JPH0886990A

JPH0886990A - 導波路型光制御素子

Info

Publication number: JPH0886990A
Application number: JP22054894A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Yasuda; 克己安田; Kenichi Inoue; 憲一井上; Yasuhiro Wasa; 泰宏和佐; Yuichiro Goto; 有一郎後藤; Satoshi Yamazaki; 敏山崎
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1994-09-14
Filing date: 1994-09-14
Publication date: 1996-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】導波路の形状を高精度で制御できて特性が安
定していると共に、導波光を幅方向に強く閉じこめるこ
とができて小型化及び集積化に適し、更に低電圧で大き
な屈折率変化が得られる導波路型光制御素子を提供す
る。【構成】基板１上に形成され基板１より屈折率が高い
高屈折率層２と、この高屈折率層２に設けられ光導波路
３を画定する溝４とを有する。この溝に導電体を埋め込
んで電極を形成し、この電極に電圧を印加して導波光の
分岐・合流又は変調を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光を使用した通信、計
測及び情報処理等に使用され、導波光の分岐、合流又は
変調等を行う導波路型光制御素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は、導波路型光制御素子の一種であ
る導波路型光変調器の一例を示す模式図である（西原、
春名及び栖原著，光集積回路，オーム社）。また、図１
０（ａ）は図９のＡ−Ａ線による断面図、図１０（ｂ）
は横軸にＡ−Ａ線に沿った位置をとり、縦軸に電界強度
をとって、両者の関係を示すグラフ図である。なお、図
１０（ｂ）において、実線は基板表面、破線は基板表面
から０．２ｇの表層下の位置、細線破線は基板表面から
０．６ｇの表層下の位置における電界強度である。但
し、このｇは図１０（ａ）に示すように、電極間隔であ
る。

【０００３】基板３１は強誘電体であるニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯ₃ ）結晶からなり、この基板３１の表面
には光導波路３２が例えば直線状に形成されている。ま
た、基板３１の表面上には、光導波路３２を挟む位置に
１対のプレーナ電極３３，３４が形成されている。

【０００４】光導波路３２は、例えばチタンの拡散によ
り形成される。即ち、フォトリソグラフィによりＬｉＮ
ｂＯ₃ 結晶基板３１上にチタン薄膜を所定のパターンで
形成し、その後加熱することにより、チタンを基板３１
の内部に拡散させて、基板３１より高屈折率の光導波路
３２を選択的に形成する。

【０００５】このように構成された導波路形光変調器に
おいては、電極３３，３４間に電圧を印加すると、電気
光学効果による屈折率変化が光導波路３２内に生じ、光
導波路３２内を伝搬する導波光の位相が変化する。即
ち、電極３３，３４間に所定の信号電圧を印加すること
により、導波光を位相変調させることができる。

【０００６】この変調器において、光導波路３２の部分
の屈折率変化Δｎは下記数式１で表される。

【０００７】

【数１】Δｎ＝Γ・（１／２）ｒｎ³（Ｖ／ｇ）但し、ｒは光導波路の電気光学定数、ｎは屈折率、Ｖは
電極間に印加する電圧、ｇは図１０（ａ）に示す電極間
隔である。また、Γは電圧印加により生じた電界と導波
光との重なりの大きさを表わす係数であり、下記数式２
で表される。

【０００８】

【数２】Γ＝∫ｆ（Ｚ，Ｘ）ｅ（Ｚ，Ｘ）ｄｚｄｘ／
｛∫ｅ²（Ｚ，Ｘ）ｄｚｄｘ｝但し、ｆ（Ｚ，Ｘ）は電圧印加による電界強度分布をＥ
₀ ＝Ｖ／ｇで規格化した値であり、ｅ（Ｚ，Ｘ）は導波
光の電界成分の強度分布である。

【０００９】このように基板上に光導波路を形成した光
制御素子においては、小型化及び駆動電圧の低減が実用
化のための大きな課題となっている。つまり、小型化に
より一つの基板上に多数の素子を集積した光集積回路の
集積度を向上させることができ、また駆動電圧の低減に
より動作の高速化及び駆動回路の簡素化等のメリットが
得られる。

