JP2001004852A - 低損失光導波路及びその製造方法 - Google Patents
低損失光導波路及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001004852A JP2001004852A JP17112299A JP17112299A JP2001004852A JP 2001004852 A JP2001004852 A JP 2001004852A JP 17112299 A JP17112299 A JP 17112299A JP 17112299 A JP17112299 A JP 17112299A JP 2001004852 A JP2001004852 A JP 2001004852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- core layer
- low
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失光
導波路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上の低屈折率のクラッド層４、６
ａ、６ｂ、７内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層５
ａ、５ｂが埋め込まれた光導波路において、コア層５
ａ、５ｂが幅方向に少なくとも２段型の屈折率分布を有
するので、コア層５ａ、５ｂ中を伝搬する光の大部分が
屈折率の高い部分に閉じ込められて伝搬する。コア層５
ａ、５ｂ及びクラッド層６ａ、６ｂがフォトブリーチン
グ材料からなるため、界面が均一である。その結果、小
型で散乱損失や放射損失の小さい光導波路が得られる。
導波路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上の低屈折率のクラッド層４、６
ａ、６ｂ、７内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層５
ａ、５ｂが埋め込まれた光導波路において、コア層５
ａ、５ｂが幅方向に少なくとも２段型の屈折率分布を有
するので、コア層５ａ、５ｂ中を伝搬する光の大部分が
屈折率の高い部分に閉じ込められて伝搬する。コア層５
ａ、５ｂ及びクラッド層６ａ、６ｂがフォトブリーチン
グ材料からなるため、界面が均一である。その結果、小
型で散乱損失や放射損失の小さい光導波路が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低損失光導波路及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光デバイスの小型化、集積化、低コスト
化のために、導波路型構造の光デバイスの研究開発が活
発に行われている。
化のために、導波路型構造の光デバイスの研究開発が活
発に行われている。
【０００３】図６（ａ）は従来の光導波路の断面図であ
り、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線断面内の屈折率
分布を示し、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線断面内
の屈折率分布を示す図である。
り、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線断面内の屈折率
分布を示し、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線断面内
の屈折率分布を示す図である。
【０００４】図６（ｂ）において横軸は幅方向の位置を
示し、縦軸は屈折率を示す。図６（ｃ）において横軸は
屈折率を示し、縦軸は厚さ方向の位置を示す。
示し、縦軸は屈折率を示す。図６（ｃ）において横軸は
屈折率を示し、縦軸は厚さ方向の位置を示す。
【０００５】導波路は基板１上に形成された低屈折率の
クラッド層３内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層２
が埋め込まれた構造である。コア層２の幅及び厚さ方向
の屈折率分布は略一様の値を有する平坦な分布を有して
いる。
クラッド層３内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層２
が埋め込まれた構造である。コア層２の幅及び厚さ方向
の屈折率分布は略一様の値を有する平坦な分布を有して
いる。
【０００６】図７（ａ）は図６に示した導波路のうち、
９０°に曲がった導波路の曲率半径Ｒと導波路放射損失
（曲線部での放射損失）をコア層とクラッド層との比屈
折率差Δをパラメータにして計算した結果を示し、図７
（ｂ）は図６に示した導波路のうち、Ｓ字状の曲線導波
路の曲率半径Ｒと導波路放射損失をコア層とクラッド層
との比屈折率差Δをパラメータにして計算した結果を示
す図である。両図において横軸が曲率半径を示し、縦軸
が結合損失を示している。
９０°に曲がった導波路の曲率半径Ｒと導波路放射損失
（曲線部での放射損失）をコア層とクラッド層との比屈
折率差Δをパラメータにして計算した結果を示し、図７
（ｂ）は図６に示した導波路のうち、Ｓ字状の曲線導波
路の曲率半径Ｒと導波路放射損失をコア層とクラッド層
との比屈折率差Δをパラメータにして計算した結果を示
す図である。両図において横軸が曲率半径を示し、縦軸
が結合損失を示している。
【０００７】両図より、放射損失は比屈折率差Δが小さ
い程、あるいは曲率半径Ｒが小さい程大きくなることが
分かる。放射損失を０．０２ｄＢ以下にするためには曲
率半径Ｒを０．８ｃｍ以上にしなければならず、導波路
型光デバイスの小型化を困難にしている。これとは逆に
曲率半経Ｒを小さくして小型化すると損失の大きな光デ
バイスになってしまう。
い程、あるいは曲率半径Ｒが小さい程大きくなることが
分かる。放射損失を０．０２ｄＢ以下にするためには曲
率半径Ｒを０．８ｃｍ以上にしなければならず、導波路
型光デバイスの小型化を困難にしている。これとは逆に
曲率半経Ｒを小さくして小型化すると損失の大きな光デ
バイスになってしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
導波路型光デバイスには以下のような問題点がある。
導波路型光デバイスには以下のような問題点がある。
【０００９】(1) 小型で低損失な導波路型光デバイスを
実現することが困難である。
実現することが困難である。
【００１０】(2) 製造プロセスに起因してコア層とクラ
ッド層との界面が不均一になりやすく、散乱損失が非常
に大きな値を示している。特に図７に示したような曲線
導波路部からのコア層とクラッド層との界面の不均一に
よる散乱損失が非常に大きい。
ッド層との界面が不均一になりやすく、散乱損失が非常
に大きな値を示している。特に図７に示したような曲線
導波路部からのコア層とクラッド層との界面の不均一に
よる散乱損失が非常に大きい。
【００１１】(3) 略矩形断面形状のコア層をドライエッ
