JPH02287441A - 光偏向素子 - Google Patents
光偏向素子Info
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- JPH02287441A JPH02287441A JP10931889A JP10931889A JPH02287441A JP H02287441 A JPH02287441 A JP H02287441A JP 10931889 A JP10931889 A JP 10931889A JP 10931889 A JP10931889 A JP 10931889A JP H02287441 A JPH02287441 A JP H02287441A
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- Japan
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- liquid crystal
- electrode
- waveguide layer
- grating
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光の方向を変化させる光偏向素子に関するもの
である。
である。
従来の技術
従来技術として、例えば特願昭83−198584号の
光偏向素子について説明する。
光偏向素子について説明する。
第2図は従来の光偏向素子の断面構成図を示すものであ
る。第2図に示すように、基板21上には導電性薄膜2
2、透明体層23を挟んで透明体層23よりも高屈折率
の導波層24が形成されている。導波層表面には電子線
ビーム露光、2光束干渉法等によってグレーティング2
4Gが形成されている。
る。第2図に示すように、基板21上には導電性薄膜2
2、透明体層23を挟んで透明体層23よりも高屈折率
の導波層24が形成されている。導波層表面には電子線
ビーム露光、2光束干渉法等によってグレーティング2
4Gが形成されている。
透明基板27の表面にはITO等の透明導電性薄1!2
Bが形成されており、液晶25を挟んで導波層24と密
着されている。導電性薄膜22と透明導電性薄膜26の
間に電圧信号を加え、電圧信号として、信号波発生器3
1により発生させた信号波を振幅変調器32によって振
幅変調した信号を用いる。
Bが形成されており、液晶25を挟んで導波層24と密
着されている。導電性薄膜22と透明導電性薄膜26の
間に電圧信号を加え、電圧信号として、信号波発生器3
1により発生させた信号波を振幅変調器32によって振
幅変調した信号を用いる。
振幅変調信号を加えることで、液晶層26の屈折率を変
化させ、グレーティング24Gによって導波層24から
放射される放射光29.29°の放射角θ(基板の法線
30となす角)を変化させるものである。
化させ、グレーティング24Gによって導波層24から
放射される放射光29.29°の放射角θ(基板の法線
30となす角)を変化させるものである。
なお、液晶の配向はグレーティング24Gによって行な
われ、液晶層25の液晶分子は、グレーティングに沿っ
た形で配向する。
われ、液晶層25の液晶分子は、グレーティングに沿っ
た形で配向する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来の光偏向素子においては
以下の課題があった。
以下の課題があった。
すなわち、グレーティングを用いた液晶の配向では、液
晶分子の大きさに対してグレーティングのピッチが非常
に大きいため十分な配向力を得ることが困難であった。
晶分子の大きさに対してグレーティングのピッチが非常
に大きいため十分な配向力を得ることが困難であった。
そのため、液晶分子の配向方向に乱れ等が生じ、導波光
、放射光の偏光杖態等が悪影響を受けるという課題があ
った。
、放射光の偏光杖態等が悪影響を受けるという課題があ
った。
また、グレーティングによる配向方法では、配向方向が
グレーティング方向に限定されるという欠点があった。
グレーティング方向に限定されるという欠点があった。
導波層上に液晶配向膜等を、付加すれば上記の2つの課
題は解決されるが構成上複雑になるという問題があった
。
題は解決されるが構成上複雑になるという問題があった
。
本発明はかかる課題に鑑み、簡単な構成で液晶分子の配
向を十分に行なうことができる光偏向素子を提供するこ
とを目的とする。
向を十分に行なうことができる光偏向素子を提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、第1の電極と、前記第1の電極上に直接もし
くは透明体層を挟んで形成された液晶配向機能を有する
導波層と、前記導波層上に設けられた液晶層と、前記液
晶層上に設けられた第2の電極と、前記第1の電極また
は前記透明体層または前記導波層にグレーティングを形
成した光偏向素子を用いることである。
くは透明体層を挟んで形成された液晶配向機能を有する
導波層と、前記導波層上に設けられた液晶層と、前記液
晶層上に設けられた第2の電極と、前記第1の電極また
は前記透明体層または前記導波層にグレーティングを形
成した光偏向素子を用いることである。
また、グレーティングを形成した基板と、基板上に形成
された第1の電極と、前記第1の電極上に直接もしくは
透明体層を挟んで形成された液晶配向機能を有する導波
層と、前記導波層上に設けられた液晶層と、前記液晶層
上に設けられた第2の電極を用いた光偏向素子を用いる
ことである。
された第1の電極と、前記第1の電極上に直接もしくは
透明体層を挟んで形成された液晶配向機能を有する導波
層と、前記導波層上に設けられた液晶層と、前記液晶層
上に設けられた第2の電極を用いた光偏向素子を用いる
ことである。
作用
本発明は、導波層として液晶配向機能を有したものを用
いることにより、簡単な構成で液晶分子の配向を十分に
行なうことができる。
いることにより、簡単な構成で液晶分子の配向を十分に
行なうことができる。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図(a)は本発明の一実施例における光偏向素子の
