JPH11231358A - 光回路及びその製造方法 - Google Patents
光回路及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11231358A JPH11231358A JP10037201A JP3720198A JPH11231358A JP H11231358 A JPH11231358 A JP H11231358A JP 10037201 A JP10037201 A JP 10037201A JP 3720198 A JP3720198 A JP 3720198A JP H11231358 A JPH11231358 A JP H11231358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- waveguides
- optical waveguide
- electro
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 210
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 25
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/126—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode push-pull
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電気光学結晶を用いた導波路型光制御デバイス
において、その動作電圧を低減させる。 【解決手段】電気光学結晶からなる光導波路において、
選択的にドメイン反転させた部分１５を設ける。この構
造により、それぞれの光導波路に同方向の電界をかける
だけで、屈折率変化を起こすべき複数の部分に対して、
極性が反対の屈折率変化を誘起させることができ、動作
電圧を低減させることができる。例えば、マッハツェン
ダ型の位相シフタに本発明を適用すれば、一方向の電界
印加によって、いわゆるプッシュプル型の動作が可能に
なり、さらに、２本の光導波路間に２倍の屈折率差をつ
けることにより、動作電圧を一層下げることができる。
において、その動作電圧を低減させる。 【解決手段】電気光学結晶からなる光導波路において、
選択的にドメイン反転させた部分１５を設ける。この構
造により、それぞれの光導波路に同方向の電界をかける
だけで、屈折率変化を起こすべき複数の部分に対して、
極性が反対の屈折率変化を誘起させることができ、動作
電圧を低減させることができる。例えば、マッハツェン
ダ型の位相シフタに本発明を適用すれば、一方向の電界
印加によって、いわゆるプッシュプル型の動作が可能に
なり、さらに、２本の光導波路間に２倍の屈折率差をつ
けることにより、動作電圧を一層下げることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光回路その他の光
素子に関し、特に、基板中に設けられた光導波路を用い
て制御を行う導波型の光回路その他の光素子に関する。
素子に関し、特に、基板中に設けられた光導波路を用い
て制御を行う導波型の光回路その他の光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システムの実用化が進むに
つれ、さらに大容量かつ高機能の光通信システムが望ま
れ、そのために、より高速の光変調器や光スィッチなど
の光制御素子が必要となっている。これらの機能を実現
するために、ニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ3 ( 以下、
「ＬＮ」と呼ぶ) やタンタル酸リチウムＬｉＴａＯ3 (
以下、「ＬＴ」と呼ぶ) に代表される電気光学結晶に、
主に、チタンやマグネシウム、プロトン等を基板表面か
ら熱拡散によりドープした拡散型光導波路が用いられて
いる。
つれ、さらに大容量かつ高機能の光通信システムが望ま
れ、そのために、より高速の光変調器や光スィッチなど
の光制御素子が必要となっている。これらの機能を実現
するために、ニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ3 ( 以下、
「ＬＮ」と呼ぶ) やタンタル酸リチウムＬｉＴａＯ3 (
以下、「ＬＴ」と呼ぶ) に代表される電気光学結晶に、
主に、チタンやマグネシウム、プロトン等を基板表面か
ら熱拡散によりドープした拡散型光導波路が用いられて
いる。
【０００３】これら拡散型光導波路を用いて制御を行う
導波型の光回路に関しては、例えば、岡山等が信学技
法、ＴＳＳＥ９４−２１４に、また、西本等が「光学」
第１巻第８号５２１頁に述べているように、通常のフォ
トリソグラフィ技術を用いて、多くの光回路を一つの素
子の中に集積化することが可能である。また、これら電
気光学結晶の応答の速さを生かした光変調器としては、
マッハツェンダ型の高速光変調器が実用化されている。
また、光スィッチとしては、Ｙ分岐型の２本から３本の
出力導波路に極性の異なる電圧を同時に印加することに
より、光の結合する出力導波路を切り替えるデジタル型
光スィッチが提案されている。
導波型の光回路に関しては、例えば、岡山等が信学技
法、ＴＳＳＥ９４−２１４に、また、西本等が「光学」
第１巻第８号５２１頁に述べているように、通常のフォ
トリソグラフィ技術を用いて、多くの光回路を一つの素
子の中に集積化することが可能である。また、これら電
気光学結晶の応答の速さを生かした光変調器としては、
マッハツェンダ型の高速光変調器が実用化されている。
また、光スィッチとしては、Ｙ分岐型の２本から３本の
出力導波路に極性の異なる電圧を同時に印加することに
より、光の結合する出力導波路を切り替えるデジタル型
光スィッチが提案されている。
【０００４】これらの光回路を構成する光導波路を形成
するもう一つの方法として、特開平２−２５９６０８号
公報、特開平７−６４０３４号公報、特開平８−５８５
４号公報において提案されているように、溶融フラック
スを用いたヘテロエピ成長技術により、リッジ型光導波
路を構成する方法がある。さらに、光回路を作成する目
的ではないが、ＬＮに関しては、その結晶方位を部分的
に反転させる方法（ドメイン反転）が特開平３−４８８
３２号公報、特開平４−２７０３２２号公報、特開平５
−２２０１号公報、特開平５−１７２９５号公報、特開
平５−１００２７１号公報に開示されている。これらの
方法は、ＬＮ結晶を用いて第２次高調波発生素子におけ
る疑似位相整合を行うためのものである。
するもう一つの方法として、特開平２−２５９６０８号
公報、特開平７−６４０３４号公報、特開平８−５８５
４号公報において提案されているように、溶融フラック
スを用いたヘテロエピ成長技術により、リッジ型光導波
路を構成する方法がある。さらに、光回路を作成する目
的ではないが、ＬＮに関しては、その結晶方位を部分的
に反転させる方法（ドメイン反転）が特開平３−４８８
３２号公報、特開平４−２７０３２２号公報、特開平５
−２２０１号公報、特開平５−１７２９５号公報、特開
平５−１００２７１号公報に開示されている。これらの
方法は、ＬＮ結晶を用いて第２次高調波発生素子におけ
る疑似位相整合を行うためのものである。
【０００５】また、特開平７−５４０４号公報は、光信
号と高周波信号との間の位相速度の不整合を補償する電
気・光変調器を提案している。この電気・光変調器は、
強誘電性基体に形成され、光入力に結合された光導波体
を含む。高周波導波体は、光導波体に隣接した領域に電
界を与え、光信号を変調するために、基体上に形成され
る。強誘電性基体は、変調領域内の位相差を補償する強
誘電性ドメイン領域を有しており、この強誘電性ドメイ
ン領域は周期的に反転及び非反転される。
号と高周波信号との間の位相速度の不整合を補償する電
気・光変調器を提案している。この電気・光変調器は、
強誘電性基体に形成され、光入力に結合された光導波体
を含む。高周波導波体は、光導波体に隣接した領域に電
界を与え、光信号を変調するために、基体上に形成され
る。強誘電性基体は、変調領域内の位相差を補償する強
誘電性ドメイン領域を有しており、この強誘電性ドメイ
ン領域は周期的に反転及び非反転される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＬＮを用いた実用的な
光変調器や光スィッチを実現するためにはその動作電圧
を出来るだけ下げることが重要である。デジタル光スィ
ッチではその構造上２本の出力導波路に±５０Ｖ程度の
電圧を同時に印加する必要があり、この電圧を少しでも