チングで形成するため、コア層の両側面、コア層のエッ
ジ面の荒れに起因した散乱損失や放射損失が大きい。
チングで形成するため、コア層の両側面、コア層のエッ
ジ面の荒れに起因した散乱損失や放射損失が大きい。
【００１２】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路
及びその製造方法を提供することにある。
し、小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路
及びその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の低損失光導波路は、基板上の低屈折率のクラ
ッド層内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層が埋め込
まれた光導波路において、コア層が幅方向に少なくとも
２段型の屈折率分布を有するものである。
に本発明の低損失光導波路は、基板上の低屈折率のクラ
ッド層内に略矩形断面形状の高屈折率のコア層が埋め込
まれた光導波路において、コア層が幅方向に少なくとも
２段型の屈折率分布を有するものである。
【００１４】上記構成に加え本発明の低損失光導波路の
コア層は幅方向に対して略中央が高屈折率層からなり、
その高屈折率層の両側が高屈折率層の屈折率よりも低い
屈折率層からなると共に、厚さ方向に対して略平坦な屈
折率分布を有してもよい。
コア層は幅方向に対して略中央が高屈折率層からなり、
その高屈折率層の両側が高屈折率層の屈折率よりも低い
屈折率層からなると共に、厚さ方向に対して略平坦な屈
折率分布を有してもよい。
【００１５】上記構成に加え本発明の低損失光導波路の
コア層は光伝搬方向に対して少なくとも１か所の曲線部
を有するようにパターン化されていてもよい。
コア層は光伝搬方向に対して少なくとも１か所の曲線部
を有するようにパターン化されていてもよい。
【００１６】上記構成に加え本発明の低損失光導波路の
コア層はフォトブリーチング材料で構成されているのが
好ましい。
コア層はフォトブリーチング材料で構成されているのが
好ましい。
【００１７】上記構成に加え本発明の低損失光導波路の
クラッド層の上面にはＵＶカット層かあるいはＵＶ吸収
層が形成されているのが好ましい。
クラッド層の上面にはＵＶカット層かあるいはＵＶ吸収
層が形成されているのが好ましい。
【００１８】上記構成に加え本発明の低損失光導波路は
コア層と、クラッド層と、ＵＶカット層あるいはＵＶ吸
収層とが基板上に少なくとも２層積層されているのが好
ましい。
コア層と、クラッド層と、ＵＶカット層あるいはＵＶ吸
収層とが基板上に少なくとも２層積層されているのが好
ましい。
【００１９】本発明の低損失光導波路の製造方法は、基
板上に第１クラッド層を形成する工程と、第１クラッド
層の上にＵＶ光の照射量に応じて屈折率が低下するフォ
トブリーチング層を形成する工程と、フォトブリーチン
グ層の上に第１コア層のパターンを有する第１フォトマ
スクを配置し、第１フォトマスクの上からＵＶ光を照射
して略矩形断面形状で高屈折率の第１コア層を形成する
と共に第１コア層の両側に低屈折率の側面クラッド層を
形成する工程と、側面クラッド層及び第１コア層の上に
第２コア層のパターンを有する第２フォトマスクを配置
し、第２フォトマスクの上からＵＶ光を照射して第１コ
ア層の中央部を高屈折率の第２コア層に形成すると共
に、第２コア層の両側部を第２コア層よりも屈折率の低
い側面コア層を形成する工程と、第２コア層、側面コア
層及び側面クラッド層の上に第２クラッド層とＵＶカッ
ト層あるいはＵＶ吸収層とを順次積層する工程からなる
ものである。
板上に第１クラッド層を形成する工程と、第１クラッド
層の上にＵＶ光の照射量に応じて屈折率が低下するフォ
トブリーチング層を形成する工程と、フォトブリーチン
グ層の上に第１コア層のパターンを有する第１フォトマ
スクを配置し、第１フォトマスクの上からＵＶ光を照射
して略矩形断面形状で高屈折率の第１コア層を形成する
と共に第１コア層の両側に低屈折率の側面クラッド層を
形成する工程と、側面クラッド層及び第１コア層の上に
第２コア層のパターンを有する第２フォトマスクを配置
し、第２フォトマスクの上からＵＶ光を照射して第１コ
ア層の中央部を高屈折率の第２コア層に形成すると共
に、第２コア層の両側部を第２コア層よりも屈折率の低
い側面コア層を形成する工程と、第２コア層、側面コア
層及び側面クラッド層の上に第２クラッド層とＵＶカッ
ト層あるいはＵＶ吸収層とを順次積層する工程からなる
ものである。
【００２０】本発明によれば、コア層が幅方向に少なく
とも２段型の屈折率分布を有するので、コア層中を伝搬
する光の大部分が屈折率の高い部分に閉じ込められて伝
搬する。コア層及びクラッド層がフォトブリーチング材
料からなるため、界面が均一である。その結果、小型で
散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路及びその製
造方法の提供を実現することができる。
とも２段型の屈折率分布を有するので、コア層中を伝搬
する光の大部分が屈折率の高い部分に閉じ込められて伝
搬する。コア層及びクラッド層がフォトブリーチング材
料からなるため、界面が均一である。その結果、小型で
散乱損失や放射損失の小さい低損失光導波路及びその製
造方法の提供を実現することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２２】図１（ａ）は本発明の低損失光導波路の一
実施の形態を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＣ−Ｃ線断面内での屈折率分布を示し、図１
（ｃ）は図１（ａ）のＤ−Ｄ線断面内での屈折率分布を
示す図である。図１（ｂ）において横軸が中心からの幅
方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図１
（ｃ）において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の
位置を示している。
実施の形態を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＣ−Ｃ線断面内での屈折率分布を示し、図１
（ｃ）は図１（ａ）のＤ−Ｄ線断面内での屈折率分布を
示す図である。図１（ｂ）において横軸が中心からの幅
方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図１
（ｃ）において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の
位置を示している。
【００２３】基板１はＳｉ基板である（但し、ガラス、
ＧａＡｓやＩｎＰ等の半導体、磁性体、ポリマ材料、強
誘電体材料あるいはこれらの材料を組み合わせた材料か
らなる基板を用いてもよい。）。
ＧａＡｓやＩｎＰ等の半導体、磁性体、ポリマ材料、強
誘電体材料あるいはこれらの材料を組み合わせた材料か
らなる基板を用いてもよい。）。
【００２４】基板１上には第１クラッド層（屈折率
