JPS60250334A - 非線形光学デバイス - Google Patents
非線形光学デバイスInfo
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- JPS60250334A JPS60250334A JP10775584A JP10775584A JPS60250334A JP S60250334 A JPS60250334 A JP S60250334A JP 10775584 A JP10775584 A JP 10775584A JP 10775584 A JP10775584 A JP 10775584A JP S60250334 A JPS60250334 A JP S60250334A
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- JP
- Japan
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- waveguide
- light
- thin film
- thickness
- harmonic
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３−７発明の技術分野
本゛発明は電気−光学効果、第２高調波発振、光パラメ
トリツク発振、光混合などの機能を有する非線形光学デ
バイスに関するものである。
トリツク発振、光混合などの機能を有する非線形光学デ
バイスに関するものである。
３−２発明の技術的背景
められ、それを応用した装置も一部は実用化されている
。この様なデバイス、たとえば第二高調波発振器や光パ
ラメトリツク発振器などには、現在のところＬｉＮｂＯ
３やＫＤＰ（ＫＨ２ＰＯ４）の結晶が用いられているが
、近年になって、これらを大幅に上回る非線形光学定数
を有した物質が発見されている。
。この様なデバイス、たとえば第二高調波発振器や光パ
ラメトリツク発振器などには、現在のところＬｉＮｂＯ
３やＫＤＰ（ＫＨ２ＰＯ４）の結晶が用いられているが
、近年になって、これらを大幅に上回る非線形光学定数
を有した物質が発見されている。
この様な物質にはたとえば、ＭＮＡＣ２−メチル−ｌ−
ニトロアニリン）、ｍＮＡ（メタニトロアニリン）、尿
素、ＭＡＰ（２−（Ｊ’、 ４／’−ジニトロフェニル
）アミノプロピオン酸メチル）、ＰＯＭ（、？−メチル
ーダーニトロピリジンー／−オキサイド）などが挙げら
れる。
ニトロアニリン）、ｍＮＡ（メタニトロアニリン）、尿
素、ＭＡＰ（２−（Ｊ’、 ４／’−ジニトロフェニル
）アミノプロピオン酸メチル）、ＰＯＭ（、？−メチル
ーダーニトロピリジンー／−オキサイド）などが挙げら
れる。
光学的非線形性を応用した機能の代表的なものに第二高
調波発生がある。通常は、光学的非線形性を有する物質
から成る、対称中心を持たない結晶に光を入射させて出
射光から第二高調波をとり出すが、この際、入射光の位
相速度と第二高調波の位相速度が一致している時に、す
なわち位相整合が成り立つ時に最も変換効率が高い。通
常は、位相整合をとるために角度整合を行なう。結晶の
多くは複屈折を有するので、光軸から成る角度だけ傾け
て光を入射させれば、その第二高調波と位相速度が等し
くなって位相整合をとることができる場合がある。
調波発生がある。通常は、光学的非線形性を有する物質
から成る、対称中心を持たない結晶に光を入射させて出
射光から第二高調波をとり出すが、この際、入射光の位
相速度と第二高調波の位相速度が一致している時に、す
なわち位相整合が成り立つ時に最も変換効率が高い。通
常は、位相整合をとるために角度整合を行なう。結晶の
多くは複屈折を有するので、光軸から成る角度だけ傾け
て光を入射させれば、その第二高調波と位相速度が等し
くなって位相整合をとることができる場合がある。
現在のところ最大の非線形光学定数を有するといわれる
ＭＮＡ結晶は単斜晶系に属し、７０個のＳＨＧテンソル
成分の内６個が独立で、ｄ１２＝２６、ｄｌ３””ｄ３
５、ｄｌ５−ｄ３１Ｍ ｄ２４−ｄ３２）ｄ３３）ｄｌ
ｌである０この内ｄｌｌが最大で、他は数桁下まわる大
きさである。これをＬｉＮＩ）０３と比較すると、ＳＨ
Ｇ効率はＭＮＡがＬｉＮｂＯ３の約２０００倍という大
きさを有することになる。
ＭＮＡ結晶は単斜晶系に属し、７０個のＳＨＧテンソル
