CN216411633U - 光波导元件及使用光波导元件的光调制器件和光发送装置 - Google Patents

光波导元件及使用光波导元件的光调制器件和光发送装置 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供一种光波导元件及使用光波导元件的光调制器件和光发送装置，该光波导元件抑制偏振旋转。光波导元件具有基板(10)和配置在该基板上的光波导(2)，其特征在于，该光波导具有有效折射率变化部，该有效折射率变化部是与在该光波导中传播的光波的偏振面平行的基模A下的该光波导的有效折射率随着该光波的传播而变化的部分，在该有效折射率变化部中，该光波导的与该光波的传播方向垂直的截面形状是如下的截面形状：基模A下的该光波导的有效折射率比与该基模A垂直的其他的基模B下的该光波导的有效折射率高。

Description

光波导元件及使用光波导元件的光调制器件和光发送装置
技术领域
本实用新型涉及光波导元件及使用其的光调制器件以及光发送装置，尤其是涉及具有基板和配置在该基板上的光波导且与在该光波导中传播的光波的特定的基模相关的有效折射率发生变化的光波导元件。
背景技术
在光测量技术领域、光通信技术领域中，大多使用光调制器等使用了形成有光波导的基板的光波导元件。近年来，要求光调制器等的小型化，作为其解决方案之一，如图1所示，提出了如下方案，将形成于光波导元件的光波导2的一部分弯曲90度以上，如图1的(a)所示，将光的入射方向和出射方向弯曲90度，或者如图1的(b)所示，将光的入射方向和出射方向弯曲180度。
为了弯曲光波导，需要加强光限制，如专利文献1、图2所示，利用肋形光波导。图2是图1的(a)的虚线A-A’处的剖视图。波导层1极薄，只有几μm左右的厚度。在图2中，波导层1由在薄膜部分101突出的肋形部分102构成。
图2这样的肋形光波导具有光限制强，即使是小的弯曲半径的光波导也能够以低损失进行传播的优点。但是，波导层的材料使用铌酸锂(LN)等具有电光效应的材料，广泛使用根据图2所示的轴(X、Y、或Z轴)而折射率不同的各向异性材料。
因此，在光波在光波导传播时，容易产生偏振旋转。即，图2的TE模旋转，TE模转移到TM模。由此，除了转换为与输入的光正交的模式而造成损失之外，还会导致调制效率的下降、波长分散、偏振间串扰等各种特性劣化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-129834号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的课题
本实用新型所要解决的课题是提供一种解决上述的问题并抑制偏振旋转的光波导元件。进而，提供一种使用该光波导元件的光调制器件以及光发送装置。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述课题，本实用新型的光波导元件及使用其的光调制器件以及光发送装置具有以下的技术特征。
(1)一种光波导元件，具有基板和配置在该基板上的光波导，其特征在于，该光波导具有有效折射率变化部，该有效折射率变化部是与在该光波导中传播的光波的偏振面平行的基模A下的该光波导的有效折射率随着该光波的传播而变化的部分，在该有效折射率变化部中，该光波导的与该光波的传播方向垂直的截面形状是如下的截面形状：基模A下的该光波导的有效折射率比与该基模A垂直的其他的基模B下的该光波导的有效折射率高。
(2)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，在整个该有效折射率变化部，满足与该基模A和该基模B相关的各有效折射率的高低关系。
(3)根据上述(1)或(2)所述的光波导元件，其特征在于，在该基板上配置有由具有电光效应的材料形成的波导层，该光波导是设置于该波导层的肋形光波导，在该波导层上形成有向该肋形光波导施加电场的电极，该基模A是对于在该光波导中传播的光波，基于该电极的电光效应较高的基模。
(4)根据上述(1)至(3)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，该光波导在至少一个连续的光波导内具有光波的传播方向相差90度以上的部分。
(5)根据上述(1)至(4)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，该光波导的该有效折射率变化部的截面形状为，与该基模B平行的方向的该光波导的厚度为在该光波导中传播的光波的波长的0.45倍以下。