【００１０】駆動電圧の低減のためには、可及的に低い
電圧で大きな屈折率変化を得ることが重要になる。即
ち、導波光の位相変化Δφは、光導波路の長手方向にお
ける電極の長さＬと屈折率の変化Δｎとの積に比例する
ため、低電圧で屈折率を大きく変化させることができれ
ば、素子の駆動電圧を低減することができる。また、こ
の場合は、電極の長さＬを短くして素子サイズを小さく
することもできるので、素子設計の自由度が大きくな
る。

【００１１】低電圧で大きな屈折率変化△ｎを得るため
には、数式１からわかるように、Γを大きくすればよ
い。また、数式２からわかるように、Γを大きくするた
めには、導波光の強度が大きな場所に強い印加電界が生
じるようにすればよい。

【００１２】一方、従来の光制御素子として、マッハ・
ツエンダー干渉系型の光強度変調器も公知である（特開
平４−２０４８１５号）。図１１（ａ）はこの光強度変
調器を示す斜視図、図１１（ｂ）はその断面図である。
ＬｉＮｂＯ₃ 結晶基板３５の表面にはチタン拡散導波路
がパターン形成されている。この導波路は、一端側から
入射した光を分岐角θで２方向に分配する入力用Ｙ分岐
導波路３６と、２方向からの光を合流して他端側から出
力する出力用Ｙ分岐導波路３９と、この両者の間を連結
する２本の直線状導波路３８とにより構成されている。

【００１３】基板３５の裏面側には、これらのチタン拡
散導波路に沿ってエッチングすることにより形成された
凹溝４０が設けられており、この凹溝４０の底面で導波
路の深さ方向の光の閉じこめを行うようになっている。
導波路３８の上面と凹溝４０の底面には、光導波路３８
を上下から挟むようにして平行平板電極４１，４２が形
成されている。この直線状導波路３８と電極４１，４２
とにより位相変調器（光変調部）３７が構成されてい
る。

【００１４】このように構成された光強度変調器におい
ては、導波光が入力用Ｙ分岐導波路３６の一端に入射さ
れると、導波光はこの導波路を伝搬し、２方向に分岐す
る。この分岐した導波光は導波路３８を伝達して夫々位
相変調器３７に入射する。そして、位相変調器３７の平
行平板電極４１，４２に電圧を印加すると、導波路の屈
折率が変化し、導波光の位相が変化する。この位相変調
器３７で変調された導波光は出力用Ｙ分岐導波路３９で
合流してその一端から出力される。

【００１５】この光強度変調器においては、位相変調器
３７の導波路上面と凹溝４０の底面とに光導波路３８を
挟むような平行平板電極４１，４２を形成しているた
め、数式２で表されるΓは１となり、駆動電圧を低減で
きる可能性がある。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光制御素子にはいずれも以下に示す問題点があ
る。即ち、図９，１０に示す光制御素子においては、光
導波路の特性を制御するためには、光導波路の断面形状
をサブミクロンオーダーで制御する必要がある。しか
し、従来の光制御素子においては、チタン薄膜の線幅及
び拡散条件のばらつきにより、光導波路の断面形状のば
らつきが発生しやすい。特に、拡散工程においては、基
板表面に垂直の方向（以下、深さ方向という）と、基板
表面に平行の光導波路の幅方向（以下、幅方向という）
とにチタンの拡散が起きるため、光導波路の断面形状の
制御が難しい。

【００１７】また、電極の問題点として、図１０（ｂ）
から明らかなように、導波路３２部分に生じる電界は基
板３１の表面でより強く、基板３１の内部になるに従い
弱くなっている。一方、導波光の強度は表面付近では殆
ど０であり、基板３１の表面からの深さが数μｍの位置
で最大となるため、Γが小さく、通常、０．３５以下程
度である。即ち、この従来の光制御素子は、電圧印加の
効率が悪い電極構造である。

【００１８】図１１に示す従来の光制御素子において
は、Ｙ分岐導波路３６では基板３５の面内で導波光の進
行方向を曲げる必要がある。しかし、チタン拡散による
屈折率の変化は高々１０^-3オーダーと小さいので、曲げ
角度を大きくすると、導波路から導波光が漏洩してしま
う。従って、この光制御素子は分岐角θを大きくするこ
とができないため、素子長が長くなってしまうという欠
点がある。

