JPH0315831A - 光偏向素子 - Google Patents

光偏向素子

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JPH0315831A
JPH0315831A JP1151785A JP15178589A JPH0315831A JP H0315831 A JPH0315831 A JP H0315831A JP 1151785 A JP1151785 A JP 1151785A JP 15178589 A JP15178589 A JP 15178589A JP H0315831 A JPH0315831 A JP H0315831A
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JP
Japan
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liquid crystal
transparent layer
layer
light
refractive index
Prior art date
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Pending
Application number
JP1151785A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Uchida
真司 内田
Seiji Nishiwaki
青児 西脇
Yoshinao Taketomi
義尚 武富
Junichi Asada
潤一 麻田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光の方向を変化させる光偏光素子に関するもの
である。
従来の技術 例えば特昭開83−235904号公報に開示されてい
る従来の光偏向素子について、第6図(a)(b)に基
き説明する。
第6図(a)に示すように、基板61上に、導電性薄膜
62と透明体層63とを介して液晶層64を設け、液晶
層84上にグレーティング65Gと透明体層65、及び
基板e6上に形成された導電性薄膜67が設けられてい
る。液晶J!lEI4に導波光68を伝搬させると、グ
レーティング65Gによって放射光89、89゜が形成
される。電圧信号器70により発生させた信号波を、導
電性薄膜62と導電性薄膜87の間に加えることで、液
晶の配向方向すなわち導波光68に対する液晶の屈折率
を変化させて、液晶層64を導波する放射光69の放射
角θを変えるものである。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような従来の光偏向素子においては
以下の課題があった。
すなわち第8図(b)に斜線部で示すように、導枝光の
光エネルギーは液晶層84に集中した分布形状を取って
いた。
一般に液晶の伝搬損失は、20db/cm〜30db/
cmであり非常に大きい。従って、液晶層64を導波層
とすると、損失が著しく増大するという問題があった。
本発明はかかる問題に鑑み、損失の小さい光偏向素子を
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を構成するため、以下の手段を用いる
第1の電極と、この第lの電極上に直接もしくは第1の
透明体層を挟んで形成された第2の透明体層と、この第
2の透明体層上に設けられた液晶層と、この液晶層上に
直接もしくは第3の透明体層を挟んで設けられた第2の
電極とを有し、第lの電極もしくは第1の透明体層もし
くは第2の透明体層上にグレーティングを設けるか、ま
たはグレーティングが形成された基板上に第1の電極を
設け、導波光が第2の透明体層もしくは第2の透明体層
とこれに隣接する液晶層の一部とを伝搬するように構成
したことを特徴とする光偏向素子である。
また、第2の透明体層の屈折率が、液晶層の異常光の屈
折率よりも高い光偏向素子である。
また、導波モードがO次モードである光偏向素子である
作用 上記構成により、液晶層に存在する光エネルギーを低減
できるので、損失の小さい光偏向素子を実現することが
できる。
実施例 以下、本発明の一実施例における光偏光素子を、第l図
ないし第5図に基づいて説明する。
第工図は同光偏向素子の断面構成図を示す。第1の電極