ｎC1）４が形成されている。この第１クラッド層４は膜
厚が５μｍ以上のＳｉＯ2 からなっている（但し、Ｓｉ
Ｏ2 にＦ、Ｂ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ等の屈折率制御用ドーパ
ントを少なくとも１種類添加したもの、ＰＭＭＡ、ポリ
フッ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリイミド、シリコ
ーン、ポリシラン等のポリマ材料を用いてもよい。）。
ｎC1）４が形成されている。この第１クラッド層４は膜
厚が５μｍ以上のＳｉＯ2 からなっている（但し、Ｓｉ
Ｏ2 にＦ、Ｂ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ等の屈折率制御用ドーパ
ントを少なくとも１種類添加したもの、ＰＭＭＡ、ポリ
フッ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリイミド、シリコ
ーン、ポリシラン等のポリマ材料を用いてもよい。）。
【００２５】第１クラッド層４の上にはフォトブリーチ
ング材料からなる第２コア層５ａ、側面コア層５ｂ及び
側面クラッド層６ａ、６ｂが形成されている。このフォ
トブリーチング材料からなるフォトブリーチング層はＵ
Ｖ光の照射量を増加させることによって略連続的に屈折
率を低くすることができるものである。この、フォトブ
リーチング材料には例えばポリシランが用いられる。
ング材料からなる第２コア層５ａ、側面コア層５ｂ及び
側面クラッド層６ａ、６ｂが形成されている。このフォ
トブリーチング材料からなるフォトブリーチング層はＵ
Ｖ光の照射量を増加させることによって略連続的に屈折
率を低くすることができるものである。この、フォトブ
リーチング材料には例えばポリシランが用いられる。
【００２６】側面クラッド層６ａ、６ｂはＵＶ光が長い
時間照射されて第１クラッド層４の屈折率ｎC1と同程度
の屈折率ｎCPとなるように調節されたものである。図７
（ｂ）に示すように側面クラッド層６ａ、６ｂは通常の
クラッド層として作用する。
時間照射されて第１クラッド層４の屈折率ｎC1と同程度
の屈折率ｎCPとなるように調節されたものである。図７
（ｂ）に示すように側面クラッド層６ａ、６ｂは通常の
クラッド層として作用する。
【００２７】側面コア層５ｂはＵＶ照射光量を側面クラ
ッド層６ａ、６ｂよりも少なくすることにより、コア層
として作用するように屈折率ｎCPよりも高い屈折率ｎWS
に調節されている。
ッド層６ａ、６ｂよりも少なくすることにより、コア層
として作用するように屈折率ｎCPよりも高い屈折率ｎWS
に調節されている。
【００２８】第２コア層５ａはＵＶ光を照射しないかあ
るいはＵＶ光の照射光量が少ない層であり、その屈折率
ｎWCは最も高い値に調節され、光が支配的に伝搬するコ
ア層として作用する。
るいはＵＶ光の照射光量が少ない層であり、その屈折率
ｎWCは最も高い値に調節され、光が支配的に伝搬するコ
ア層として作用する。
【００２９】次に第２コア層５ａ、側面コア層５ｂ及び
側面クラッド層６ａ、６ｂの上には第２クラッド層（屈
折率ｎC2、ｎC2≒ｎC1）７が形成され、第２クラッド層
７の上にはＵＶカット層（あるいはＵＶ吸収層）８が形
成されている。
側面クラッド層６ａ、６ｂの上には第２クラッド層（屈
折率ｎC2、ｎC2≒ｎC1）７が形成され、第２クラッド層
７の上にはＵＶカット層（あるいはＵＶ吸収層）８が形
成されている。
【００３０】第２クラッド層７には前述した第１クラッ
ド層４の材料と同等のものを用いることができる。ＵＶ
カット層８にはＺｒＯ2 （あるいはＴａＯ5 ）とＳｉＯ
2 とを１２０℃の温度で交互に数十層、多層状に蒸着し
た多重層が用いられる。この多重層は波長３００ｎｍ〜
５００ｎｍの範囲で反射率が８０％以上の特性を有する
多層膜蒸着層である。なお、このＵＶ光カット層８の代
わりにＵＶ光吸収層を用いてもよい。ＵＶ光吸収層は例
えば、ポリマ材料にベンゾフェノン系、サリチレート
系、ベンゾトリアゾール系の添加剤を添加したもの、あ
るいはポリマ材料に二酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛等
の金属酸化物顔料を添加したものを用いることができ
る。
ド層４の材料と同等のものを用いることができる。ＵＶ
カット層８にはＺｒＯ2 （あるいはＴａＯ5 ）とＳｉＯ
2 とを１２０℃の温度で交互に数十層、多層状に蒸着し
た多重層が用いられる。この多重層は波長３００ｎｍ〜
５００ｎｍの範囲で反射率が８０％以上の特性を有する
多層膜蒸着層である。なお、このＵＶ光カット層８の代
わりにＵＶ光吸収層を用いてもよい。ＵＶ光吸収層は例
えば、ポリマ材料にベンゾフェノン系、サリチレート
系、ベンゾトリアゾール系の添加剤を添加したもの、あ
るいはポリマ材料に二酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛等
の金属酸化物顔料を添加したものを用いることができ
る。
【００３１】図１（ｂ）に示したように、第２コア層５
ａ及び側面コア層５ｂの幅方向に２段型の屈折率分布を
持たせ、第２コア層５ａ及び側面コア層５ｂからなるコ
ア層の中央部、つまり第２コア層５ａを高屈折率層とす
ることにより、図７（ａ）、（ｂ）に示したような曲線
部内を伝搬する光信号の放射損失を大幅に低減すること
ができる。すなわち、光信号の大部分がコア層の中央部
に閉じ込められて伝搬するので、曲線部での製造プロセ
スに起因する構造不均一による放射及び散乱損失を低減
することができる。
ａ及び側面コア層５ｂの幅方向に２段型の屈折率分布を
持たせ、第２コア層５ａ及び側面コア層５ｂからなるコ
ア層の中央部、つまり第２コア層５ａを高屈折率層とす
ることにより、図７（ａ）、（ｂ）に示したような曲線
部内を伝搬する光信号の放射損失を大幅に低減すること
ができる。すなわち、光信号の大部分がコア層の中央部
に閉じ込められて伝搬するので、曲線部での製造プロセ
スに起因する構造不均一による放射及び散乱損失を低減
することができる。
【００３２】特に、第２コア層５ａ、側面コア層５ｂ及
び側面クラッド層６ａ、６ｂはフォトブリーチング材料
によって形成されているので界面が均一であり、この界
面での散乱損失も小さいので、より効果的に放射及び散
乱損失を低減することができる。この結果、図７
（ａ）、（ｂ）に示したような９０°の曲線パターン及
びＳ字曲線パターンの曲率半径Ｒを小さくすることがで
き、小型の導波路デバイスを実現することができる。
び側面クラッド層６ａ、６ｂはフォトブリーチング材料
によって形成されているので界面が均一であり、この界
面での散乱損失も小さいので、より効果的に放射及び散
乱損失を低減することができる。この結果、図７
（ａ）、（ｂ）に示したような９０°の曲線パターン及
びＳ字曲線パターンの曲率半径Ｒを小さくすることがで
き、小型の導波路デバイスを実現することができる。
【００３３】また、第２コア層５ａ及び側面コア層５ｂ
は、その厚さ方向に対してコア層パターンが曲線状パタ