成分の内６個が独立で、ｄ１２＝２６、ｄｌ３””ｄ３
５、ｄｌ５−ｄ３１Ｍ ｄ２４−ｄ３２）ｄ３３）ｄｌ
ｌである０この内ｄｌｌが最大で、他は数桁下まわる大
きさである。これをＬｉＮＩ）０３と比較すると、ＳＨ
Ｇ効率はＭＮＡがＬｉＮｂＯ３の約２０００倍という大
きさを有することになる。
ところが、ＭＮＡはバルク結晶でｄｌ、１についての整
合角を持たないので、結晶に直接光を入射させる場合に
は位相整合が不可能である。
合角を持たないので、結晶に直接光を入射させる場合に
は位相整合が不可能である。
角度整合の不可能な物質については、導波路を形成して
導波路の波長分散に依る位相整合をとる事が一般に行わ
れる。この方法の特徴としては、■導波路中にレーザ光
を閉じ込めるので容易にパワー密度が上げられる。バル
クの結晶ではレンズで集光して入射させるが、この場合
には焦点付近でしかパワー密度が上げられない。
導波路の波長分散に依る位相整合をとる事が一般に行わ
れる。この方法の特徴としては、■導波路中にレーザ光
を閉じ込めるので容易にパワー密度が上げられる。バル
クの結晶ではレンズで集光して入射させるが、この場合
には焦点付近でしかパワー密度が上げられない。
■角度整合では９０°整合でない限りウオークオフ（Ｗ
ａｌｋ ｏｆｆ）に依って基本波と高調波の進行方向が
ずれる為、結晶全体では相互作用が起こらなくなる事が
ある。導波路では主軸方向に伝搬させる為Ｗａｌｋ Ｏ
ｆｆは起こらない。
ａｌｋ ｏｆｆ）に依って基本波と高調波の進行方向が
ずれる為、結晶全体では相互作用が起こらなくなる事が
ある。導波路では主軸方向に伝搬させる為Ｗａｌｋ Ｏ
ｆｆは起こらない。
■結晶で整合角が存在しない物質でも位相整合が達成で
きる。などが挙げられる。
きる。などが挙げられる。
これまでに、非線形結晶を用いて形成された導波路の波
長分散を利用して位相整合を行なった例としては、次の
様なものが挙げられる。
長分散を利用して位相整合を行なった例としては、次の
様なものが挙げられる。
■ＧａＡｓ導波路
／６０μｍ厚のＣａＡＳ結晶の板の端面から基本板を入
射させて１％のＳＨＧ効率を達成している。
射させて１％のＳＨＧ効率を達成している。
＠ ＬｉＮｂ０３−ＧＧＧ導波路
ＧＧＧ基板上ｖｃ ＬｉＮｂＯ３をスパッタリングで薄
膜形成させて導波路とし、効率２．６Ｘ１０−４でＳＨ
Ｇを達成している。
膜形成させて導波路とし、効率２．６Ｘ１０−４でＳＨ
Ｇを達成している。
◎水 晶
コーニング７０！；９ガラスを水晶表面にコートして導
波路とし、７０！；９ガラスを導波する光のエバネセン
ト波が水晶に依ってＳＨＧを達成した。
波路とし、７０！；９ガラスを導波する光のエバネセン
ト波が水晶に依ってＳＨＧを達成した。
ＭＮＡ Ｋ関してはラングミュア膜や気相エピタキシャ
ル成長が試みられているが、成功していない。
ル成長が試みられているが、成功していない。
特開昭３；ｔ−１１３２２０には、ジアセチレンの側鎖
にＭＮＡを結合させた構造の単量体をラングミエアープ
ロジェット法で基板上に配向累積させ、紫外線やＸｌｌ
を照射して重合させて形成した導波路を用いて位相整合
を行なう事が開示されている。しかし、この方法に於い
ては単量体の合成及びラングミュア膜の形成に多大の労
力を要するので実用的ではない。
にＭＮＡを結合させた構造の単量体をラングミエアープ
ロジェット法で基板上に配向累積させ、紫外線やＸｌｌ
を照射して重合させて形成した導波路を用いて位相整合
を行なう事が開示されている。しかし、この方法に於い
ては単量体の合成及びラングミュア膜の形成に多大の労
力を要するので実用的ではない。
３−３ 発明の目的
本発明は、ＭＮＡの様な角度整合の不可能な物質に於い
て先に述べた様な複雑な手段を用いる事なく簡単な方法
で位相整合を達成できる装置を提供することを目的とす
る。
て先に述べた様な複雑な手段を用いる事なく簡単な方法
で位相整合を達成できる装置を提供することを目的とす
る。
３−ダ発明の概要
本発明者等は、従来のように高屈折率導波路を導波する
光に依る、それに接した低屈折率非線形光学結晶へのエ
バネセント波が第二高調波を発振すると云うメカニズム
でなく、非線形光学結晶で形成された導波路に接した、
より屈折率の低い導波路を導波する光が、光屈折率非線
形光学結晶で形成された導波路へモード結合して導波し
、そこで第二高調波へと変換されて再び元の導波路へモ