1上に、第lの透明体I!I2、第2の透明体層3を順
次形成する。第2の透明体層3は第1の透明体層2より
も屈折率が大きいものを用いる。
なお、電極1が透明の場合は第1の透明体層2を省いて
もよく、その場合第2の透明体層3は電極1よりも高い
屈折率のものを用いる。また電極1は、シリコン基板も
しくは光学ガラス基板上に導電性薄膜を形成したものを
用いても良い。第2の透明体層3は2層以上の構成であ
ってもよく、このうち少なくとも1層はその屈折率が液
晶の正常先に対する屈折率よりも高いものを使用する。
第2の透明体層3の上面には電子線ビーム露光法、2光
束干渉法等によってグレーティング4が形成されている
。なお、グレーティング4は、電極lまたは第1の透明
体層2の上面に形成してもよく、シリコン基板もしくは
光学ガラス基板等の基板上にグレーティングを作製した
後、その上に導電性薄膜、第lの透明体Ji2I2、第
2の透明体層3を設けてもよい。
第2の透明体層3の上には、液晶層5を介して第2の電
極6を設ける。この電極θは、例えば光学ガラス上にI
TO等の透明導電性薄膜を形成したものを用いることに
よって構成することができる。この場合、液晶層5と第
2の電極6との間に第3の透明体層(図示せず)を挟ん
でもよい。
第2の透明体層3を伝搬する導波光7はグレーティング
4により放射され、その放射光8の放射角θ(基板表面
の法線10となす角)は次式で与えられる。
sinθ=N+q λ/A    −−−(1)(1)
式において、λはレーザー光の波長、Nは導波層の等価
屈折率、Aはグレーティング4のピッチ、qは結合次数
であり2ビーム結合の場合q=−1となる。
グレーティング4のピッチはサブミクロンオーダーの大
きさであり、このグレーティング4が液晶分子の配向保
持力となるので、透明体層3の表面近傍に於ける配向方
向はグレーティング4に沿った方向をとる。信号波発生
器10により得られる信号波は振幅変調器l1により振
幅変調され、その振幅変調信号が第1の電極1と第2の
電極6との間に加えられる。
この時の、振幅変調信号と、液晶の屈折率分布との関係
を第2図(a)〜(c)に示す。導波光7として、TE
モード、TMモードどちらを用いてもよいが、ここでは
TEモードを例にとり、また第2の透明体層3の屈折率
npが、nε<npの場合(niは、液晶層5の異常光
に対する屈折率)について説明する。
第2図(a)は、振幅変調信号の振幅が小さい時を示す
。液晶分子5Aの配向方向は、グレーティング4に沿っ
た方向である。導波光7は、グレーティング4に直交し
て(紙面に垂直な方向に)伝搬するので、TEモードの
導波光に対する液晶の屈折率は異常光に対する屈折率n
iに等しい。従って、法線方向(X軸方向)に沿った液
晶層5の屈折率分布はほぼ一様にn,となる。
第2図(b)は、振幅変調信号の振幅を大きくした場合
で液晶分子5Bの配向方向は、グレーティング4と直交
する法線方向(X軸方向)を向く。
ただし透明体層3表面近傍の液晶分子5Bはグレーティ
ング4による配向保持力が働き十分に法線方向を向いて
いない。
振幅変調信号の振幅を更に大きくしていくと、第2図(
C)に示す様に、透明体層3表面近傍の液晶分子5Cは
、更に法線方向に向き、noに収束していく。
このように、振幅変調信号を第1の電極1と第2の電極
6との間に加えると、液晶分子の配向状態が変わり、透
明体Jil3近傍の屈折率は変化する。
透明体層3近傍の屈折率が変化すると(1)式に示す等
価屈折率が変化し、放射角θを変えることができる。
第3図に、液晶層5の屈折率をnε= 1 .6 9、
第2の透明体層3の屈折率をn p =1 . 7 8
、この透明体層3の膜厚を0 . 4 ミ’ya冫、第
lの透明体層2の屈折率をns=1 .53とした時の
、導波光7の光エネルギー分布図を示す。
第3図の斜線部分は、エバネッセント光を示しており、
液晶の伝搬損失は通常20db/cm〜30db/cm
と非常に大きいため、できる限り液晶層5への浸み出し
光量(いわゆるエバネソセント光の光エネルギー)が小
さい方が望ましい。
従って、本構成では光エネルギーが液晶層5と第2の透
明体層3とに分散した分布をとるため、第6図(b)に
示したような従来構成と比べ、液晶による損失を大幅に
低減化することができる。
一般に、液晶の屈折率は1 .5<no<nE<1 .
8程度である。導波光7が透明体層3のみの導波モード
もしくは透明体層3と液晶層5の一部とを導波層とする
導波モードとなるためには,前記透明体層3の屈折率n
pはn0より大きくければならない。この透明体層3の
屈折率nFがno<nF<nEで振幅変調信号が小さい
時、導波光7が液晶層5のみを導波層とする導波モード
となる場合がある。
この時は液晶層5の屈折率の利用範囲が限定されてしま
い、光の偏向角変化が制限される。従って、偏向角変化
を増大するには透明体層3の屈折率nFをnt<rip
とした方がよい。
第4図に、透明体層3の屈折率がn F= 1 . 8
 0snF=2.00とした場合のそれぞれの液晶層内
エバネッセント光量と等価屈折率変化量の関係を示す。
縦軸は等価屈折率変化量、横軸はエバネッセント光量で
ある。エバネッセント光量は、導波光7の全光量をrl
Jで標準化している。
同図から明らかなように、同じエバネッセント光量に対
して、np”2.00よりもrlF= 1 .8 0の
方が等価屈折率変化量は大きい。すなわち、 (1)式
よりエパネッセント光量が同じ場合は透明体層3の屈折
率npが大きいほど、偏向角変化を大きくすることがで
きる。
従って、以上述べた2つの点、すなわちni<n,とし
た方が液晶の屈折率変化をすべて利用できる点、また屈
折率npが大きいほど損失を小さくできる点から、透明
体層3の屈折率npはn o < n p < n,と
するよりもnε<npとした方が有用であると言える。
本実施例では、透明体層3の導波モードがO次の場合に
ついて述べたが、■次モード、2次モードの場合につい
ても当てはまる。第5図にO次モ−ドと1次モードの、
等価屈折率変化と液晶層内エバネッセント光量の関係を
示す。これより同じエバネッセント光量の場合は、1次
モードよりO次モードの方が、等価屈折率変化を大きく
できることがわかる。従って、1次モードよりO次モー
ドを利用する方が液晶による損失の小さい良好な光偏向
素子が実現できる。
なお、上記実施例ではグレーティング4によって液晶を
配向する場合について述べたが、透明体MIs上に配向
膜等の液晶配向手段を付加してもよい。
発明の効果 以上本発明のように、導波光が第2の透明体層もしくは
第2の透明体層とこれに隣接する液晶層の一部とを伝搬
する構成とすることにより、損失の小さい光偏向素子を
実現できる。
また、第2の透明体層の屈折率が液晶の異常光の屈折率
よりも高い光偏向素子を用い、導波モードをO次モード
とすれば、更に損失の小さい光偏向素子を実現できる。
以上の効果により、本発明は実用的に極めて有効である
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光偏向素子の断面構
成図、第2図(a)〜(C)は本実施例における振幅変
調信号による配向方向の変化と法線方向の屈折率分布の
変化を示す説明図、第3図は光エネルギーの強度分布を
示す説明図、第4図及び第5図はエバネッセント光量と
等価屈折率変化量を示す説明図、第6図(a)(b)は
従来の光偏向素子の断面構成図W允エネルギーの強度分
布を示す説明図mである。 1・・・第1の電極、2・・・第1の透明体層、3・・
・第2の透明体層、4・・・グレーティング、5・・・
液晶層、θ・・・第2の電極、7・・・導波光、nE・
・・第2の透明体層の屈折率、nP・・・液晶層の異常
光に対する屈折率。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の電極と、この第1の電極上に直接もしくは
    第1の透明体層を挟んで形成された第2の透明体層と、
    この第2の透明体層上に設けられた液晶層と、この液晶
    層上に直接もしくは第3の透明体層を挟んで設けられた
    第2の電極とを有し、第1の電極もしくは第1の透明体
    層もしくは第2の透明体層上にグレーティングを設ける
    か、またはグレーティングが形成された基板上に第1の
    電極を設け、導波光が第2の透明体層もしくは第2の透
    明体層とこれに隣接する液晶層の一部とを伝搬するよう
    に構成したことを特徴とする光偏向素子。
  2. (2)第2の透明体層の屈折率が、液晶層の異常光の屈
    折率よりも高いことを特徴とする請求項1記載の光偏向
    素子。
  3. (3)導波モードが、0次モードであることを特徴とす
    る請求項1記載の光偏向素子。
JP1151785A 1989-06-14 1989-06-14 光偏向素子 Pending JPH0315831A (ja)

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