【００１９】また、導波路の深さ、即ち導波路表面と凹
溝４０の底面との間隔は通常数μｍから１０数μｍであ
るのに対し、基板の厚さは数１００μｍ以上であるの
で、数１００μｍ以上の深さのエッチングが必要にな
り、エッチング工程に長時間を要する。また、導波路の
深さ及び駆動電圧のばらつきを制御するためには、エッ
チングの深さをサブミクロンオーダーで制御する必要が
あるが、このような数１００μｍのエッチングをサブミ
クロンオーダーで制御することは極めて困難である。更
に、素子を実装するときに、凹溝部に機械的応力が集中
しやすい。このため、応力により屈折率変化が生じ、光
導波路の光学特性が不安定になるという問題点もある。

【００２０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、導波路の形状を高精度で制御できて特性が
安定していると共に、導波光を幅方向に強く閉じこめる
ことができて小型化及び集積化に適し、更に低電圧で大
きな屈折率変化が得られる導波路型光制御素子を提供す
ることを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本願の第１発明に係る導
波路型光制御素子は、基板上に形成され前記基板より屈
折率が高い高屈折率層と、この高屈折率層に設けられ光
導波路を画定する溝とを有することを特徴とする。

【００２２】本願の第２発明に係る導波路型光制御素子
は、基板上に形成された電気光学効果を有する光導波路
を介して、導波光の分岐、合流及び変調を行う導波路型
光制御素子において、前記基板上に形成され前記基板よ
り屈折率が高い高屈折率層と、この高屈折率層に設けら
れ前記光導波路を画定する溝と、この溝に導電体を埋め
込んで形成された電極とを有し、この電極に電圧を印加
して導波光の分岐・合流又は変調を行うことを特徴とす
る。

【００２３】本願の第３発明に係る導波路型光制御素子
は、電気光学効果を有する強誘電体基板と、この基板の
表面に選択的に不純物をドープして形成された光導波路
と、前記光導波路の両側に設けられた１対の溝と、この
溝に導電体を埋め込んで形成された電極とを有し、この
電極に電圧を印加して導波光の分岐、合流又は変調を行
うことを特徴とする。

【００２４】

【作用】本願の第１発明（請求項１）に係る導波路型光
制御素子においては、基板上に形成した高屈折率層に溝
を設けることにより光導波路が形成されている。この光
導波路を伝搬する導波光は、光導波路の深さ方向につい
ては高屈折率層と基板との界面により光導波路内に閉じ
こめられる。また、光導波路の幅方向には、導波光は前
記溝により光導波路内に閉じこめられる。即ち、導波光
は、高屈折率層の表面、高屈折率層と基板との界面及び
溝の側壁面により反射しながら、光導波路内を伝搬す
る。

【００２５】このように、本発明においては、深さ方向
と幅方向に光を閉じ込める作用を有する部分を別々の工
程で形成することができる。また、フォトリソグラフィ
及び不純物拡散条件等によらず光導波路の幅を高精度に
制御することができ、特性のばらつきが少ない光制御素
子を得ることができる。また、溝により導波光を幅方向
に強く閉じこめることができるので、光導波路の分岐及
び屈曲部における曲がり角度を大きくすることができの
で、小型で高集積化に適した光制御素子を得ることがで
きる。

【００２６】本願の第２発明（請求項２）に係る導波路
型光制御素子においては、上述の光導波路が規定する溝
内に導電体を埋め込んで電極が形成されている。

【００２７】従って、この電極は光導波路に垂直の平行
平板型の電極であるので、Г＝１となり、電極間に発生
する電界が効率よく光導波路に印加される。即ち、電圧
印加の効率が高く、低電圧で駆動することが可能であ
る。また、基板の一方の面側に電極を形成するので、深
いエッチングが不要であり、製造が容易であると共に、
電極の位置及び間隔を精密に制御することができる。

【００２８】本願の第３発明（請求項３）に係る導波路
型光制御素子においては、基板の表面に不純物を選択的
にドープすることにより光導波路が形成されているが、
本発明も第２発明と同様に溝を設け、この溝を導電体で
埋め込んで電極が形成されている。従って、本発明も上
述の第２発明の場合と同様に、１対の電極が相互に対向
した状態となるので、電圧印加の効率が高く、低電圧で
駆動することが可能である。