ーンに形成されないので、第２コア層５ａ、側面コア層
５ｂ内の厚さ方向の屈折率分布は一様に平坦に形成され
る。また厚さ方向の屈折率分布の段差はほとんど生じな
いので、より一層の低損失化が可能となる。
は、その厚さ方向に対してコア層パターンが曲線状パタ
ーンに形成されないので、第２コア層５ａ、側面コア層
５ｂ内の厚さ方向の屈折率分布は一様に平坦に形成され
る。また厚さ方向の屈折率分布の段差はほとんど生じな
いので、より一層の低損失化が可能となる。
【００３４】図２（ａ）〜（ｄ）は図１に示した低損失
導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
図３（ａ）、（ｂ）は図２（ａ）〜（ｄ）に示した工程
中に用いられるフォトマスクの平面図である。
導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
図３（ａ）、（ｂ）は図２（ａ）〜（ｄ）に示した工程
中に用いられるフォトマスクの平面図である。
【００３５】Ｓｉ基板１上にＳｉＯ2 からなる第１クラ
ッド層４を約１０μｍの厚さに形成する。第１クラッド
層４の上にフォトブリーチング層５を形成する。
ッド層４を約１０μｍの厚さに形成する。第１クラッド
層４の上にフォトブリーチング層５を形成する。
【００３６】ここで、フォトブリーチング層５は次のよ
うに形成する。第１クラッド層４の上にヘキサメチルジ
シラザン（ＣＨ3 ＳｉＮＨＳｉＣＨ3 ）を塗布する。ヘ
キサメチルジシラザンを１２０℃で約１時間べーキング
して疎水化した後、１０重量％の濃度でトルエンに溶解
したポリシランをスピンコーティングし、１２０℃で約
１時間べーキングする（図２（ａ））。
うに形成する。第１クラッド層４の上にヘキサメチルジ
シラザン（ＣＨ3 ＳｉＮＨＳｉＣＨ3 ）を塗布する。ヘ
キサメチルジシラザンを１２０℃で約１時間べーキング
して疎水化した後、１０重量％の濃度でトルエンに溶解
したポリシランをスピンコーティングし、１２０℃で約
１時間べーキングする（図２（ａ））。
【００３７】フォトブリーチング層５の上に、第１フォ
トマスク９を配置し、第１フォトマスク９の上から波長
３７０ｎｍのＵＶ光１０を照射する。第１フォトマスク
９には図３（ａ）に示すような第１コア層のパターンを
有するマスクを用いる。第１フォトマスク９は例えば直
線状のコアパターン（ＵＶ光反射領域）１２を形成する
ためのマスクであり、ＵＶ光反射領域１２とＵＶ光透過
領域１３とを有している。このような第１フォトマスク
９を用い、第１フォトマスク９の上からＵＶ光を照射す
ると、ＵＶ光透過領域１３の下のフォトブリーチング層
５はＵＶ光照射によって屈折率が低下する（屈折率：
１．４６０）。
トマスク９を配置し、第１フォトマスク９の上から波長
３７０ｎｍのＵＶ光１０を照射する。第１フォトマスク
９には図３（ａ）に示すような第１コア層のパターンを
有するマスクを用いる。第１フォトマスク９は例えば直
線状のコアパターン（ＵＶ光反射領域）１２を形成する
ためのマスクであり、ＵＶ光反射領域１２とＵＶ光透過
領域１３とを有している。このような第１フォトマスク
９を用い、第１フォトマスク９の上からＵＶ光を照射す
ると、ＵＶ光透過領域１３の下のフォトブリーチング層
５はＵＶ光照射によって屈折率が低下する（屈折率：
１．４６０）。
【００３８】他方、ＵＶ光反射領域１２の下のフォトブ
リーチング層５はＵＶ光が照射されないので、屈折率の
低下は生じない（屈折率値：１．４７５）。
リーチング層５はＵＶ光が照射されないので、屈折率の
低下は生じない（屈折率値：１．４７５）。
【００３９】以上より、図２（ｂ）に示すように、高屈
折率の第１コア層５´と、第１コア層５´の両側面に低
屈折率の側面クラッド層６ａ´、６ｂ´が形成される。
折率の第１コア層５´と、第１コア層５´の両側面に低
屈折率の側面クラッド層６ａ´、６ｂ´が形成される。
【００４０】次に図２（ｃ）に示すように第１コア層５
´及び側面クラッド層６ａ´、６ｂ´の上に第２フォト
マスク１１を配置し、ＵＶ光１０を照射する。
´及び側面クラッド層６ａ´、６ｂ´の上に第２フォト
マスク１１を配置し、ＵＶ光１０を照射する。
【００４１】第２フォトマスク１１は図３（ｂ）に示す
ようなマスクが用いられる。第２フォトマスク１１は、
ＵＶ光反射領域１２´とＵＶ光透過領域１３とを有する
マスクが用いられる。この第２フォトマスク１１の上か
らＵＶ光１０を照射すると、ＵＶ光透過領域１３の下の
側面クラッド層６ａ´、６ｂ´の屈折率はさらに低下す
る（屈折率値：１．４５０）。ＵＶ光反射領域１２´の
下の第１コア層５´の中央部にはＵＶ光が照射されない
ので、屈折率の低下は生じない（屈折率値：１．４７
５）。
ようなマスクが用いられる。第２フォトマスク１１は、
ＵＶ光反射領域１２´とＵＶ光透過領域１３とを有する
マスクが用いられる。この第２フォトマスク１１の上か
らＵＶ光１０を照射すると、ＵＶ光透過領域１３の下の
側面クラッド層６ａ´、６ｂ´の屈折率はさらに低下す
る（屈折率値：１．４５０）。ＵＶ光反射領域１２´の
下の第１コア層５´の中央部にはＵＶ光が照射されない
ので、屈折率の低下は生じない（屈折率値：１．４７
５）。
【００４２】しかし、ＵＶ光反射領域１２の中のＵＶ光
反射領域１２´に相当する部分以外の部分（第１コア層
５´の両側部）にはＵＶ光が照射されるので、第１コア
層５´の両側部の屈折率は１．４７５から１．４６０へ
低下する。
反射領域１２´に相当する部分以外の部分（第１コア層
５´の両側部）にはＵＶ光が照射されるので、第１コア
層５´の両側部の屈折率は１．４７５から１．４６０へ
低下する。
【００４３】すなわち、図２（ｄ）に示すように第２コ
ア層５ａの屈折率は１．４７５となり側面コア層５ｂの
屈折率は１．４６０になり、側面クラッド層６ａ、６ｂ
の屈折率は１．４５０になる。
ア層５ａの屈折率は１．４７５となり側面コア層５ｂの
屈折率は１．４６０になり、側面クラッド層６ａ、６ｂ
の屈折率は１．４５０になる。
【００４４】第２コア層５ａ、側面コア層５ｂ、側面ク
ラッド層６ａ、６ｂの上に第２クラッド層７（シリコー
ン樹脂、屈折率１．４５０）を形成し、第２クラッド層
７の上にＵＶ光吸収層８を形成することにより図１に示
した低損失光導波路が得られる。
ラッド層６ａ、６ｂの上に第２クラッド層７（シリコー
ン樹脂、屈折率１．４５０）を形成し、第２クラッド層
７の上にＵＶ光吸収層８を形成することにより図１に示
した低損失光導波路が得られる。
【００４５】図４（ａ）は本発明の低損失光導波路の他
の実施の形態を示す断面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＥ−Ｅ線断面内での屈折率分布を示し、図４
（ｃ）は図４（ａ）のＦ−Ｆ線断面内での屈折率分布を
示す図である。図４（ｂ）において横軸が中心からの幅
方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図４
（ｃ）において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の