ード結合して導波すると云うメカニズムで、ＭＮＡの様
な角度整合の不可能な材料でも位相整合が可能となる事
を見出した。
光に依る、それに接した低屈折率非線形光学結晶へのエ
バネセント波が第二高調波を発振すると云うメカニズム
でなく、非線形光学結晶で形成された導波路に接した、
より屈折率の低い導波路を導波する光が、光屈折率非線
形光学結晶で形成された導波路へモード結合して導波し
、そこで第二高調波へと変換されて再び元の導波路へモ
ード結合して導波すると云うメカニズムで、ＭＮＡの様
な角度整合の不可能な材料でも位相整合が可能となる事
を見出した。
本発明は、すなわち、薄膜光導波路Ａに接して、これよ
りも屈折率が高く、シかも光学的非線形性を有する物質
より成る薄膜先導波路Ｂを重ね、導波路ＡまたはＢのい
ずれか一方にテーパー状の厚味変化を持たせるか、ある
いは、両方に、同一方向でかつ変化率の異なるデーパ−
状の厚味変化を持たせ、厚味変化方向に垂直な方向を光
路として用いる様、導波路Ａに光を入射する手段及び出
射する手段を設け、該入射及び出射手段は、入射及び出
射位置を、導波路ＡまたはＢの厚味変化方向の全域また
は一部分を占める、成る有限な幅の全域にわたって変化
させることのできるものである、非線形光学デバイスに
関するものである。
りも屈折率が高く、シかも光学的非線形性を有する物質
より成る薄膜先導波路Ｂを重ね、導波路ＡまたはＢのい
ずれか一方にテーパー状の厚味変化を持たせるか、ある
いは、両方に、同一方向でかつ変化率の異なるデーパ−
状の厚味変化を持たせ、厚味変化方向に垂直な方向を光
路として用いる様、導波路Ａに光を入射する手段及び出
射する手段を設け、該入射及び出射手段は、入射及び出
射位置を、導波路ＡまたはＢの厚味変化方向の全域また
は一部分を占める、成る有限な幅の全域にわたって変化
させることのできるものである、非線形光学デバイスに
関するものである。
本発明に於いて位相整合は、入射及び出射位置を、導波
路ＡまたはＢの厚味変化方向の全域または一部分を占め
る、成る有限な幅の全域にわたって変化させることので
きる、導波路ＡＫ設けられた入射及び出射手段に依って
行なう。入射位置を導波路ＡまたはＢの厚味変化方向に
沿って動かすと、入射光の導波膜厚もまた変化し、これ
に依って第二高調波と入射基本波の位相整合をとること
ができる。導波路の厚味変化は、導波路Ａに設けても導
波路Ｂに設けても、あるいは、導波路Ａ及びＢＫ変化率
が異なる様にして設けても良い。位相整合に必要な膜厚
比率が得られれば良いからである。
路ＡまたはＢの厚味変化方向の全域または一部分を占め
る、成る有限な幅の全域にわたって変化させることので
きる、導波路ＡＫ設けられた入射及び出射手段に依って
行なう。入射位置を導波路ＡまたはＢの厚味変化方向に
沿って動かすと、入射光の導波膜厚もまた変化し、これ
に依って第二高調波と入射基本波の位相整合をとること
ができる。導波路の厚味変化は、導波路Ａに設けても導
波路Ｂに設けても、あるいは、導波路Ａ及びＢＫ変化率
が異なる様にして設けても良い。位相整合に必要な膜厚
比率が得られれば良いからである。
３−５発明の効果
本発明によれば、角度整合の不可能な物質についてもた
やすく位相整合を行うことができるのみならず、たとえ
ば導波路の波長分散を利用して位相整合を行う場合でも
、非線形光学物質を用いた導波路に直接基本波を入射さ
せる場合に起こる種々の不都合（その様な導波路を形成
することそのものの困難さ、たとえば特開昭５≦−１Ｉ
３２２０に開示されている方法の繁雑さ、導波膜厚制御
の困難など）があるが、これも回避できる。また、導波
路型は集積化が容易なので、たとえば光回路中に第二高
調波発振器を設ける場合などは、導波路上にテーパー状
の非線形光学結晶を密着して乗せるだけで良い。
やすく位相整合を行うことができるのみならず、たとえ
ば導波路の波長分散を利用して位相整合を行う場合でも
、非線形光学物質を用いた導波路に直接基本波を入射さ
せる場合に起こる種々の不都合（その様な導波路を形成
することそのものの困難さ、たとえば特開昭５≦−１Ｉ
３２２０に開示されている方法の繁雑さ、導波膜厚制御
の困難など）があるが、これも回避できる。また、導波
路型は集積化が容易なので、たとえば光回路中に第二高
調波発振器を設ける場合などは、導波路上にテーパー状
の非線形光学結晶を密着して乗せるだけで良い。
