JPH06281897A - 光強度変調器 - Google Patents
光強度変調器Info
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- JPH06281897A JPH06281897A JP6673493A JP6673493A JPH06281897A JP H06281897 A JPH06281897 A JP H06281897A JP 6673493 A JP6673493 A JP 6673493A JP 6673493 A JP6673493 A JP 6673493A JP H06281897 A JPH06281897 A JP H06281897A
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- optical
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- coupler
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器に
１×２方向性結合型３ｄＢカプラー４を用いることで、
直流バイアスが不要な光強度変調器を提供。 【構成】 導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器に
おいて、入力導波路６側の分岐を近接する直線導波路４
ａ，４ｂよりなる方向性結合型３ｄＢカプラー４とし、
出力導波路７側の分岐をＹ分岐５として構成してある。
光回路の相反性から、入力導波路６側の分岐をＹ分岐と
し、出力導波路７側の分岐を方向性結合型３ｄＢカプラ
ーとしても、光強度変調器としての機能は変わらない。
他の構成要素とし、ＬｉＮｂＯ3 基板１，ＳｉＯ2 バッ
ファ層２，上・下の導波路８ａ，８ｂ及び上・下の電極
３ａ，３ｂを含む。
１×２方向性結合型３ｄＢカプラー４を用いることで、
直流バイアスが不要な光強度変調器を提供。 【構成】 導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器に
おいて、入力導波路６側の分岐を近接する直線導波路４
ａ，４ｂよりなる方向性結合型３ｄＢカプラー４とし、
出力導波路７側の分岐をＹ分岐５として構成してある。
光回路の相反性から、入力導波路６側の分岐をＹ分岐と
し、出力導波路７側の分岐を方向性結合型３ｄＢカプラ
ーとしても、光強度変調器としての機能は変わらない。
他の構成要素とし、ＬｉＮｂＯ3 基板１，ＳｉＯ2 バッ
ファ層２，上・下の導波路８ａ，８ｂ及び上・下の電極
３ａ，３ｂを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信・光計測の分野
で利用される導波路型光強度変調器、特に導波路型マッ
ハ・ツェンダー光強度変調器に関するものである。
で利用される導波路型光強度変調器、特に導波路型マッ
ハ・ツェンダー光強度変調器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜あるいは光導波路を用いた導波路型
光強度変調器は、高速光通信のキーデバイスとして大き
な期待が持たれ、広範な研究開発が行われてきた。導波
路型光強度変調器の結晶基板材料としては、誘電体材料
ＬｉＮｂＯ3 基板、半導体基板、ＩｎＰ基板等が研究さ
れている。これらの中で、光損失が少ない、駆動電圧が
低い、誘電率が小さい、転移温度が高いなど総合的に性
能のよいＬｉＮｂＯ3 基板の研究が最も進んでおり、現
実に光通信系への実用が検討されている。
光強度変調器は、高速光通信のキーデバイスとして大き
な期待が持たれ、広範な研究開発が行われてきた。導波
路型光強度変調器の結晶基板材料としては、誘電体材料
ＬｉＮｂＯ3 基板、半導体基板、ＩｎＰ基板等が研究さ
れている。これらの中で、光損失が少ない、駆動電圧が
低い、誘電率が小さい、転移温度が高いなど総合的に性
能のよいＬｉＮｂＯ3 基板の研究が最も進んでおり、現
実に光通信系への実用が検討されている。
【０００３】導波路型光強度変調器の中で、最も一般的
なのは導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器であ
る。図３は、導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器
の典型的な構造と、導波路型マッハ・ツェンダー光強度
変調器の動作原理に関する説明図である。図において、
１１はＬｉＮｂＯ3 基板、１２はＳｉＯ2 バッファ層、
１３ａは後述する上の導波路に形成された上の電極、１
３ｂは同じく後述する下の導波路に形成された下の電
極、１４は入力側のＹ分岐導波路、１５は出力側のＹ合
波導波路、１６は入力導波路、１７は出力導波路、１８
ａは上の導波路、１８ｂは上の導波路１８ａと形状及び
屈折率が一致している下の導波路である。
なのは導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器であ
る。図３は、導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器