断面図を示す。第1図に示すように、第1の電極1上に
、透明体層2を形成する。第1の電極1としては、第1
図(b)に示すようにシリコンもしくは光学ガラス等の
基板12上にITO。
断面図を示す。第1図に示すように、第1の電極1上に
、透明体層2を形成する。第1の電極1としては、第1
図(b)に示すようにシリコンもしくは光学ガラス等の
基板12上にITO。
金属等の導電性薄11113を形成したものを用いるこ
ともできる。
ともできる。
透明体層2の上にはグレーティング2Gが形成されてい
る。透明体層2の上にはこれよりも屈折率の高い導波層
3を形成する。導波層3として例えばポリイミド等の配
向膜を用゛い、その上面をラビング等により配向処理を
施す。また、StO等を斜め蒸着で形成することで導波
層3とすることもでき、この時は薄膜形成と配向処理が
同時に行なわれることになる。
る。透明体層2の上にはこれよりも屈折率の高い導波層
3を形成する。導波層3として例えばポリイミド等の配
向膜を用゛い、その上面をラビング等により配向処理を
施す。また、StO等を斜め蒸着で形成することで導波
層3とすることもでき、この時は薄膜形成と配向処理が
同時に行なわれることになる。
これらの配向手段はグレーティングによる配向に比べ、
配向力が極めて強く液晶分子の配向方向の乱れが小さい
ため、導波光や放射光に与える悪影響も小さい。また、
配向方向も自由に設定することができる。
配向力が極めて強く液晶分子の配向方向の乱れが小さい
ため、導波光や放射光に与える悪影響も小さい。また、
配向方向も自由に設定することができる。
導波層3上には、液晶層4を介して第2の電極5を設け
る。第2の電極5は第1の電極1と同様光学ガラス等の
基板12上に透明導電性薄膜13を形成したものを用い
ても良い。
る。第2の電極5は第1の電極1と同様光学ガラス等の
基板12上に透明導電性薄膜13を形成したものを用い
ても良い。
このような構成の光偏向素子の導波層3に、光を導波さ
せるとグレーティング2Gによって放射光7.8が生じ
る。
せるとグレーティング2Gによって放射光7.8が生じ
る。
一般に、放射光7.8の放射角θ(基板表面の法線9と
なす角)は次式で与えられる。
なす角)は次式で与えられる。
sinθ=N+qλ/A −一−(1)λはレーザ
ー光の波長、Nは導波層の等偏屈折率、Aはグレーティ
ングのピッチ、qは結合次数であり2ビ一ム結合の場合
q=−1となる。
ー光の波長、Nは導波層の等偏屈折率、Aはグレーティ
ングのピッチ、qは結合次数であり2ビ一ム結合の場合
q=−1となる。
従って、信号発生器10により発生させた信号波を振幅
変調器11によって変調し、この変調信号を第1の電極
1と第2の電極5の間に加えることで、導波光に対する
液晶の屈折率を変え、これにより導波層の等偏屈折率N
を変化させて放射角θ(基板の法線となす角)を変える
ことができる。
変調器11によって変調し、この変調信号を第1の電極
1と第2の電極5の間に加えることで、導波光に対する
液晶の屈折率を変え、これにより導波層の等偏屈折率N
を変化させて放射角θ(基板の法線となす角)を変える
ことができる。
なお、本実施例における光偏向素子は、液晶層4と第2
の電極5の間に液晶配向膜等の配向手段を設けても良い
。
の電極5の間に液晶配向膜等の配向手段を設けても良い
。
また、本実施例ではグレーティングを、透明体層2の表
面に形成したが、第1の電極1に作成しても構わない。
面に形成したが、第1の電極1に作成しても構わない。
このように、導波層として、液晶配向機能を有したもの
を用いることにより、簡単な構成で、十分な配向力を有
した良好な光偏向素子が実現できる。
を用いることにより、簡単な構成で、十分な配向力を有
した良好な光偏向素子が実現できる。
発明の効果
本発明の光偏向素子は、導波層として液晶配向機能を有
したものを用いるため、簡単な構成で、液晶分子の配向
を十分に行えるという効果を有す
したものを用いるため、簡単な構成で、液晶分子の配向
を十分に行えるという効果を有す
第1図は本発明の一実施例における光偏向素子の断面図
、第2図は従来における光偏向素子の断面図である。 1・・・第1の電極、2.23・・・透明体層、2G1
24G・・・グレーティング、3.24・・・導波層、
4.25・・・液晶層、5・・・第2の電極、6.28
・・・導波光、7.8.29.29”・・・放射光、9
.30・・・法線、10,31・・・信号波発生器、1
1.32・・・振幅変調器、12.21.27・・・基
板、13.22・・・導電性薄膜、26・・・透明導電
性薄膜。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか18第 図 (α) 第2図 (b)
、第2図は従来における光偏向素子の断面図である。 1・・・第1の電極、2.23・・・透明体層、2G1
24G・・・グレーティング、3.24・・・導波層、
4.25・・・液晶層、5・・・第2の電極、6.28
・・・導波光、7.8.29.29”・・・放射光、9
.30・・・法線、10,31・・・信号波発生器、1
1.32・・・振幅変調器、12.21.27・・・基
板、13.22・・・導電性薄膜、26・・・透明導電
性薄膜。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか18第 図 (α) 第2図 (b)
Claims (2)
- (1)第1の電極と、前記第1の電極上に直接もしくは
透明体層を挟んで形成された液晶配向機能を有する導波
層と、前記導波層上に設けられた液晶層と、前記液晶層
上に設けられた第2の電極と、前記第1の電極または前
記透明体層または前記導波層にグレーティングが形成さ
れたことを特徴とする光偏向素子。 - (2)グレーティングが形成された基板と、その基板上
に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に直接も
しくは透明体層を挟んで形成された液晶配向機能を有す
る導波層と、前記導波層上に設けられた液晶層と、前記
液晶層上に設けられた第2の電極とを有することを特徴