３−乙実施例
次に本発明を図面に示した実施例について詳−細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係る第二高調波発振器を示す斜視図で
あり、溶融石英等の相対的に屈折率の低い物質からなる
平板状の基板ｌの片面に傾斜する厚み勾配をもつ薄膜か
らなる導波路２を設け、この薄膜導波路λ上に、導波路
２への光入射手段および出射手段としてのカプラプリズ
ム３に’、３８ｔｔそれら対向面を平行にして離して載
置し、これら結晶例えばＭＮＡ結晶ｌを載置する。導波
路２は厚みがＸ方向の基板ｌの一方の側縁で最小の厚み
ｄｌで対向側縁における厚みｄ２が最大となる断面くさ
び形を成しており、これと直交するＹ方向では一様な厚
みとなっている。そしてカプラプリズム、？Ａ、ＪＢお
よび非線形光学結晶グは導波路の厚みが一様なＹ方向の
直線上に並べる。またカプラプリズム３１Ｌ、３Ｂおよ
び非線型光学結晶グの上記Ｘ方向における幅は導波路２
の広い厚み範囲をカバーするよう充分な幅をとっておく
。
あり、溶融石英等の相対的に屈折率の低い物質からなる
平板状の基板ｌの片面に傾斜する厚み勾配をもつ薄膜か
らなる導波路２を設け、この薄膜導波路λ上に、導波路
２への光入射手段および出射手段としてのカプラプリズ
ム３に’、３８ｔｔそれら対向面を平行にして離して載
置し、これら結晶例えばＭＮＡ結晶ｌを載置する。導波
路２は厚みがＸ方向の基板ｌの一方の側縁で最小の厚み
ｄｌで対向側縁における厚みｄ２が最大となる断面くさ
び形を成しており、これと直交するＹ方向では一様な厚
みとなっている。そしてカプラプリズム、？Ａ、ＪＢお
よび非線形光学結晶グは導波路の厚みが一様なＹ方向の
直線上に並べる。またカプラプリズム３１Ｌ、３Ｂおよ
び非線型光学結晶グの上記Ｘ方向における幅は導波路２
の広い厚み範囲をカバーするよう充分な幅をとっておく
。
第２図に導波路２へ光線を入射させる装置、および導波
路から出射する第二高調波の強度を測定する装置を示す
。第２図で１０は入射装置でありＹＡＧレーザー光源ｔ
ｔ６らの出射ビームをボラライサー１２を通して偏光さ
せた後ＩＲパスフィルター／３を通して赤外光以外の光
をカットし、レンズｌｔＩで集光させた後反射鏡／３で
反射させてカプラプリズム３Ａに入射させる。カプラプ
リズム３Ａから導波路に導かれた光は非線形光学結晶グ
の下を導波しつつこれとモード給金して導波する。この
際非線形光学結晶ｌの内部では基本波が定在波となって
導波しており、ここで第二高調波を発振し、これもまた
定在波として導波する。これがテーパー型導波路２にモ
ード給金して導波した後、他方のカプラプリズム３Ｂか
らとり出される。
路から出射する第二高調波の強度を測定する装置を示す
。第２図で１０は入射装置でありＹＡＧレーザー光源ｔ
ｔ６らの出射ビームをボラライサー１２を通して偏光さ
せた後ＩＲパスフィルター／３を通して赤外光以外の光
をカットし、レンズｌｔＩで集光させた後反射鏡／３で
反射させてカプラプリズム３Ａに入射させる。カプラプ
リズム３Ａから導波路に導かれた光は非線形光学結晶グ
の下を導波しつつこれとモード給金して導波する。この
際非線形光学結晶ｌの内部では基本波が定在波となって
導波しており、ここで第二高調波を発振し、これもまた
定在波として導波する。これがテーパー型導波路２にモ
ード給金して導波した後、他方のカプラプリズム３Ｂか
らとり出される。
ｚＯは受光装置を示し、カプラプリズム３Ｂから出た光
はＣｕＳＯ４セルコｌおよび干渉フィルタ２．２を通る
。ここで基本波は吸収され第二高調波のみが通過して光
電子増倍管２Ｊ Ｋ受光される。そして上記装置におい
て、入射光線Ｓを反射ミラー駆動等で振らせるかまたは
基板ｌをＸ方向に移動させることにより、入射光夕のＸ
方向における入射位置を移動させて光電子増倍管２３で
の受光強度が最大となる位置をめることにより位相整合
を行なうことができる。
はＣｕＳＯ４セルコｌおよび干渉フィルタ２．２を通る
。ここで基本波は吸収され第二高調波のみが通過して光
電子増倍管２Ｊ Ｋ受光される。そして上記装置におい
て、入射光線Ｓを反射ミラー駆動等で振らせるかまたは
基板ｌをＸ方向に移動させることにより、入射光夕のＸ
方向における入射位置を移動させて光電子増倍管２３で
の受光強度が最大となる位置をめることにより位相整合
を行なうことができる。