【００２９】なお、前記溝の側壁面と電極との間に前記
高屈折率層よりも屈折率が低い誘電体膜からなるバッフ
ァ層を設けておくことにより、電極形成材料による光の
吸収を確実に回避できる。

【００３０】

【実施例】次に、本発明の実施例について、添付の図面
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例に係
る導波路型光制御素子を示す斜視図である。なお、本実
施例は、本発明を光強度変調器に応用した例である。

【００３１】Ｘ板ＬｉＮｂＯ₃ 基板１上には基板１の表
面にチタンを拡散して形成された高屈折率層２が形成さ
れている。なお、このＸ板とは、ＬｉＮｂＯ₃の結晶軸
（Ｘ，Ｙ，Ｚ）のうち、Ｘ軸が基板表面に垂直になるよ
うに切り出した基板鋸とである。また、この高屈折率層
２にはその上面から基板１に到達する溝４が設けられて
いる。この溝４は、２本が１対となり並行して延び、こ
の１対の溝４の間の高屈折率層２の部分により光導波路
３が構成されている。光導波路３は、入力用Ｙ分岐導波
路５と、この入力用Ｙ分岐導波路５の２つの出力部に夫
々接続され相互に平行に配置された光導波路７と、この
光導波路７からの光を合流して出力する出力用Ｙ分岐導
波路６とにより構成されている。

【００３２】一対の光導波路７においては、それらの両
側の溝４に導電材料を埋め込んで形成された電極１２
（図６参照）が設けられている。この電極１２には、パ
ッド電極１３が接続されて光屈折率の層２上に形成され
ている。そして、光導波路７と電極１２により位相変調
器が構成されている。

【００３３】図２乃至図６は、本実施例に係る光制御素
子の製造方法を工程順に示す断面図である。先ず、図２
に示すように、ＬｉＮｂＯ₃ 基板１の上にチタン膜（図
示せず）を蒸着し、その後、このチタン膜から基板１の
表面にチタンを熱拡散させて、高屈折率層２を形成す
る。この場合、チタン膜は基板の全面に蒸着するだけで
よく、線状のパターンを形成するためのフォトリソグラ
フィ工程等は必要でない。次いで、そして、この高屈折
率層２上に溝４の形成領域が開口したマスク膜９を形成
する。

【００３４】次に、図３に示すように、このマスク９を
利用して集束イオンビーム１０によるエッチングによ
り、光屈折率層２を通過して基板１に到達する溝４を形
成する。次に、図４に示すように、全面に金属を蒸着
することにより、マスク膜９の上に金属膜１１を形成す
ると共に、１対の溝４の中にも金属を埋め込み、金属電
極１２を形成する。

【００３５】次に、図５に示すように、不要なマスク膜
９及びマスク膜９上に金属膜１１を除去する。このよう
にして、深さ方向には高屈折率層２の表面及び高屈折率
層２と基板１との境界面に挟まれ、幅方向には１対の溝
４の側壁により閉じ込められた光導波路３が形成され
る。次いで、図６に示すように、高屈折率層２上に電極
１２に接続されたパッド電極１３を形成する。金属電極
１２は溝４内埋め込まれた平行平板電極となる。

【００３６】次に、このように構成された導波路型光制
御素子の動作について説明する。入力用Ｙ分岐導波路５
に導波光が入射すると、導波光は下方では高屈折率層２
より屈折率が低い基板１との境界面で反射され、上方で
は高屈折率層２の表面で反射される。また、幅方向にお
いては、溝４の壁面で屈折率が変化しているため、入射
した導波光は溝４の壁面で反射される。これにより、導
波光は深さ方向及び幅方向に光導波路内に閉じ込められ
る。このようにして、１対の溝及び高屈折率層２の上面
及び下面で囲まれた導波路５を導波光が伝搬する。そし
て、分岐導波路５の分岐部分で導波光は２方向に曲げら
れて分岐される。この場合に、導波路５において、導波
光は水平方向には溝４により強く閉じこめられているた
め、曲げる角度を大きくしても導波光の漏洩は生じな
い。即ち、従来のチタン拡散により形成する導波路とそ
の周りの領域との屈折率の変化は高々１０^-3オーダーと
小さいが、本実施例においてはその差が大きいので、導
波光の漏洩が生じにくい。

