JPS597335A - 光位相変調用集積装置及び光振幅変調用集積装置 - Google Patents
光位相変調用集積装置及び光振幅変調用集積装置Info
- Publication number
- JPS597335A JPS597335A JP11177183A JP11177183A JPS597335A JP S597335 A JPS597335 A JP S597335A JP 11177183 A JP11177183 A JP 11177183A JP 11177183 A JP11177183 A JP 11177183A JP S597335 A JPS597335 A JP S597335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- substrate
- electrodes
- optical
- modes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/066—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide channel; buried
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/06—Polarisation independent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光の強度を変調する毘東倒ｊ゛・ぐイスに係
わる。
わる。
強性ｔル材料（（特に顕著である電気光学効果の利用に
よって光変調器は、染４’ｄｆ技術が併用されイ！−Ｉ
る様りな具体例において！＋！造可能となり、その際）
°に導波路が、屈折率ｎ。の基板中にｎ より大きい屈
折率の区域を作ることによって核基板中に設けられる。
よって光変調器は、染４’ｄｆ技術が併用されイ！−Ｉ
る様りな具体例において！＋！造可能となり、その際）
°に導波路が、屈折率ｎ。の基板中にｎ より大きい屈
折率の区域を作ることによって核基板中に設けられる。
上記のような具体例の一つには二路干渉絽が使用され、
この干渉計では２本の路における伝搬ｆＡｌｆにα気光
学効果によって差が生じ、この差が、２本の路より射出
する波の間に電気的に制御される位相のずれをもたらす
。
この干渉計では２本の路における伝搬ｆＡｌｆにα気光
学効果によって差が生じ、この差が、２本の路より射出
する波の間に電気的に制御される位相のずれをもたらす
。
射出光の強度は移相の如何によって様りであり、即ち電
気光学効果を惹起するアナログ制御ｍ圧によって変調さ
れる。このような変調器の応答は正弦波型であるが、光
電帰還ループを付加することによって内線化され？４）
る。このようなデバイスは、ｂ−ロツ・ｐ′侍ボ［出願
公１硝第０．０ ］、 ７，５７１号に記載されている
。
気光学効果を惹起するアナログ制御ｍ圧によって変調さ
れる。このような変調器の応答は正弦波型であるが、光
電帰還ループを付加することによって内線化され？４）
る。このようなデバイスは、ｂ−ロツ・ｐ′侍ボ［出願
公１硝第０．０ ］、 ７，５７１号に記載されている
。
しかしＪ常は、光集積デバイスに使用される能動端板は
異方性の庚屈折材料のものである。即ち該基板の特性Ｖ
」、それらの中を伝搬する光波の伝搬方向及び偏光状態
のような緒特性に従って界なる。
異方性の庚屈折材料のものである。即ち該基板の特性Ｖ
」、それらの中を伝搬する光波の伝搬方向及び偏光状態
のような緒特性に従って界なる。
電気光学効果を用いる光集積変調器の喝合瓜常は、Ｔ
Ｆ、偏波とＴＭ１１扇波どｔま同じ移相を被らず、従っ
て変調器のｔｗｉｔ性１入射波のＩ１１計皮状態に従っ
て異なる。この欠点を克服して、缶１）光状態には無関
係の変調８Ｊを製造する手段には２閘の異なる電極形朝
が使用されるべきであり、これらの屯俺形態によって、
一方はＴＥ波用、 イｉｌｘ方はＴＭ波用の異なる７に
気光学係数が有利にもたらされ得る。
Ｆ、偏波とＴＭ１１扇波どｔま同じ移相を被らず、従っ
て変調器のｔｗｉｔ性１入射波のＩ１１計皮状態に従っ
て異なる。この欠点を克服して、缶１）光状態には無関
係の変調８Ｊを製造する手段には２閘の異なる電極形朝
が使用されるべきであり、これらの屯俺形態によって、
一方はＴＥ波用、 イｉｌｘ方はＴＭ波用の異なる７に
気光学係数が有利にもたらされ得る。
各電極＋ＩＣおける独立動作によって、Ｔビ偏波の移相
と７Ｍ偏波の移相は別個にｔ（４俵され得る。ししかし
この解決方法は数個のイ極システムを要し、従って複合
的な接続及びＨ！！ｉｌ’ｔを要するので腹イ（である
。
と７Ｍ偏波の移相は別個にｔ（４俵され得る。ししかし
この解決方法は数個のイ極システムを要し、従って複合
的な接続及びＨ！！ｉｌ’ｔを要するので腹イ（である
。
これらの欠点を減じるのに、本発明の１ヨ題であるデバ
イスはただ１１固のル（祈シスプ゛ムしかｆＨ１川せず
、このシステムの位置ｒ、ｉ Ｔ Ｅ偏波／＼の効果と
７Ｍ偏波への効憤とを均等化するべく選択される。
イスはただ１１固のル（祈シスプ゛ムしかｆＨ１川せず
、このシステムの位置ｒ、ｉ Ｔ Ｅ偏波／＼の効果と
７Ｍ偏波への効憤とを均等化するべく選択される。
本発明の主題は、位相を変調する光集積ｊ゛・ぐイスで
あり、このデバイスは電気光学］１を性を治する千旧な
基板の表面上に少なくとも１昭の導波路と一組の電極と
を含んでおり、ｐｆ３導波路Ｔｄ、’＆１反自〔本のも
のよりも大きい屈折率を有する区域を１ｔＩｔ出すると
とＫよって生成され、この導波路内を’Ｒ−のＴＥ導波
モード及び第二のＴＭ導波モードが、１重板表面に関し
深さｈ及びｈ′で伝送され−こおり、また上記−組の電
極は上記導波路の両ｆ１１１に配置されて導波方向に対
して垂直な電界を光生じ、これらの電極は導波路を部分
的に被（ｆ Ｌ ｒ’）、との−４１１の電極によって
ＴＥ及びＴＭ導波モードの波の移相が調整されイｌ 、
この電極の組は幅すの矩形電極２を固から成るただ一つ
の電極対を含み、２個の該電極は〃いに並置され、導波
方向に平行に伸延する軸Δ′に関して対称性に、Ｗ離２
ａだけ離１％して位置しており、伝送される彼のＴＥ及
び７Ｍモードの対称軸Δ１及びΔ２は基板表面に、軸Δ
