き合わせて結合すると、アスペクト
比とフィールド径の不整合によって光の結合損失が５０
１にも達する場合があり実用上大きな問題となる。
断面が細長い楕円状になっている。一方、光ファイバ１
００のコア１０１の断面は円形なので、先導波路２とコ
アｌｏｔとを直接突き合わせて結合すると、アスペクト
比とフィールド径の不整合によって光の結合損失が５０
１にも達する場合があり実用上大きな問題となる。
第５図は従来の光結合光学系の構成例を示す図で、光導
波路型デバイス１０と光ファイバ１００とを効率よく結
合するための代表的な一例を示したものである。すなわ
ち、光導波路２を出射した横に細長い楕円状の光ビーム
（図下部の左端）を、先ず、円柱レンズ６で長径を直径
とする円形ビーム（図下部の中央）に整形し、次に集束
性ロッドレンズ７により光ファイバ１００のコア１０１
に結合するようにビーム径を調節（図下部の右端）する
もので現在量も多く用いられている。
波路型デバイス１０と光ファイバ１００とを効率よく結
合するための代表的な一例を示したものである。すなわ
ち、光導波路２を出射した横に細長い楕円状の光ビーム
（図下部の左端）を、先ず、円柱レンズ６で長径を直径
とする円形ビーム（図下部の中央）に整形し、次に集束
性ロッドレンズ７により光ファイバ１００のコア１０１
に結合するようにビーム径を調節（図下部の右端）する
もので現在量も多く用いられている。
しかし、最近の長距離光通信に使用されるシングルモー
ドの光ファイバ１００は、外径が１２５ｐｍφ程度で、
コア１０１の大きさも１０ｐｍφ以下である。 一方、
上記従来の結合方法においては、それぞれの部品を支持
するホルダ類を含め構成部品数が多く、かつ、光導波路
型デバイス、レンズ。
ドの光ファイバ１００は、外径が１２５ｐｍφ程度で、
コア１０１の大きさも１０ｐｍφ以下である。 一方、
上記従来の結合方法においては、それぞれの部品を支持
するホルダ類を含め構成部品数が多く、かつ、光導波路
型デバイス、レンズ。
ファイバとの光軸合わせは数８ｍ以下の精度が要求され
るので、部品加工と組立て調整に極めて高精度と熟練作
業を要し、部品価格が高価になるばかりでな（多大の工
数が必要になるなど多くの問題があり、その解決が必要
であった。
るので、部品加工と組立て調整に極めて高精度と熟練作
業を要し、部品価格が高価になるばかりでな（多大の工
数が必要になるなど多くの問題があり、その解決が必要
であった。
上記の課題は、電気光学効果を有する基板１上に部分的
に屈折率を大きくするような材料を拡散させ、少なくと
も光入射端２１と光出射端２２とを備えた光導波路２を
形成してなる光導波路型デバイスにおいて、前記光入射
端２１と光出射端２２の少な（とも一方の近傍の光導波
路２の断面形状が導波路端部２０に向かって変化し、そ
のフィールド径が結合される光学素子のフィールド径に
近くなるように構成した光導波路型デバイスとその製造
方法により解決することができる。
に屈折率を大きくするような材料を拡散させ、少なくと
も光入射端２１と光出射端２２とを備えた光導波路２を
形成してなる光導波路型デバイスにおいて、前記光入射
端２１と光出射端２２の少な（とも一方の近傍の光導波
路２の断面形状が導波路端部２０に向かって変化し、そ
のフィールド径が結合される光学素子のフィールド径に
近くなるように構成した光導波路型デバイスとその製造
方法により解決することができる。
本発明によれば、光導波路型デバイス１０の光導波路２
の断面形状が導波路端部２０に向かって変化し、その入
出射端のフィールド径が結合される光学素子のフィール
ド径に整合するように構成しであるので、極めて簡易に
、かつ、高効率に光デバイス間の光結合を行うことがで
きるのである。
の断面形状が導波路端部２０に向かって変化し、その入
出射端のフィールド径が結合される光学素子のフィール
ド径に整合するように構成しであるので、極めて簡易に
、かつ、高効率に光デバイス間の光結合を行うことがで
きるのである。
第１図は本発明の実施例を示す図で、同図（イ）は上面
図、同図（ロ）は側断面図である。
図、同図（ロ）は側断面図である。
基板ｌには大きさ３０ｍｍＸ２ｍｍ、厚さ１ｍｍのＬｉ
ＮｂＯ５のＺ板の表面を鏡面研磨して使用した。
ＮｂＯ５のＺ板の表面を鏡面研磨して使用した。
この基板の上にＴｉ蒸着膜を所定の形状と厚さに被着し
たのち、１０５０６Ｃ１酸素中で１０時間加熱して光導
波路２を形成したもので、光入射端と光出射端の両方ま
たは一方の導波路端部２０に向かって約２ｍｍの長さに
わたり、その断面形状が徐々に変化、たとえば、巾１０
．ｃｚｍから中５μｍへと狭くなり、また、厚さが３μ
ｍから４μｍへと厚くなるようにして導波路端部２０を
構成しである。なお、図では簡略化のため一方の端部、
たとえば、光出射端側のみを図示しであるが他方の端部
についても同様である。すなわち、中央の光導波路２の
断面形状が、たとえば、１０μｍＸ３ｐｍから、光出射
端の形状が、たとえば、５μｍＸ４μｍへと変化させら
れているので、光ファイバ１００の直径ｌＯμｍのコア
１０１に対して極めて効率よく結合可能となる。
たのち、１０５０６Ｃ１酸素中で１０時間加熱して光導
波路２を形成したもので、光入射端と光出射端の両方ま
たは一方の導波路端部２０に向かって約２ｍｍの長さに
わたり、その断面形状が徐々に変化、たとえば、巾１０
．ｃｚｍから中５μｍへと狭くなり、また、厚さが３μ
ｍから４μｍへと厚くなるようにして導波路端部２０を
構成しである。なお、図では簡略化のため一方の端部、
たとえば、光出射端側のみを図示しであるが他方の端部
についても同様である。すなわち、中央の光導波路２の
断面形状が、たとえば、１０μｍＸ３ｐｍから、光出射
端の形状が、たとえば、５μｍＸ４μｍへと変化させら
れているので、光ファイバ１００の直径ｌＯμｍのコア
１０１に対して極めて効率よく結合可能となる。
第２図は本発明を適用した光導波路型デバイスの例を示
す図である。
す図である。
図中、１０は光導波路型デバイス、たとえば、マツハツ
エンダ型光変調器であり、よく知られているように電気
光学効果を有する基板１上に分岐先導波路を持った先導
波路２を形成し、さらに、分岐光導波路それぞれの上に
変調用電極を形成したものである。図示したごとく、光
入射端２１と光出射端２２には前記第１図で説明したの
と同様の断面形状が徐々に変化した導波路端部２ｏがそ
れぞれ形成されている。左側の光ファイバ１００を経由
してこ＼には図示してない半導体レーザから光を入射さ
せ、光導波路型デバイス１０で変調信号電圧を印加して
光を変調し、右側の光ファイバ１００を経由して、たと
えば、同じく図示してない光検知器で電気信号に変換す
るようになっている。本図の光導波路型デバイス１０に
は光入射端２１および光出射端２２の両方に導波路端部
２０を形成しであるので、結合損失は極めて小さく、断
面形状が徐々に変化した導波路端部２０を形成してない
従来の直接結合の場合に比較して結合損失は約半分程度
と大巾に改善される。
エンダ型光変調器であり、よく知られているように電気
光学効果を有する基板１上に分岐先導波路を持った先導
波路２を形成し、さらに、分岐光導波路それぞれの上に
変調用電極を形成したものである。図示したごとく、光
入射端２１と光出射端２２には前記第１図で説明したの
と同様の断面形状が徐々に変化した導波路端部２ｏがそ
れぞれ形成されている。左側の光ファイバ１００を経由
してこ＼には図示してない半導体レーザから光を入射さ
せ、光導波路型デバイス１０で変調信号電圧を印加して
光を変調し、右側の光ファイバ１００を経由して、たと
えば、同じく図示してない光検知器で電気信号に変換す
るようになっている。本図の光導波路型デバイス１０に
は光入射端２１および光出射端２２の両方に導波路端部
２０を形成しであるので、結合損失は極めて小さく、断
面形状が徐々に変化した導波路端部２０を形成してない
従来の直接結合の場合に比較して結合損失は約半分程度
と大巾に改善される。
第３図は本発明実施例デバイスを作成する例を示す図で
同図（イ）は上面図、同図（ロ）は断面図であり、以下
に具体的な主な工程の例を順を追って説明する。
同図（イ）は上面図、同図（ロ）は断面図であり、以下
に具体的な主な工程の例を順を追って説明する。
工程（１）：平板な基板、たとえば、ＬｉＮｂＯ３のＺ
カット基板１の上に、金属膜３ａｔ たとえば、厚さ１
１００ｎのＴｉを真空蒸着し、中央部の巾が１０μｍで
端面に向かって２ｍｍの長さにわたって５μの巾に徐々
に狭くなるようにホトエツチングにより図示したごとき
形状を残して金属膜３ａを除去する。
カット基板１の上に、金属膜３ａｔ たとえば、厚さ１
１００ｎのＴｉを真空蒸着し、中央部の巾が１０μｍで
端面に向かって２ｍｍの長さにわたって５μの巾に徐々
に狭くなるようにホトエツチングにより図示したごとき
形状を残して金属膜３ａを除去する。
工程（２）：上記処理基板の中央部の巾が１０μｍの部
分の金属膜３ａを含む基板１の上にホトレジスト４を、
たとえば、厚さ３００ｎｍにコートする。
分の金属膜３ａを含む基板１の上にホトレジスト４を、
たとえば、厚さ３００ｎｍにコートする。
工程（３）二上記処理基板の断面形状が徐々に変化した
導波路端部２０となる部分が開いているマスク５、たと
えば、ステンレススチール製のマスクを導波路端部２０
となる部分に一致させて重ねて、金属膜３ｂ、たとえば
、Ｔｉを真空蒸着により、たとえば、４００ｎｍの厚さ
にリフトオフ形成する。このときマスク５の中央部寄り
の端を若干基板端部側に張り出させておくことにより、
金属膜３ｂの中央部側を回り込み効果により図示したご
とく傾斜を持たせることができる。
導波路端部２０となる部分が開いているマスク５、たと
えば、ステンレススチール製のマスクを導波路端部２０
となる部分に一致させて重ねて、金属膜３ｂ、たとえば
、Ｔｉを真空蒸着により、たとえば、４００ｎｍの厚さ
にリフトオフ形成する。このときマスク５の中央部寄り
の端を若干基板端部側に張り出させておくことにより、
金属膜３ｂの中央部側を回り込み効果により図示したご
とく傾斜を持たせることができる。
工程（４）：上記処理基板からレジスト４を公知の方法
で除去する。
で除去する。
工程（５）：上記処理基板を酸素中で１０５０”Ｃ，１
０時間加熱して拡散処理を行う。これにより、基板中央
部寄りでは金属膜３ａ、すなわち、Ｔｉは基板１である
ＬｉＮｂＯ５の表面層に拡散して光導波路２の２ａ部分
を構成し、一方、Ｔｉ層には基板１中のＬｉや０が拡散
した領域２ｂを構成する。これに対して、基板端面部側
では金属膜３ｂ、すなわち、Ｔｉ膜が金属膜３８部分の
それよりも充分厚いので、Ｔｉが基板１であるＬｉＮｂ
Ｏ５の表面層に拡散した先導波路領域２０ａおよびＴｉ
層に基板１中のＬｉや０が拡散した領域２゜ｂは、とも
に前記の先導波路領域２ａ、２ｂよりも厚くなる。した
がって、光導波路２は中央部の断面形状、たとえば、巾
１０μｍ×深さ３μｍから導波路端部２０において端面
の断面形状、たとえば、巾５μｍ×深さ４μｍへとフィ
ールド径を変化させられるのである。
０時間加熱して拡散処理を行う。これにより、基板中央
部寄りでは金属膜３ａ、すなわち、Ｔｉは基板１である
ＬｉＮｂＯ５の表面層に拡散して光導波路２の２ａ部分
を構成し、一方、Ｔｉ層には基板１中のＬｉや０が拡散
した領域２ｂを構成する。これに対して、基板端面部側
では金属膜３ｂ、すなわち、Ｔｉ膜が金属膜３８部分の
それよりも充分厚いので、Ｔｉが基板１であるＬｉＮｂ
Ｏ５の表面層に拡散した先導波路領域２０ａおよびＴｉ
層に基板１中のＬｉや０が拡散した領域２゜ｂは、とも
に前記の先導波路領域２ａ、２ｂよりも厚くなる。した
がって、光導波路２は中央部の断面形状、たとえば、巾
１０μｍ×深さ３μｍから導波路端部２０において端面
の断面形状、たとえば、巾５μｍ×深さ４μｍへとフィ
ールド径を変化させられるのである。
以上述べた実施例は一例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する素材や構成あるいはそ
の作成方法などは適宜好ましいもの、あるいはその組み
合わせを用いてよいことは言うまでもない。
に添うものである限り、使用する素材や構成あるいはそ
の作成方法などは適宜好ましいもの、あるいはその組み
合わせを用いてよいことは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、光導波路型デバ
イス１０の光導波路２の断面形状が導波路端部２０に向
かって変化し、その入出射端のフィールド径が結合され
る光学素子のフィールド径に整合するように構成しであ
るので、極めて簡易に。
イス１０の光導波路２の断面形状が導波路端部２０に向
かって変化し、その入出射端のフィールド径が結合され
る光学素子のフィールド径に整合するように構成しであ
るので、極めて簡易に。
かつ、高効率に光デバイス間の光結合を行うことができ
、光導波路型デバイスの性能の向上と素子組立て時の作
業工数の削減に寄与するところが極めて大きい。
、光導波路型デバイスの性能の向上と素子組立て時の作
業工数の削減に寄与するところが極めて大きい。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明を適用した光導波路型デバイスの例を示
す図、 第３図は本発明実施例デバイスを作成する例を示す図、 第４図は先導波路と光ファイバの結合関係を示す図、 第５図は従来の光結合光学系の構成例を示す図である。 図において、 ｌは基板、 ２（２ａ、２ｂ）は先導波路、 ｌＯは光導波路型デバイス、 ２０は導波路端部である。 （ロ）側ｔｉ狛ｌ 木そ帆ｎ莢元例乞ホ１回 第１［ｉａ ＄、ｔ６乞通用しと辷繕違躇繁ずバイ１ｎ例乞が１図％
２図 （イ）上面］幻 （ロ）鰐面図木元ｇ
８大死伺デバイス２作咬てり勿乞示１図集、Ｓ口
す図、 第３図は本発明実施例デバイスを作成する例を示す図、 第４図は先導波路と光ファイバの結合関係を示す図、 第５図は従来の光結合光学系の構成例を示す図である。 図において、 ｌは基板、 ２（２ａ、２ｂ）は先導波路、 ｌＯは光導波路型デバイス、 ２０は導波路端部である。 （ロ）側ｔｉ狛ｌ 木そ帆ｎ莢元例乞ホ１回 第１［ｉａ ＄、ｔ６乞通用しと辷繕違躇繁ずバイ１ｎ例乞が１図％
２図 （イ）上面］幻 （ロ）鰐面図木元ｇ
８大死伺デバイス２作咬てり勿乞示１図集、Ｓ口
Claims (2)
- （１）電気光学効果を有する基板（１）上に部分的に屈
折率を大きくするような材料を拡散させ、少なくとも光
入射端（２１）と光出射端（２２）とを備えた光導波路
（２）を形成してなる光導波路型デバイスにおいて、 前記光入射端（２１）と光出射端（２２）の少なくとも
一方の近傍の光導波路（２）の断面形状が導波路端部（
２０）に向かって変化し、そのフィールド径が結合され
る光学素子のフィールド径に近くなるようにすることを
特徴とした光導波路型デバイス。 - （２）電気光学効果を有する基板（１）上に、中央部の
巾が端面に向かって徐々に変化するように金属膜（３ａ
）を形成する工程と、 前記中央部の金属膜（３ａ）を含む基板１の上にホトレ
ジスト（４）を被覆する工程と、 前記断面形状が徐々に変化して導波路端部（２０）とな
る部分を開けたマスク（５）を前記導波路端部（２０）
となる部分に一致させて重ね金属膜（３ｂ）をリフトオ
フ形成する工程と、 前記レジスト（４）を除去したのち加熱処理を行う工程
とを少なくとも含むことを特徴とした光導波路型デバイ
スの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14235690A JPH0434505A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 光導波路型デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14235690A JPH0434505A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 光導波路型デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434505A true JPH0434505A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15313474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14235690A Pending JPH0434505A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 光導波路型デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434505A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5261017A (en) * | 1992-11-17 | 1993-11-09 | Gte Laboratories Incorporated | Optical waveguide enhanced laser to fiber coupling |
| US6442315B1 (en) | 1997-11-18 | 2002-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide chip and method of formation thereof |
| JP2002328244A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光部品 |
| US7221823B2 (en) * | 1998-09-22 | 2007-05-22 | Digital Optics Corporation | Fiber coupler, system and associated methods for reducing back reflections |
| US7285744B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-10-23 | Leister Process Technologies | Method and apparatus for simultaneously heating materials |
| US8821035B2 (en) | 1998-09-22 | 2014-09-02 | Flir Systems, Inc. | Optical element and system using the same |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP14235690A patent/JPH0434505A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5261017A (en) * | 1992-11-17 | 1993-11-09 | Gte Laboratories Incorporated | Optical waveguide enhanced laser to fiber coupling |
| US6442315B1 (en) | 1997-11-18 | 2002-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide chip and method of formation thereof |
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| US7343069B2 (en) | 1998-09-22 | 2008-03-11 | Tessera North America, Inc. | Optical element and system using the same |
| US7529446B2 (en) | 1998-09-22 | 2009-05-05 | Tessera North America, Inc. | Optical element and system using the same |
| US7769258B2 (en) | 1998-09-22 | 2010-08-03 | Tessera North America, Inc. | Optical element and system using the same |
| US8821035B2 (en) | 1998-09-22 | 2014-09-02 | Flir Systems, Inc. | Optical element and system using the same |
| JP2002328244A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光部品 |
| US7285744B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-10-23 | Leister Process Technologies | Method and apparatus for simultaneously heating materials |
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