(6)根据上述(1)至(5)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，该光波导的该有效折射率变化部的截面形状为，与该基模A平行的方向的该光波导的厚度大于与该基模B平行的方向的该光波导的厚度。
(7)根据上述(1)至(6)中任一项所述的光波导元件中，其特征在于，该基板的折射率为形成该光波导的波导层的折射率的0.8倍以下。
(8)根据上述(1)至(6)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，在形成该光波导的波导层的与该基板相反的一侧配置有低折射率层，该低折射率层的折射率为该波导层的折射率的0.8倍以下。
(9)根据上述(1)至(8)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，形成该光波导的波导层由与该基板接触的厚度薄的薄膜部分和从该薄膜部分突出的肋部分构成，该薄膜部分的厚度为该波导层整体的厚度的0.7倍以下。
(10)根据上述(9)所述的光波导元件，其特征在于，在该肋部分的两侧，在该薄膜部分形成有槽。
(11)根据上述(1)至(10)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，该光波导为肋形光波导，该肋形光波导的侧面相对于该基板与形成该光波导的波导层之间的接触面所成的角度为50度以上。
(12)根据上述(1)至(11)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，该光波导具有弯曲部，最小弯曲半径为300μm以下。
(13)根据上述(1)至(12)中任一项所述的光波导元件，其特征在于，向该光波导施加电场的该电极以夹着该光波导的方式配置于该光波导的横侧。
(14)一种光调制器件，其特征在于，该光调制器件使用上述(1)至(13)中任一项所述的光波导元件，将该光波导元件收容在壳体内，并具备相对于该光波导输入或输出光波的光纤。
(15)根据上述(14)所述的光调制器件，其特征在于，所述光调制器件在该壳体的内部具有对输入该光波导元件的调制信号进行放大的电子电路。
(16)一种光发送装置，其特征在于，具有：上述(14)或(15)所述的光调制器件；及电子电路，输出使该光调制器件进行调制动作的调制信号。
实用新型效果
本实用新型能够提供如下的光波导元件，该光波导元件具有基板和配置在该基板上的光波导，其中，该光波导具有有效折射率变化部，该有效折射率变化部是与在该光波导中传播的光波的偏振面平行的基模A下的该光波导的有效折射率随着该光波的传播而变化的部分，在该有效折射率变化部中，该光波导的与该光波的传播方向垂直的截面形状是如下的截面形状：基模A下的该光波导的有效折射率比与该基模A垂直的其他的基模B下的该光波导的有效折射率高，因此，抑制了基模A偏振旋转并转移到基模B，抑制了偏振旋转。
附图说明
图1是表示将以往的光波导元件的光波导弯曲的示例的图，(a)是弯曲90度的图，(b)是弯曲180度的图。
图2是表示图1的虚线A-A’处的剖视图的图。
图3是表示本实用新型的肋形光波导的截面形状的一例的图。
图4是表示有效折射率相对于肋形光波导中的波导层的厚度的变化的图表。
图5是表示在波导层的上侧配置低折射率层并且以两层形成波导层的下侧的基板的示例的图。
图6是表示在波导层的上侧配置低折射率膜的示例的图。
图7是表示在波导层中将肋部分的侧面的薄膜部分的厚度设定得更薄的示例的图。
图8是表示能够适用于本实用新型的光波导元件的光波导图案和信号电极等的配置的图。
图9是集成了多个马赫-曾德尔型光波导的示例的图。
图10是表示图8的(a)的虚线B-B’处的剖视图的图。
图11是说明光波导的弯曲方法的图，(a)是以一定的曲率弯曲的图，(b)是由2处以小的曲率弯曲的部分和1个直线部分构成的图，(c)是由3处以小的曲率弯曲的部分和2个直线部分构成的图。
图12是说明本实用新型的光调制器件及光发送装置的俯视图。
标号说明
1 波导层
2 光波导
10 基板
MD 光调制器件
OTA 光发送装置
具体实施方式
以下，使用优选例对本实用新型的光波导元件进行详细说明。
如图3所示，本实用新型的光波导元件是具有基板10和配置在该基板上的光波导2的光波导元件，其特征在于，该光波导具有有效折射率变化部，该有效折射率变化部是与在该光波导中传播的光波的偏振面平行的基模A下的该光波导的有效折射率随着该光波的传播而变化的部分，在该有效折射率变化部中，该光波导的与该光波的传播方向垂直的截面形状是如下的截面形状：基模A下的该光波导的有效折射率比与该基模A垂直的其他的基模B下的该光波导的有效折射率高。
作为本实用新型的光波导元件中使用的波导层1的材料，可以利用具有电光效应的强介电体材料，具体而言，可以利用铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、PLZT(锆钛酸铅镧)等的基板、由这些材料形成的外延膜等。另外，半导体材料、有机材料等各种材料也可以用作光波导元件的基板。特别是，在使用根据轴而折射率不同的各向异性材料的情况下，本实用新型能够适当地应用。
本实用新型中使用的波导层的厚度是几μm左右的极薄的厚度，有对LN等结晶基板进行机械研磨而薄板化的方法、或使用LN等的外延膜的方法。在外延膜的情况下，例如，如专利文献1所示，结合SiO2基板、蓝宝石单晶基板、单晶硅基板等单晶基板的晶体取向，用溅射法、CVD法、溶胶凝胶法等形成外延膜。
由于波导层的厚度薄，因此为了提高光波导元件的机械强度，在波导层1的背面侧配置基板10。基板优选为如SiO2基板等那样折射率比波导层低的材料，也可以是如SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)那样在高折射率的基板的波导层侧的表面形成有低介电常数层的基板。也可以在基板10上直接接合波导层，或者将基板10用作晶体生长的基座，并设置外延膜的波导层。而且，基板10可以由单体构成，但也可以如后述那样使用由多层构成的基板。也有经由树脂等的粘接层粘贴LN基板等板状体的方法。此时，粘接层和板状体起到基板10的作用。
构成光波导的肋形的突起的形成方法可以通过对波导层进行干蚀刻或湿蚀刻来形成。另外，为了提高肋部的折射率，也可以并用在肋部的位置热扩散Ti等高折射率材料的方法。
虽然在图2中没有示出，但后述的向光波导施加电场的电极可以通过电镀法在基板或波导层之上形成Au等金属。根据需要，也可以形成Ti、Au等基底电极，在其上通过电镀法进行层叠。基底电极的图案化可以利用使用了光致抗蚀剂等的图案化方法。
本实用新型的光波导元件的特征在于，光波导具有有效折射率变化部，该有效折射率变化部是与在该光波导中传播的光波的偏振面平行的基模A下的该光波导的有效折射率随着该光波的传播而变化的部分。而且，在该有效折射率变化部中，以基模A下的该光波导的有效折射率比与该基模A垂直的其他的基模B下的该光波导的有效折射率高的方式，设定该光波导的与该光波的传播方向的垂直的截面形状。
对“在光波导中传播的光波的偏振面”的含义进行说明。在光波导元件中，一般利用光波的特定偏振面。这是因为，根据光波导自身的形状、结构，另外，根据向光波导施加电场的状态，存在若光波的偏振面不同则折射率也不同的情况，因此一般进行选择并利用特定的偏振面的光波。在本实用新型中，着眼于具有该被选择的特定的偏振面的光波，如上述那样表现该光波的“偏振面”。
所谓“基模”，相当于图2所示的“TE模”和“TM模”。在一方的“基模A”为TE模的情况下，另一方的“基模B”为TM模。另外，在利用LN等具有电光效应的导电层1的情况下，在向图3的Z轴方向施加电场的情况下，利用X切割的LN，所选择的光波的偏振面为Z轴方向，TE模成为“基模A”。该情况下的TE模也是电光效应更高的基模。
所谓“有效折射率变化部”，关于“基模A”，表示光波导的有效折射率发生变化的部分，具体而言，是指在光波的传播方向上折射率不同的各向异性材料中，光波的传播方向变化的部分，或由于光波导的形状而折射率变化，因此在光波的传播途中光波导的形状变化的部分等。例如，在将X切割的LN用于波导层1的情况下，从朝向图3的Y方向的光波导2自Y方向向Z方向开始改变角度的部分到最后返回Y方向为止的光波导的范围相当于该“有效折射率变化部”。另外，在图3的光波导2的宽度W朝向光波的传播方向逐渐变化的所谓的形成锥状的情况下也是同样的。
在本实用新型的光波导元件中，在该有效折射率变化部分中，由于设定为基模A下的光波导的有效折射率比基模B下的光波导的有效折射率高，因此基模A转移到基模B的偏振旋转被抑制。当然，希望在整个有效折射率变化部，维持基模A与B之间的折射率的高低关系。但是，即使在有效折射率变化部的一部分产生两者的折射率的反转，只要在最终从有效折射率变化部的一端射出光波时，抑制了基模A转移到基模B，则作为本实用新型是被允许的。
如图3所示，光波导的构成有效折射率变化部的截面形状通过设定肋形光波导的宽度W、高度(t1或t1-t2)来调整有效折射率。此外，根据需要，也可以使在波导层1内扩散的高折射率材料局部变化。
在波导层1使用具有电光效应的材料的情况下，向肋形光波导施加电场的电极形成波导层的一部分，本实用新型的“基模A”为对于在光波导中传播的光波，基于电极的电光效应较高的基模。例如，在波导层1为X切割的LN的情况下，为TE模，在为Z切割的LN的情况下，成为TM模。
图3的波导层1是X切割的LN或LT等的晶体。图中的XYZ的箭头表示结晶轴，X轴方向配置在上下方向，Z轴配置在左右方向。在LN晶体中，Z轴方向的折射率为2.138，X轴或Y轴方向的折射率为2.211。而且，电光效应高的轴方向为Z轴方向，即，为图3的左右方向。向光波导施加电场的电极夹着光波导(肋部分102)左右配置。Z轴方向的基模是图2那样的TE模为基模。
与此相对，图3的电光效应低的轴方向为X轴方向，在此形成的基模成为图2那样的TM模。TE模或TM模的有效折射率受到图3的肋形光波导的高度(波导层的高度)t1或宽度W的影响。因此，例如，通过控制图3那样的肋形光波导的波导层的膜厚(t1)，能够抑制从TE模向TM模的转换。
图4是研究了有效折射率相对于波导层的厚度的变化的图，基板(下部包层)使用SiO2(折射率n2＝1.44)，波导层1使用X切割的铌酸锂(LN)(折射率n1＝2.138(Z轴)/2.211(X、Y轴))，上部包层使用空气(折射率n3＝1)的3层平板波导。而且，图4表示TE模和TM模的各基模的分散曲线(光的波长λ＝1.55μm)。
图4的横轴表示波导层的厚度t1，纵轴表示光波的每个传播轴的有效折射率。作为光波的传播轴，示出Y轴方向的传播(Y传播)、Z轴方向的传播(Z传播)、Y轴与Z轴的中间方向(45°传播)，并示出各传播轴的TE模下的有效折射率。另外，TM模下的有效折射率也一并示于图4。
一般来说，随着波导层的厚度t1减少，有效折射率也降低。图4的特征部分是TE模和TM模的各有效折射率在t1＝0.7μm附近反转。特别是，在Y传播和45°传播中，TE模和TM模产生有效折射率的关系反转的区域。
电磁波能够从传播速度快的(有效折射率低的)模式向传播速度慢的(有效折射率高的)模式耦合，但无法从慢的模式向快的模式耦合。因此，在比0.7μm厚的区域中，根据传播方向，TM模的有效折射率比TE模高，在这种情况下，意味着容易从TE模转移到TM模。即，作为基模的TE模偏振旋转。
与此相对，如果是比0.7μm薄的区域，则无论在哪个传播方向，TE模的有效折射率都比TM模高，因此TE模不能与TM模耦合。输入到使用X切割的LN的光调制器中，一般是电光效应更强力地发挥作用的TE模，因此如果波导层比0.7μm薄且有具有充分的光限制强度的光波导的宽度，则能够抑制从TE模向TM模的不必要的偏振旋转。
在图4中，说明了在波导层中使用X切割的LN的示例，但如果是以TE模动作的器件，则通过不依赖于波导层的材料而同样地控制波导层的厚度，就能够抑制偏振旋转。
由图4可知，Z传播的TE模的有效折射率与TM模相比，始终处于高的位置。即，在光波仅向Z轴方向这一个方向传播时，尤其不发生TE模的偏振旋转。但是，如Z传播和Y传播那样，在一个连续的光波导内，在光波的传播方向有变化的情况下，在有效折射率反转的区域发生偏振旋转。如图1所示，本实用新型对于光波导弯曲90度以上的光波导元件，可以更合适地应用。
另外，光波的波长λ不限于λ＝1.55μm，即使在其附近、例如C-Band(1.52～1.57μm)、L-Band(1.57～1.61μm)，当将波导基板厚度相对于波长归一化时，分散曲线也显示出大致相同的倾向。而且，图4的0.7μm的波导层的厚度(t1)以光波的波长λ＝1.55μm为基准时，为约0.45倍。即，可以理解为，与电光效应较低的基模(TM模)平行的方向的光波导的厚度(图3的t1)优选为在光波导中传播的光波的波长的0.45倍以下。
优选地，对图3所示的光波导的截面形状而言，与电光效应较高的基模(TE模，附图的左右方向)平行的方向的光波导的厚度(宽度W)比与电光效应较低的基模(TM模，附图的上下方向)平行的方向的光波导的厚度(高度t1)大。如果肋部分的宽度(W)扩宽，则TE模的有效折射率进一步相对地变高，模式间的有效折射率之差变大，因此更有效地抑制偏振旋转的发生。
图3的光波导2在波导层(芯)2的下侧配置有成为包层的基板10。基板10的折射率n2优选为波导层的折射率n1的0.8倍以下。这是因为，包层部的折射率越小，则TM模的有效折射率相对越低，模式间的有效折射率之差变大。
如图5所示，在波导层1的上侧作为上部包层配置低折射率层11的情况下，也同样地，该低折射率层11的折射率n3优选为波导层1的折射率n1的0.8倍以下。另外，即使在用相对于光的波长透明的材料(SiO2、树脂等)覆盖上部包层11的情况下，或使用在下部包层的折射率(n2)与实施例不同的材料(n2<1.7)，分散曲线的关系也显示出与图4大致相同的倾向。另外，如图5所示，下部包层也可以不是单体的基板，而是由波导层1与基板13的中间层12来承担。在该情况下，也可以对基板选择具有比波导层高的折射率的材料。例如，可以进行中间层为SiO2、基板为Si这样的组合。
另外，如图6所示，为了波导表面的平滑化等，也可以用薄膜14覆盖表面。作为薄膜14的材料，可以使用SiO2等。
如图3所示，对光波导的截面形状而言，作为一例，波导层1由与基板10接触的厚度薄的薄膜部分(平板部分)101和从薄膜部分突出的肋部分102构成。薄膜部分的厚度(t2)优选为波导层(1)整体的厚度(t1)的0.7倍以下。根据情况，也可以没有薄膜部分。薄膜部分101越薄，则肋部分的光限制越强，除了能够抑制弯曲处的光的漏出，还能够抑制电极作用部的光的吸收。
而且，如图7所示，在肋部分102的两侧，优选在薄膜部分101形成有槽15。这也具有加强肋部分的光限制的效果。
图3的肋形光波导的侧面相对于基板10与波导层1之间的接触面所成的角度θ优选避开容易发生偏振旋转的45度而为50度以上。更理想的是，优选角度θ更接近90度。这是因为，角度θ接近90度时，更难以发生弯曲波导处的偏振旋转。
图8是具备各种图案的光波导的光波导元件的示例。在图8的(a)中，作为电极，示出信号电极S和接地电极(G1、G2)，在图8的(b)～(d)中，仅示出信号电极。另外，箭头Lin表示光波的入射，空心箭头表示电信号的输入。
图8的(a)是光波导的配线弯曲90度而将输入和输出中的一方配置于侧面的图。当然，即使从与由Lin表示的方向相反的方向输入光波，也能够同样地进行动作。图8的(b)是折返180度而将输入和输出配置于同一端面的图。图8的(c)是将马赫-曾德尔型光波导的分支波导部分折返的图。在图8的(c)中，使用了2个信号电极，但也可以是任意一方。并且，图8的(d)是以多级进行折返的示例。这样，在光波的行进方向在中途变化的情况下，特别是，在具有其方向在一个光波导内相差90度以上的区域的情况下，能够适当地应用本实用新型。
另外，不限于图8所示的具有马赫-曾德尔型光波导(MZI干涉仪)的光波导元件，本实用新型也能够适用于不具有MZI干涉仪的相位调制器。而且，也能够适用于图9所示的集成MZI干涉仪而能够进行多级调制的光调制器。
图10表示图8的(a)的虚线B-B’处的剖视图。在图3、图8中，由于主要使用X切割(波导层)，因此向肋形光波导2施加电场的电极(信号电极S、接地电极G1、G2)以夹着肋形光波导的方式配置于肋形光波导的侧面侧。在LN、LT等中，当然不限于X切割，对于Y切割，也同样能够应用本实用新型。另外，即使是Z切割，向光波导施加的电场的方向(Z轴方向)只是成为图3的上下方向，应用本实用新型，也能够抑制偏振旋转。但是，在Z切割的情况下，由于光波导只是从X轴方向向Y轴方向变化，所以不会由于光波的行进方向的不同而发生偏振旋转。当然，为了即使是Z切割也不发生偏振旋转，需要设定光波导的截面形状，以最佳地设定TE模与TM模间的折射率。
图11是表示光波导2的弯曲方法的示例。如图11的(a)所示，一般以同样的曲线(半径r)弯曲，但优选光波导的最小弯曲半径为300μm以下。更优选为200μm以下，而且也可以为100μm以下。由此，即使是有限的基板(芯片)的宽度，也能够向任意的方向改变光波导的行进方向。特别是，如图11的(b)及(c)所示，通过将弯曲的部分的范围(虚线C、C’、D、D’、D”)设定为最小限度，多使用直线部分，光波导的布局设计变得更加容易。
本实用新型的光波导元件在基板10(波导层1)上设置对在光波导中传播的光波进行调制的调制电极，并如图12所示地收容于壳体8内。而且，通过设置相对于光波导输入输出光波的光纤(F)，能够构成光调制器件MD。光纤不仅如图12那样配置于壳体8的外侧，还可以经由贯通壳体的侧壁的贯通孔而导入壳体内进行配置固定。
通过将输出使光调制器件MD进行调制动作的调制信号的电子电路(数字信号处理器DSP)与光调制器件MD连接，能够构成光发送装置OTA。由于向光波导元件施加的调制信号需要放大，因此使用驱动电路DRV。驱动电路DRV、数字信号处理器DSP可以配置于壳体8的外部，但也可以配置于壳体8内。特别是，通过将驱动电路DRV配置在壳体内，能够进一步降低来自驱动电路的调制信号的传播损失。
工业实用性
如上所述，根据本实用新型，能够提供抑制偏振旋转的光波导元件。进而，也能够提供使用该光波导元件的光调制器件以及光发送装置。

Claims (16)

1.一种光波导元件，具有基板和配置在该基板上的光波导，其特征在于，
该光波导具有有效折射率变化部，该有效折射率变化部是与在该光波导中传播的光波的偏振面平行的基模A下的该光波导的有效折射率随着该光波的传播而变化的部分，
在该有效折射率变化部中，该光波导的与该光波的传播方向垂直的截面形状是如下的截面形状：基模A下的该光波导的有效折射率比与该基模A垂直的其他的基模B下的该光波导的有效折射率高。
2.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，
在整个该有效折射率变化部，满足与该基模A和该基模B相关的各有效折射率的高低关系。
3.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
在该基板上配置有由具有电光效应的材料形成的波导层，该光波导是设置于该波导层的肋形光波导，
在该波导层上形成有向该肋形光波导施加电场的电极，
该基模A是对于在该光波导中传播的光波，基于该电极的电光效应较高的基模。
4.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该光波导在至少一个连续的光波导内具有光波的传播方向相差90度以上的部分。
5.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该光波导的该有效折射率变化部的截面形状为，与该基模B平行的方向的该光波导的厚度为在该光波导中传播的光波的波长的0.45倍以下。
6.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该光波导的该有效折射率变化部的截面形状为，与该基模A平行的方向的该光波导的厚度大于与该基模B平行的方向的该光波导的厚度。
7.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该基板的折射率为形成该光波导的波导层的折射率的0.8倍以下。
8.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
在形成该光波导的波导层的与该基板相反的一侧配置有低折射率层，该低折射率层的折射率为该波导层的折射率的0.8倍以下。
9.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
形成该光波导的波导层由与该基板接触的厚度薄的薄膜部分和从该薄膜部分突出的肋部分构成，该薄膜部分的厚度为该波导层整体的厚度的0.7倍以下。
10.根据权利要求9所述的光波导元件，其特征在于，
在该肋部分的两侧，在该薄膜部分形成有槽。
11.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该光波导为肋形光波导，该肋形光波导的侧面相对于该基板与形成该光波导的波导层之间的接触面所成的角度为50度以上。
12.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
该光波导具有弯曲部，最小弯曲半径为300μm以下。
13.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，
向该光波导施加电场的该电极以夹着该光波导的方式配置于该光波导的横侧。
14.一种光调制器件，其特征在于，
该光调制器件使用权利要求1至13中任一项所述的光波导元件，将该光波导元件收容在壳体内，并具备相对于该光波导输入或输出光波的光纤。
15.根据权利要求14所述的光调制器件，其特征在于，
所述光调制器件在该壳体的内部具有对向该光波导元件输入的调制信号进行放大的电子电路。
16.一种光发送装置，其特征在于，具有：
权利要求14或15所述的光调制器件；及
电子电路，输出使该光调制器件进行调制动作的调制信号。
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