′からの…離Ｃ′及びＣで各々投影され、これらＴＥ及
び７Ｍモードは、導波方向に直交する平面内に位置する
２本の両面：ｆｑｌ＋に沿ってＷ蚕及びＷｙ、並びにＷ
；及びＷ７．の半径を有し、上記２本の軸のうち１本は
基板の表面に対して平行であり、値ａｌｂｔＣＩ＋！’
１ｈｌｈ’ＩＷｙ 、Ｗｙ 、ｗｚ及びＷＭの大きさは
関係式Δｎ、。＝Δ”ＴＭを満足するようなもので、Δ
”ＴＥ及びΔ”ＴｕとはＴＥ及びＴＭ導波モ〜ドに対応
する塞板の横方向屈折率変化である。
あり、このデバイスは電気光学］１を性を治する千旧な
基板の表面上に少なくとも１昭の導波路と一組の電極と
を含んでおり、ｐｆ３導波路Ｔｄ、’＆１反自〔本のも
のよりも大きい屈折率を有する区域を１ｔＩｔ出すると
とＫよって生成され、この導波路内を’Ｒ−のＴＥ導波
モード及び第二のＴＭ導波モードが、１重板表面に関し
深さｈ及びｈ′で伝送され−こおり、また上記−組の電
極は上記導波路の両ｆ１１１に配置されて導波方向に対
して垂直な電界を光生じ、これらの電極は導波路を部分
的に被（ｆ Ｌ ｒ’）、との−４１１の電極によって
ＴＥ及びＴＭ導波モードの波の移相が調整されイｌ 、
この電極の組は幅すの矩形電極２を固から成るただ一つ
の電極対を含み、２個の該電極は〃いに並置され、導波
方向に平行に伸延する軸Δ′に関して対称性に、Ｗ離２
ａだけ離１％して位置しており、伝送される彼のＴＥ及
び７Ｍモードの対称軸Δ１及びΔ２は基板表面に、軸Δ
′からの…離Ｃ′及びＣで各々投影され、これらＴＥ及
び７Ｍモードは、導波方向に直交する平面内に位置する
２本の両面：ｆｑｌ＋に沿ってＷ蚕及びＷｙ、並びにＷ
；及びＷ７．の半径を有し、上記２本の軸のうち１本は
基板の表面に対して平行であり、値ａｌｂｔＣＩ＋！’
１ｈｌｈ’ＩＷｙ 、Ｗｙ 、ｗｚ及びＷＭの大きさは
関係式Δｎ、。＝Δ”ＴＭを満足するようなもので、Δ
”ＴＥ及びΔ”ＴｕとはＴＥ及びＴＭ導波モ〜ドに対応
する塞板の横方向屈折率変化である。
本発明の他の特徴及び利点を、添付図面を参照しつつ以
下に詳述する。
下に詳述する。
以下の記述では、本発明−１“・ぐイスの分野を十分明
確にするために寸ず公知技術による様々なデ・ぐイスに
ついて検討する。本発明デ゛・々イスＶま位４１４変調
器あるいは振幅変調器であり（：ｔ、振幅変調Ｘｉ骨」
例えば２間の位相変調器を結合したものであり得る。検
討される先行技術デバイスはまず２個の振幅変調器であ
り、これによって本発明の分野がより良く定義されイｌ
、次に入射波の偏波状態に無関係の位相変調器が検討さ
れる。
確にするために寸ず公知技術による様々なデ・ぐイスに
ついて検討する。本発明デ゛・々イスＶま位４１４変調
器あるいは振幅変調器であり（：ｔ、振幅変調Ｘｉ骨」
例えば２間の位相変調器を結合したものであり得る。検
討される先行技術デバイスはまず２個の振幅変調器であ
り、これによって本発明の分野がより良く定義されイｌ
、次に入射波の偏波状態に無関係の位相変調器が検討さ
れる。
第１図に、光の強度■つが変調さｉするのを可能にする
二路干渉用の概略図が知見され得る。この干渉計は学−
モードの入力導波路１を含み、強度■。
二路干渉用の概略図が知見され得る。この干渉計は学−
モードの入力導波路１を含み、強度■。
の光波はとの路に結合される。該路１ｔま分岐Ｂ１にお
いて、即−モードの導波路を構成する２本の平行な路２
及び３に分かれ、これらの路は分岐Ｂ、において再結合
してΦ−モードの出力導波路４を構成し、このｆ路にお
いて強度Ｉ８が回収されイ↓Ｉる。
いて、即−モードの導波路を構成する２本の平行な路２
及び３に分かれ、これらの路は分岐Ｂ、において再結合
してΦ−モードの出力導波路４を構成し、このｆ路にお
いて強度Ｉ８が回収されイ↓Ｉる。
４本の導波路における伝搬方向は同一である。実際上、
この二略干渉計は二つの出力を有する。即ち、信号が逆
相の嚇合光は基板内側へと伝搬し、その結果導波路内を
伝搬せずＶＣ−１，［へ逃げる優勢モードの波が励爬さ
れる。′α極Ｃま導波路２及び３各りの両側に配置さ）
ｔており、例えば中央に１１１記の屯４ｆｉＥｏが位置
し、路２の中央側とは反対の側には′１１１：Ｌ「Ｖ２
を印加される１個の止棒Ｅ２が、寸た路３のやｋｌり反
対側には〒電圧ｖ３を印加される１個の電極Ｅ５が付置
しており、電極Ｅ。は接地されている。第１図に示され
たような、即ち導波路に隣接するのみでそれらを被覆し
ない載面の配置は導波路２及び３の各々に、光波の伝搬
方向に対し垂「＾でかつ図下面内に位置する束界をノヒ
じる。この喝合、導波路内での伝搬モードｒｉＴＥモー
ドである。
この二略干渉計は二つの出力を有する。即ち、信号が逆
相の嚇合光は基板内側へと伝搬し、その結果導波路内を
伝搬せずＶＣ−１，［へ逃げる優勢モードの波が励爬さ
れる。′α極Ｃま導波路２及び３各りの両側に配置さ）
ｔており、例えば中央に１１１記の屯４ｆｉＥｏが位置
し、路２の中央側とは反対の側には′１１１：Ｌ「Ｖ２
を印加される１個の止棒Ｅ２が、寸た路３のやｋｌり反
対側には〒電圧ｖ３を印加される１個の電極Ｅ５が付置
しており、電極Ｅ。は接地されている。第１図に示され
たような、即ち導波路に隣接するのみでそれらを被覆し
ない載面の配置は導波路２及び３の各々に、光波の伝搬
方向に対し垂「＾でかつ図下面内に位置する束界をノヒ
じる。この喝合、導波路内での伝搬モードｒｉＴＥモー
ドである。
デバイス全体は、ニオブ「俊リチウム（ｒ、ｔＮｂｏ、
）、タンタル酸リチウム（ＬＩＴａＯρまたは砒化ガリ
ウム（ＧａＡｓ）のような屯気光学Ｉ涛ＩＪ＋：を有す
る基板の表面上に形成される。−例としてニオブ酸リチ
ウムにおい℃（〆Ｊ２ 光導波路はチタンの拡散によ′
って得られる。この弘１孜Ｑま、・屯営の写真ヤ版処１
里に拠って選択的になさ）する。導波路に惇えらノする
框Ｗか図下面内に位１５する第１図の嚇合では、ニオブ
酸リチウムの軸Ｃ）１Ｊ至特定の屈折率を１ト↓う軸も
該平面内に位置しかつ導波路１〜４にｊい［１のｌ１ｍ
搬）５向に対して垂直であって、それにより１役人の、
ホ気）Ｙ、学効果を呈示すると七が好ましい。１孔圧Ｖ
２及び■３の正負妃号が同じでちると、１１を界は２本
の７！・１波路の各ｈＫ関して光波の伝搬速度を変化さ
せ、＋ｔ、ｔＥＥＶ３はこの電圧にやはり比例する、反
ダ・ｊ方向の変化−Δβ２を惹起する。これらの速ＩＪ
ｊ変化により、分岐Ｂ２の地点において、導波路２及び
３から射出する分岐Ｂ、においてオ来同位相であった二
つの彼の間に位相ずれが生じる。この位相ずれΔΦ′ｔ
まΔβ３ＬＳ＋Δβ２Ｌ２に等しく、ここでＢ２及び１
，３ｔｉ２個の分岐Ｂ１及びＢ２の間における電極の長
さである。通常１．、、＝＝Ｉ、３＝ｌ、と屑くことが
でき、その結果ΔΦ′＝（Δβ３＋Δβ２）Ｌとなる。
）、タンタル酸リチウム（ＬＩＴａＯρまたは砒化ガリ
ウム（ＧａＡｓ）のような屯気光学Ｉ涛ＩＪ＋：を有す
る基板の表面上に形成される。−例としてニオブ酸リチ
ウムにおい℃（〆Ｊ２ 光導波路はチタンの拡散によ′
って得られる。この弘１孜Ｑま、・屯営の写真ヤ版処１
里に拠って選択的になさ）する。導波路に惇えらノする
框Ｗか図下面内に位１５する第１図の嚇合では、ニオブ
酸リチウムの軸Ｃ）１Ｊ至特定の屈折率を１ト↓う軸も
該平面内に位置しかつ導波路１〜４にｊい［１のｌ１ｍ
搬）５向に対して垂直であって、それにより１役人の、
ホ気）Ｙ、学効果を呈示すると七が好ましい。１孔圧Ｖ
２及び■３の正負妃号が同じでちると、１１を界は２本
の７！・１波路の各ｈＫ関して光波の伝搬速度を変化さ
せ、＋ｔ、ｔＥＥＶ３はこの電圧にやはり比例する、反
ダ・ｊ方向の変化−Δβ２を惹起する。これらの速ＩＪ
ｊ変化により、分岐Ｂ２の地点において、導波路２及び
３から射出する分岐Ｂ、においてオ来同位相であった二
つの彼の間に位相ずれが生じる。この位相ずれΔΦ′ｔ
まΔβ３ＬＳ＋Δβ２Ｌ２に等しく、ここでＢ２及び１
，３ｔｉ２個の分岐Ｂ１及びＢ２の間における電極の長
さである。通常１．、、＝＝Ｉ、３＝ｌ、と屑くことが
でき、その結果ΔΦ′＝（Δβ３＋Δβ２）Ｌとなる。
無論、二つの４圧の一方、即ちｖ２″？ｆ、たけＣ３が
２口であってもよく、その鳴合は変化Δβ、オたはΔβ
２のみが有効である。
２口であってもよく、その鳴合は変化Δβ、オたはΔβ
２のみが有効である。
位相ずれΔΦ′は式：
％式％）
で表わされ得、ここでＶ、ｌＪ、πに等しい位相ずれΔ
Φ′を惹起する４圧の和である。導波路４で回収される
光波は導波路２及び３から射出して分岐Ｂ２に達する波
同士の結合、即ち一方の位相が他方の位の波の結合によ
ってもたらされる。そこで、得られる強度■８は式： ％式％） によって示され得、ここでα及びＭは結合損並びに干渉
計の非対称性に従嘱する定数である。結采Ｖま、例えば
Ｅ。及びＥ３から成るただ一つの止悟対の１局合と等価
である。該’ｆｌｙ、 Ｋ％対がＥ。及びト：５からで
ある。
Φ′を惹起する４圧の和である。導波路４で回収される
光波は導波路２及び３から射出して分岐Ｂ２に達する波
同士の結合、即ち一方の位相が他方の位の波の結合によ
ってもたらされる。そこで、得られる強度■８は式： ％式％） によって示され得、ここでα及びＭは結合損並びに干渉
計の非対称性に従嘱する定数である。結采Ｖま、例えば
Ｅ。及びＥ３から成るただ一つの止悟対の１局合と等価
である。該’ｆｌｙ、 Ｋ％対がＥ。及びト：５からで
ある。
第２図も、三路干渉ｄ１の眼、略図を示す。しか１−こ
の図では電接Ｅ３及びＥ。Ｑよ、導ρヶ略２及び３ヒ方
の基板表面にブ旬？ソットさＪしている。こシ］らの電
極の配置によって上記の導波路２及び３の各々に、光波
の伝搬方向に対しても図平面に対しても飛直な／１７．
界が生じる。従って、ニオブ酸リチウムの軸Ｃもまた、
導波路１〜４に共通の伝搬方向並びに図平面Ｖこ対して
手直であることが好ましい。
の図では電接Ｅ３及びＥ。Ｑよ、導ρヶ略２及び３ヒ方
の基板表面にブ旬？ソットさＪしている。こシ］らの電
極の配置によって上記の導波路２及び３の各々に、光波
の伝搬方向に対しても図平面に対しても飛直な／１７．
界が生じる。従って、ニオブ酸リチウムの軸Ｃもまた、
導波路１〜４に共通の伝搬方向並びに図平面Ｖこ対して
手直であることが好ましい。
このＳ合導波路内での伝１般モードＩＪ’ Ｔ Ｍモー
ドである。
ドである。
第３図は、第１図及び第２■］に示された２種類の干渉
計に関する射出光の強度■８を分岐点Ｂ２に存在する位
相ずれΔΦ′並びに電圧Ｖの関数として表わす％性曲線
を示し、該電圧は電極Ｅ２及びＥ３の少なくとも一方に
印加される′「を圧（または電圧の和）に等しく、この
（これらの）は圧のｉＴＥ角記号はアースに対して定寸
る。■がセ゛口の時、出力強度工。Ｑ：ｉ最大でその値
は工。Ｍである。Ｖの絶対値が増すと光の強度Ｉ８は低
下し、最小値■□がｖ＝ｖ、において得られる。この仙
Ｉｍは理論上は、■８の変化ＵΔΦ′乃孕Ｖの一次関数
であるとほぼ見做され得る。しかしそれにもかかわらず
工。の変化の隔たりが増すにつれて非常に急速に増大す
る。
計に関する射出光の強度■８を分岐点Ｂ２に存在する位
相ずれΔΦ′並びに電圧Ｖの関数として表わす％性曲線
を示し、該電圧は電極Ｅ２及びＥ３の少なくとも一方に
印加される′「を圧（または電圧の和）に等しく、この
（これらの）は圧のｉＴＥ角記号はアースに対して定寸
る。■がセ゛口の時、出力強度工。Ｑ：ｉ最大でその値
は工。Ｍである。Ｖの絶対値が増すと光の強度Ｉ８は低
下し、最小値■□がｖ＝ｖ、において得られる。この仙
Ｉｍは理論上は、■８の変化ＵΔΦ′乃孕Ｖの一次関数
であるとほぼ見做され得る。しかしそれにもかかわらず
工。の変化の隔たりが増すにつれて非常に急速に増大す
る。
ｌ（を極２及び３は、二つの部分に分割されることも可
能である。干渉計の各路の長さの一部分は第一の電圧ｖ
Ｍに由来する変調４界を印加され得、一方上記長さのそ
の他の部分は第２の電圧ｖＲに由来する変調電界を印加
される。
能である。干渉計の各路の長さの一部分は第一の電圧ｖ
Ｍに由来する変調４界を印加され得、一方上記長さのそ
の他の部分は第２の電圧ｖＲに由来する変調電界を印加
される。
同強度で、かつ干渉計の２個の路２及び３と反対方向で
ある【ｎ界を印加することによって変調の感度は増大し
得、即ち所定の移相の達成に必四とされる変調電圧が低
減され得る。
ある【ｎ界を印加することによって変調の感度は増大し
得、即ち所定の移相の達成に必四とされる変調電圧が低
減され得る。
しかし本発明は、その動作が入Ｒｊｉ皮の偏光状！ｉＩ
すから独立である光集積変調デバイスに更に深く係わる
。例えばニオブ峻リチウム（ＬＩＮｂ０３）に生成され
た導波路Ｖｃｂ−けるｍ気尤学効果に依拠するこの変調
器は、入射波の制波状卵が明硼に規定されない時は常に
特別の価値を有する。′Ｆ学にこの変調器（ｄ標亭的な
、入力及び出力用のＱｊ、−モー１゛）−ｒイパと併用
され得、該ファイバｃ′こついてＣ１■、入射光のある
偏波状態がファイバの出力において別の状態に変形され
得ることが公知である。史に、この出力状態は時間がた
つにつれて、例えば１晶１ψ、ファイ・々の曲率等のよ
うな幾つかのパラメータにより変化し得る。
すから独立である光集積変調デバイスに更に深く係わる
。例えばニオブ峻リチウム（ＬＩＮｂ０３）に生成され
た導波路Ｖｃｂ−けるｍ気尤学効果に依拠するこの変調
器は、入射波の制波状卵が明硼に規定されない時は常に
特別の価値を有する。′Ｆ学にこの変調器（ｄ標亭的な
、入力及び出力用のＱｊ、−モー１゛）−ｒイパと併用
され得、該ファイバｃ′こついてＣ１■、入射光のある
偏波状態がファイバの出力において別の状態に変形され
得ることが公知である。史に、この出力状態は時間がた
つにつれて、例えば１晶１ψ、ファイ・々の曲率等のよ
うな幾つかのパラメータにより変化し得る。
通常、光集積デバイスに使用される能動基板は墨方件の
複屈折材料のものである。即ち通常は、該基板の特性は
それらの中を伝搬する光波の伝搬方向及び偏光状態のよ
うな諸時性に従って異なる。
複屈折材料のものである。即ち通常は、該基板の特性は
それらの中を伝搬する光波の伝搬方向及び偏光状態のよ
うな諸時性に従って異なる。
このような点は１に気光学効果を用いる光集積変調器に
関して特に至肖である。也常重置的横彼即ち”ＴＥ”波
の偏波と磁気的横波即ちＴ Ｍ ”波の偏波とは同じ移
相を被らず、従って変調器の特性は入射波の偏波状ｇす
に従って異なる。そこで、この欠点を克服する方法の一
つとして、偏光状態に無関係な変調器を作り、かつ２個
の異なる電極形態を使用して、一方はＴＥＥＨ１１他方
ｔｊＴＭ波用の異なる重置光学係数を有利に得ることを
可能にすることが挙げらノする。
関して特に至肖である。也常重置的横彼即ち”ＴＥ”波
の偏波と磁気的横波即ちＴ Ｍ ”波の偏波とは同じ移
相を被らず、従って変調器の特性は入射波の偏波状ｇす
に従って異なる。そこで、この欠点を克服する方法の一
つとして、偏光状態に無関係な変調器を作り、かつ２個
の異なる電極形態を使用して、一方はＴＥＥＨ１１他方
ｔｊＴＭ波用の異なる重置光学係数を有利に得ることを
可能にすることが挙げらノする。
各“ｔｉにおける独立動作によって、ＴＥ偏波の移相と
ＴＭ偏波の移相は別個に調整され得る。この解決方法は
第４図に示すようンζ数個の′−極フシステム要し、従
って複合的な接続及び調整を要するので比較的複雑であ
る。即ち第４図に示されたデバイスは位相変調器である
。このデバイスは集Ｅ５によってＴ Ｅ ”偏波の移相
が、調整さオＴ、 ７４７、）「極Ｅ６及びＥ７によっ
て”ＴＭ”偏波の移相が調゛幣され得る。実際ト、屯田
Ｖと接続された１１ｔ（瓶Ｅ４及びＥ５からなる所ｊｉ
のζｌｉ Ｉｆｆ対に明して、市川Ｖ′と接続された１
４Ｌ極Ｅ６及びＥ７から成る別の賀極討が光波の偏光を
その回路入射時の値（て戻し得ることが見出され得る。
ＴＭ偏波の移相は別個に調整され得る。この解決方法は
第４図に示すようンζ数個の′−極フシステム要し、従
って複合的な接続及び調整を要するので比較的複雑であ
る。即ち第４図に示されたデバイスは位相変調器である
。このデバイスは集Ｅ５によってＴ Ｅ ”偏波の移相
が、調整さオＴ、 ７４７、）「極Ｅ６及びＥ７によっ
て”ＴＭ”偏波の移相が調゛幣され得る。実際ト、屯田
Ｖと接続された１１ｔ（瓶Ｅ４及びＥ５からなる所ｊｉ
のζｌｉ Ｉｆｆ対に明して、市川Ｖ′と接続された１
４Ｌ極Ｅ６及びＥ７から成る別の賀極討が光波の偏光を
その回路入射時の値（て戻し得ることが見出され得る。
先行技術による上記のデバイスとは異なり、本罪明デバ
イスはただ１個の８を極シスデムしか（ｊｉｊ用せず、
このシステムの位置はＴＥ偏波への効果とＴＭ偏波への
効果とを均等化するべく選択される。
イスはただ１個の８を極シスデムしか（ｊｉｊ用せず、
このシステムの位置はＴＥ偏波への効果とＴＭ偏波への
効果とを均等化するべく選択される。
本発明は第５１゛′／、１に概略的に示された基本原理
に基づいており、該図Ｑま、同一平面上に位ＩＦｉする
′・ｕ極Ｅ８及びＥ９を具１藺した導波路７の断面１５
４を示ず。
に基づいており、該図Ｑま、同一平面上に位ＩＦｉする
′・ｕ極Ｅ８及びＥ９を具１藺した導波路７の断面１５
４を示ず。
この神の構造体における電界は一様でなく、２及びｙに
各々従７．４する成分Ｅｚ及びＥｙを有する。導波され
、伝送される波のモード６の中心は、′１１１００中点
からの距離８及び基板の表面からの距離９の地点に位置
する。ＴＥ及びＴＭモード各りに関する上記の距離８を
Ｃ′及びＣとし、やはりＴＥ及びＴＭモードに関する上
記の距離９をｈ′及びｈとする。これら二つのモードは
実際上、同一点に心合せされる必要は無い。両モードの
対称軸をΔ１及びΔ２とする。第５図では両モードは同
一点１ｃ＋１；合されたものとされている。従って２本
の軸Δ。
各々従７．４する成分Ｅｚ及びＥｙを有する。導波され
、伝送される波のモード６の中心は、′１１１００中点
からの距離８及び基板の表面からの距離９の地点に位置
する。ＴＥ及びＴＭモード各りに関する上記の距離８を
Ｃ′及びＣとし、やはりＴＥ及びＴＭモードに関する上
記の距離９をｈ′及びｈとする。これら二つのモードは
実際上、同一点に心合せされる必要は無い。両モードの
対称軸をΔ１及びΔ２とする。第５図では両モードは同
一点１ｃ＋１；合されたものとされている。従って２本
の軸Δ。
とΔ２とは一致する。’ｉｌｔ極間のＩＩＦ離を２ａ、
’電極Ｅ８及びＥ、の幅をｂ、これらの′顆極の’ｔＮ
Ｊ称軸を軸Δ′とする。ｓｚ及びｅｙけ、２及びｙの誘
電テンソル成分である。
’電極Ｅ８及びＥ、の幅をｂ、これらの′顆極の’ｔＮ
Ｊ称軸を軸Δ′とする。ｓｚ及びｅｙけ、２及びｙの誘
電テンソル成分である。
こうして？ＩＬ位差Ｖか、上記の′α極Ｅ８及びＥ、の
端子に付与される。
端子に付与される。
Ｔ（ｚ、ｙ）及びＴ′（ｚ、ｙ）をＴＭ及びＴＥ導波モ
ードの電界の横方向分布と見做すと、演算は、式：によ
って肖られる”平均等価゛′電界の動作についてみるの
と等価であり、また”（ｚ＋ｙ）についてはシ薔及び仁
′ｙの式が等価であることが示さね得る。
ードの電界の横方向分布と見做すと、演算は、式：によ
って肖られる”平均等価゛′電界の動作についてみるの
と等価であり、また”（ｚ＋ｙ）についてはシ薔及び仁
′ｙの式が等価であることが示さね得る。
Ｔ“は、Ｔの共役値である。
電界Ｅｚ及びＥｙＯ値は、関係式：
によつで（４）られ、ここでＲ１１は角括弧内の式の実
部である。
部である。
ＵＰ一つで得られる′重置光学効果＆：１ 、この種の
ト攬気光学効果によって創出される＃＃ｊ５向屈折率変
化Δｎにより通常のように表記され： Δｎｏｃ ｄ ’ｆ− ここでｄは、所望の屈折率変化並びに１程界しに対応す
るｉｌｆｌ充気係数である。従って所与の結晶に関して
、： ΔｎＴＥ−ΔｎＴＭ をもたらす′（青刈の「１イ極の（ｓ７’、 ｆｋ￥が
見出され〒４することか知見される。
ト攬気光学効果によって創出される＃＃ｊ５向屈折率変
化Δｎにより通常のように表記され： Δｎｏｃ ｄ ’ｆ− ここでｄは、所望の屈折率変化並びに１程界しに対応す
るｉｌｆｌ充気係数である。従って所与の結晶に関して
、： ΔｎＴＥ−ΔｎＴＭ をもたらす′（青刈の「１イ極の（ｓ７’、 ｆｋ￥が
見出され〒４することか知見される。
第１図のように配向されたニメブ酸リチウム（ＬＩＮｂ
Ｏ，）の１局合についてみると、対応する）Ｕ気光学係
数によって次の式が缶られる。： Δ。−５「２□１□ 丁Ｍ２ 、 ＴＦ〕及びＴＭモードの横方向分布がｉｆウス（Ｆｆ
＋５によってイ（）られるとすると： となる。
Ｏ，）の１局合についてみると、対応する）Ｕ気光学係
数によって次の式が缶られる。： Δ。−５「２□１□ 丁Ｍ２ 、 ＴＦ〕及びＴＭモードの横方向分布がｉｆウス（Ｆｆ
＋５によってイ（）られるとすると： となる。
従ってΔ”ＴＭ及びΔｎ、つは所望の構造体の、ｊ１キ
に電極間ギヤソゲ、電極の位ｆａ、及び伝送モードの基
板表面に１（４）する位置のような・Ｐラメータの関数
としてぎ１葺され得る。
に電極間ギヤソゲ、電極の位ｆａ、及び伝送モードの基
板表面に１（４）する位置のような・Ｐラメータの関数
としてぎ１葺され得る。
即ち３０７１ｍ及び２１７Ｍを決定するＶ（ホ、才ず市
界の値を電極の幅及０昌１ｉ極間の［１１ｊ離の関数と
して求め、次いで導波されるＴＩ”ｉ及び′ＦＭ波の横
方向分布の値）１及びにこれら２紳頌の波に１刀する平
均は界どｙ及びビ２の値を＋１把モードのイ（別Ｈの関
数として求める。これによって、直棒Ｅ８及びＥ、の位
置を導波モードｆ（： （ＩＪ ｉ−て決定゛］ること
’ｒ−ＣＩＪ能にする方程式ΔｎＴＥ−Δ”Ｔｈ（の１
杵が見出されイ）Ｉる。
界の値を電極の幅及０昌１ｉ極間の［１１ｊ離の関数と
して求め、次いで導波されるＴＩ”ｉ及び′ＦＭ波の横
方向分布の値）１及びにこれら２紳頌の波に１刀する平
均は界どｙ及びビ２の値を＋１把モードのイ（別Ｈの関
数として求める。これによって、直棒Ｅ８及びＥ、の位
置を導波モードｆ（： （ＩＪ ｉ−て決定゛］ること
’ｒ−ＣＩＪ能にする方程式ΔｎＴＥ−Δ”Ｔｈ（の１
杵が見出されイ）Ｉる。
幾つかのノやラメータ、 １７＋１ら７粍１余の□Ｉｖ
ｒｓ ＋ン、こノＬらの４１？間のｌｌｌ’、Ｋｌｌ
２ ａ 、 Ｔ Ｅ及び゛ｒＭ−＋ニードの深さｈ′
及び１１１、］しびＩ／ＣＴ Ｐ：及びｒ ｒＡ トー
トの、ｔ＋ｔ ｉ間の中点に関する変位Ｃ′及びｃ ６
１１（Ｉｉ々な（１Ｊｔを取りイ・する。捷た、伝送さ
れる波のＴＥ及びＴＭモードの形状に関し−ｒ、Ｗ’ｚ
及びＶｈ、 ：＋１これらのモードのＯｚに沿った半径
、寸だｗｙ及びｗｙはＯｙに沿った半径である。このよ
うなｎ個の／ｌラメータのうちのｎ−１個を固定するこ
とによって、残りの１個を変化させることが可能である
。即ち、例えば深さＣが変化し得る。
ｒｓ ＋ン、こノＬらの４１？間のｌｌｌ’、Ｋｌｌ
２ ａ 、 Ｔ Ｅ及び゛ｒＭ−＋ニードの深さｈ′
及び１１１、］しびＩ／ＣＴ Ｐ：及びｒ ｒＡ トー
トの、ｔ＋ｔ ｉ間の中点に関する変位Ｃ′及びｃ ６
１１（Ｉｉ々な（１Ｊｔを取りイ・する。捷た、伝送さ
れる波のＴＥ及びＴＭモードの形状に関し−ｒ、Ｗ’ｚ
及びＶｈ、 ：＋１これらのモードのＯｚに沿った半径
、寸だｗｙ及びｗｙはＯｙに沿った半径である。このよ
うなｎ個の／ｌラメータのうちのｎ−１個を固定するこ
とによって、残りの１個を変化させることが可能である
。即ち、例えば深さＣが変化し得る。
この方程式の可能な解法の一つ１１１、第６図に示され
たようなグラフを用いることであり、Ｗ及びｗ’ｔまモ
ードの半径である。
たようなグラフを用いることであり、Ｗ及びｗ’ｔまモ
ードの半径である。
非限定的な例と］７゛（、ｒｔ１位差Ｖ＝１ボルトに関
［１、 Ｗｚ ＝ Ｗｚ ＝＝ ４ミクロン。
［１、 Ｗｚ ＝ Ｗｚ ＝＝ ４ミクロン。
ｗｙ＝叫＝５ミクロン。
ｈ＝ｈ＝４ミクロン。
２ａ；４ミクロン。
ｂ＝、、５ミクロン
とする。
第６図において曲線１０はΔｎア□＝ｆ（ｃ）を、及び
曲線１１はΔ”ｒｚ＝／（ｃ）を表わす。
曲線１１はΔ”ｒｚ＝／（ｃ）を表わす。
即ち、ｅ ＝＝ ｃ’＝＝ ２ミクロンに関してΔ”Ｔ
Ｍ二Δ”Ｔｌｅである。
Ｍ二Δ”Ｔｌｅである。
このように２１−６図によって、便用パラメータが特定
さｉする時の例が得られる。ｔ電極の導波モードに関す
る位置゛ばΔｎ、お＝Δ”ＴＭの地点に存在し、即ち入
射光の偏光状態から独立のｔｈ、気光学変調器が製造さ
れた。
さｉする時の例が得られる。ｔ電極の導波モードに関す
る位置゛ばΔｎ、お＝Δ”ＴＭの地点に存在し、即ち入
射光の偏光状態から独立のｔｈ、気光学変調器が製造さ
れた。
ただ１個の電極システムを用い、また該開極の位置を導
波路に関して選択することによって嘔純な構造体が製造
され得、その結果偏光に無］列係の光集積能動回路が得
られる。
波路に関して選択することによって嘔純な構造体が製造
され得、その結果偏光に無］列係の光集積能動回路が得
られる。
従って本発明デバイスは入射波の偏波状態から独立の位
相変Ａ器であり、このデバイスは第４１閾に示された変
調器とは異なりただ１対の電極、例えばＥ４及びＦ、５
シか有しない。
相変Ａ器であり、このデバイスは第４１閾に示された変
調器とは異なりただ１対の電極、例えばＥ４及びＦ、５
シか有しない。
従って、偏光に無関係の複雑な回路が、本発明デバイス
を数個結合することによって製造され得る。即ち第１図
でのように２個の位相変ＩＡＩ器を結合することによっ
て、やはり入射波の偏波状態から独立である振幅変調器
が製造され得る。
を数個結合することによって製造され得る。即ち第１図
でのように２個の位相変ＩＡＩ器を結合することによっ
て、やはり入射波の偏波状態から独立である振幅変調器
が製造され得る。
本発明デバイスｉｄｔだ、例えばタンタル酸リチウム（
ＬＩＴＪ１０３） ’ｉたは砒化ガリウＡ（ＧａＡｓ）
のような電気光学特性を有する、ニオブ酸リチウム以外
の基板の表面−トに稲成さｉｌてもよい。その局舎には
、Δ”ＴＩ及びΔｎＴＭを写える関係式は前述のものと
は別様になる。
ＬＩＴＪ１０３） ’ｉたは砒化ガリウＡ（ＧａＡｓ）
のような電気光学特性を有する、ニオブ酸リチウム以外
の基板の表面−トに稲成さｉｌてもよい。その局舎には
、Δ”ＴＩ及びΔｎＴＭを写える関係式は前述のものと
は別様になる。
本発明デ・ぐイスｌ−１、位相変調器を具備するあらゆ
る回路に使用されｊ；Ｉろ。言１７′Ｉｉ１本発明デバ
イスの構造を単一モードのものと想定して行なったが、
多モード構造も全く実現可能である。
る回路に使用されｊ；Ｉろ。言１７′Ｉｉ１本発明デバ
イスの構造を単一モードのものと想定して行なったが、
多モード構造も全く実現可能である。
本明細書に述べた種類の原ｉ４ｉは、標準的な即−モー
ドファイバの使用されるあらゆる１劫合に、がつ・特に
光通信の分野に有利に適用され得る。
ドファイバの使用されるあらゆる１劫合に、がつ・特に
光通信の分野に有利に適用され得る。
第１図及び第２図は公知技術による２ｆ′＋１；ｊＡの
光変調器の説明図、第３図は第１図及び第２図の変調器
の動作を示すグラフ、第４図は公知技術による別の様式
のデバイスの説明図、第５図は本発明デバイスのｈ（ａ
明１４、第６１＝Ｙ＆ま本発明テ゛・ぐイスの動作を示
すグラフである。 １〜５，７・・・導波路、６・導波モード、８，９・・
・距離、１０ 、 Ｉ Ｉ・・曲、腺。 ２
光変調器の説明図、第３図は第１図及び第２図の変調器
の動作を示すグラフ、第４図は公知技術による別の様式
のデバイスの説明図、第５図は本発明デバイスのｈ（ａ
明１４、第６１＝Ｙ＆ま本発明テ゛・ぐイスの動作を示
すグラフである。 １〜５，７・・・導波路、６・導波モード、８，９・・
・距離、１０ 、 Ｉ Ｉ・・曲、腺。 ２
Claims (6)
- （１）位相を変調する光集積デバイスであって、α気光
学特性を有する平坦な基板の表面上に少なくとも１個の
導波路と一組の゛電極とを含んでおり、核導波路は基板
自体のものよシも大きい屈折率を有する区域を創出する
ことによって生成され、この導波路内を第一のＴＥ導波
モード及び第二の７Ｍ導波モードが基板表面に関し深さ
ｈ及びｈ′で伝送されており、また上記−組の４極は上
記導波路の両側に醒髄されて導波方向に対して垂直な′
心界を発生し、これらの電極は導波路を部分的に被覆し
イ↓）、この−組の電極によってＴＥ及び７Ｍ導波モー
ドの波の移相が調整され得ており、この電極の絹は幅す
の矩形電極２個から成るただ一つの′電極対を含み、２
個の該電極は互いに並１道され、導波方向に平行に伸延
する軸Δ′に関して対称件に、ｌ？４５離２ａだけ離隔
して位置しており、伝送される彼のＴＥ及びＴＭモード
の対称軸Δ、及びΔ２は基板表面に、軸Δ′からの距離
Ｃ′及びＣで各々投影さｔしており、これらＴＥ及びＴ
Ｍモードは導波方向に直交する乎面内に位置する２本の
倍直輔に沿ってｗｙ及びｗｙ、並びにＷ’ｚ及びＷｚの
半径を有しており、−に記２本の軸のうち１本は基板の
表面に々１して平行であり、値ａ、ｂ、ｃ ＋”＋ｈ＋
）ｌ’＋Ｗｙ、ｗ７ 、Ｗｙ、及びＷＭの大きさは関係
式ΔｎＴ、Ｉ−Δ”ＴＭを満足するようなもので、Δｎ
７つ及び４９７ＭとはＴＥ及び７Ｍ導波モードに対応す
る基板の横方向屈折率変化であることを特徴とする光集
積位相変調デバイス。 - （２） 基板が特定の屈折率を狽う輔Ｃを有するニオ
ブ酸リチウムから成シ、導波路はチタンを局所的に拡散
することによって生成されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のデバイス。 - （３） 基板が、その軸Ｃが導波路内に創出される電
界に対して平行となるように配向されることを特徴とす
る特ｒ？ｒ請求の範囲第２項に記載のデバイス。 - （４）基板がタンタル酸リチウムから成ることを特徴と
する特ｎｒ請求の範囲第１項に記載のデ・ぐイス。 - （５） 塙板が砒化がリウノ・から成ることを特徴と
する％ＦＦ請求の範囲第１項に記載のデ・々イス。 - （６）振幅を変調する光集積デ・ぐイスであって、入射
光線を受取る入力導波路と接、続された２本の路を有す
る干渉言１を含み、上記２本の路内全伝搬された光線部
分は干渉計の出力において結合されて出力導波路すへ進
入し、射出光線の強度は、２本の路の少なくとも１本に
与えられた変調Ｎｊｉ界により惹起される移相の関数で
あり、該路の少なくとも１本は時許請求の範囲第１項に
記載の位相変調用光集積デバイスを有することを′特徴
とする光集積振幅変調デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8210902 | 1982-06-22 | ||
| FR8210902A FR2528991A1 (fr) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | Dispositif optique integre modulateur independant de la polarisation incidente |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597335A true JPS597335A (ja) | 1984-01-14 |
| JPH0422246B2 JPH0422246B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=9275271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11177183A Granted JPS597335A (ja) | 1982-06-22 | 1983-06-21 | 光位相変調用集積装置及び光振幅変調用集積装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0099282B1 (ja) |
| JP (1) | JPS597335A (ja) |
| DE (1) | DE3362904D1 (ja) |
| FR (1) | FR2528991A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147929A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Jido Keisoku Gijutsu Kenkiyuukumiai | 光電圧センサ |
| JPS61218084A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | 株式会社 徳力本店 | 摺動接点 |
| JPS644719A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-09 | Japan Broadcasting Corp | Optical modulator |
| CN108490648A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-09-04 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2147114B (en) * | 1983-09-27 | 1986-11-12 | Gen Electric Co Plc | Signal processing apparatus |
| JPH0627914B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1994-04-13 | 日本放送協会 | 光学素子 |
| US4997245A (en) * | 1990-01-04 | 1991-03-05 | Smiths Industries Aerospace & Defense Systems Incorporated | Polarization independent optical switches |
| US6148122A (en) * | 1998-11-17 | 2000-11-14 | Qtera Corporation | High speed lithium niobate polarization independent modulators |
| US6337755B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-01-08 | Qtera Corporation | Polarization independent all-optical regenerators |
| EP1109051A1 (en) * | 1999-12-06 | 2001-06-20 | Qtera Corporation | Polarisation independent optical phase modulator |
| CN105739134B (zh) * | 2016-05-05 | 2018-08-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 调制效率与偏振无关的高频电光相位调制器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569122A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light modulating device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4157860A (en) * | 1977-10-11 | 1979-06-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Dual polarization electromagnetic switch and modulator |
| US4291939A (en) * | 1978-03-24 | 1981-09-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Polarization-independent optical switches/modulators |
| FR2453426A1 (fr) * | 1979-04-03 | 1980-10-31 | Thomson Csf | Modulateur d'intensite lumineuse en optique integree et circuit optique integre comportant un tel modulateur |
| US4243295A (en) * | 1979-09-19 | 1981-01-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Polarization-independent optical directional coupler switch/modulator |
| US4262993A (en) * | 1980-01-11 | 1981-04-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrooptically balanced alternating Δβ switch |
-
1982
- 1982-06-22 FR FR8210902A patent/FR2528991A1/fr active Granted
-
1983
- 1983-06-10 DE DE8383401190T patent/DE3362904D1/de not_active Expired
- 1983-06-10 EP EP19830401190 patent/EP0099282B1/fr not_active Expired
- 1983-06-21 JP JP11177183A patent/JPS597335A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569122A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light modulating device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147929A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Jido Keisoku Gijutsu Kenkiyuukumiai | 光電圧センサ |
| JPS61218084A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | 株式会社 徳力本店 | 摺動接点 |
| JPH05832B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1993-01-06 | Tokuriki Honten Kk | |
| JPS644719A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-09 | Japan Broadcasting Corp | Optical modulator |
| CN108490648A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-09-04 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2528991A1 (fr) | 1983-12-23 |
| FR2528991B1 (ja) | 1984-11-30 |
| JPH0422246B2 (ja) | 1992-04-16 |
| EP0099282A1 (fr) | 1984-01-25 |
| EP0099282B1 (fr) | 1986-04-09 |
| DE3362904D1 (en) | 1986-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5751867A (en) | Polarization-insensitive, electro-optic modulator | |
| US4070094A (en) | Optical waveguide interferometer modulator-switch | |
| Toney | Lithium niobate photonics | |
| US5408544A (en) | Optical modulator for producing a controllable chirp | |
| KR0162755B1 (ko) | 고분자 도파로형 광 세기 변조기 | |
| US3877781A (en) | Electro-optical thin-film device | |
| US4262993A (en) | Electrooptically balanced alternating Δβ switch | |
| JPS6220532B2 (ja) | ||
| US4983006A (en) | Polarization-independent optical waveguide switch | |
| JPS597335A (ja) | 光位相変調用集積装置及び光振幅変調用集積装置 | |
| US20210223657A1 (en) | Active photonic networks on integrated lithium niobate platforms | |
| GB2271192A (en) | Optical switch | |
| WO2003010592B1 (en) | Waveguides and devices incorporating optically functional cladding regions | |
| EP0165555B1 (en) | Method for modulating a carrier wave | |
| US5202941A (en) | Four section optical coupler | |
| JPH07318986A (ja) | 導波路型光スイッチ | |
| US20070147725A1 (en) | Coupled-waveguide electro-optic switch based on polarisation conversion | |
| US7013053B2 (en) | Polarization independent electro-optical device for modulation of light | |
| EP0140578A1 (en) | Light modulator comprising an optical resonator | |
| RU2129721C1 (ru) | Способ переключения и модуляции однонаправленных распределенно-связанных волн (варианты) и устройство для его осуществления | |
| US4907849A (en) | Integrated-optic, polarization-selective phase modulator | |
| Mevenkamp | Modelling and BPM calculation of electrooptic devices on LiNbO [sub] 3 [/sub] | |
| JPH05224246A (ja) | 光制御デバイス | |
| JPH0315831A (ja) | 光偏向素子 | |
| GB2090993A (en) | Integrated Optical Phase Modulator |