JP4911529B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
強誘電性材料からなる基板、
少なくとも一対の分岐光導波路、分岐光導波路の合波部およびこの合波部の下流側の出射部を含んでいる光導波路、
光導波路を伝搬する光を変調する信号電圧を印加するための変調用電極、および
合波部からの1次モード光をガイドする1次モード光ガイド導波路を備えており、
少なくとも変調用電極下において前記基板の厚みが20μm以下であり、合波部の中心軸からガイド導波路までの距離が15μm以上、50μm以下であり、ガイド導波路からの光出力に基づいて、変調用電極に加わる直流バイアスを変化させることによって、光変調器の動作点を制御でき、ガイド導波路が、一次モード光を受け入れる導入部、この導入部の下流側に設けられた側面側に曲がる湾曲部分と出射側端面へと曲がる湾曲部分、および出射部と平行に延びる射出部を備えており、ガイド導波路を伝搬した一次モード光が射出部を介して基板の端面から出射することを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態に係る光変調器1の平面図であり、図2(a)は図1のIIa−IIa線断面図であり、図2(b)は図1のIIb−IIb線断面図である。
図1、2、3を参照しつつ説明した方法に従い、図1の光変調器1を作製して試験した。具体的には、Xカットした3インチウエハー(LiNbO3単結晶)からなる基板を使用し、チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマッハツェンダー型の光導波路5を形成する。次いで、メッキプロセスにより、CPW電極を形成する。中心電極4と接地電極3A、3Cとのギャップを25μmとし、電極厚みを20μmとし、電極長を32mmとする。次に薄型研磨のために研磨定盤に研磨ダミー基板を貼り付け、その上に変調器基板を電極面を下にして熱可塑性樹脂で貼り付ける。さらに、横型研磨およびポリッシング(CMP)にて8μm厚みまで基板本体を薄型加工する。その後、平板状の支持基体7を基板本体に接着固定し、光ファイバの接続部を端面研磨し、ダイシングにてチップ切断する。接着固定用の樹脂は、樹脂厚50μmのエポキシ樹脂を使用した。入力側には1.55μm帯パンダファイバを保持した単芯ファイバーアレイを、出力側にはシングルモードファイバを保持した単芯ファイバアレイを進行波形光変調器チップに結合し、光ファイバーと光導波路とを調芯し、紫外線硬化型樹脂によって接着する。
図4、図5を参照しつつ説明したような光変調器について検討を行った。
具体的には、光変調器の材質や光導波路の形成方法は実施例1と同様とする。受光面積50μmのフォトダイオードでは、拡がりを考慮してWti−mは30μmとした。また、ガイド導波路の湾曲部分における曲率半径rは5mmとした。λ=1.55μmとし、光変調器の基板の厚さは、図6に示すように変更する。図11には、ガイド導波路と出射部5fとの平面的位置関係を示す。各ガイド導波路のエッジと出射部中心軸との距離Sxは20μmとする。
参考例1と同様にして、ガイド導波路を伝搬する1次モード光の光損失試験を行った。ただし、本例では、λを1.55μmとし、光変調器基板厚さTsubを8μmとし、チタン厚さTtiを600オングストロームとし、信号光の出射部幅Wtiを5μmとし、ガイド導波路の幅Wti−mを30μmとした。ガイド導波路のエッジと出射部中心軸との距離Sx、およびガイド導波路の湾曲部分の曲率半径rを、図7に示すように変更した。
参考例2と同様にして、ガイド導波路を伝搬する1次モード光の光損失試験を行った。ただし、本例では、λを1.55μmとし、光変調器基板厚さTsubを8μmとし、チタン厚さTtiを600オングストロームとし、ガイド導波路の幅Wti−mを30μmとした。ガイド導波路のエッジと出射部中心軸との距離Sxを20μm(図8)あるいは15μm(図9)とした。ガイド導波路の湾曲部分の曲率半径rを3mmとした。信号光の出射部幅Wtiを,図8、図9に示すように変更した。
Claims (3)
- 光導波路を伝搬する光に電圧を印加してこの光を変調する光変調器であって、
強誘電性材料からなる基板、
少なくとも一対の分岐光導波路、前記分岐光導波路の合波部およびこの合波部の下流側の出射部を含んでいる光導波路、
前記光導波路を伝搬する光を変調する信号電圧を印加するための変調用電極、および
前記合波部からの1次モード光をガイドする1次モード光ガイド導波路を備えており、
少なくとも前記変調用電極下において前記基板の厚みが20μm以下であり、前記合波部の中心軸から前記ガイド導波路までの距離が15μm以上、50μm以下であり、前記ガイド導波路からの光出力に基づいて、前記変調用電極に加わる直流バイアスを変化させることによって、前記光変調器の動作点を制御でき、前記ガイド導波路が、前記一次モード光を受け入れる導入部、この導入部の下流側に設けられた側面側に曲がる前記湾曲部分と前記基板の端面側に曲がる前記湾曲部分、および前記出射部と平行に延びる射出部を備えており、前記ガイド導波路を伝搬した前記一次モード光が前記射出部を介して前記基板の前記端面から出射することを特徴とする、光変調器。 - 前記湾曲部分の曲率半径が1mm以上、30mm以下であることを特徴とする、請求項1記載の光変調器。
- 前記1次モード光ガイド導波路が前記出射部の一方の側に形成されており、他の1次モード光ガイド導波路が前記出射部の他方の側に形成されていることを特徴とする、請求項1または2記載の光変調器。
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