下げることが有効である。また、マッハツェンダ型光ス
ィッチにおいても２本の位相シフタに５０Ｖ程度の高電
圧を印加する必要があるが、光スィッチと同様に、この
電圧を下げることが有効である。高速光変調器では、よ
り低い駆動電圧がより高速で動作し得るドライバ回路の
実現につながる。従って、高速光変調器では、ドライバ
回路を高速で駆動させるために、少しでも動作電圧を下
げることが望まれている。
光変調器や光スィッチを実現するためにはその動作電圧
を出来るだけ下げることが重要である。デジタル光スィ
ッチではその構造上２本の出力導波路に±５０Ｖ程度の
電圧を同時に印加する必要があり、この電圧を少しでも
下げることが有効である。また、マッハツェンダ型光ス
ィッチにおいても２本の位相シフタに５０Ｖ程度の高電
圧を印加する必要があるが、光スィッチと同様に、この
電圧を下げることが有効である。高速光変調器では、よ
り低い駆動電圧がより高速で動作し得るドライバ回路の
実現につながる。従って、高速光変調器では、ドライバ
回路を高速で駆動させるために、少しでも動作電圧を下
げることが望まれている。
【０００７】本発明はこの点に鑑みてなされたものであ
り、電気光学効果を用いた光変調器や光スィッチその他
の光機能素子においてその動作電圧を下げることを目的
とする。
り、電気光学効果を用いた光変調器や光スィッチその他
の光機能素子においてその動作電圧を下げることを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＮやＬＴ等
の電気光学結晶からなる光導波路を有する光機能素子に
おいて、その電極印加部分を選択的にドメイン反転させ
た光導波路を形成し、それぞれの光導波路に同方向の電
界をかけることを基本的構造とする。本発明は、以下に
述べるように、光回路、光変調器または光スィッチなど
に適用することができる。
の電気光学結晶からなる光導波路を有する光機能素子に
おいて、その電極印加部分を選択的にドメイン反転させ
た光導波路を形成し、それぞれの光導波路に同方向の電
界をかけることを基本的構造とする。本発明は、以下に
述べるように、光回路、光変調器または光スィッチなど
に適用することができる。
【０００９】具体的には、請求項１に記載されているよ
うに、本発明は、電気光学結晶からなる光導波路から構
成された光回路において、光導波路がドメイン方向の異
なる複数の光導波路からなることを特徴とする光回路を
提供する。また、請求項２に記載されているように、電
気光学結晶からなる光導波路を有する光変調器におい
て、位相シフタをなす２本の光導波路のドメイン方向が
それぞれ反転していることを特徴とする光変調器が提供
される。
うに、本発明は、電気光学結晶からなる光導波路から構
成された光回路において、光導波路がドメイン方向の異
なる複数の光導波路からなることを特徴とする光回路を
提供する。また、請求項２に記載されているように、電
気光学結晶からなる光導波路を有する光変調器におい
て、位相シフタをなす２本の光導波路のドメイン方向が
それぞれ反転していることを特徴とする光変調器が提供
される。
【００１０】さらに、請求項３に記載されているよう
に、電気光学結晶からなる、位相シフタとして機能する
２本の光導波路をもつ光スィッチにおいて、２本の光導
波路のドメイン方向がそれぞれ反転していることを特徴
とする光スィッチが提供される。さらに、請求項４に記
載されているように、電気光学結晶からなる入力光導波
路及び出力光導波路を有し、１つの入力光導波路にＹ分
岐状に接続された複数の出力光導波路のそれぞれの屈折
率を電界により変化させることにより、複数の出力光導
波路のうち、光出力が得られる出力光導波路を選択する
機能をもつデジタル型光スィッチにおいて、出力導波路
間でドメイン方向がそれぞれ反転していることを特徴と
する光スィッチが提供される。
に、電気光学結晶からなる、位相シフタとして機能する
２本の光導波路をもつ光スィッチにおいて、２本の光導
波路のドメイン方向がそれぞれ反転していることを特徴
とする光スィッチが提供される。さらに、請求項４に記
載されているように、電気光学結晶からなる入力光導波
路及び出力光導波路を有し、１つの入力光導波路にＹ分
岐状に接続された複数の出力光導波路のそれぞれの屈折
率を電界により変化させることにより、複数の出力光導
波路のうち、光出力が得られる出力光導波路を選択する
機能をもつデジタル型光スィッチにおいて、出力導波路
間でドメイン方向がそれぞれ反転していることを特徴と
する光スィッチが提供される。
【００１１】さらに、請求項５に記載されているよう
に、電気光学結晶からなる光導波路を有する方向性結合
器型光スィッチにおいて、近接する各光導波路間でドメ
イン方向がそれぞれ反転していることを特徴とする光ス
ィッチが提供される。上記の光回路、光変調器及び光ス
ィッチを製造する方法には、それらの少なくとも一部が
液相成長（Liquid Phase Epitaxy：ＬＰＥ）によって形
成されることが望ましい。
に、電気光学結晶からなる光導波路を有する方向性結合
器型光スィッチにおいて、近接する各光導波路間でドメ
イン方向がそれぞれ反転していることを特徴とする光ス
ィッチが提供される。上記の光回路、光変調器及び光ス
ィッチを製造する方法には、それらの少なくとも一部が
液相成長（Liquid Phase Epitaxy：ＬＰＥ）によって形
成されることが望ましい。
【００１２】
【作用】上述の本発明に係る光回路、光変調器及び光ス
ィッチを用いると、屈折率変化を起こすべき複数の部分
に対して、一方向の電界を印加するだけで、極性が反対
の屈折率変化を誘起させることができる。従って、例え
ば、マッハツェンダ型の位相シフタにおいては、一方向
の電界印加によっていわゆるプッシュプル型の動作が可
能になる。また、２本の光導波路間に２倍の屈折率差を
つけることにより、より動作電圧を下げることができ
る。
ィッチを用いると、屈折率変化を起こすべき複数の部分
に対して、一方向の電界を印加するだけで、極性が反対
の屈折率変化を誘起させることができる。従って、例え
ば、マッハツェンダ型の位相シフタにおいては、一方向
の電界印加によっていわゆるプッシュプル型の動作が可
能になる。また、２本の光導波路間に２倍の屈折率差を
つけることにより、より動作電圧を下げることができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、通常用いられるマ
ッハツェンダ型（以下、「マッハツェンダ型」を単に
「ＭＺ型」と呼ぶ）光変調器の光導波路及び電極構造を
示す斜視図である。ＬＮ基板１０上にＭＺ型光干渉系１
１がＴｉ拡散法により形成されており、このＭＺ型光干
渉系１１には一本の信号電極１２が接続されている。さ
らに、信号電極１２を取り囲むようにして信号電極１２
の内側と外側にそれぞれグラウンド電極１３ａ、 １３ｂ
が形成されている。このＭＺ型光変調器に電界を印加す
ると、印加電界の強度はほとんど信号電極１２の下にの
み分布する。
て図面を参照して説明する。図１は、通常用いられるマ
ッハツェンダ型（以下、「マッハツェンダ型」を単に
「ＭＺ型」と呼ぶ）光変調器の光導波路及び電極構造を
示す斜視図である。ＬＮ基板１０上にＭＺ型光干渉系１
１がＴｉ拡散法により形成されており、このＭＺ型光干
渉系１１には一本の信号電極１２が接続されている。さ
らに、信号電極１２を取り囲むようにして信号電極１２
の内側と外側にそれぞれグラウンド電極１３ａ、 １３ｂ
が形成されている。このＭＺ型光変調器に電界を印加す
ると、印加電界の強度はほとんど信号電極１２の下にの
み分布する。
【００１４】通常得られるＭＺ型光変調器の動作特性を
図２に示す。図２は、縦軸にＭＺ型光変調器の光出力、
横軸に印加電圧を表したグラフであり、このグラフから
わかるように、通常のＭＺ型光変調器は、典型的には、
３．５Ｖ程度の動作電圧を必要とする。図３は、本発明
の実施形態に係るＭＺ型光変調器の光導波路及び電極構
造を示す。ＬＮ基板１０上にＭＺ型光干渉系１４が、例
えば、Ｔｉ拡散法により、形成されており、このＭＺ型
光干渉系１４には、２本の信号電極１２がＭＺ型光干渉
系１４の一方の側にそれぞれ接続されている。さらに、
信号電極１２を取り囲むようにして信号電極１２の内側
と外側にそれぞれグラウンド電極１３ａ、 １３ｂが形成
されている。本実施形態に係るＭＺ型光変調器において
は、ＭＺ型光干渉系１４における位相シフタの片側のア
ームにドメイン反転部１５が設けられている。
図２に示す。図２は、縦軸にＭＺ型光変調器の光出力、
横軸に印加電圧を表したグラフであり、このグラフから
わかるように、通常のＭＺ型光変調器は、典型的には、
３．５Ｖ程度の動作電圧を必要とする。図３は、本発明
