KR100271188B1 - 광 변조장치(optical modulator) - Google Patents

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Abstract

기판(4)과, 상기 기판에 형성되어 광이 입사되는 입사광도파로(5)와, 기판(4)에 입사광도파로(5)로 부터 분기하여 형성되고 전계의 강도에 따라 투과광의 위상이 변화하는 2개의 위상시프트광도파로(6)와, 기판(4)에 위상시프트광도파로(6)와 합류하도록 형성되어 있는 출사광도파로(7)를 구비한다. 위상시프트광(6)의 적어도 한쪽은, 분극 반전된 분극반전부분(8)을 가진다. 위상시프트광도파로(6)의 상부 또는 그 근방의 일부에 형성되어 있는 완충층(14)을 구비해도 좋다. 완충층(14)을 설치하지 않은 부분의 일부 또는 전부에 형성되어 위상시프트광도파로(6)에 응력을 작용시키는 투명물질막을 구비해도 좋다. 위상시프트광도파로(6)의 한쪽일부에 응력을 부여하는 응력부요부재를 구비해도 좋다. 위상시프트광도파로(6)의 한쪽의 일부 또는 전부에 광을 조사하는 광조사장치(26)를 구비해도 좋다.

Description

[발명의 명칭]
광 변조장치
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은 외부로부터 전계를 인가함으로써 광도파로를 투과하는 광을 변조하는 광 변조장치에 관한 것이다.
[배경기술]
종래의 광 변조장치로서는, 광원, 광원으로부터의 광을 받는 광학장치 및 광학장치에 전계를 인가하는 전계인가 장치를 구비한 것이 알려져 있다. 상기의 광학장치는 기판, 이 기판에 형성되어 광이 입사되는 입사광도파로, 상기 기판에 형성되며 입사광도파로로부터 분기하여 전계의 강도에 의해 투과광의 위상이 변화하는 2개의 위상시프트 광도파로 및 상기 기판에 형성되어 상기 위상시프트 광도파로가 합류하는 출사광도파로를 가지고 있다.
그러나, 종래의 광 변조장치에서는, 광도파로의 제조조건에 따라 인가 전계의 강도가 '0'이더라도, 분기후의 광도파로간에 위상차가 발생되어 버리므로, 인가전계의 변화에 대한 광강도의 변화, 즉, 광변조효율의 편차가 생긴다는 문제가 있었다.
또, 종래의 광 변조장치에서는, 인가전계가 큰 경우에 광학장치의 열화를 초래하기 쉽다는 문제도 있었다.
본 발명의 목적은, 인가전계의 강도가 'O'일 때의 위상차를 용이하게 조정할 수 있는 광 변조장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 인가전계가 큰 경우에도 광학장치의 열화를 방지할 수 있는 광 변조장치를 제공하는데 있다.
[발명의 개시]
본 발명은 기판, 이 기판에 형성되어 광이 입사되는 입사광도파로, 상기 기판에 형성되며 입사광도파로로부터 분기하여 전계의 위상에 의해 투과 광의 강도가 변화하는 2개의 위상시프트 광도파로 및 상기 기판에 형성되며 상기 위상시프트 광도파로가 합류하는 출사광도파로를 구비하고, 상기 위상시프트 광도파로의 적어도 한쪽 위상시프트 광도파로는, 분극 반전된 분극 반전부분을 가지는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명은 기판, 이 기판에 형성된 전계의 강도에 의해 투과광의 강도가 변화하는 광도파로 및 광도파로 상의 일부 또는 복수의 영역에 형성되어 있는 광투과 막을 가지는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명은, 상기 위상시프트 광도파로의 상부 또는 그 근방의 일부에 형성되어 있는 완충층을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기 위상시프트 광도파로의 상부 또는 그 근방의 일부에 형성되어 있는 완충층과 이 완충층을 설치하지 않은 부분의 일부 또는 전부에 형성되어 상기 위상시프트 광도파로에 응력을 작용시키는 투명물질 막을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상기 위상시프트 광도파로 중 하나의 일부에 응력을 부여하는 응력 부여부재를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상기 위상시프트 광도파로 중 하나의 일부 또는 전부에 광을 조사하는 광 조사장치를 가지는 것을 특징으로 한다.
[도면의 간단한 설명]
제 1 도는 본 발명의 광 변조장치를 도시한 정면도.
제 2 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 정면도.
제 3 도는 제 2 도에 도시한 예의 특성을 나타낸 도면.
제 4 도는 제 2 도에 도시한 예의 다른 특성을 나타낸 도면.