位置を示している。
の実施の形態を示す断面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＥ−Ｅ線断面内での屈折率分布を示し、図４
（ｃ）は図４（ａ）のＦ−Ｆ線断面内での屈折率分布を
示す図である。図４（ｂ）において横軸が中心からの幅
方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図４
（ｃ）において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の
位置を示している。
【００４６】この光導波路は第１クラッド層４の上に、
二つのコア層（一方（図では左側）の第２コア層５ａ
ａ、一方の側面コア層５ｂａ、他方（図では右側）の第
２コア層５ａｂ、他方の側面コア層５ｂｂ）を並列に配
置した構造を有している。
二つのコア層（一方（図では左側）の第２コア層５ａ
ａ、一方の側面コア層５ｂａ、他方（図では右側）の第
２コア層５ａｂ、他方の側面コア層５ｂｂ）を並列に配
置した構造を有している。
【００４７】高屈折率の一方の第２コア層５ａａがこの
第２コア層５ａａより低屈折率の一方の側面コア層５ｂ
ａの間に設けられ、高屈折率の他方の第２コア層５ａｂ
がこの第２コア層５ａｂより低屈折率の他方の側面コア
層５ｂｂの間に設けられ、両コア層の間に低屈折率のフ
ォトブリーチング層からなる側面クラッド層６ｃが設け
られている。
第２コア層５ａａより低屈折率の一方の側面コア層５ｂ
ａの間に設けられ、高屈折率の他方の第２コア層５ａｂ
がこの第２コア層５ａｂより低屈折率の他方の側面コア
層５ｂｂの間に設けられ、両コア層の間に低屈折率のフ
ォトブリーチング層からなる側面クラッド層６ｃが設け
られている。
【００４８】一方の側面コア層５ｂａの外側（図では左
側）には低屈折率のフォトブリーチング層からなる側面
クラッド層６ａが形成されている。他方の側面コア層５
ｂｂ外側（図では右側）には低屈折率のフォトブリーチ
ング層からなる側面クラッド層６ｂが形成されている。
側）には低屈折率のフォトブリーチング層からなる側面
クラッド層６ａが形成されている。他方の側面コア層５
ｂｂ外側（図では右側）には低屈折率のフォトブリーチ
ング層からなる側面クラッド層６ｂが形成されている。
【００４９】この光導波路は、並置コア層、９０°曲線
パターン及びＳ字曲線パターン等を有しているので、方
向性結合器、合分波器、フィルタ、スイッチ、変調器等
のデバイスを低損失で実現する上で有効となる。また、
これらのデバイスは幅方向に図７に示したような９０°
曲線パターンやＳ字曲線パターンを多用するので、本発
明の導波路を用いて低損失が図られ、小型化を実現する
ことができる。
パターン及びＳ字曲線パターン等を有しているので、方
向性結合器、合分波器、フィルタ、スイッチ、変調器等
のデバイスを低損失で実現する上で有効となる。また、
これらのデバイスは幅方向に図７に示したような９０°
曲線パターンやＳ字曲線パターンを多用するので、本発
明の導波路を用いて低損失が図られ、小型化を実現する
ことができる。
【００５０】図５（ａ）は本発明の低損失光導波路の他
の実施の形態を示す断面図であり、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＧ−Ｇ線断面内での屈折率分布を示し、図５
（ｃ）は図５（ａ）のＨ−Ｈ線断面内での屈折率分布を
示す図である。図５（ｂ）において横軸が中心からの幅
方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図５
（ｃ）において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の
位置を示している。
の実施の形態を示す断面図であり、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＧ−Ｇ線断面内での屈折率分布を示し、図５
（ｃ）は図５（ａ）のＨ−Ｈ線断面内での屈折率分布を
示す図である。図５（ｂ）において横軸が中心からの幅
方向の位置を示し、縦軸が屈折率を示している。図５
（ｃ）において横軸が屈折率を示し、縦軸が厚さ方向の
位置を示している。
【００５１】この光導波路は、基板１上に第１導波路１
４−１が形成され、第１導波路１４−１の上に第２導波
路１４−２が形成された積層構造の多機能、高集積型の
光導波路である。
４−１が形成され、第１導波路１４−１の上に第２導波
路１４−２が形成された積層構造の多機能、高集積型の
光導波路である。
【００５２】第１導波路１４−１は、第１クラッド層４
−１と、第１クラッド層４−１の上に形成された第２コ
ア層５ａ−１、側面コア層５ｂ−１及び側面クラッド層
６ａ−１、６ｂ−１と、第２コア層５ａ−１、側面コア
層５ｂ−１及び側面クラッド層６ａ−１、６ｂ−１の上
に形成された第２クラッド層７−１と、第２クラッド層
７−１の上に形成されたＵＶカット（あるいはＵＶ吸
収）層８−１とで構成されている。
−１と、第１クラッド層４−１の上に形成された第２コ
ア層５ａ−１、側面コア層５ｂ−１及び側面クラッド層
６ａ−１、６ｂ−１と、第２コア層５ａ−１、側面コア
層５ｂ−１及び側面クラッド層６ａ−１、６ｂ−１の上
に形成された第２クラッド層７−１と、第２クラッド層
７−１の上に形成されたＵＶカット（あるいはＵＶ吸
収）層８−１とで構成されている。
【００５３】第２導波路１４−２は、第１クラッド層４
−２と、第１クラッド層４−２の上に形成された第２コ
ア層５ａ−２、側面コア層５ｂ−２及び側面クラッド層
６ａ−２、６ｂ−２と、第２コア層５ａ−２、側面コア
層５ｂ−２及び側面クラッド層６ａ−２、６ｂ−２の上
に形成された第２クラッド層７−２と、第２クラッド層
７−２の上に形成されたＵＶカット（あるいはＵＶ吸
収）層８−２とで構成されている。
−２と、第１クラッド層４−２の上に形成された第２コ
ア層５ａ−２、側面コア層５ｂ−２及び側面クラッド層
６ａ−２、６ｂ−２と、第２コア層５ａ−２、側面コア
層５ｂ−２及び側面クラッド層６ａ−２、６ｂ−２の上
に形成された第２クラッド層７−２と、第２クラッド層
７−２の上に形成されたＵＶカット（あるいはＵＶ吸
収）層８−２とで構成されている。
【００５４】この積層型の光導波路は第１導波路１４−
１及び第２導波路１４−２にそれぞれ同一、あるいは別
々の光信号処理回路を形成してもよい。
１及び第２導波路１４−２にそれぞれ同一、あるいは別
々の光信号処理回路を形成してもよい。
【００５５】本発明は上記実施の形態に限定されない。
【００５６】まず、第１クラッド層４−１、４−２と第
２クラッド層７−１、７−２との屈折率は等しくてもよ
く、異なっていてもよい。側面クラッド層６ａ−１、６
ｂ−１、６ａ−２、６ｂ−２の屈折率も第１クラッド層
４−１、４−２及び第２クラッド層７−１、７−２の屈
折率と等しくてもよく、異なっていてもよい。光導波路
はシングルモード伝送用以外に、マルチモード伝送用で
あってもよい。フォトブリーチング材料にはシリコーン
系、エポキシ系等の材料を用いることができる。また、