の典型的な構造と、導波路型マッハ・ツェンダー光強度
変調器の動作原理に関する説明図である。図において、
１１はＬｉＮｂＯ3 基板、１２はＳｉＯ2 バッファ層、
１３ａは後述する上の導波路に形成された上の電極、１
３ｂは同じく後述する下の導波路に形成された下の電
極、１４は入力側のＹ分岐導波路、１５は出力側のＹ合
波導波路、１６は入力導波路、１７は出力導波路、１８
ａは上の導波路、１８ｂは上の導波路１８ａと形状及び
屈折率が一致している下の導波路である。
【０００４】入力導波路１６より入射した光パワーは、
Ｙ分岐導波路１４において分岐し、上の導波路１８ａと
下の導波路１８ｂに均等に配分されて伝搬する。このと
き、上の導波路１８ａと下の導波路１８ｂとにおける光
波の位相は同一である。しかし、上の電極１３ａと下の
電極１３ｂによって反対極性の電場が印加されると、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板１１の電気光学効果のため、上の導波路
１８ａと下の導波路１８ｂとにおける光波の間に位相差
を生じる。そうして、上の導波路１８ａと下の導波路１
８ｂとをそれぞれ伝搬する光波が、位相差を有してＹ合
波導波路１５において合波するとき、次のような動作を
示す。
Ｙ分岐導波路１４において分岐し、上の導波路１８ａと
下の導波路１８ｂに均等に配分されて伝搬する。このと
き、上の導波路１８ａと下の導波路１８ｂとにおける光
波の位相は同一である。しかし、上の電極１３ａと下の
電極１３ｂによって反対極性の電場が印加されると、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板１１の電気光学効果のため、上の導波路
１８ａと下の導波路１８ｂとにおける光波の間に位相差
を生じる。そうして、上の導波路１８ａと下の導波路１
８ｂとをそれぞれ伝搬する光波が、位相差を有してＹ合
波導波路１５において合波するとき、次のような動作を
示す。
【０００５】すなわち、ｍを整数とするとき、位相差が
２ｍπであれば、Ｙ合波導波路１５においてすべての光
パワーは、出力導波路１７への光出力となる。一方、位
相差が（２ｍ＋１）πであれば、Ｙ合波導波路１５にお
いてすべての光パワーは、放射光としてＬｉＮｂＯ3 基
板１１中に進み、出力導波路１７への光出力は０とな
る。図４は、光出力対印加電圧（詳しくは、出力導波路
１７への光出力対上の電極１３ａと下の電極１３ｂへの
印加電圧）の関係を示したものである。Ｖπ及び−Ｖπ
は、出力導波路１７への光出力が０に最も近い極小値に
対応する印加電圧である。したがって、１／２Ｖπの直
流電圧をバイアス電圧とし、これに振幅Ｖπの交流電圧
を重畳すれば、出力光パワーをオン／オフすることがで
きる。この動作は、導波路型マッハ・ツェンダー光強度
変調器の基本原理及び光スイッチ機能を表している。
２ｍπであれば、Ｙ合波導波路１５においてすべての光
パワーは、出力導波路１７への光出力となる。一方、位
相差が（２ｍ＋１）πであれば、Ｙ合波導波路１５にお
いてすべての光パワーは、放射光としてＬｉＮｂＯ3 基
板１１中に進み、出力導波路１７への光出力は０とな
る。図４は、光出力対印加電圧（詳しくは、出力導波路
１７への光出力対上の電極１３ａと下の電極１３ｂへの
印加電圧）の関係を示したものである。Ｖπ及び−Ｖπ
は、出力導波路１７への光出力が０に最も近い極小値に
対応する印加電圧である。したがって、１／２Ｖπの直
流電圧をバイアス電圧とし、これに振幅Ｖπの交流電圧
を重畳すれば、出力光パワーをオン／オフすることがで
きる。この動作は、導波路型マッハ・ツェンダー光強度
変調器の基本原理及び光スイッチ機能を表している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ファイバ
通信に用いる波長１．３μｍ及び１．５５μｍ用の導波
路型マッハ・ツェンダー光強度変調器には、ｄｃドリフ
トという問題点がある。図３によりｄｃドリフトを説明
すれば、上の電極１３ａと下の電極１３ｂに一定電圧を
バイアスしても、上の導波路１８ａと下の導波路１８ｂ
における電場が、時間的に変動する現象である。したが
って、導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器におい
て、ｄｃドリフトはバイアス点の時間的変動となる。バ
イアス点が時間的に変動すれば、一定振幅の交流電圧を
印加しても、本来は出力光パワーの最大値又は最小値に
対応する電圧が印加されたとき、出力光パワーは最大値
又は最小値とは異なる値となる。すなわち、完全なオン
状態又は完全なオフ状態が得られず、消光比（＝最小値
／最大値）が劣化する。
通信に用いる波長１．３μｍ及び１．５５μｍ用の導波
路型マッハ・ツェンダー光強度変調器には、ｄｃドリフ
トという問題点がある。図３によりｄｃドリフトを説明
すれば、上の電極１３ａと下の電極１３ｂに一定電圧を
バイアスしても、上の導波路１８ａと下の導波路１８ｂ
における電場が、時間的に変動する現象である。したが
って、導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器におい