제 5 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 6 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 7 도는 제 6 도에 도시한 예의 특성을 나타낸 도면.
제 8 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 9 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도,
제 10 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 11 도는 제 10 도에 도시한 예의 특성을 나타낸 도면.
제 12 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 13 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 14 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 15 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 사시도.
제 16 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 정면도.
제 17 도는 제 16 도에 도시한 예의 주요부를 도시한 사시도.
제 18 도는 본 발명의 다른 예를 도시한 정면도.
[실시예]
이하에서는, 본 발명의 실시예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.
제 1 도는, 본 발명의 제 1 실시예를 도시한 정면도이다. 상기 도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 광 변조장치는 광원(1), 광원(1)으로 부터의 광을 받는 광학장치(2) 및 광학장치(2)에 전계를 인가하는 전계인가 장치(3)를 포함한다. 상기 광학장치(2)는 기판(4), 이 기판(4)에 형성되며 광이 입사되는 입사광도파로(5), 상기 기판(4)에 형성되며 입사광도파로(5)로부터 분기하여 전계의 강도에 따라 투과광의 위상이 변화하는 2개의 위상시프트 광도파로(6) 및 상기 기판(4)에 형성되며 상기 위상 시프트 광도파로(6)가 합류하는 출사광도파로(7)를 구비하고 있다. 상기 위상시프트 광도파로(6) 중 적어도 한쪽은 분극반전된 분극반전부분(8)을 가지고 있다.
상기 광원(1)과 입사광도파로(5)는, 입사광파이버(9)로 접속되어 있다. 상기 입사광도파로(5)에 입사광파이버(9)를 통해 입사되는 광원(1)으로부터의 광은, 상기한 2개의 위상시프트 광도파로(6)에서 분기된 후 다시 출사광도파로(7)에서 합류된다. 출사광도파로(7)에는 출사광파이버(10)가 접속되어 있다. 출사광도파로(7)에서 합류된 광은 출사광 파이버(10)를 통해 출사된다.
상기 전계인가장치(3)는 기판(4)에 위상시프트 광도파로(6)의 상부 또는 근방에 형성되어 있는 2개의 변조전극(11)과 이들 변조전극(11)에 각각 리드선을 통해 접속되어 있는 안테나(12)로 이루어진다. 이들 안테나(12)가 수신신호를 받았을 때 상기 변조전극(11)에 의해 소정의 전계가 위상시프트 광도파로(6)에 인가되는데, 이 전계의 강도에 의해 상기 위상시프트 광도파로(6)의 굴절율이 변화하기 때문에 이들 위상시프트 광도파로(6)를 통과하는 광의 위상이 변화한다. 분극반전 부분(8)은 분극 반전 부분(8) 이외의 위상시프트 광도파로(6)의 부분과 광축방향이 다르기 때문에 기판(4)에 동일한 전계가 인가되었을 경우에 다른 부분과는 역방향인 위상시프트를 투과광에 부여하여 그 결과로서 출사광의 강도를 변화시킨다.
다음은 본 발명의 제 1실시예에 대한 구체적인 예에 대하여 설명한다.
상기의 기판(4)은, Z 컷트의 니오브산리튬(LiNbO3) 결정판으로 형성하였다. 이 기판(4)의 표면에 폭이 8㎛ 이고, 깊이가 6㎛ 인 입사광도파로(5)와 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)를 Ti 열확산에 의해 형성하였다. 여기서 위상시프트 광도파로(6)의 분극반전 부분(8)으로 하고자 하는 부분의 길이는 25mm 로 하고, 2개의 위상시프트 광도파로의 직선부분의 간격은 20㎛ 로 하였다.
그리고, 상기 기판(4), 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7) 상에 SiO2층을 약 0.5㎛ 퇴적하고, 포토트랜지스트 패터닝과 SiO2에칭으로 2줄기로 분리된 위상시프트 광도파로(6)의 한쪽 부분을 노출시켰다.
그런 다음 습식 산소분위기 중에서 1000℃로 2시간동안 열처리를 행하고 가열이 종료된 후에 전기로 속에서 자연냉각시켰다. 이로써 위상시프트 광도파로(6)의 분극반전 부분(8)을 작성하였다. 또, 결정표면에 남은 SiO2는 완충에칭액으로 제거하였다.
이와 같이하여 제조된 광학장치에 편파면 유지파이버인 입사광 파이버(9)와 싱글모드파이버인 출사광 파이버(10)를 접속시켰다. 광원(1)은 레이저로 구성되며 이 레이저의 전달 레이저광 파장은 1.31㎛ 로 하였다.