【００３７】そして、導波光は夫々位相変調器８の導波
路７に伝搬する。この場合に、位相変調器８のパッド電
極１３に電圧を印加すると、導波路７に電界が印加さ
れ、その屈折率が変化する。その結果、一対の位相変調
器８を伝搬する導波光が夫々位相変調される。次いで、
位相変調器８により位相変調された導波光は、出力用Ｙ
分岐導波路６において合流して出力される。この場合
に、本実施例においては、導波路７に対し平行平板電極
１２により電界を印加するため、電圧印加効率が高い。
従って、低電圧で大きな屈折率変化が得られる。また、
この場合に、電極１２の深さ方向の幅は溝４の深さで決
まり、電極１２の深さ方向の幅が高屈折率層２の厚さよ
り大きければ、導波路７に印加される電界は一定である
ため、溝４の深さの形成許容誤差は比較的大きくとるこ
とができる。

【００３８】図７は、本発明の第２の実施例に係る導波
路型光制御素子の断面図である。ＬｉＮｂＯ₃ 基板１５
上に高屈折率層１６が形成されており、この高屈折率層
１６には１対の溝１７が設けられている。この溝１７の
壁面及び底面には高屈折率層１６より低屈折率のバッフ
ァ層１８が形成されている。このバッファ層１８として
はＳｉＯ₂ 等の誘電体膜が薄く蒸着されて形成されてい
る。また、このバッファ層１８の内側に金属電極１９が
形成されている。このようにして、高屈折率層１６の上
面及び下面並びに１対のバッファ層１８により囲まれた
領域が光導波路２０になる。

【００３９】第１の実施例においては、位相変調器８の
導波路は金属の電極１２が側壁を兼ねていたため、導波
光のモードによっては金属による吸収が生じ光パワーの
減衰が問題となる場合がある。一方、本実施例において
は導波路２０の側壁は、高屈折率層１６と低屈折率のバ
ッファ層１８との境界面であり、導波光が金属電極１９
により吸収されて光パワーが減衰するということがな
い。また、電極材料としてＩＴＯ等の透明導電体を使用
しても同様の効果を奏する。

【００４０】図８は本発明の第３の実施例に係る導波路
型光制御素子を示す断面図である。ＬｉＮｂＯ₃ 基板２
１の表面には、その所定領域に線状パターンにチタンを
拡散することにより形成された光導波路２２が設けられ
ている。そして、位相変調器部分においては、光導波路
２２の両側に溝が設けられ、この溝内に電極２３が埋設
されている。

【００４１】次に、このように構成された導波路型光制
御素子の動作について説明する。基板２１表面に形成さ
れた導波路２２を導波光が伝搬し、その導波路２２の形
状に従って、導波光は分岐及び合流する。そして、位相
変調器の光導波路２２の両側には平行平板電極２３が形
成されており、この電極２３に印加する電圧により導波
路２２に電界が印加されその屈折率が変化する。その結
果、導波路２２を伝搬する導波光の位相が変調される。

【００４２】このように構成された導波路型光制御素子
においては、電極を形成する部分にのみ溝を形成すれば
良く、光集積回路等のように基板上に複雑な導波路パタ
ーンを形成する必要がある場合にも、全ての導波路２２
の側面に溝を形成するという必要がないため、製造に要
する時間を短縮できる。また、光導波路２２に対し、平
行平板電極２３により電界を印加するので、従来の電極
構造よりも電圧印加効率が高く、低電圧で高い屈折率変
化が得られる。その結果、集積度の向上等に対しても十
分効果的である。

【００４３】なお、ＬｉＮｂＯ₃ 基板上への光導波路の
形成方法としては、チタン拡散法の他、プロトン交換法
等もよく使用されるが、これらについても本発明を適用
することができる。

【００４４】また、光導波路の材料は、電気光学効果を
有する材料であれば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ
₃ ）等の他の強誘電体結晶及び有機結晶を使用すること
ができる。