て、ｄｃドリフトはバイアス点の時間的変動となる。バ
イアス点が時間的に変動すれば、一定振幅の交流電圧を
印加しても、本来は出力光パワーの最大値又は最小値に
対応する電圧が印加されたとき、出力光パワーは最大値
又は最小値とは異なる値となる。すなわち、完全なオン
状態又は完全なオフ状態が得られず、消光比（＝最小値
／最大値）が劣化する。
【０００７】ｄｃドリフトの原因は、バッファ層１２又
はその下に位置するＬｉＮｂＯ3 基板１１を通じての漏
洩電流であることが知られている。上の導波路１８ａと
下の導波路１８ｂとをそれぞれ伝搬する光波が、上の電
極１３ａと下の電極１３ｂにより減衰されるのを抑制す
るため、ＳｉＯ2 バッファ層１２が設けられている。Ｓ
ｉＯ2 バッファ層１２は、厚さ約２０００Åの絶縁膜で
あり、通常はＣＶＤ法で生成したＳｉＯ2 膜が用いられ
る。ＳｉＯ2 バッファ層１２及びその下に位置するＬｉ
ＮｂＯ3 基板１１は、完全な絶縁体であることが理想で
あるが、実際にはわずかながら漏洩電流がある。漏洩電
流が存在するため、一定電圧をバイアスしても、上の導
波路１８ａと下の導波路１８ｂの電場が、時間的に変動
してしまうのである。
はその下に位置するＬｉＮｂＯ3 基板１１を通じての漏
洩電流であることが知られている。上の導波路１８ａと
下の導波路１８ｂとをそれぞれ伝搬する光波が、上の電
極１３ａと下の電極１３ｂにより減衰されるのを抑制す
るため、ＳｉＯ2 バッファ層１２が設けられている。Ｓ
ｉＯ2 バッファ層１２は、厚さ約２０００Åの絶縁膜で
あり、通常はＣＶＤ法で生成したＳｉＯ2 膜が用いられ
る。ＳｉＯ2 バッファ層１２及びその下に位置するＬｉ
ＮｂＯ3 基板１１は、完全な絶縁体であることが理想で
あるが、実際にはわずかながら漏洩電流がある。漏洩電
流が存在するため、一定電圧をバイアスしても、上の導
波路１８ａと下の導波路１８ｂの電場が、時間的に変動
してしまうのである。
【０００８】ｄｃドリフトに対しては、次に述べるよう
に幾つかの低減法、解決法が提案、実施されているが、
いずれも部分的改良であり、完全には解決されていな
い。例えば、バッファ層を改良して、ｄｃドリフトを低
減する試みがある。蒸着直後の状態下でのＳｉＯ2 バッ
ファ層は、一般に酸素欠損が多く、電気伝導度が高い。
このため、ＳｉＯ2 膜の酸素雰囲気中での焼鈍によっ
て、電気伝導度を低下させる方法が採られている。
に幾つかの低減法、解決法が提案、実施されているが、
いずれも部分的改良であり、完全には解決されていな
い。例えば、バッファ層を改良して、ｄｃドリフトを低
減する試みがある。蒸着直後の状態下でのＳｉＯ2 バッ
ファ層は、一般に酸素欠損が多く、電気伝導度が高い。
このため、ＳｉＯ2 膜の酸素雰囲気中での焼鈍によっ
て、電気伝導度を低下させる方法が採られている。
【０００９】ＳｉＯ2 バッファ層改良に代わって、導電
性バッファＩＴＯ（Ｉｎx Ｓｎ2-XＯ3 ）の採用によ
り、ｄｃドリフトが低減できた例も報告されている。Ｓ
ｉＯ2膜を酸素雰囲気中で焼鈍するのとは対照的に、導
電性バッファＩＴＯの採用は、早期にドリフトを発生さ
せてしまい、その後は安定に振る舞うことを期待した低
減法である。しかし、実用上は、１０年程度の時間での
安定性を要求されるため、これらのｄｃドリフト低減法
は、いずれも十分な対策とはいえない。
性バッファＩＴＯ（Ｉｎx Ｓｎ2-XＯ3 ）の採用によ
り、ｄｃドリフトが低減できた例も報告されている。Ｓ
ｉＯ2膜を酸素雰囲気中で焼鈍するのとは対照的に、導
電性バッファＩＴＯの採用は、早期にドリフトを発生さ
せてしまい、その後は安定に振る舞うことを期待した低
減法である。しかし、実用上は、１０年程度の時間での
安定性を要求されるため、これらのｄｃドリフト低減法
は、いずれも十分な対策とはいえない。
【００１０】上述した電気的特性の改良とは全く別の考
え方に基づき、光導波路に光学的バイアスを設ける試み
がある。光学的バイアスは、構造的に設けるものである
ため、一たび作製すると、外から制御することはできな
い。一方、電気的バイアスを設けることと比較すれば、
ｄｃドリフトの心配がなく、安定なものであることが大
きな長所である。図５及び図６は、導波路型マッハ・ツ
ェンダー光強度変調器に、光学的バイアスを構成する例
を示してある。
え方に基づき、光導波路に光学的バイアスを設ける試み
がある。光学的バイアスは、構造的に設けるものである
ため、一たび作製すると、外から制御することはできな
い。一方、電気的バイアスを設けることと比較すれば、
ｄｃドリフトの心配がなく、安定なものであることが大
きな長所である。図５及び図６は、導波路型マッハ・ツ
ェンダー光強度変調器に、光学的バイアスを構成する例
を示してある。
【００１１】図５において、図３と同一部分に対して
は、符号も同一にしてある。上の導波路１８ａには下の
導波路１８ｂと異なり、導波路幅の広い（あるいは狭
い）領域１８ａ′が形成してある〔C. M. Gee et al.:
Appl. Opt.，22, 2034（1984）〕。実効屈折率は導波路
幅に依存して変化するため、一方の導波路のみに導波路
幅が広い、又は狭い領域を構成すれば、光学的バイアス