の実施形態に係るＭＺ型光変調器の光導波路及び電極構
造を示す。ＬＮ基板１０上にＭＺ型光干渉系１４が、例
えば、Ｔｉ拡散法により、形成されており、このＭＺ型
光干渉系１４には、２本の信号電極１２がＭＺ型光干渉
系１４の一方の側にそれぞれ接続されている。さらに、
信号電極１２を取り囲むようにして信号電極１２の内側
と外側にそれぞれグラウンド電極１３ａ、 １３ｂが形成
されている。本実施形態に係るＭＺ型光変調器において
は、ＭＺ型光干渉系１４における位相シフタの片側のア
ームにドメイン反転部１５が設けられている。
【００１５】本実施形態に係るＭＺ型光変調器を駆動す
るためには、２本の信号電極１２に対して同位相の電圧
を与えるようにする。同位相の電圧を与えるためには、
例えば、一本の電極配線をチップの外で２つに分岐する
か、または、チップ内で２つに分岐すればよい。仮に、
ドメイン反転部１５を設けない場合には、２本の信号電
極１２に対して逆位相の電圧を与える必要がある。その
ためには特殊な電気回路が必要となる。さらに、高速駆
動を行う際に、２本の信号電極１２に与えられる電気信
号がちょうど逆位相になるように微妙な調整を行うこと
が必要となる。このため、高速駆動の実現は極めて困難
である。
るためには、２本の信号電極１２に対して同位相の電圧
を与えるようにする。同位相の電圧を与えるためには、
例えば、一本の電極配線をチップの外で２つに分岐する
か、または、チップ内で２つに分岐すればよい。仮に、
ドメイン反転部１５を設けない場合には、２本の信号電
極１２に対して逆位相の電圧を与える必要がある。その
ためには特殊な電気回路が必要となる。さらに、高速駆
動を行う際に、２本の信号電極１２に与えられる電気信
号がちょうど逆位相になるように微妙な調整を行うこと
が必要となる。このため、高速駆動の実現は極めて困難
である。
【００１６】これに対して、本実施形態に係るＭＺ型光
変調器においては、２本の信号電極１２に対して与えら
れる電圧が同位相であるため、逆位相の電気回路を与え
るための特殊な電気回路は必要でない。本実施形態に係
るＭＺ型光変調器によれば、図１に示したような通常の
光強度変調器と比較して、動作電圧は約半分になる。図
４に、本実施形態に係るＭＺ型光変調器の典型的な動作
特性を示す。動作電圧は約１．９Ｖであり、この値は、
図１に示した従来のＭＺ型光変調器の動作電圧３．５Ｖ
のほぼ半分である。このように本実施形態に係るＭＺ型
光変調器は、特殊な電気回路を用いることなく、光変調
器の動作電圧を下げる効果をもつ。
変調器においては、２本の信号電極１２に対して与えら
れる電圧が同位相であるため、逆位相の電気回路を与え
るための特殊な電気回路は必要でない。本実施形態に係
るＭＺ型光変調器によれば、図１に示したような通常の
光強度変調器と比較して、動作電圧は約半分になる。図
４に、本実施形態に係るＭＺ型光変調器の典型的な動作
特性を示す。動作電圧は約１．９Ｖであり、この値は、
図１に示した従来のＭＺ型光変調器の動作電圧３．５Ｖ
のほぼ半分である。このように本実施形態に係るＭＺ型
光変調器は、特殊な電気回路を用いることなく、光変調
器の動作電圧を下げる効果をもつ。
【００１７】本実施形態に係るＭＺ型光変調器のＭＺ型
光干渉系１４は液相成長（ＬＰＥ）を用いて形成した埋
め込み光導波路もしくはリッジ型導波路からなる。ま
た、通常のＴｉ拡散導波路を用いても作成できる。次
に、液相成長を用いて形成した埋め込み光導波路を用い
た場合におけるドメイン反転部１５の製造方法を図５に
示す。
光干渉系１４は液相成長（ＬＰＥ）を用いて形成した埋
め込み光導波路もしくはリッジ型導波路からなる。ま
た、通常のＴｉ拡散導波路を用いても作成できる。次
に、液相成長を用いて形成した埋め込み光導波路を用い
た場合におけるドメイン反転部１５の製造方法を図５に
示す。
【００１８】先ず、図５（Ａ）に示すように、ＬＮ、Ｍ
ｇドープＬＮ、Ｌｉ（ＮｂX Ｔａ1- X ) Ｏ3 （０≦Ｘ≦
０．５) 等の材料の何れかからなる基板５１にドメイン
反転部を形成するための第一の溝５２を形成する。第一
の溝５２の形成にはイオンビームエッチングやプロトン
交換を併用した選択性ウエットエッチング等が適用可能
である。
ｇドープＬＮ、Ｌｉ（ＮｂX Ｔａ1- X ) Ｏ3 （０≦Ｘ≦
０．５) 等の材料の何れかからなる基板５１にドメイン
反転部を形成するための第一の溝５２を形成する。第一
の溝５２の形成にはイオンビームエッチングやプロトン
交換を併用した選択性ウエットエッチング等が適用可能
である。
【００１９】次に、図５（Ｂ）に示すように、基板５１
の材料とドメイン方向が反転したコア材料５３を基板５
１の表面を覆うように製膜する。次いで、図５（Ｃ）に
示すように、概ね、第一の溝５２のみにコア材料５３が
残るように、コア材料５３を研磨する。これにより、ド
メイン反転部が形成される。
の材料とドメイン方向が反転したコア材料５３を基板５
１の表面を覆うように製膜する。次いで、図５（Ｃ）に
示すように、概ね、第一の溝５２のみにコア材料５３が
残るように、コア材料５３を研磨する。これにより、ド
メイン反転部が形成される。
【００２０】その後、図５（Ｄ）に示すように、ドメイ
ン正転部を形成するための第二の溝５４を、第一の溝５
２と同様に、イオンビームエッチング等で形成する。次
いで、図５（Ｅ）に示すように、ドメイン方向が基板５
１の材料と等しいコア材料５５を基板５１の表面を覆う
ように製膜する。次いで、図５（Ｆ）に示すように、概
ね第二の溝５４のみにコア材料５５が残るようにコア材
料５５を研磨する。このようにして、ドメイン正転部が
完成する。
ン正転部を形成するための第二の溝５４を、第一の溝５
２と同様に、イオンビームエッチング等で形成する。次
いで、図５（Ｅ）に示すように、ドメイン方向が基板５
１の材料と等しいコア材料５５を基板５１の表面を覆う
ように製膜する。次いで、図５（Ｆ）に示すように、概
ね第二の溝５４のみにコア材料５５が残るようにコア材
料５５を研磨する。このようにして、ドメイン正転部が
完成する。
【００２１】製膜する膜５３，５５のドメイン方向の制
御は、基板５１の材料と製膜材料との間には組成の違い
による熱膨張率の差があるため、ある温度によっては、
より格子定数が一致する方位に結晶成長が起こるという
原理を用いて行われる。従って、結晶成長時の坩堝温度
を適当な温度に調整することによって、膜５３，５５の
ドメイン方向を任意に調整することが可能である。
御は、基板５１の材料と製膜材料との間には組成の違い
による熱膨張率の差があるため、ある温度によっては、
より格子定数が一致する方位に結晶成長が起こるという
原理を用いて行われる。従って、結晶成長時の坩堝温度
を適当な温度に調整することによって、膜５３，５５の
ドメイン方向を任意に調整することが可能である。
【００２２】なお、図５に示した方法はドメイン反転部
１５を形成する一つの例にすぎない。例えば、ドメイン
反転部とドメイン正転部の形成順序を反対にしても実質
上問題はない。また、図５に示したように溝５２，５４
を掘ってコア材料５３，５５埋め込む方式の他に、例え
ば、所定の組成及び結晶方位を有する膜を製膜した後、
その膜をエッチングすることにより、チャネル導波路に
形成してもよい。
１５を形成する一つの例にすぎない。例えば、ドメイン
反転部とドメイン正転部の形成順序を反対にしても実質
上問題はない。また、図５に示したように溝５２，５４
を掘ってコア材料５３，５５埋め込む方式の他に、例え
ば、所定の組成及び結晶方位を有する膜を製膜した後、
その膜をエッチングすることにより、チャネル導波路に
形成してもよい。
【００２３】また、ドメイン反転部を形成する他の方法
として、Ｔｉ拡散等により一定のドメイン方向をもつ導
波路を形成した後に、選択的にドメイン反転を行う方法
がある。例えば、導波路の所定の部分にのみ高電圧を印
加しつつ適当な高温状態にすることでドメイン反転をす
る方法や、プロトン交換等で選択的にドメイン反転を起
こしやすくした上でドメイン反転を起こす方法等があげ
られる。
として、Ｔｉ拡散等により一定のドメイン方向をもつ導
波路を形成した後に、選択的にドメイン反転を行う方法
がある。例えば、導波路の所定の部分にのみ高電圧を印
加しつつ適当な高温状態にすることでドメイン反転をす
る方法や、プロトン交換等で選択的にドメイン反転を起
こしやすくした上でドメイン反転を起こす方法等があげ
られる。
【００２４】図６は、本実施形態に係る光変調器におけ
る電極構造の他の例を示した斜視図である。ＬＮ基板１
０上にＭＺ型光干渉系１４が、例えば、Ｔｉ拡散法によ
り、形成されており、このＭＺ型光干渉系１４には１本
の信号電極１２が接続されている。さらに、信号電極１
２を取り囲むようにして信号電極１２の内側と外側にそ