上記実施の形態以外の具体例としては、ｄｙｅ ｐｏｌ
ｙｍｅｒ，４−ｄｉａｌｋｙｌａｍｉｎｏ−４´−ｎｉ
ｔｒｏ−ｓｔｉｌｂｅｎｅ，ＤＭＡＰＮ，２−ｎｉｔｒ
ｏｓｔｉｌｂｅｎｅ等を用いることができる。コア層は
基板の幅方向に１個、２個、さらには３個以上並べて配
置してもよい。また基板１上には導波路を１層、２層、
３層、４層、…のように多層状に形成し、高集積化、多
機能化を図るようにすることができる。
２クラッド層７−１、７−２との屈折率は等しくてもよ
く、異なっていてもよい。側面クラッド層６ａ−１、６
ｂ−１、６ａ−２、６ｂ−２の屈折率も第１クラッド層
４−１、４−２及び第２クラッド層７−１、７−２の屈
折率と等しくてもよく、異なっていてもよい。光導波路
はシングルモード伝送用以外に、マルチモード伝送用で
あってもよい。フォトブリーチング材料にはシリコーン
系、エポキシ系等の材料を用いることができる。また、
上記実施の形態以外の具体例としては、ｄｙｅ ｐｏｌ
ｙｍｅｒ，４−ｄｉａｌｋｙｌａｍｉｎｏ−４´−ｎｉ
ｔｒｏ−ｓｔｉｌｂｅｎｅ，ＤＭＡＰＮ，２−ｎｉｔｒ
ｏｓｔｉｌｂｅｎｅ等を用いることができる。コア層は
基板の幅方向に１個、２個、さらには３個以上並べて配
置してもよい。また基板１上には導波路を１層、２層、
３層、４層、…のように多層状に形成し、高集積化、多
機能化を図るようにすることができる。
【００５７】基板１の表面、裏面あるいは中に電子回
路、電子部品、電気配線が実装されていてもよい。また
導波路の上面、下面、両端面あるいは中に光回路以外の
光部品、電子回路、電子部品、電気配線等が実装されて
いてもよい。さらに導波路の入出力端面側には光ファイ
バが接続されていてもよい。またフォトブリーチング材
料として、ポリマ材料以外に無機材料（例えばＳｉＯ2
系材料にＧｅＯ2 を添加したもの等）を用いてもよい。
路、電子部品、電気配線が実装されていてもよい。また
導波路の上面、下面、両端面あるいは中に光回路以外の
光部品、電子回路、電子部品、電気配線等が実装されて
いてもよい。さらに導波路の入出力端面側には光ファイ
バが接続されていてもよい。またフォトブリーチング材
料として、ポリマ材料以外に無機材料（例えばＳｉＯ2
系材料にＧｅＯ2 を添加したもの等）を用いてもよい。
【００５８】コア層内の屈折率分布は２段型以外に、３
段型、４段型等であってもよい。これらの多段型屈折率
分布の製造方法は、複数のフォトマスクを用いることに
よって容易に実現することができる。
段型、４段型等であってもよい。これらの多段型屈折率
分布の製造方法は、複数のフォトマスクを用いることに
よって容易に実現することができる。
【００５９】以上において本発明によれば、(1) 導波路
のコア層の幅方向の光パワー分布に類似の屈折率分布を
形成することができ、かつそれぞれのコア層の界面を均
一に形成することができるので、低損失な導波路が得ら
れる。
のコア層の幅方向の光パワー分布に類似の屈折率分布を
形成することができ、かつそれぞれのコア層の界面を均
一に形成することができるので、低損失な導波路が得ら
れる。
【００６０】(2) 放射損失や散乱損失を低減した低損失
導波路を簡単なプロセスで実現することができる。
導波路を簡単なプロセスで実現することができる。
【００６１】(3) 基板の幅方向に９０°曲線パターンや
Ｓ字曲線パターンを多用した光信号処理回路を曲率半径
を小さくして形成することができ、小型で、高集積な光
デバイスを実現することができる。
Ｓ字曲線パターンを多用した光信号処理回路を曲率半径
を小さくして形成することができ、小型で、高集積な光
デバイスを実現することができる。
【００６２】(4) コア層をフォトブリーチング層で形成
することにより、屈折率分布の各段階の境界部を均一に
形成することができ、屈折率はＵＶ光の照射パワーと照
射時間とを制御することで変化させることができるの
で、低損失化、低コスト化の他に、光信号処理回路の設
計を容易に行うことができる。
することにより、屈折率分布の各段階の境界部を均一に
形成することができ、屈折率はＵＶ光の照射パワーと照
射時間とを制御することで変化させることができるの
で、低損失化、低コスト化の他に、光信号処理回路の設
計を容易に行うことができる。
【００６３】(5) 各層の厚さ方向の段差もほとんど無い
ので、さらに低損失化を図ることができる。また、光部
品、電気部品、電気回路、電気配線等を基板の表面（あ
るいは裏面）、基板中あるいは導波路の上面（あるいは
裏面）、あるいは導波路中に実装することが容易にな
る。
ので、さらに低損失化を図ることができる。また、光部
品、電気部品、電気回路、電気配線等を基板の表面（あ
るいは裏面）、基板中あるいは導波路の上面（あるいは
裏面）、あるいは導波路中に実装することが容易にな
る。
【００６４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６５】小型で散乱損失や放射損失の小さい低損失
光導波路及びその製造方法の提供を実現することができ
る。
光導波路及びその製造方法の提供を実現することができ
る。
【図１】（ａ）は本発明の低損失光導波路の一実施の形
態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面
内での屈折率分布を示し、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断
面内での屈折率分布を示す図である。
態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面
内での屈折率分布を示し、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断
面内での屈折率分布を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１に示した低損失導波路の
製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は図２（ａ）〜（ｄ）に示した
工程中に用いられるフォトマスクの平面図である。
工程中に用いられるフォトマスクの平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の低損失光導波路の他の実施の
形態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断
面内での屈折率分布を示し、（ｃ）は（ａ）のＦ−Ｆ線
断面内での屈折率分布を示す図である。
形態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断
面内での屈折率分布を示し、（ｃ）は（ａ）のＦ−Ｆ線
断面内での屈折率分布を示す図である。
【図５】（ａ）は本発明の低損失光導波路の他の実施の
形態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線断
面内での屈折率分布を示し、（ｃ）は（ａ）のＨ−Ｈ線
断面内での屈折率分布を示す図である。