を設けたことになる。そうして、この導波路幅変更領域
の導波路幅と長さを適当に選択すれば、光学的バイアス
をπ／２とすることができる。
は、符号も同一にしてある。上の導波路１８ａには下の
導波路１８ｂと異なり、導波路幅の広い（あるいは狭
い）領域１８ａ′が形成してある〔C. M. Gee et al.:
Appl. Opt.，22, 2034（1984）〕。実効屈折率は導波路
幅に依存して変化するため、一方の導波路のみに導波路
幅が広い、又は狭い領域を構成すれば、光学的バイアス
を設けたことになる。そうして、この導波路幅変更領域
の導波路幅と長さを適当に選択すれば、光学的バイアス
をπ／２とすることができる。
【００１２】図６においても、図３と同一部分に対して
は、符号も同一にしてある。図６で示すものは、上の導
波路１８ａの長さと下の導波路１８ｂの長さに差を設け
てある〔C. H. Bulmer et al.: J. Lightwave Techno
l., 2, 512（１９８４）〕。この場合、二つの導波路の
光路長差を適当に選択すれば、光学的バイアスをπ／２
とすることができる。
は、符号も同一にしてある。図６で示すものは、上の導
波路１８ａの長さと下の導波路１８ｂの長さに差を設け
てある〔C. H. Bulmer et al.: J. Lightwave Techno
l., 2, 512（１９８４）〕。この場合、二つの導波路の
光路長差を適当に選択すれば、光学的バイアスをπ／２
とすることができる。
【００１３】しかしながら、導波路に光学的バイアスを
設けるこれらの構造には、下記の問題点がある。 １．導波路の一部に導波路幅を変更した領域を構成する
こと、二つの導波路の長さに所定の差を持たせ構成する
ことは、ともに作製再現性に乏しい。 ２．上記二つの構成例ではいずれもＹ分岐を用いるが、
Ｙ分岐での光損失は通常１ｄＢ程度あり、これを低減す
るためには、複雑な構造が必要となる。
設けるこれらの構造には、下記の問題点がある。 １．導波路の一部に導波路幅を変更した領域を構成する
こと、二つの導波路の長さに所定の差を持たせ構成する
ことは、ともに作製再現性に乏しい。 ２．上記二つの構成例ではいずれもＹ分岐を用いるが、
Ｙ分岐での光損失は通常１ｄＢ程度あり、これを低減す
るためには、複雑な構造が必要となる。
【００１４】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的はｄｃバイアスを必要とせ
ず、しかも作製再現性のある光学的バイアスを有すると
ともに、分岐による光損失が小さい光強度変調器を提供
することである。
れたものであり、その目的はｄｃバイアスを必要とせ
ず、しかも作製再現性のある光学的バイアスを有すると
ともに、分岐による光損失が小さい光強度変調器を提供
することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の光強度変調器は
導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器において、入
力側の分岐導波路と出力側の合波導波路とのいずれか一
方を方向性結合器とし、他方をＹ分岐導波路としたこと
を特徴としている。
導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器において、入
力側の分岐導波路と出力側の合波導波路とのいずれか一
方を方向性結合器とし、他方をＹ分岐導波路としたこと
を特徴としている。
【００１６】本発明に係る導波路型マッハ・ツェンダー
光強度変調器の基本的構造を、図１により説明する。図
において、１はＬｉＮｂＯ3 基板、２はＳｉＯ2 バッフ
ァ層、３ａは後述する上の導波路に形成された上の電
極、３ｂは同じく後述する下の導波路に形成された下の
電極、４は方向性結合器である。方向性結合器４は、近
接して位置する２本の直線導波路部分４ａ，４ｂが構成
する１×２方向性結合型３ｄＢカプラーである。次に５
はＹ分岐導波路、６は入力導波路、７は出力導波路、８
ａは上の導波路、８ｂは上の導波路８ａと形状及び屈折
率が一致している下の導波路である。
光強度変調器の基本的構造を、図１により説明する。図
において、１はＬｉＮｂＯ3 基板、２はＳｉＯ2 バッフ
ァ層、３ａは後述する上の導波路に形成された上の電
極、３ｂは同じく後述する下の導波路に形成された下の
電極、４は方向性結合器である。方向性結合器４は、近
接して位置する２本の直線導波路部分４ａ，４ｂが構成
する１×２方向性結合型３ｄＢカプラーである。次に５
はＹ分岐導波路、６は入力導波路、７は出力導波路、８
ａは上の導波路、８ｂは上の導波路８ａと形状及び屈折
率が一致している下の導波路である。
【００１７】上述した１×２方向性結合型３ｄＢカプラ
ー４の相互作用長を、図示したようにＬとすれば、完全
結合長ｌC との間にＬ＝ｌC ／２という関係がある場合
では、入力導波路６から入射した光パワーは二等分さ
れ、同時に上の導波路８ａと下の導波路８ｂをそれぞれ
伝搬する光波の位相差はπ／２となる。
ー４の相互作用長を、図示したようにＬとすれば、完全
結合長ｌC との間にＬ＝ｌC ／２という関係がある場合