れぞれグラウンド電極１３ａ、１３ｂが形成されてい
る。ＭＺ型光干渉系１４における位相シフタの片側のア
ームにドメイン反転部１５が設けられている。
る電極構造の他の例を示した斜視図である。ＬＮ基板１
０上にＭＺ型光干渉系１４が、例えば、Ｔｉ拡散法によ
り、形成されており、このＭＺ型光干渉系１４には１本
の信号電極１２が接続されている。さらに、信号電極１
２を取り囲むようにして信号電極１２の内側と外側にそ
れぞれグラウンド電極１３ａ、１３ｂが形成されてい
る。ＭＺ型光干渉系１４における位相シフタの片側のア
ームにドメイン反転部１５が設けられている。
【００２５】この光変調器においては、位相シフタの中
心に信号電極１２が設けられており、グラウンド電極１
３の端部が部分的に導波路に覆い被さる構造となってい
る。この構造を用いても、ドメイン反転部動作１５の存
在により、光変調器の動作はいわゆるプッシュプル型と
なり、動作電圧を低下させることが可能である。図７
は、本実施形態に係る光変調器における電極構造のさら
に他の例を示した斜視図である。
心に信号電極１２が設けられており、グラウンド電極１
３の端部が部分的に導波路に覆い被さる構造となってい
る。この構造を用いても、ドメイン反転部動作１５の存
在により、光変調器の動作はいわゆるプッシュプル型と
なり、動作電圧を低下させることが可能である。図７
は、本実施形態に係る光変調器における電極構造のさら
に他の例を示した斜視図である。
【００２６】図７に示した光変調器も図６に示した光変
調器と同様の構造を有している。すなわち、ＬＮ基板１
０上にはＭＺ型光干渉系１４が形成されており、このＭ
Ｚ型光干渉系１４には１本の信号電極１２が接続されて
いる。さらに、信号電極１２を取り囲むようにして信号
電極１２の内側と外側にそれぞれグラウンド電極１３
ａ、１３ｂが形成されている。ＭＺ型光干渉系１４にお
ける位相シフタの片側のアームにドメイン反転部１５が
設けられている。
調器と同様の構造を有している。すなわち、ＬＮ基板１
０上にはＭＺ型光干渉系１４が形成されており、このＭ
Ｚ型光干渉系１４には１本の信号電極１２が接続されて
いる。さらに、信号電極１２を取り囲むようにして信号
電極１２の内側と外側にそれぞれグラウンド電極１３
ａ、１３ｂが形成されている。ＭＺ型光干渉系１４にお
ける位相シフタの片側のアームにドメイン反転部１５が
設けられている。
【００２７】この光変調器においては、位相シフタの中
心を通って、２本の位相シフタに被さるように信号電極
１２が設けられており、グラウンド電極１３はその信号
電極１２に近接して設けられている。この構造を用いて
も、ドメイン反転部１５の存在により、光変調器の動作
はいわゆるプッシュプル型となり、動作電圧を低下させ
ることが可能である。
心を通って、２本の位相シフタに被さるように信号電極
１２が設けられており、グラウンド電極１３はその信号
電極１２に近接して設けられている。この構造を用いて
も、ドメイン反転部１５の存在により、光変調器の動作
はいわゆるプッシュプル型となり、動作電圧を低下させ
ることが可能である。
【００２８】図７に示した光変調器の電極構造は図６に
示した光変調器の電極構造はほとんど類似であるが、図
７に示した光変調器の設計の際に、２本の位相シフタの
間隔その他の導波路レイアウト設計パラメータと、（電
極の幅）対（電極間ギャップ）の比その他の電極設計パ
ラメータとを適切に選択することにより、最適な構造を
選択することができる。
示した光変調器の電極構造はほとんど類似であるが、図
７に示した光変調器の設計の際に、２本の位相シフタの
間隔その他の導波路レイアウト設計パラメータと、（電
極の幅）対（電極間ギャップ）の比その他の電極設計パ
ラメータとを適切に選択することにより、最適な構造を
選択することができる。
【００２９】以上の例は本発明を光強度変調器へ適用し
た場合の例であるが、本発明はこの他に光スィッチへの
適用も可能である。例えば、ＭＺ型光変調器のＹ分岐を
方向性結合器からなる３ｄＢカプラに偏向することによ
り、図３、６及び７に示した電極構造と同様の電極構成
でＭＺ型光スィッチの動作電圧を低減させることが可能
である。
た場合の例であるが、本発明はこの他に光スィッチへの
適用も可能である。例えば、ＭＺ型光変調器のＹ分岐を
方向性結合器からなる３ｄＢカプラに偏向することによ
り、図３、６及び７に示した電極構造と同様の電極構成
でＭＺ型光スィッチの動作電圧を低減させることが可能
である。
【００３０】光スィッチの一態様として、Ｙ分岐を基本
にしたデジタル型光スィッチがある。その典型的な導波
路及び電極構成を図８に示す。Ｙ字型に分岐した導波路
の分岐点を囲むようにして一対の信号電極１２が設けら
れており、信号電極１２の一方はグラウンド電極１３に
接続されている。このデジタル型光スィッチにおいて
は、グラウンド電極１３を基準として信号電極１２にプ
ラスマイナス５０Ｖ程度の電圧を印加することにより、
光の結合する出力ポートを選択することができるように
なっている。
にしたデジタル型光スィッチがある。その典型的な導波
路及び電極構成を図８に示す。Ｙ字型に分岐した導波路
の分岐点を囲むようにして一対の信号電極１２が設けら
れており、信号電極１２の一方はグラウンド電極１３に
接続されている。このデジタル型光スィッチにおいて
は、グラウンド電極１３を基準として信号電極１２にプ
ラスマイナス５０Ｖ程度の電圧を印加することにより、
光の結合する出力ポートを選択することができるように
なっている。
【００３１】図９は、本発明の一実施形態に係る光スィ
ッチの構造を示す平面図である。本実施形態に係る光ス
ィッチにおいては、Ｙ字型に分岐した導波路の分岐点の
内部には第一信号電極１２ａが設けられており、Ｙ字型
分岐点の両側にはそれぞれ第二信号電極１２ｂが設けら
れている。Ｙ字型分岐点の両側の第二信号電極１２ｂは
何れもグラウンド電極１３に接続されている。Ｙ字型に
分岐した導波路の片側のアームにはドメイン反転部１５
が設けられている。
ッチの構造を示す平面図である。本実施形態に係る光ス
ィッチにおいては、Ｙ字型に分岐した導波路の分岐点の
内部には第一信号電極１２ａが設けられており、Ｙ字型
分岐点の両側にはそれぞれ第二信号電極１２ｂが設けら
れている。Ｙ字型分岐点の両側の第二信号電極１２ｂは
何れもグラウンド電極１３に接続されている。Ｙ字型に
分岐した導波路の片側のアームにはドメイン反転部１５
が設けられている。
【００３２】本実施形態に係るＹ分岐型光スィッチによ
れば、導波路の片側のアームにドメイン反転部１５を設
けたことにより、２本の出力導波路に同方向の電界を印
加すれば、２本の出力導波路のそれぞれに逆方向の屈折
率変化を誘起させることができ、動作電圧をより低減さ
せることが可能である。図１０は、方向性結合器を用い
た通常の光スィッチにおける導波路構造と電極レイアウ
トを示す平面図である。２本の導波路が相互に平行に設
けられており、これら２本の導波路の間の間隔が部分的
に狭くなっている領域において、各導波路にそれぞれ信
号電極１２が設けられている。信号電極１２の一方はグ
ラウンド電極１３に接続されている。
れば、導波路の片側のアームにドメイン反転部１５を設
けたことにより、２本の出力導波路に同方向の電界を印
加すれば、２本の出力導波路のそれぞれに逆方向の屈折
率変化を誘起させることができ、動作電圧をより低減さ
せることが可能である。図１０は、方向性結合器を用い
た通常の光スィッチにおける導波路構造と電極レイアウ
トを示す平面図である。２本の導波路が相互に平行に設
けられており、これら２本の導波路の間の間隔が部分的
に狭くなっている領域において、各導波路にそれぞれ信
号電極１２が設けられている。信号電極１２の一方はグ
ラウンド電極１３に接続されている。
【００３３】これに対して、図１１は、本発明の一実施
形態に係る光スィッチの導波路構造と電極レイアウトを
示す平面図である。本実施形態に係これら２本の導波路
の間の間隔が部分的に狭くなっている領域において、各
導波路の外側にそれぞれ第一信号電極１２ａが設けられ
ており、さらに、２本の導波路の双方にまたがるように
して第二信号電極１２ｂが設けられている。一対の第一
信号電極１２ａはともにグラウンド電極１３に接続され
ている。また、２本の導波路の間の間隔が部分的に狭く
なっている領域において、一方の導波路にはドメイン反
転部１５が設けられている。
形態に係る光スィッチの導波路構造と電極レイアウトを
示す平面図である。本実施形態に係これら２本の導波路
の間の間隔が部分的に狭くなっている領域において、各
導波路の外側にそれぞれ第一信号電極１２ａが設けられ
ており、さらに、２本の導波路の双方にまたがるように
して第二信号電極１２ｂが設けられている。一対の第一