形態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線断
面内での屈折率分布を示し、（ｃ）は（ａ）のＨ−Ｈ線
断面内での屈折率分布を示す図である。
【図６】（ａ）は従来の光導波路の断面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面内の屈折率分布を示し、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面内の屈折率分布を示す図
である。
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面内の屈折率分布を示し、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面内の屈折率分布を示す図
である。
【図７】（ａ）は図６に示した導波路のうち、９０°に
曲がった導波路の曲率半径Ｒと導波路放射損失をコア層
とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして計算
した結果を示し、（ｂ）は図６に示した導波路のうち、
Ｓ字状の曲線導波路の曲率半径Ｒと導波路放射損失をコ
ア層とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして
計算した結果を示す図である。
曲がった導波路の曲率半径Ｒと導波路放射損失をコア層
とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして計算
した結果を示し、（ｂ）は図６に示した導波路のうち、
Ｓ字状の曲線導波路の曲率半径Ｒと導波路放射損失をコ
ア層とクラッド層との比屈折率差Δをパラメータにして
計算した結果を示す図である。
１ 基板 ５ａ、５ｂ コア層 ４、６ａ、６ｂ、７ クラッド層 ８ ＵＶカット層（ＵＶ吸収層）
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上の低屈折率のクラッド層内に略矩
形断面形状の高屈折率のコア層が埋め込まれた光導波路
において、該コア層が幅方向に少なくとも２段型の屈折
率分布を有することを特徴とする低損失光導波路。 - 【請求項２】 上記コア層は幅方向に対して略中央が高
屈折率層からなり、その高屈折率層の両側が該高屈折率
層の屈折率よりも低い屈折率層からなると共に、厚さ方
向に対して略平坦な屈折率分布を有する請求項１に記載
の低損失光導波路。 - 【請求項３】 上記コア層は光伝搬方向に対して少なく
とも１か所の曲線部を有するようにパターン化されてい
る請求項１または２に記載の低損失光導波路。 - 【請求項４】 上記コア層はフォトブリーチング材料で
構成されている請求項１から３のいずれかに記載の低損
失光導波路。 - 【請求項５】 上記クラッド層の上面にはＵＶカット層
かあるいはＵＶ吸収層が形成されている請求項１から４
のいずれかに記載の低損失光導波路。 - 【請求項６】 上記コア層と、上記クラッド層と、上記
ＵＶカット層あるいは上記ＵＶ吸収層とが上記基板上に
少なくとも２層積層されている請求項１から５のいずれ
かに記載の低損失光導波路。 - 【請求項７】 基板上に第１クラッド層を形成する工程
と、第１クラッド層の上にＵＶ光の照射量に応じて屈折
率が低下するフォトブリーチング層を形成する工程と、
該フォトブリーチング層の上に第１コア層のパターンを
有する第１フォトマスクを配置し、第１フォトマスクの
上からＵＶ光を照射して略矩形断面形状で高屈折率の第
１コア層を形成すると共に第１コア層の両側に低屈折率
の側面クラッド層を形成する工程と、該側面クラッド層
及び第１コア層の上に第２コア層のパターンを有する第
２フォトマスクを配置し、第２フォトマスクの上からＵ
Ｖ光を照射して第１コア層の中央部を高屈折率の第２コ
ア層に形成すると共に、第２コア層の両側部を第２コア
層よりも屈折率の低い側面コア層を形成する工程と、上
記第２コア層、上記側面コア層及び上記側面クラッド層
の上に第２クラッド層とＵＶカット層あるいはＵＶ吸収
層とを順次積層する工程からなることを特徴とする低損
失光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17112299A JP3552592B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17112299A JP3552592B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004852A true JP2001004852A (ja) | 2001-01-12 |
| JP3552592B2 JP3552592B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=15917403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17112299A Expired - Fee Related JP3552592B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3552592B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
| JP2009103827A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 光電複合基板及びその製造方法 |
| US7689066B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical Modulator |
| WO2012026135A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路および電子機器 |
| JP2012163837A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路の製造方法、光導波路および電子機器 |
| CN103119483A (zh) * | 2010-09-22 | 2013-05-22 | 住友电木株式会社 | 光波导以及电子设备 |
| WO2019130720A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光スキャンデバイス、光受信デバイス、および光検出システム |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17112299A patent/JP3552592B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
| US7689066B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical Modulator |
| JP4911529B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2012-04-04 | 日本碍子株式会社 | 光変調器 |