では、入力導波路６から入射した光パワーは二等分さ
れ、同時に上の導波路８ａと下の導波路８ｂをそれぞれ
伝搬する光波の位相差はπ／２となる。
【００１８】入力光パワーを１としたとき、二つの出力
ポート、すなわち下の導波路８ｂと上の導波路８ａにお
ける各出力光パワーＰb ，ＰC は、下記の（１）式、
（２）式で表される。 Ｐb ＝ｃｏｓ2 〔（π／２）（Ｌ／ｌC ）〕 （１） Ｐc ＝ｓｉｎ2 〔（π／２）（Ｌ／ｌC ）〕 （２） （１），（２）式よりＬ＝ｌC ／２のとき、Ｐb ＝ＰC
であることが分かる。したがって、Ｌ＝ｌC ／２の条件
を満たすとき、この方向性結合器は３ｄＢカプラーとし
て働くことになる。
ポート、すなわち下の導波路８ｂと上の導波路８ａにお
ける各出力光パワーＰb ，ＰC は、下記の（１）式、
（２）式で表される。 Ｐb ＝ｃｏｓ2 〔（π／２）（Ｌ／ｌC ）〕 （１） Ｐc ＝ｓｉｎ2 〔（π／２）（Ｌ／ｌC ）〕 （２） （１），（２）式よりＬ＝ｌC ／２のとき、Ｐb ＝ＰC
であることが分かる。したがって、Ｌ＝ｌC ／２の条件
を満たすとき、この方向性結合器は３ｄＢカプラーとし
て働くことになる。
【００１９】上の導波路８ａと下の導波路８ｂをそれぞ
れ伝搬する両光波は、上の電極３ａ及び下の電極３ｂに
よって反対極性の電場を受け、一次の電気光学効果によ
り反対極性の位相シフトを生じる。そうして、出力側の
Ｙ分岐導波路５において、両光波が合波するときの位相
差が２ｍπの場合はオンとなり、（２ｍ＋１）πの場合
はオフとなる（但し、ｍは整数）。
れ伝搬する両光波は、上の電極３ａ及び下の電極３ｂに
よって反対極性の電場を受け、一次の電気光学効果によ
り反対極性の位相シフトを生じる。そうして、出力側の
Ｙ分岐導波路５において、両光波が合波するときの位相
差が２ｍπの場合はオンとなり、（２ｍ＋１）πの場合
はオフとなる（但し、ｍは整数）。
【００２０】ここで外部電圧によってもたらされた位相
差φe で表現すれば、φe ＝（２ｍ−１／２）πの場合
はオンとなり、φe ＝（２ｍ＋１／２）πの場合はオフ
となる。特にｍ＝０のときは、オン、オフを与える印加
電圧の位相差φe0はそれぞれφe0＝−（１／２）π，φ
e0＝（１／２）πとなり、絶対値が等しく、逆符号であ
ることが重要な点である。この場合、ｄｃバイアスは不
要で、交流電圧のみでオン／オフの切り換えが可能であ
る。図１で示す本発明の導波路型マッハ・ツェンダー光
強度変調器における印加電圧対光出力の関係は、図２で
示されている。
差φe で表現すれば、φe ＝（２ｍ−１／２）πの場合
はオンとなり、φe ＝（２ｍ＋１／２）πの場合はオフ
となる。特にｍ＝０のときは、オン、オフを与える印加
電圧の位相差φe0はそれぞれφe0＝−（１／２）π，φ
e0＝（１／２）πとなり、絶対値が等しく、逆符号であ
ることが重要な点である。この場合、ｄｃバイアスは不
要で、交流電圧のみでオン／オフの切り換えが可能であ
る。図１で示す本発明の導波路型マッハ・ツェンダー光
強度変調器における印加電圧対光出力の関係は、図２で
示されている。
【００２１】上述のように、入力側の分岐導波路に方向
性結合器４を用いれば、同時に光学的バイアスπ／２を
設けたことに相当する。このことより、通常のマッハ・
ツェンダー光強度変調器において、入力側の分岐導波路
を１×２方向性結合器で置き換えれば、適当な光学的バ
イアスを有する光強度変調器が実現できる。本構成では
ｄｃバイアスが不要であるので、従来の技術におけるよ
うなｄｃドリフトの問題はない。なお、この光回路の相
反性から、入力側をＹ分岐導波路とし、出力側を１×２
方向性結合器として構成しても、光強度変調器としての
機能は、全く変わらないことが分かる。
性結合器４を用いれば、同時に光学的バイアスπ／２を
設けたことに相当する。このことより、通常のマッハ・
ツェンダー光強度変調器において、入力側の分岐導波路
を１×２方向性結合器で置き換えれば、適当な光学的バ
イアスを有する光強度変調器が実現できる。本構成では
ｄｃバイアスが不要であるので、従来の技術におけるよ
うなｄｃドリフトの問題はない。なお、この光回路の相
反性から、入力側をＹ分岐導波路とし、出力側を１×２
方向性結合器として構成しても、光強度変調器としての
機能は、全く変わらないことが分かる。
【００２２】
【作用】本発明の導波路型マッハ・ツェンダー光強度変
調器は、従来の技術における入力側におけるＹ分岐導波
路に代わり、入力側に方向性結合型３ｄＢカプラー４を
用いている。そのため、方向性結合器３ｄＢカプラー４
において、上の導波路８ａと下の導波路８ｂとへの光パ
ワーの等分配と、同時に位相差π／２の付与がなされ
る。
調器は、従来の技術における入力側におけるＹ分岐導波
路に代わり、入力側に方向性結合型３ｄＢカプラー４を
用いている。そのため、方向性結合器３ｄＢカプラー４
において、上の導波路８ａと下の導波路８ｂとへの光パ
ワーの等分配と、同時に位相差π／２の付与がなされ
る。
【００２３】すなわち、入力導波路６に入射した光波
は、方向性結合型３ｄＢカプラー４の一方の直線導波路
部分４ｂから他方の直線導波路部分４ａへ移行し、光パ
ワーは直線導波路部分４ａ，４ｂに等配分される。同時