信号電極１２ａはともにグラウンド電極１３に接続され
ている。また、２本の導波路の間の間隔が部分的に狭く
なっている領域において、一方の導波路にはドメイン反
転部１５が設けられている。
【００３４】本実施形態に係る光スィッチによれば、一
方の導波路にドメイン反転部１５を設けたことにより、
２本の出力導波路に同方向の電界を印加すれば、２本の
出力導波路のそれぞれに逆方向の屈折率変化を誘起させ
ることができ、動作電圧をより低減させることが可能で
ある。
方の導波路にドメイン反転部１５を設けたことにより、
２本の出力導波路に同方向の電界を印加すれば、２本の
出力導波路のそれぞれに逆方向の屈折率変化を誘起させ
ることができ、動作電圧をより低減させることが可能で
ある。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ニオブ
酸リチウムＬｉＮｂＯ3 やタンタル酸リチウムＬｉＴａ
Ｏ3 などの電気光学結晶からなる光導波路において、電
極印加部分が選択的にドメイン反転される。このように
部分的にドメイン反転された光導波路においては、屈折
率変化を起こすべき複数の部分に対して、同方向の電界
を印加するだけで、極性が反対の屈折率変化を誘起させ
ることができ、動作電圧を低減させることができる。
酸リチウムＬｉＮｂＯ3 やタンタル酸リチウムＬｉＴａ
Ｏ3 などの電気光学結晶からなる光導波路において、電
極印加部分が選択的にドメイン反転される。このように
部分的にドメイン反転された光導波路においては、屈折
率変化を起こすべき複数の部分に対して、同方向の電界
を印加するだけで、極性が反対の屈折率変化を誘起させ
ることができ、動作電圧を低減させることができる。
【００３６】従って、例えば、マッハツェンダ型の位相
シフタに本発明を適用すると、一方向の電界を印加する
だけで、いわゆるプッシュプル型の動作が可能になる。
また、２本の光導波路間に屈折率差を設けることによ
り、さらに動作電圧を低下させることができる。
シフタに本発明を適用すると、一方向の電界を印加する
だけで、いわゆるプッシュプル型の動作が可能になる。
また、２本の光導波路間に屈折率差を設けることによ
り、さらに動作電圧を低下させることができる。
【図１】通常のマッハツェンダ型光強度変調器の光導波
路と電極構造を示す斜視図である。
路と電極構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示したマッハツェンダ型光強度変調器の
動作特性を示したグラフである。
動作特性を示したグラフである。
【図３】本発明の一実施形態に係るマッハツェンダ型光
強度変調器の光導波路と電極構造を示す斜視図である。
強度変調器の光導波路と電極構造を示す斜視図である。
【図４】図３に示したマッハツェンダ型光強度変調器の
動作特性を示したグラフである。
動作特性を示したグラフである。
【図５】（Ａ）乃至（Ｆ）は、本発明の一実施形態に係
るマッハツェンダ型光強度変調器におけるドメイン反転
部の形成過程を示す斜視図である。
るマッハツェンダ型光強度変調器におけるドメイン反転
部の形成過程を示す斜視図である。
【図６】本発明の別の実施態様に係るマッハツェンダ型
光強度変調器の光導波路と電極構造を示す斜視図であ
る。
光強度変調器の光導波路と電極構造を示す斜視図であ
る。
【図７】本発明のさらに別の実施態様に係るマッハツェ
ンダ型光強度変調器の光導波路と電極構造を示す斜視図
である。
ンダ型光強度変調器の光導波路と電極構造を示す斜視図
である。
【図８】典型的なＹ分岐型デジタル光スィッチの光導波
路と電極構造を示す平面図である。
路と電極構造を示す平面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係るＹ分岐型デジタル光
スィッチの光導波路と電極構造を示す平面図である。
スィッチの光導波路と電極構造を示す平面図である。
【図１０】典型的な方向性結合器型光スィッチの光導波
路と電極構造を示す平面図である。
路と電極構造を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る方向性結合器型光
スィッチの光導波路と電極構造を示す平面図である。
スィッチの光導波路と電極構造を示す平面図である。
【符号の説明】 １０ ＬＮ基板 １１ マッハツェンダ型光干渉系 １２ 信号電極 １２ａ 第一信号電極 １２ｂ 第二信号電極 １３ グラウンド電極 １４ ＭＺ型光干渉系 １５ ドメイン反転部 ５１ 基板 ５２ ドメイン反転部を形成するための第一の溝 ５３ ドメイン反転したコア材料 ５４ ドメイン正転部を形成するための第二の溝 ５５ コア材料
Claims (10)
- 【請求項１】 電気光学結晶からなる光導波路から構成
された光回路において、 前記光導波路がドメイン方向の異なる複数の光導波路か
らなることを特徴とする光回路。 - 【請求項２】 電気光学結晶からなる光導波路を有する
光変調器において、位相シフタをなす２本の光導波路の
ドメイン方向がそれぞれ反転していることを特徴とする
光変調器。 - 【請求項３】 電気光学結晶からなる、位相シフタとし
て機能する２本の光導波路をもつ光スィッチにおいて、 前記２本の光導波路のドメイン方向がそれぞれ反転して
いることを特徴とする光スィッチ。 - 【請求項４】 電気光学結晶からなる入力光導波路及び
出力光導波路を有し、１つの入力光導波路にＹ分岐状に
接続された複数の出力光導波路のそれぞれの屈折率を電
界により変化させることにより、複数の出力光導波路の
うち、光出力が得られる出力光導波路を選択する機能を
有するデジタル型光スィッチにおいて、 前記出力導波路間でドメイン方向がそれぞれ反転してい
ることを特徴とする光スィッチ。 - 【請求項５】 電気光学結晶からなる光導波路を有する
方向性結合器型光スィッチにおいて、 近接する各光導波路間でドメイン方向がそれぞれ反転し
ていることを特徴とする光スィッチ。 - 【請求項６】 電気光学結晶からなる光導波路であっ
て、ドメイン方向が異なる複数の光導波路からなる光回
路の製造方法において、 光回路の少なくとも一部が液相成長によって形成される
ことを特徴とする光回路の製造方法。 - 【請求項７】 電気光学結晶からなる光導波路を有する
光変調器であって、位相シフタをなす２本の光導波路の
ドメイン方向がそれぞれ反転している光変調器の製造方
法において、 前記光変調器の少なくとも一部が液相成長によって形成
されることを特徴とする光変調器の製造方法。 - 【請求項８】 電気光学結晶からなる、位相シフタとし
て機能する２本の光導波路をもつ光スィッチであって、
前記２本の光導波路のドメイン方向がそれぞれ反転して
いる光スィッチを製造する方法において、 前記光スィッチの少なくとも一部が液相成長によって形
成されることを特徴とする光スィッチの製造方法。 - 【請求項９】 電気光学結晶からなる入力光導波路及び
出力光導波路を有し、１つの入力光導波路にＹ分岐状に
接続された複数の出力光導波路のそれぞれの屈折率を電
界により変化させることにより、複数の出力光導波路の
うち、光出力が得られる出力光導波路を選択する機能を
もつデジタル型光スィッチであって、前記出力導波路間
でドメイン方向がそれぞれ反転している光スィッチの製
造方法において、 前記光スィッチの少なくとも一部が液相成長によって形
成されることを特徴とする光スィッチの製造方法。 - 【請求項１０】 電気光学結晶からなる光導波路を有す
る方向性結合器型光スィッチであって、近接する各光導
波路間でドメイン方向がそれぞれ反転している光スィッ
チの製造方法において、 前記光スィッチの少なくとも一部が液相成長によって形
成されることを特徴とする光スィッチの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10037201A JPH11231358A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 光回路及びその製造方法 |
| US09/247,907 US6334008B2 (en) | 1998-02-19 | 1999-02-11 | Optical circuit and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10037201A JPH11231358A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 光回路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11231358A true JPH11231358A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12490974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10037201A Pending JPH11231358A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 光回路及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6334008B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11231358A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271220A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Corning O.T.I. S.p.A. | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator |
| EP1336893A2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-20 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device |
| US6760493B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-07-06 | Avanex Corporation | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator |
| JP2006098885A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調素子モジュール |
| JP2006108781A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | プロジェクタ装置 |
| WO2010021193A1 (ja) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | 日本碍子株式会社 | 光変調器 |
| JP2011075928A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 方向性結合器 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6643048B2 (en) * | 2000-11-03 | 2003-11-04 | Codeon Corporation | Low-loss electrode structures using resistive connections for optical modulation applications |
| US7095543B1 (en) * | 2001-02-23 | 2006-08-22 | Finisar Corporation | Dual-electrode traveling wave optical phase shifters and methods |
| US6600843B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-07-29 | Srico, Inc. | Optical modulator |
| US6501867B2 (en) * | 2001-04-17 | 2002-12-31 | Lucent Technologies Inc. | Chirp compensated Mach-Zehnder electro-optic modulator |
| JP3936256B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2007-06-27 | 富士通株式会社 | 光半導体装置 |
| US9692964B2 (en) | 2003-06-26 | 2017-06-27 | Fotonation Limited | Modification of post-viewing parameters for digital images using image region or feature information |
| US8989453B2 (en) | 2003-06-26 | 2015-03-24 | Fotonation Limited | Digital image processing using face detection information |
| US7620218B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-11-17 | Fotonation Ireland Limited | Real-time face tracking with reference images |
| US7792970B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-09-07 | Fotonation Vision Limited | Method for establishing a paired connection between media devices |
| US7565030B2 (en) | 2003-06-26 | 2009-07-21 | Fotonation Vision Limited | Detecting orientation of digital images using face detection information |
| US8330831B2 (en) | 2003-08-05 | 2012-12-11 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Method of gathering visual meta data using a reference image |
| US8948468B2 (en) | 2003-06-26 | 2015-02-03 | Fotonation Limited | Modification of viewing parameters for digital images using face detection information |
| US8155397B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-04-10 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Face tracking in a camera processor |
| US9129381B2 (en) | 2003-06-26 | 2015-09-08 | Fotonation Limited | Modification of post-viewing parameters for digital images using image region or feature information |
| US8682097B2 (en) | 2006-02-14 | 2014-03-25 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Digital image enhancement with reference images |
| US8498452B2 (en) | 2003-06-26 | 2013-07-30 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Digital image processing using face detection information |
| US8593542B2 (en) | 2005-12-27 | 2013-11-26 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Foreground/background separation using reference images |
| US7844076B2 (en) | 2003-06-26 | 2010-11-30 | Fotonation Vision Limited | Digital image processing using face detection and skin tone information |
| US7471846B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-12-30 | Fotonation Vision Limited | Perfecting the effect of flash within an image acquisition devices using face detection |
| US7269292B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-09-11 | Fotonation Vision Limited | Digital image adjustable compression and resolution using face detection information |
| US7574016B2 (en) | 2003-06-26 | 2009-08-11 | Fotonation Vision Limited | Digital image processing using face detection information |
| US7440593B1 (en) | 2003-06-26 | 2008-10-21 | Fotonation Vision Limited | Method of improving orientation and color balance of digital images using face detection information |
| US8896725B2 (en) | 2007-06-21 | 2014-11-25 | Fotonation Limited | Image capture device with contemporaneous reference image capture mechanism |
| EP1772771A4 (en) * | 2004-07-15 | 2008-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | COHERENT LIGHT SOURCE AND OPTICAL APPARATUS USING THE SAME |
| US8320641B2 (en) | 2004-10-28 | 2012-11-27 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Method and apparatus for red-eye detection using preview or other reference images |
| KR20060075645A (ko) | 2004-12-28 | 2006-07-04 | 전자부품연구원 | 대칭 구조를 갖는 저전압형 광변조기 |
| US7315631B1 (en) | 2006-08-11 | 2008-01-01 | Fotonation Vision Limited | Real-time face tracking in a digital image acquisition device |
| CN100578321C (zh) * | 2005-03-15 | 2010-01-06 | 富士通株式会社 | 液晶显示装置及配向处理方法 |
| US7400787B2 (en) * | 2005-04-07 | 2008-07-15 | Photonic Systems, Inc. | Optical modulator with coupled coplanar strip electrode and domain inversion |
| EP2033142B1 (en) | 2006-06-12 | 2011-01-26 | Tessera Technologies Ireland Limited | Advances in extending the aam techniques from grayscale to color images |
| US7916897B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-03-29 | Tessera Technologies Ireland Limited | Face tracking for controlling imaging parameters |
| US7403643B2 (en) | 2006-08-11 | 2008-07-22 | Fotonation Vision Limited | Real-time face tracking in a digital image acquisition device |
| US8055067B2 (en) | 2007-01-18 | 2011-11-08 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Color segmentation |
| BRPI0721901A2 (pt) * | 2007-08-14 | 2014-12-09 | Selex Sistemi Integrati Spa | Comutador de freqüência óptica comandado por via elétrica. |
| US8131124B2 (en) * | 2008-04-22 | 2012-03-06 | Jamshid Nayyer | Optical guided mode spatial switches and their fabrication |
| JP5547730B2 (ja) | 2008-07-30 | 2014-07-16 | デジタルオプティックス・コーポレイション・ヨーロッパ・リミテッド | 顔検知を用いた顔及び肌の自動美化 |
| US8379917B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-02-19 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | Face recognition performance using additional image features |
| JP2016012109A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイ |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4709978A (en) * | 1986-02-21 | 1987-12-01 | Bell Communications Research, Inc. | Mach-Zehnder integrated optical modulator |
| US4820009A (en) * | 1987-08-13 | 1989-04-11 | Trw Inc. | Electrooptical switch and modulator |
| JPH02259608A (ja) | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Ibiden Co Ltd | ニオブ酸リチウム光導波路の製造方法 |
| JPH0348832A (ja) | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Sony Corp | 非線形強誘電体光学材料に対するドメイン制御方法 |
| JP2651271B2 (ja) | 1990-09-20 | 1997-09-10 | 沖電気工業株式会社 | 導波型光スイッチ |
| JPH04270322A (ja) | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Sony Corp | ドメイン制御方法 |
| JPH052201A (ja) | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Ibiden Co Ltd | 第２高調波発生素子およびその製造方法 |
| JPH0517295A (ja) | 1991-07-05 | 1993-01-26 | Ibiden Co Ltd | ドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜 |
| JPH05100271A (ja) | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光第二高調波発生素子 |
| JPH06214A (ja) | 1992-04-14 | 1994-01-11 | Ee P S:Kk | 室内空気消毒方法 |
| US5267336A (en) * | 1992-05-04 | 1993-11-30 | Srico, Inc. | Electro-optical sensor for detecting electric fields |
| JP2739405B2 (ja) | 1993-01-28 | 1998-04-15 | 株式会社トーキン | 電界センサ |
| US5278924A (en) | 1993-02-04 | 1994-01-11 | Hughes Aircraft Company | Periodic domain reversal electro-optic modulator |
| KR100271188B1 (ko) * | 1993-07-07 | 2000-11-01 | 도낀 가부시끼가이샤 | 광 변조장치(optical modulator) |
| JPH0764034A (ja) | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Ibiden Co Ltd | 進行波型光変調器 |
| JP3638300B2 (ja) | 1993-12-27 | 2005-04-13 | 三菱電線工業株式会社 | 光導波路型デバイス |
| JPH085854A (ja) | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Ibiden Co Ltd | リッジ型の形成方法 |
| JP2705664B2 (ja) | 1995-09-18 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ |
| JPH103100A (ja) | 1996-04-15 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路部品、光学部品、光導波路部品の製造方法および周期分極反転構造の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP10037201A patent/JPH11231358A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-11 US US09/247,907 patent/US6334008B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271220A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Corning O.T.I. S.p.A. | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator |
| US6760493B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-07-06 | Avanex Corporation | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator |
| EP1336893A2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-20 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device |
| EP1336893A3 (en) * | 2002-02-07 | 2005-03-30 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device |
| US7239764B2 (en) | 2002-02-07 | 2007-07-03 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device with reduced driving voltage |
| JP2006098885A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調素子モジュール |
| JP2006108781A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | プロジェクタ装置 |
| JP4587762B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-11-24 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調素子モジュール |
| WO2010021193A1 (ja) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | 日本碍子株式会社 | 光変調器 |
| JPWO2010021193A1 (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-26 | 日本碍子株式会社 | 光変調器 |
| US8411349B2 (en) | 2008-08-22 | 2013-04-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical modulator |
| JP2011075928A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 方向性結合器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6334008B2 (en) | 2001-12-25 |
| US20010046341A1 (en) | 2001-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11231358A (ja) | 光回路及びその製造方法 | |
| JP4313798B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JP4445977B2 (ja) | 光制御素子 | |
| US6760493B2 (en) | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator | |
| JP4187771B2 (ja) | 光制御素子 | |
| JP2902642B2 (ja) | 集積光学光強度変調器及びその製造方法 | |
| US6867901B2 (en) | Optical modulator and design method therefor | |
| JP4631006B2 (ja) | Ｆｓｋ変調器の自動調整システム | |
| US5263102A (en) | Polarization-independent optical switches/modulators | |
| JP2008089936A (ja) | 光制御素子 | |
| EP1271220B1 (en) | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator | |
| JPH1090638A (ja) | 光制御素子 | |
| US20030016896A1 (en) | Electro-optic waveguide devices | |
| JP2004004589A (ja) | マッハツェンダー導波路型電気光学光強度変調器 | |
| JPH06281897A (ja) | 光強度変調器 | |
| JP2606552B2 (ja) | 光制御デバイス | |
| JP4495326B2 (ja) | 光変調素子のチャープ制御方法 | |
| JPH09159979A (ja) | 導波路型光変調器 | |
| JPH05150199A (ja) | 導波路形光デバイス及びその変調方法 | |
| JPH04113326A (ja) | 光スイッチ | |
| JPH07244301A (ja) | 光導波路デバイス及び光導波路デバイスに 電界を印加する方法 | |
| JPH07325277A (ja) | 導波路型光デバイス | |
| CA2358232A1 (en) | Electro-optic waveguide devices | |
| JPH0688950A (ja) | 光制御素子およびその製造方法 | |
| JPH06347838A (ja) | 光制御デバイス |