제 2 도에 도시한 바와 같이 본 발명의 실시예로서 X축을 따라 절단한 LiNbO3로 이루어진 기판(4)을 이용한 마하-첸더 간섭기(Mach-Zehnder interferometer)인 광학장치(2)를 제작하였다. 제작조건으로서는, Ti 막두께 800 옹스트롱에서 열확산(1025℃-wetO2의 분위기에서 5시간)을 행하여 분기된 위상시프트 광도파로(6)에 인가 전압을 기판(4)의 C축 방향으로 인가하기 위한 변조전극(11)을 Cr-Au으로 증착하여 형성한다.
광학장치(2)의 분기된 한쪽 광도파로(6)의 일부분(폭 15mm)에 1500㎛ 의 막두께를 가지는 SiO2를 스퍼터링하여 광투과막(13)을 형성하였다. 광투과막(13)을 가지지 않는 종래의 광학장치에 전압을 인가한 경우의 광출력 강도는 제 3 도의 곡선 A와 같이 변화하고 광투과막(13)을 가지는 광학장치(2)에 전압을 인가한 경우의 광강도는 제 3 도의 곡선 B와 같이 변화한다. 이로써, 본 실시예에 의해 광학장치(2)의 위상조정이 가능함이 증명되었다.
상기 광투과막(13)의 두깨에 대한 출력변동에 관한 데이터의 일례를 제 4 도에 도시하였다. 상기 도면에서 알 수 있듯이 SiO2막으로 이루어진 광투과막(13)을 스퍼터링에 의해 형성한 경우에는 막두께 500 옹스트롱일 때 출력 바이어스가 π/8, 막두께 1,000 옹스트롱일 때 출력 바이어스가 π/4의 어긋남을 나타내었다. 그리고, 사용한 소자의 반파장 전압은, 1.5V 이다. 또, 여기서 말하는 바이어스란, 제 3 도에 도시한 광출력 강도의 곡신상의 광도파로에 전압을 가하지 않을 때의 포인트를 나타내고 있다.
제 5 도에 도시한 바와 같이 LiNbO3로 이루어진 기판(11)상에 티탄을 900∼1,100℃의 온도로 수 시간동안 열확산하여 형성된 폭이 5∼12㎛이고, 깊이가 3∼10㎛ 정도인 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)가 형성된 광학장치(2)가 형성되어 있다.
상기한 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6), 출사광도파로(7) 및 기판(4)상에는 SiO2로 이루어진 완충층(14)이 형성되어 있다. 이 완충층(14) 상에 폭이 10∼30㎛ 정도인 변조전극(11)이 형성되어 있다. 여기서 한쪽 위상시프트 광도파로(6)상에 위치하는 완충층(14)의 일부가 절결되어 구맹(15)이 형성되어 있다.
제 6 도에 도시한 바와 같이 상기 광학장치(2)에 있어서, SiO2로 이루어진 완충층(14)이 설치되어 있지 않은 부분의 일부에 새롭게 위상시프트 광도파로(6)의 부분에 응력이 작용하는 물질 예를 들면, 시아노아크릴레이트계 고분자의 접착제(16)가 도포되어 있다. 이 접착제(16)는, 위상시프트 광도파로(6)의 굴절율을 변화시킬 수가 있으므로, 2개의 위상시프트 광도파로(6) 간에 위상차를 부여할 수가 있다. 제 6 도에 도시한 광학장치(2)에 전압을 인가하였을 때의 광 강도는 제 7 도의 곡선 C로 나타낸 특성으로부터 곡선 D로 나타낸 특성으로 바꿀수가 있다.
제 8 도에 도시한 바와 같이 상기 광학장치(2)에 있어서, 위상시프트 광도파로(6)상의 완충층(14)에 복수개의 개구부(15)를 형성해도 좋다.
제 9 도에 도시한 바와 같이 상기 광학장치(2)에 있어서 위상시프트 광도파로(6)상의 완충층(14)에 복수개의 개구부(15)를 형성하고, 이들 개구부(15) 중 소정갯수의 개구부(15)에 위치하는 접착제(16)를 위상시프트 광도파로(6) 상에 도포해도 좋다.
본 실시예에 의하면 임의의 광학적 위상차를 광학장치(2)의 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)를 제작한 후에 부여할 수가 있게 된다.
[제 3 실시예]
다음은 본 발명의 제 3 실시예를 도면에 기초하여 설명한다.
제 10 도에 도시한 바와 같이 광학장치(2)는 기판(4), 기판(4)상에 형성되어 있는 입사광도파로(5), 2개의 위상시프트 광도파로(6), 출사광도파로(7) 및 변조전극(11)을 가진다.
상기의 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)는 기판(4) 상에 티탄(Ti)을 900∼1,100℃의 온도로 수시간 동안 열 확산하여 형성되어 있다. 상기의 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)는, 폭이 대략 5∼12㎛이고, 깊이가 대략 3∼10㎛이다. 변조 전극(11)의 폭은 10∼30㎛이다.
상기의 기판(4), 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)상에는 완충층(14)이 형성되어 있다. 이 완충층(14)은 SiO2로 이루어진다. 상기 완충층(14)의 상면에는 변조전극(11)이 형성되어 있다. 이들 변조전극(11)의 폭은 대략 1O㎛이다.
상기 기판(4)의 광투과 방향과 평행한 2개의 측면에는 응력부여부재(17)가 접촉하도록 배치되어 있다. 이 응력부여부재(17)는 압전형 반도체로 이루어진다. 이 응력부여부재(17)는 일정한 전압이 인가됨으로써 변형되어 기판(4)을 통해 위상시프트 광도파로(4)는 응력이 부여되면 굴절율이 변화되므로 위상시프트 광도파로(6)를 따라 전송되는 광의 위상이 변화된다.
예를 들면, 상기의 응력부여부재(17)에 의해 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하지 않은 상태에서 제 11 도의 곡선 E와 같이 출사광의 강도가 인가전압의 변화에 따라 달라지는 경우에, 응력부여부재(17)에 의해 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하여 제 11 도의 곡선 F와 같이 출사광의 강도가 인가전압의 변화에 따라 달라지도록 설정할 수가 있다.
제 12 도에 도시한 바와 같이 광학장치(2)는 패키지(18)에 수용되어 있다. 패키지(18)의 일부에 나사개구부(19)가 형성되어 있고, 이 나사개구부(19)에는 나사(20)가 부착되어 있다. 나사(20)는 상기의 응력부여부재(17)를 구성하고 있다. 나사(20)의 선단부는, 위상시프트 광도파로(6)를 누를 수 있도록 구성되어 있다. 나사(20)가 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하면 위상시프트 광도파로(6)의 굴절율이 변화한다.
제 13 도에 도시한 바와 같이 나사(20)는 위상시프트 광도파로(6) 근방의 기판(4)을 누름으로써 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하도록 구성해도 좋다.
제 14 도에 도시한 바와 같이 나사(20)는 광학장치(2)가 완충층(14)을 가지는 경우에 있어서 위상시프트 광도파로(6) 상의 완충층(14)을 누름으로써 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하도록 구성해도 좋다.
제 15 도에 도시한 바와 같이 나사(20)는 광학장치(2)가 완충층(14)을 가지는 경우에 있어서, 위상시프트 광도파로(6) 근방에 위치하는 완충층(14)을 누름으로써 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하도록 구성해도 좋다.
제 16 도 및 제 17 도에 도시한 바와 같이 광학장치(2)는 열가소성을 가지는 패키지(21)에 수용되어 있다. 광학장치(2)는 패키지(21)의 바닥부(22)에 형성되어 있는 고정대(23)에 실리콘 수지에 의해 고정되어 있다. 광학장치(2)의 입사광도파로(5) 및 출사광도파로(7)의 단면에는 입사광 파이버(9) 및 출사광 파이버(10)가 접속되어 있다. 광학장치(2)의 변조전극(11)에는 리드선(24)을 통해 안테나(12)가 접속되어 있다. 패키지(21) 바닥부(22)의 일정한 부분(25)에 자외선 조사장치에 의해 자외선을 조사하여 패키지(21) 바닥부(22)를 가열하여 변형시켜 위상시프트 광도파로(6)에 응력을 부여하였다. 기판(4)이 패키지(21)에 그 내벽에 접촉하여 수용되어 있는 경우에는, 접착제에 의해 기판(4)을 패키지(21)에 고정시킬 필요가 없다.
[제 4 실시예]
다음은 본 발명의 제 4 실시예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.
제 18 도에 도시한 바와 같이 광학장치(2)는 기판(4), 기판(4)에 형성되어 광이 입사되는 입사광도파로(5), 기판(4)에 형성되며 입사광도파로(5)로 부터 분기하여 전계의 강도에 의해 투과광의 강도가 변화하는 2개의 위상시프트 광도파로(6), 기판(4)에 형성되며 위상시프트 광도파로(6)가 합류하는 출사광도파로(7) 및 위상시프트 광도파로(6)중 한 쪽의 일부 또는 전부에 광을 조사하는 광 조사장치(26)를 구비하고 있다.
기판(4)은 니오브산리튬(LiNbO3) 등으로 이루어진다. 니오브산리튬등의 전기광학 결정에 광을 조사하면 결정중의 불순물 레벨로부터 전자가 전도대(conduction band)로 여기되어 전자는 + Z 방향으로 표류한다. 그 도중에 여기전자는 트랩레벨로 떨어지기 때문에 결정중에 양(+)과 음(-)으로 전기를 띤 부분이 생겨 공간전계가 발생되고, 이 공간전계가 굴절율의 변화를 초래한다. 이것을 '광손상'이라 하는데, 본 발명은 이것을 이용한 것이다.
예를 들면, 니오브산 리튬으로 이루어진 기판(4)에 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)가 Ti를 열확산시킴으로써 형성된다. 열확산의 조건은 1025℃의 온도이고, wetO2에서 5시간이다. 입사광도파로(5), 위상시프트 광도파로(6) 및 출사광도파로(7)는 막두께가 500 옹스트롬이고, 폭이 6㎛이다.
상기 광학장치(2)에 있어서는 삽입 손실이 5.5dB이고, 소광비(肖光比)가 260dB이며, 반파장 전압이 1.9V이다.
[산업상의 이용가능성]
본 발명은 광스위치 및 위상의 제어가 필요한 광변조 시스템에 이용하면 적합하다. 또한 본 발명은 전계의 강도를 측정하는 전계센서로서도 사용할 수가 있다.

Claims (8)

  1. 전기광학 효과를 가지는 기판, 상기 기판상에 형성되며 입사광을 수신하는 입사광도파로, 상기 기판상에 형성되며 상기 입사광도파로로부터 분기하여 전기장강도에 응답하여 전달된 광의 위상을 변화시키는 두 개의 위상-시프트 광도파로, 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로에 인접하여 형성되어 상기 전기장 강도를 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로에 부여하는 두 개의 전극, 상기 기판상에 힝성되며 상기 두 개의 위상-스프트 광도파로가 결합되는 출사광도파로, 및 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나에 응력을 부여하는 응력부여수단를 포함하며, 상기 응럭부여수단은 광의 입/출력 방향에 평행한 상기 기판의 측면상에 위치하는 응력부여부재를 구비하고, 상기 응력부여부재는 압전효과를 가진 재료로 구성되며 상기 위상-시프트 광도파로를 통해 전달된 광빔의 상대 위상의 변화를 야기하는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  2. 전기광학 효과를 가지는 기판, 상기 기판을 수용하기 위한 패키지를 포함하는데, 상기 패키지는 나사 구멍을 가지며, 상기 기판상에 형성되어 입사광을 수신하는 입사광도파로, 상기 기판상에 형성되며 상기 입사광도파로로부터 분기하여 전기장 강도에 응답하여 전달된 광의 위상을 변화시키는 두 개의 위상-시프트 광도파로, 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로에 인접하여 형성되어 상기 전기장 강도를 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로에 부여하는 두 개의 전극, 상기 기판상에 형성되며 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로가 결합되는 출사광도파로, 및 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나에 응력을 부여하는 응력 부여수단를 포함하며, 상기 응력부여수단은 상기 나사 구멍에 결합하는 수나사를 구비하고, 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나의 표면 또는 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나에 인접한 영역과 접촉하는 상단부를 가져서, 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나에 응력을 부여하여 상기 위상-시프트 광도파로를 통해 전달된 광빔의 상대 위상의 변화를 야기하는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 장치는 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로를 덮도록 행성된 버퍼층을 더 포함하고, 상기 수 나사는 상기 두개의 위상-시프트중 하나상에 위치하거나 또는 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나에 인접하여 위치하는 상기 버퍼층의 일부를 누르는 상단부를 가져서, 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나에 상기 응력을 부여하는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  4. 기판, 상기 기판상에 형성되며 입사광을 수신하는 입사광도파로, 상기 기판상에 형성되며 상기 입사광도파로로부터 분기하여 전기장 강도에 응답하여 전달된 광의 위상을 변화시키는 두 개의 위상-시프트 광도파로, 상기 기판상에 형성되며 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로가 결합되는 출사광도파로, 및 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로중 하나 또는 상기 하나에 인접한 다수 위치상에 형성된 광투과막을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 광투과막은 SiO2막을 구비하고 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 장치는 상기 기판상에 형성되며 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로에 인접하여 위치하는 두 개의 변조전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 광투과막은 SiO2막인 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 장치는 상기 기판상에 형성되며 상기 두 개의 위상-시프트 광도파로에 인접하여 두 개의 변조전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조장치.
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