に、直線導波路部分４ａ，４ｂから出る光波の間には、
π／２の位相差が生じる。上・下の導波路８ａ，８ｂを
伝搬した等パワーの両光波は、それぞれ上の電極３ａ，
下の電極３ｂによって反対極性の電場を受ける。したが
って、一次の電気光学効果により、それぞれ両光波は反
対極性の位相シフトを生じる。
は、方向性結合型３ｄＢカプラー４の一方の直線導波路
部分４ｂから他方の直線導波路部分４ａへ移行し、光パ
ワーは直線導波路部分４ａ，４ｂに等配分される。同時
に、直線導波路部分４ａ，４ｂから出る光波の間には、
π／２の位相差が生じる。上・下の導波路８ａ，８ｂを
伝搬した等パワーの両光波は、それぞれ上の電極３ａ，
下の電極３ｂによって反対極性の電場を受ける。したが
って、一次の電気光学効果により、それぞれ両光波は反
対極性の位相シフトを生じる。
【００２４】上述のように変調された両光波は、上・下
の導波路８ａ，８ｂから出力しＹ分岐導波路５において
合波する。そのとき、両光波の位相差が２ｍπの場合は
オンとなり、（２ｍ＋１）πの場合はオフとなる。それ
ぞれ上の電極３ａ，下の電極３ｂによって反対極性の電
場を受ける以前に、既にπ／２の位相差をもつため、光
出力は印加電圧−１／２Ｖπのときオンとなり、印加電
圧＋１／２Ｖπのときオフとなる。このようにして、ｄ
ｃバイアス不要の光強度変調器が実現でき、その結果ｄ
ｃドリフトの問題も無くなる。これに加えて、本発明の
導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器は、３ｄＢカ
プラーを方向性結合器４によって作っているため、通常
のＹ分岐と比較して、分岐による光損失が極めて低い。
の導波路８ａ，８ｂから出力しＹ分岐導波路５において
合波する。そのとき、両光波の位相差が２ｍπの場合は
オンとなり、（２ｍ＋１）πの場合はオフとなる。それ
ぞれ上の電極３ａ，下の電極３ｂによって反対極性の電
場を受ける以前に、既にπ／２の位相差をもつため、光
出力は印加電圧−１／２Ｖπのときオンとなり、印加電
圧＋１／２Ｖπのときオフとなる。このようにして、ｄ
ｃバイアス不要の光強度変調器が実現でき、その結果ｄ
ｃドリフトの問題も無くなる。これに加えて、本発明の
導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調器は、３ｄＢカ
プラーを方向性結合器４によって作っているため、通常
のＹ分岐と比較して、分岐による光損失が極めて低い。
【００２５】
【実施例】基本的構造が図１で示された本発明の導波路
型マッハ・ツェンダー光強度変調器を、次のように作製
した。まず、ｘカットのＬｉＮｂＯ3 基板を用いて、ｙ
方向に沿った構成で各導波路を形成した。入力側の分岐
導波路を１×２方向性結合器４に形成し、出力側の合波
導波路をＹ分岐導波路５に形成した。上・下両導波路８
ａ，８ｂ間の間隙は１３μｍ，上・下両導波路８ａ，８
ｂの長さ（平行直線部分の長さ）は２０ｍｍである。
型マッハ・ツェンダー光強度変調器を、次のように作製
した。まず、ｘカットのＬｉＮｂＯ3 基板を用いて、ｙ
方向に沿った構成で各導波路を形成した。入力側の分岐
導波路を１×２方向性結合器４に形成し、出力側の合波
導波路をＹ分岐導波路５に形成した。上・下両導波路８
ａ，８ｂ間の間隙は１３μｍ，上・下両導波路８ａ，８
ｂの長さ（平行直線部分の長さ）は２０ｍｍである。
【００２６】導波路はＴｉ拡散法によって形成した。す
なわち、金属Ｔｉ膜にホトリソグラフィによるパターニ
ングで厚さ８００Å，幅７．５μｍの導波路を成型した
後、１０５０℃で８時間熱拡散を行った。その後、バッ
ファ層２としてＳｉＯ2 を厚さ２０００Åに堆積してか
ら、上・下両電極３ａ，３ｂとしてＴｉ／Ａｕ電極を装
荷した。上・下両電極３ａ，３ｂの間隙は、上・下両導
波路８ａ，８ｂ間の間隙と同じ１３μｍとした。作製さ
れた導波路型光強度変調器は、レーザ光源として用いた
波長１．３μｍ，ＴＥモード偏波（光波の電場が基板表
面と平行）の入力光に対して単一モード導波路であるこ
と、伝搬損失が約３ｄＢと十分に小さいことを確認し
た。また、本発明の特徴をなしている方向性結合器４の
試作結果は、次のようである。
なわち、金属Ｔｉ膜にホトリソグラフィによるパターニ
ングで厚さ８００Å，幅７．５μｍの導波路を成型した
後、１０５０℃で８時間熱拡散を行った。その後、バッ
ファ層２としてＳｉＯ2 を厚さ２０００Åに堆積してか
ら、上・下両電極３ａ，３ｂとしてＴｉ／Ａｕ電極を装
荷した。上・下両電極３ａ，３ｂの間隙は、上・下両導
波路８ａ，８ｂ間の間隙と同じ１３μｍとした。作製さ
れた導波路型光強度変調器は、レーザ光源として用いた
波長１．３μｍ，ＴＥモード偏波（光波の電場が基板表
面と平行）の入力光に対して単一モード導波路であるこ
と、伝搬損失が約３ｄＢと十分に小さいことを確認し
た。また、本発明の特徴をなしている方向性結合器４の
試作結果は、次のようである。
【００２７】上述の作製法による方向性結合器４の相互
作用長Ｌの変化に対するパワー分岐特性は、（１）式、
（２）式によって精度よくフィッティングできることが
確認された。上述したＴｉの拡散条件では、導波路４
ａ，４ｂ間の間隙ｇを５μｍにとったとき、ＴＥモード
に対する完全結合長ｌc ＝５．２ｍｍとなることを確か
めた。そこで相互作用長Ｌ＝ｌc ／２＝２．６ｍｍとす
ることにより、所望の３ｄＢカプラーとしての方向性結
合器４が得られた。なお、図１に記載の導波路の曲がり
の角度φは、２°に形成した。一般には、間隙ｇ＝５μ
ｍとする必要はなく、他のｇの値に対しても、完全結合
長ｌc がそれぞれ決まり、更に相互作用長Ｌ＝ｌc ／２
により相互作用長Ｌを決めれば、所望の３ｄＢカプラー
が得られる。方向性結合器４の作製再現性に関しても、
同一条件で数回作製したｌc のバラツキは、５％以下に
収まっていた。
作用長Ｌの変化に対するパワー分岐特性は、（１）式、
（２）式によって精度よくフィッティングできることが
確認された。上述したＴｉの拡散条件では、導波路４
ａ，４ｂ間の間隙ｇを５μｍにとったとき、ＴＥモード
に対する完全結合長ｌc ＝５．２ｍｍとなることを確か
めた。そこで相互作用長Ｌ＝ｌc ／２＝２．６ｍｍとす
ることにより、所望の３ｄＢカプラーとしての方向性結
合器４が得られた。なお、図１に記載の導波路の曲がり
の角度φは、２°に形成した。一般には、間隙ｇ＝５μ
ｍとする必要はなく、他のｇの値に対しても、完全結合
長ｌc がそれぞれ決まり、更に相互作用長Ｌ＝ｌc ／２
により相互作用長Ｌを決めれば、所望の３ｄＢカプラー
が得られる。方向性結合器４の作製再現性に関しても、
同一条件で数回作製したｌc のバラツキは、５％以下に
収まっていた。
【００２８】上述の製法によって作製した本発明の導波
路型マッハ・ツェンダー光強度変調器の動作特性を、図
２を用いて説明する。横軸は印加電圧、縦軸は光出力で
ある。電圧２．７Ｖで極小値、−２．５５Ｖで極大値と
なっている。極小値／極大値、すなわち、消光比は１／
５０である。理想的には、極大値を与える電圧と極小値
を与える電圧は、絶対値が等しく逆符号である。理論と
一致しないのは、上・下両導波路８ａ，８ｂの長さ及び
幅が、厳密には対称でないことにより説明される。ま
た、消光比が０でないのは、３ｄＢカプラー条件、Ｌ＝
ｌc ／２からのズレのため光パワーが厳密に上・下の導
波路８ａ，８ｂに等配分されないこと、及びＬｉＮｂＯ
3 基板１への放射光が出力導波路７に混入していること
により説明できる。
路型マッハ・ツェンダー光強度変調器の動作特性を、図
２を用いて説明する。横軸は印加電圧、縦軸は光出力で
ある。電圧２．７Ｖで極小値、−２．５５Ｖで極大値と
なっている。極小値／極大値、すなわち、消光比は１／
５０である。理想的には、極大値を与える電圧と極小値
を与える電圧は、絶対値が等しく逆符号である。理論と
一致しないのは、上・下両導波路８ａ，８ｂの長さ及び
幅が、厳密には対称でないことにより説明される。ま
た、消光比が０でないのは、３ｄＢカプラー条件、Ｌ＝
ｌc ／２からのズレのため光パワーが厳密に上・下の導
波路８ａ，８ｂに等配分されないこと、及びＬｉＮｂＯ
3 基板１への放射光が出力導波路７に混入していること
により説明できる。
【００２９】また、本発明の導波路型マッハ・ツェンダ
ー光強度変調器が、分岐光損失の極めて低いことは、次
のような方法で確かめた。すなわち、前記の導波路型マ
ッハ・ツェンダー光強度変調器を作製したと同じ基板上
に、１×２方向性結合器及び直線導波路を別個に作製し
た。これらの導波路の幅と作製条件は、同一基板上に位
置していることから強度変調器の導波路と同一の特性を
持つはずであるから、両者の光損失を比較することによ
り、方向性結合器を挿入したことのみによる光損失Ｌｄ
を測定できる。この結果、光損失Ｌｄは０．１ｄＢ程度
であった。
ー光強度変調器が、分岐光損失の極めて低いことは、次
のような方法で確かめた。すなわち、前記の導波路型マ
ッハ・ツェンダー光強度変調器を作製したと同じ基板上
に、１×２方向性結合器及び直線導波路を別個に作製し
た。これらの導波路の幅と作製条件は、同一基板上に位
置していることから強度変調器の導波路と同一の特性を
持つはずであるから、両者の光損失を比較することによ
り、方向性結合器を挿入したことのみによる光損失Ｌｄ
を測定できる。この結果、光損失Ｌｄは０．１ｄＢ程度
であった。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の導波路型マ
ッハ・ツェンダー光強度変調器は、上の導波路と下の導
波路への光パワーの等配分と同時に位相差π／２の付与
が行われるため、ｄｃバイアスが不要であり、ｄｃドリ
フトは存在しない。これに加えて、本発明の導波路型マ
ッハ・ツェンダー光強度変調器は、３ｄＢカプラーを方
向性結合器によって作っているため、通常のＹ分岐と比
較して分岐による光損失が極めて低い。
ッハ・ツェンダー光強度変調器は、上の導波路と下の導
波路への光パワーの等配分と同時に位相差π／２の付与
が行われるため、ｄｃバイアスが不要であり、ｄｃドリ
フトは存在しない。これに加えて、本発明の導波路型マ
ッハ・ツェンダー光強度変調器は、３ｄＢカプラーを方
向性結合器によって作っているため、通常のＹ分岐と比
較して分岐による光損失が極めて低い。
【図１】本発明の導波路型マッハ・ツェンダー光強度変
調器の基本的構造を示す図である。
調器の基本的構造を示す図である。
【図２】本発明の導波路型マッハ・ツェンダー光強度変
調器に関する印加電圧対光出力の特性図である。
調器に関する印加電圧対光出力の特性図である。
【図３】従来の技術における導波路型マッハ・ツェンダ
ー光強度変調器の基本的構造を示す図である。
ー光強度変調器の基本的構造を示す図である。
【図４】従来の技術における導波路型マッハ・ツェンダ
ー光強度変調器に関する印加電圧対光出力の特性図であ
る。
ー光強度変調器に関する印加電圧対光出力の特性図であ
る。
【図５】従来の技術における導波路型マッハ・ツェンダ
ー光強度変調器への光学的バイアスの構成例を示す図で
ある。
ー光強度変調器への光学的バイアスの構成例を示す図で
ある。
【図６】従来の技術における導波路型マッハ・ツェンダ
ー光強度変調器への光学的バイアスの他の構造例を示す
図である。
ー光強度変調器への光学的バイアスの他の構造例を示す
図である。
１ ＬｉＮｂＯ3 基板 ２ ＳｉＯ2 バッファ層 ３ａ 上の電極 ３ｂ 下の電極 ４ 方向性結合器（方向性結合型３ｄＢカプラー） ５ Ｙ分岐導波路 ６ 入力導波路 ７ 出力導波路 ８ａ 上の導波路 ８ｂ 下の導波路
Claims (1)
- 【請求項１】 導波路型マッハ・ツェンダー光強度変調
器において、入力側の分岐導波路と出力側の合波導波路
とのいずれか一方を方向性結合器とし、他方をＹ分岐導
波路としたことを特徴とする導波路型マッハ・ツェンダ
ー光強度変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6673493A JPH06281897A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 光強度変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6673493A JPH06281897A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 光強度変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281897A true JPH06281897A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13324417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6673493A Pending JPH06281897A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 光強度変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06281897A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438891B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-07-02 | 한국전자통신연구원 | 반도체 광 변조기 |
| WO2011001679A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 日本電信電話株式会社 | 光９０度ハイブリッド回路 |
| WO2021161746A1 (ja) * | 2020-02-14 | 2021-08-19 | Tdk株式会社 | 光変調素子 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP6673493A patent/JPH06281897A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438891B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-07-02 | 한국전자통신연구원 | 반도체 광 변조기 |
| WO2011001679A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 日本電信電話株式会社 | 光９０度ハイブリッド回路 |
| JP5243607B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-07-24 | 日本電信電話株式会社 | 光９０度ハイブリッド回路 |
| US8971677B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-03-03 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical 90-degree hybrid circuit |
| WO2021161746A1 (ja) * | 2020-02-14 | 2021-08-19 | Tdk株式会社 | 光変調素子 |
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