以上に述べた実施例では非線形光学結晶ｌをカプラプリ
ズム、？Ａ、、？Ｂ間の導波路２表面に接して配置した
が第３図に示すように上記結晶ｌを入射用カプラプリズ
ム３Ａと導波路コとの間に介在させてプリズム３Ａを透
過した入射光を結晶グの上面から入射させるようにして
もよい。
ズム、？Ａ、、？Ｂ間の導波路２表面に接して配置した
が第３図に示すように上記結晶ｌを入射用カプラプリズ
ム３Ａと導波路コとの間に介在させてプリズム３Ａを透
過した入射光を結晶グの上面から入射させるようにして
もよい。
また第を図に示すように出射用カプラプリズム３Ｂと導
波路−との間に介在させて結晶ｌの上面を通して出射さ
せるようにしてもよい。
波路−との間に介在させて結晶ｌの上面を通して出射さ
せるようにしてもよい。
次に薄膜導波路−に厚み勾配を設ける好適な方法を第３
図に示す。スパッタ装置内で基板／から一定距離をおい
て雲母等から成るマスク材３０を固定配置し、このマス
ク材３０の下方に加膜導波路２を構成する物質のターゲ
ット３／を配置する。
図に示す。スパッタ装置内で基板／から一定距離をおい
て雲母等から成るマスク材３０を固定配置し、このマス
ク材３０の下方に加膜導波路２を構成する物質のターゲ
ット３／を配置する。
ここでマスク材３００片端縁位置を、基板ｌの側縁とタ
ーゲラ）Ｊ／の側縁を結ぶ線よりも内側で経らせ空隙３
２を残しておく。
ーゲラ）Ｊ／の側縁を結ぶ線よりも内側で経らせ空隙３
２を残しておく。
上記の状態でスパッタリングを行なうと、ターゲット３
１から出た導波路構成物質３２はマスク端の空１１１ｉ
３コを通って回り込みつつ基板ｌの面に付着する。これ
により上記空隙３２の近傍では相対的に厚く付着すると
ともに、空ｖＩＡ３２から奥へ向うに従かいスパッタリ
ング物質の侵入量が減って付着厚みが減少し、その結果
基板ｌにはテーパ状の厚み変化をもった薄膜導波路２を
形成できる。
１から出た導波路構成物質３２はマスク端の空１１１ｉ
３コを通って回り込みつつ基板ｌの面に付着する。これ
により上記空隙３２の近傍では相対的に厚く付着すると
ともに、空ｖＩＡ３２から奥へ向うに従かいスパッタリ
ング物質の侵入量が減って付着厚みが減少し、その結果
基板ｌにはテーパ状の厚み変化をもった薄膜導波路２を
形成できる。
上述した図示例ではいずれも基板上に設ける薄膜導波路
２Ａに厚み勾配を設けたが、本Ｆｌにおいては導波路２
は厚み一様とし、これに載せる非線型光学結晶ヶに厚み
勾配を設けてもよい。
２Ａに厚み勾配を設けたが、本Ｆｌにおいては導波路２
は厚み一様とし、これに載せる非線型光学結晶ヶに厚み
勾配を設けてもよい。
３−７試験例
第２図に示した装置を用いて非線型光学結晶ｌとしてＭ
ＮＡおよびｍＮＡを用いて第二高調波発振を観測した。
ＮＡおよびｍＮＡを用いて第二高調波発振を観測した。
基板として溶融石英を使用し、この基板上に第Ｓ図に示
した方法により高周波スパッタでコーニング７０！；９
ガラスを付着させてテーバ導波路を形成した。
した方法により高周波スパッタでコーニング７０！；９
ガラスを付着させてテーバ導波路を形成した。
第１表に非線形光学結晶グとしてＭＮＡを用いた場合の
各層の屈折率を示す。
各層の屈折率を示す。
第 ｌ 表
またＭＮＡ結晶は導波路上に第を図の平面図に示すよう
に配置した。結晶の厚みは３０μｍである。
に配置した。結晶の厚みは３０μｍである。
ＭＮＡ結晶の導波路上における位置を、導波路の厚み変
化方向に直交する方向（Ｙ方向）に種々変えて第二高調
波強度の基本波強度依存性を調べた。
化方向に直交する方向（Ｙ方向）に種々変えて第二高調
波強度の基本波強度依存性を調べた。
その結果を第７図ないし第９図に示す。第７図ないし第
９図のグラフにおいて横軸は基本波強ＩＩ（単位ワット
）でありたて軸は第二高調波強度であり、ＭＮＡ結晶の
Ｙ方向配置位置を合せて示しである。
９図のグラフにおいて横軸は基本波強ＩＩ（単位ワット
）でありたて軸は第二高調波強度であり、ＭＮＡ結晶の
Ｙ方向配置位置を合せて示しである。
また非線型光学結晶としてｍＮＡを使用し入射用カプラ
プリズムの下に配置したときの第二高調波強度の基本波
強度依存性を第１０図に示した。
プリズムの下に配置したときの第二高調波強度の基本波
強度依存性を第１０図に示した。
また第１１図には第二高調波の位相整合の特性を示した
。同図で横軸は導波路の膜厚であり、たて軸は第二高調