| JP2009103827A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 光電複合基板及びその製造方法 |
| WO2012026135A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路および電子機器 |
| US9151888B2 (en) | 2010-08-27 | 2015-10-06 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Optical waveguide and electronic device |
| CN103119483A (zh) * | 2010-09-22 | 2013-05-22 | 住友电木株式会社 | 光波导以及电子设备 |
| US9239426B2 (en) | 2010-09-22 | 2016-01-19 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Optical waveguide and electronic device |
| JP2012163837A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路の製造方法、光導波路および電子機器 |
| WO2019130720A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光スキャンデバイス、光受信デバイス、および光検出システム |
| CN110446972A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-11-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 光扫描设备、光接收设备及光检测系统 |
| JPWO2019130720A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2020-11-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光スキャンデバイス、光受信デバイス、および光検出システム |
| US11435571B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-09-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical scanning device with dual spacing non-waveguide regions and dual intermediate regions adjacent a waveguide |
| JP7162268B2 (ja) | 2017-12-26 | 2022-10-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光スキャンデバイス、光受信デバイス、および光検出システム |
| CN110446972B (zh) * | 2017-12-26 | 2023-11-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 光扫描设备、光接收设备及光检测系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3552592B2 (ja) | 2004-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7095920B1 (en) | Broadband optical via | |
| JP2007072433A (ja) | 光集積素子及び光制御素子 | |
| TW200426416A (en) | Embedded mode converter | |
| JP2005128419A (ja) | 光導波路構造およびその作製方法 | |
| WO2021161371A1 (ja) | 光接続素子、光素子、及び光素子の製造方法 | |
| US6915029B2 (en) | High density integrated optical chip with low index difference and high index difference waveguide functions | |
| JP6270936B1 (ja) | 光導波路素子 | |
| US9244236B2 (en) | Method for making a photonic integrated circuit having a plurality of lenses | |
| EP1623255A2 (en) | Low-loss optical waveguide crossovers using an out-of-plane waveguide | |
| JP3552592B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2004170668A (ja) | 光送受信モジュール、その製造方法、及び光通信システム | |
| US20230089592A1 (en) | Optical Connecting Device, Optical Device, and Method for Manufacturing Optical Device | |
| JPH1048443A (ja) | ポリマ導波路及びその製造方法 | |
| CN114995010B (zh) | 一种基于相变材料的硅基三维波导模式光开关 | |
| JP2001296438A (ja) | フォトブリーチング導波路 | |
| JPH095549A (ja) | 光回路及びその作製方法 | |
| JP4095358B2 (ja) | ホーリー導波路型光回路及びその製造方法 | |
| JP4114791B2 (ja) | 積層光導波路 | |
| JP2010085564A (ja) | 光導波路回路及び光回路装置 | |
| WO2006049324A1 (ja) | 導波型ビームパラメータ積制御光回路及び光集積回路 | |
| JP3032647B2 (ja) | 光導波路素子 | |
| WO2006103850A1 (ja) | 導波路素子及びレーザ発生器 | |
| JPH10123341A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JPH11264912A (ja) | 光配線 | |
| JP4003658B2 (ja) | レンズ列スポットサイズ変換型光回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040426 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |