JPS6147929A - 光電圧センサ - Google Patents
光電圧センサInfo
- Publication number
- JPS6147929A JPS6147929A JP17020684A JP17020684A JPS6147929A JP S6147929 A JPS6147929 A JP S6147929A JP 17020684 A JP17020684 A JP 17020684A JP 17020684 A JP17020684 A JP 17020684A JP S6147929 A JPS6147929 A JP S6147929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- substrate
- electrode
- protective film
- waveguide body
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電圧センサに関するものであり、詳しくは
、光導波路体を通過する光を測定電界で強度変調するよ
うに構成された光電圧センサにおける耐湿特性の改良に
関するものである。
、光導波路体を通過する光を測定電界で強度変調するよ
うに構成された光電圧センサにおける耐湿特性の改良に
関するものである。
ニオブ峻リチウム(LiNbO,)のような電気光学材
料よりなる基板にチタン(Ti)などの全屈不純物を熱
拡散することにより基板よりも屈折率の高い光導波路が
形成され、電気光学効果の効率の極めて高い光導波路体
が得られる。このような光導波路に電界を加えると、先
導波路を通過する光は電気光学効果により強度変調され
る。
料よりなる基板にチタン(Ti)などの全屈不純物を熱
拡散することにより基板よりも屈折率の高い光導波路が
形成され、電気光学効果の効率の極めて高い光導波路体
が得られる。このような光導波路に電界を加えると、先
導波路を通過する光は電気光学効果により強度変調され
る。
このような光導波路体の一種に、第2図に示すような分
岐干渉形光導波路体がある。
岐干渉形光導波路体がある。
第2図において、10は基板、20は先導波路、30は
電極、40は信号源である。
電極、40は信号源である。
基板10は電気光学効果を有するニオブ酸リチウム(L
iNbO,)のような電気光学材料で構成されたもので
あり、x、zmが水平面となりY軸が垂直面となるよう
にカットされている。光導波路20は基板lOにチタン
(Ti)のような金属不純物を熱拡散することにより線
状に形成され基板10よりも高い屈折率を有するもので
あり、Y字形の分岐部21.互いに平行な位相推移部2
2及びY字形の結合部23が1jll統的に一体化され
ている。電極30は光導波路20を通過する光を強度変
調するために先導波路20に電界を印加するものであり
、位相推移部22を挟むようにして第1の電ai31及
び第2の電極32が基板10上に設けられている。これ
ら電極は、例えば金とクロムを所定のパターンに積層す
ることにより形成されている。信号源40は電界を供給
するものであり、第1の電極31と第2の電極32との
間に接続されている。なお、先導波路20のY字形の分
岐部21の端部にはレーザダイオードなどの光源からの
光を伝送するための光ファイバーが接続され、Y字形の
結合部23の端部には強度変調された光をフォトトラン
ジスタなどの受光素子に伝送するための光ファイバーが
接続されるが図示しない。
iNbO,)のような電気光学材料で構成されたもので
あり、x、zmが水平面となりY軸が垂直面となるよう
にカットされている。光導波路20は基板lOにチタン
(Ti)のような金属不純物を熱拡散することにより線
状に形成され基板10よりも高い屈折率を有するもので
あり、Y字形の分岐部21.互いに平行な位相推移部2
2及びY字形の結合部23が1jll統的に一体化され
ている。電極30は光導波路20を通過する光を強度変
調するために先導波路20に電界を印加するものであり
、位相推移部22を挟むようにして第1の電ai31及
び第2の電極32が基板10上に設けられている。これ
ら電極は、例えば金とクロムを所定のパターンに積層す
ることにより形成されている。信号源40は電界を供給
するものであり、第1の電極31と第2の電極32との
間に接続されている。なお、先導波路20のY字形の分
岐部21の端部にはレーザダイオードなどの光源からの
光を伝送するための光ファイバーが接続され、Y字形の
結合部23の端部には強度変調された光をフォトトラン
ジスタなどの受光素子に伝送するための光ファイバーが
接続されるが図示しない。
このような構成において、光導波路20のY字形の分岐
部21の端部に光源からの光が加えらると、光は分岐部
21で2分割されて位相推移部22に伝送される。位相
推移部22では2分割された光の間に電極30を介して
加えられる信号源40の出力の大きさに応じた位相差が
与えられる。
部21の端部に光源からの光が加えらると、光は分岐部
21で2分割されて位相推移部22に伝送される。位相
推移部22では2分割された光の間に電極30を介して
加えられる信号源40の出力の大きさに応じた位相差が
与えられる。
そして、位相差を有するこれら光は結合″aI123で
再び結合される。これにより、結合部23の端部から強
度変調された光が送出されることになる。
再び結合される。これにより、結合部23の端部から強
度変調された光が送出されることになる。
ここで、位相推移部22にλ/4の位相差を与えて強度
変調された光を受光素子に加えることにより電極30を
介して加えられる信号源40の出力の大きさに応じた電
気信号を得ることができる。
変調された光を受光素子に加えることにより電極30を
介して加えられる信号源40の出力の大きさに応じた電
気信号を得ることができる。
ところで、従来のこのような装置では、第3図の拡大断
面図に示すように、光導波路20および電極30が形成
された基板10の表面および外周面は外部;囲気に曝さ
れていた。
面図に示すように、光導波路20および電極30が形成
された基板10の表面および外周面は外部;囲気に曝さ
れていた。
そこで、外部雰囲気の湿度を変えながら光出力特性を測
定したところ、外部雰囲気の湿度が高くなると基板10
と電極30および外部雰囲気との境界部にイオンが引き
寄せられてイオンによる電界が形成されることにより表
面から電荷がリークすることが確認でき、外部雰囲気の
湿度が低くなるのに従って誘電体緩和現象により表面電
荷が外部にリークする時定数が大きくなることが確認で
きた。すなわち、従来の構成によれば、外部雰囲気の湿
度変化に応じて光出力が大きく変化することになる。
定したところ、外部雰囲気の湿度が高くなると基板10
と電極30および外部雰囲気との境界部にイオンが引き
寄せられてイオンによる電界が形成されることにより表
面から電荷がリークすることが確認でき、外部雰囲気の
湿度が低くなるのに従って誘電体緩和現象により表面電
荷が外部にリークする時定数が大きくなることが確認で
きた。すなわち、従来の構成によれば、外部雰囲気の湿
度変化に応じて光出力が大きく変化することになる。
本発明は、このような従来の欠点を解決したものであり
、その目的は、光導波路体を用いた光電圧センサにおい
て、外部雰囲気の湿度変化による特性変化を小さくする
ことにある。
、その目的は、光導波路体を用いた光電圧センサにおい
て、外部雰囲気の湿度変化による特性変化を小さくする
ことにある。
このような目的を達成する本発明は、電気光学材料より
なる基板に光導波路体とこの光導波路体に測定電界を印
加する電極が形成され、曲記光導波路体を通過する光を
測定電界で強度変調するように構成された光電圧センサ
において、前記光導波路体および電極が形成された基板
の表面および外周面に連続的に耐湿保護膜を設けたこと
を特徴とする。
なる基板に光導波路体とこの光導波路体に測定電界を印
加する電極が形成され、曲記光導波路体を通過する光を
測定電界で強度変調するように構成された光電圧センサ
において、前記光導波路体および電極が形成された基板
の表面および外周面に連続的に耐湿保護膜を設けたこと
を特徴とする。
(実施例〕
以下、図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の要部を示す拡大断面図であ
り、第3図と同等部分には同一符号を付けている。第1
図において、50は耐湿保護膜であり、光導波路体20
および電極30が形成された基板10の表面および外周
面に連続的に設けられている。このような耐湿保護膜5
0としては、例えばS t * N* (窒化シリコ
ン〕やSin。
り、第3図と同等部分には同一符号を付けている。第1
図において、50は耐湿保護膜であり、光導波路体20
および電極30が形成された基板10の表面および外周
面に連続的に設けられている。このような耐湿保護膜5
0としては、例えばS t * N* (窒化シリコ
ン〕やSin。
(酸化シリコン)などの絶縁体をスパッタリングにより
被着してもよいし、耐湿有機絶縁体を0布してもよい。
被着してもよいし、耐湿有機絶縁体を0布してもよい。
このように構成することにより、光導波路体20および
電極30が形成された基板10の表面および外周面は耐
湿保!i膜50で外部雰囲気から遮断されることになり
、従来のような外部雰囲気の湿度変化による影響を大幅
に軽減でき、光出力変化を小さくすることができる。
電極30が形成された基板10の表面および外周面は耐
湿保!i膜50で外部雰囲気から遮断されることになり
、従来のような外部雰囲気の湿度変化による影響を大幅
に軽減でき、光出力変化を小さくすることができる。
なお、基板としては、タンタfv酸リチウム〔Lt T
a O@ )で構成されたものを用いてもよい。
a O@ )で構成されたものを用いてもよい。
〔晃明の効果]
これらから明らかなように、本発明によれば、光導波路
体を用いた光電圧センサにおいて、外部雰囲気の湿度変
化による特性変化を小さくすることができ、光出力変動
の少ない特性の優れた光電圧センサが実現できる。
体を用いた光電圧センサにおいて、外部雰囲気の湿度変
化による特性変化を小さくすることができ、光出力変動
の少ない特性の優れた光電圧センサが実現できる。
第1図は本発明の一実施例の要部を示す拡大断面図、第
2図は光電圧センサの一例を示す構成説明図、第3図は
従来の光電圧センサの要部を示す拡大断面図である。 10・・・基板、20・・・光導波路、30・・・電極
、40・・・信号源、50・・・耐湿保護膜。
2図は光電圧センサの一例を示す構成説明図、第3図は
従来の光電圧センサの要部を示す拡大断面図である。 10・・・基板、20・・・光導波路、30・・・電極
、40・・・信号源、50・・・耐湿保護膜。
Claims (1)
- 電気光学材料よりなる基板に光導波路体とこの光導波路
体に測定電界を印加する電極が形成され、前記光導波路
体を通過する光を測定電界で強度変調するように構成さ
れた光電圧センサにおいて、前記光導波路体および電極
が形成された基板の表面および外周面に連続的に耐湿保
護膜を設けたことを特徴とする光電圧センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17020684A JPS6147929A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光電圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17020684A JPS6147929A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光電圧センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6147929A true JPS6147929A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15900630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17020684A Pending JPS6147929A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光電圧センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6147929A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01128037A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光スイッチ・変調器 |
JPH01134423A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
JPH0258202U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-04-26 | ||
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JPH02250043A (ja) * | 1987-02-13 | 1990-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
WO2002023261A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique de type guide d'onde optique et son procede de production |
EP1197784A1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-04-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrooptical device and method of manufacturing the same |
JP2005181871A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 光導波路基板 |
JP2009276810A (ja) * | 2009-08-28 | 2009-11-26 | Kyocera Corp | 光導波路基板の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-08-15 JP JP17020684A patent/JPS6147929A/ja active Pending
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