波強度である。同図から導波路膜厚／、６ｔμｍの位置
に明瞭なピークがあることが解る。
。同図で横軸は導波路の膜厚であり、たて軸は第二高調
波強度である。同図から導波路膜厚／、６ｔμｍの位置
に明瞭なピークがあることが解る。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は入射
装置および出射光強度測定装置を含めた全体を示す側面
図、第３図、第１図は非線型光学結晶の他の配置方法を
それぞれ示す側面図、第５図は厚み勾配をもった薄膜導
波路の形成方法を示す断面図、第を図は非線形光学結晶
の形状および配置の数値例を示す平面図、第７図ないし
第９閏ハ非線型光学結晶として２−メチル−ｌ−ニトロ
アニリン（ＭＮＡ）を使用し１、結晶の位置を種々変え
た場合における第二高調波（ＳＨ）強度の基本波依存性
をそれぞれ示すグラフ、第１Ｏ図は上記結晶としてメタ
ニトロアニリン（ｍＮＡ）を使用した場合の同上グラフ
、第１１図は第二高調波の位相整合の特性を示すグラフ
である。 ハ・・基板 ！・・・薄膜導波路 ３Ａ、３Ｂ・・０カブラプリズム ｑ・・・非線型光学結晶 １０− ＠−入射装置ｌ／・
・・レーザー光源 ／２−−−ポラライザー７３１ＩＯ
ｅＩＲパスフイルター ／４’−・０レンズ２００−
受光装置 ！ハ・・ｃｕｓｏ４セル、２２・・・干渉フ
ィルタ ２３・・・光電子増倍管第２図 図面の汀信（内容に変更なし） 第７図 賠窮亀Ｗ 第８図 駐氷鶴Ｗ 第９図 銅酵Ｗ 第１０図 鯵−Ｗ 第１頁の続き −１８−１１ ４４−９ 手 続 補 正 書（方式） 昭和５９年９月夕日 ／ 事件の表丞 特願昭夕９−１０７７！；３号 特公昭 −号 一９発明の名称 非線形光学デバイス ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名称 （
＜ｔｏθ）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信 雄 グ代理人
装置および出射光強度測定装置を含めた全体を示す側面
図、第３図、第１図は非線型光学結晶の他の配置方法を
それぞれ示す側面図、第５図は厚み勾配をもった薄膜導
波路の形成方法を示す断面図、第を図は非線形光学結晶
の形状および配置の数値例を示す平面図、第７図ないし
第９閏ハ非線型光学結晶として２−メチル−ｌ−ニトロ
アニリン（ＭＮＡ）を使用し１、結晶の位置を種々変え
た場合における第二高調波（ＳＨ）強度の基本波依存性
をそれぞれ示すグラフ、第１Ｏ図は上記結晶としてメタ
ニトロアニリン（ｍＮＡ）を使用した場合の同上グラフ
、第１１図は第二高調波の位相整合の特性を示すグラフ
である。 ハ・・基板 ！・・・薄膜導波路 ３Ａ、３Ｂ・・０カブラプリズム ｑ・・・非線型光学結晶 １０− ＠−入射装置ｌ／・
・・レーザー光源 ／２−−−ポラライザー７３１ＩＯ
ｅＩＲパスフイルター ／４’−・０レンズ２００−
受光装置 ！ハ・・ｃｕｓｏ４セル、２２・・・干渉フ
ィルタ ２３・・・光電子増倍管第２図 図面の汀信（内容に変更なし） 第７図 賠窮亀Ｗ 第８図 駐氷鶴Ｗ 第９図 銅酵Ｗ 第１０図 鯵−Ｗ 第１頁の続き −１８−１１ ４４−９ 手 続 補 正 書（方式） 昭和５９年９月夕日 ／ 事件の表丞 特願昭夕９−１０７７！；３号 特公昭 −号 一９発明の名称 非線形光学デバイス ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名称 （
＜ｔｏθ）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信 雄 グ代理人
Claims (1)
- 薄膜光導波路ＡＫ接して、これよりも屈折率が高く、シ
かも光学的非線形性を有する物質より成る薄膜光導波路
Ｂを重ね、導波路ＡまたはＢのいずれか一方にテーパー
状の厚味変化を持たせるか、あるいは、両方に、同一方
向でかつ変化率の異なるテーパー状の厚味変化を持たせ
、厚味変化方向に垂直な方向を光路として用いる様、導
波路Ａに光を入射する手段及び出射する手段を設け、該
入射及び出射手段は、入射及び出射位置を、導波路Ａま
たはＢの厚味変化方向の全域または一部分を占める、成
る有限な幅の全域にわたって変化させることのできるも
のである、非線形光学デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10775584A JPS60250334A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 非線形光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10775584A JPS60250334A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 非線形光学デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60250334A true JPS60250334A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14467154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10775584A Pending JPS60250334A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 非線形光学デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60250334A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315234A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
| US4830447A (en) * | 1987-02-13 | 1989-05-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device |
| US4838638A (en) * | 1987-02-16 | 1989-06-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device |
| WO1989005473A1 (en) * | 1987-11-30 | 1989-06-15 | Ibiden Co., Ltd. | Method of producing a second harmonic generating element |
| US4896930A (en) * | 1987-03-19 | 1990-01-30 | Hitachi, Ltd. | Optical functional device of an optical waveguide type |
| JPH02250043A (ja) * | 1987-02-13 | 1990-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
| US5124999A (en) * | 1988-09-13 | 1992-06-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-pumped solid-state laser |
| US5197072A (en) * | 1990-06-13 | 1993-03-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting device, and laser diode pumped solid laser |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10775584A patent/JPS60250334A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2641053B2 (ja) * | 1987-02-13 | 1997-08-13 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換素子 |
| US4838638A (en) * | 1987-02-16 | 1989-06-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device |
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