【００４５】更に、光制御素子の例として光変調器につ
いて説明したが、光スイッチ、光フィルタ及びモード変
換器等の電気光学効果を使用する全ての素子に本発明を
適用することができる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本願第１発明によ
れば、基板上に形成した高屈折率層と、この高屈折率層
に形成された溝とにより導波路が形成されているため、
導波路の断面形状を高精度に且つ容易に制御することが
でき、特性が安定していると共に、導波光を導波路幅方
向に強く閉じこめることができて、導波路の分岐及び曲
がりの角度を大きくとることができ、小型化及び集積化
が可能な導波路型光制御素子を得ることができる。

【００４７】本願第２発明によれば、上記効果に加え、
更に、前記溝内に電極が形成されており、この電極に電
圧を印加して導波光の変調を行うので、電圧の印加効率
が高く、低電圧で高い屈折率変化が得られると共に、基
板の表側に電極を形成するので電極の位置及び間隔を精
密に制御することができ、深さ方向への電極の形成許容
誤差も大きい。

【００４８】本願第３発明によれば、電気光学効果を有
する強誘電体基板の表面に不純物をドープして光導波路
を形成し、前記光導波路の両側に設けられた溝に導電体
を埋め込んで電極を形成しているので、電圧の印加効率
が高く、低電圧で高い屈折率変化が得られると共に、位
相変調を行う部分のみに溝を形成し電極を形成すればよ
いため製造が容易であり、電極の位置及び間隔を精密に
制御することができ、電極の幅は製造許容誤差が大き
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る導波路型光制御素
子を示す斜視図である。

【図２】同じくその導波路型光制御素子の一部の製造方
法における一工程を示す断面図である。

【図３】同じくその製造方法の他の工程を示す断面図で
ある。

【図４】同じくその製造方法の更に他の工程を示す断面
図である。

【図５】同じくその製造方法の更に他の工程を示す断面
図である。

【図６】同じくその製造方法の更に他の工程を示す断面
図である。

【図７】本発明の第２の実施例に係る導波路型光制御素
子を示す断面図である。

【図８】本発明の第３の実施例に係る導波路型光制御素
子を示す断面図である。

【図９】従来の導波路型光変調器を示す斜視図である。

【図１０】同じくそのＡ−Ａ線による断面図である。

【図１１】同じくそのＡ−Ａ線による位置と電界強度と
の関係を示すグラフ図である。

【符号の説明】

１，１５，２１；ＬｉＮｂＯ₃ 基板２，１６；高屈折率層３，２０，２２，３２，３８；光導波路４，１７；溝５，３６；入力用Ｙ分岐導波路６，３９；出力用Ｙ分岐導波路７，８，３７；位相変調器９；マスク膜１０；集束イオンビーム１１；金属膜１２，１９；金属電極１３；パッド電極１８；バッファ層３１；ニオブ酸リチウム結晶基板３３，３４；プレーナ電極３５；ＬｉＮｂＯ₃ 結晶基板４０；凹溝４１，４２；平行平板電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者後藤有一郎兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者山崎敏兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成され前記基板より屈折率が
高い高屈折率層と、この高屈折率層に設けられ光導波路
を画定する溝とを有することを特徴とする導波路型光制
御素子。
【請求項２】基板上に形成された電気光学効果を有す
る光導波路を介して、導波光の分岐、合流及び変調を行
う導波路型光制御素子において、前記基板上に形成され
前記基板より屈折率が高い高屈折率層と、この高屈折率
層に設けられ前記光導波路を画定する溝と、この溝に導
電体を埋め込んで形成された電極とを有し、この電極に
電圧を印加して導波光の分岐・合流又は変調を行うこと
を特徴とする導波路型光制御素子。
【請求項３】電気光学効果を有する強誘電体基板と、
この基板の表面に選択的に不純物をドープして形成され
た光導波路と、前記光導波路の両側に設けられた１対の
溝と、この溝に導電体を埋め込んで形成された電極とを
有し、この電極に電圧を印加して導波光の分岐、合流又
は変調を行うことを特徴とする導波路型光制御素子。
【請求項４】前記溝の壁面には前記高屈折率層より屈
折率が低い誘電体膜からなるバッファ層が設けられてい
ることを特徴とする請求項２又は３に記載の導波路型光
制御素子。