とする光偏向素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10931889A JPH02287441A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光偏向素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10931889A JPH02287441A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光偏向素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02287441A true JPH02287441A (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14507180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10931889A Pending JPH02287441A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光偏向素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02287441A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008256999A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Institute Of Physical & Chemical Research | 光ヒューズ機能を有するスラブ型光導波路素子 |
US9791696B2 (en) | 2015-11-10 | 2017-10-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide gratings to improve intensity distributions |
US9915825B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-03-13 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguides with embedded components to improve intensity distributions |
WO2018072508A1 (zh) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其显示方法 |
US10359627B2 (en) | 2015-11-10 | 2019-07-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide coatings or substrates to improve intensity distributions having adjacent planar optical component separate from an input, output, or intermediate coupler |
WO2020211625A1 (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其显示方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP10931889A patent/JPH02287441A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008256999A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Institute Of Physical & Chemical Research | 光ヒューズ機能を有するスラブ型光導波路素子 |
US9791696B2 (en) | 2015-11-10 | 2017-10-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide gratings to improve intensity distributions |
US9915825B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-03-13 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguides with embedded components to improve intensity distributions |
US10359627B2 (en) | 2015-11-10 | 2019-07-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide coatings or substrates to improve intensity distributions having adjacent planar optical component separate from an input, output, or intermediate coupler |
WO2018072508A1 (zh) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其显示方法 |
US11126022B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-09-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device and display method thereof |
WO2020211625A1 (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其显示方法 |
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