JP2010085564A

JP2010085564A - 光導波路回路及び光回路装置

Info

Publication number: JP2010085564A
Application number: JP2008252708A
Authority: JP
Inventors: Kiminori Maeno; 仁典前野
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2008-09-30
Publication date: 2010-04-15

Abstract

【課題】サイズが小さく、製造が容易であり、ＷＤＭ光通信に適しており、信号光の径を変換することができる光導波路回路及びこれを含む光回路装置を提供する。
【解決手段】光導波路回路１は、基板２上にコア層５及びクラッド層６を有し、コア層５は、直線状部１０と、ｘ軸上に中心線を持つ幹部分２１及び枝部分２２ａ，２２ｂを含む分岐部２０と、分岐点Ｐ_０を通るｙ軸から離れるほど互いの間隔が徐々に広がる１対の曲線部３０ａ，３０ｂとを有し、ｘ軸と枝部分２２ａ，２２ｂのなす角度を４０°以上９０°未満の範囲内とし、且つ、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの分岐部２０側の部分を、ｘ軸に凸側を向ける１対の第１の円弧状部３１ａ，３１ｂとすることによって、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部とクラッド層６のうちの１対の曲線部３０ａ，３０ｂに挟まれる部分６１とを大径の信号光Ｌ_２の入出力端として機能させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、小径の信号光を大径の信号光に又は大径の信号光を小径の信号光に変換する光導波路回路、及び、この光導波路回路を含む光回路装置に関するものである。

光導波路回路の光入出力端に光ファイバを結合するために、種々の方法が提案されている。例えば、光導波路回路に、光入出力端に近いほど断面積が大きくなるテーパ状の光導波路を備えることによって、入出力する信号光のサイズ（ビーム径）を大きくして、光ファイバとの結合を容易にする方法が提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。

また、光導波路回路に、光入出力端に近いほど幅が狭くなる逆テーパ状の光導波路を備えることによって、入出力する信号光のサイズ（ビーム径）を大きくして、光ファイバとの結合を容易にする方法も提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。

特許第３６０７１２９号公報（図１、段落００１７，００１８、及び、図３、段落００１９〜００２１）特許第３８１５２７１号公報（図１７、段落０００５、及び、図１〜８、段落００２１〜００４１）

しかしながら、光入出力端側が大きいテーパ状の光導波路を用いる上記方法では、結合損失を減らすために、幅方向と厚さ方向の両方のサイズが徐々に大きくなるようにテーパ状の光導波路を形成する必要があるので、製造プロセスが非常に複雑になるという問題がある。

また、光入出力端側が大きいテーパ状の光導波路は、ＷＤＭ（ＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）方式の信号光を入力したときに、光強度が強いスポット状の部分が多数観測される（各波長の信号光の干渉に起因すると考えられる）ので、使用する光の波長やシステムによっては対策が必要となる。

また、光入出力端側が狭い逆テーパ状の光導波路を用いる上記方法では、光導波路の先端を１００ｎｍまで細くする必要があり、製造が非常に難しいという問題がある。

さらに、特許文献１及び２に記載のテーパ構造及び逆テーパ構造のテーパ長は、１ｍｍ程度であり（特許文献１の段落００１７，００１９、及び、特許文献２の段落００１０，００４１）、光導波路のサイズが極めて大きくなるという問題がある。

そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、サイズが小さく、製造が容易であり、特に、ＷＤＭ光通信に適している、信号光の径を変換する光導波路回路及びこれを含む光回路装置を提供することである。

本発明に係る光導波路回路は、基板と、前記基板上に備えられたコア層と、前記基板上であって、前記コア層の外側に備えられたクラッド層とを有し、小径の信号光を大径の信号光に又は大径の信号光を小径の信号光に変換する光導波路回路であって、前記コア層は、前記小径の信号光の入出力端を含む幹部分、及び、ｘｙ直交座標系の原点を分岐点として前記幹部分から分岐する１対の枝部分を含み、前記基板に平行な前記ｘｙ直交座標系におけるｘ軸上に中心線を持つ分岐部と、前記１対の枝部分に接続され、前記分岐部から離れる方向に延び、前記分岐部から離れるほど互いの間隔が徐々に広がる１対の曲線部とを有し、前記ｘ軸と前記分岐点における前記１対の曲線部のそれぞれとがなす角度を４０°以上９０°未満の範囲内とし、且つ、前記１対の曲線部の前記分岐部側の部分を、前記ｘ軸に凸側を向ける１対の第１の円弧状部とすることによって、前記１対の曲線部の端部と前記クラッド層のうちの前記１対の曲線部に挟まれる部分とを前記大径の信号光の入出力端として機能させることを特徴としている。

また、前記ｘ軸と前記分岐点における前記１対の曲線部のそれぞれとがなす角度を４５°以上９０°未満の範囲内とすることが望ましい。

また、本発明に係る光回路装置は、上記光導波路回路と、前記基板上に形成され、前記光導波路回路の前記小径の信号光の入出力端に光学的に接続された他の光導波路回路とを有することを特徴としている。

本発明によれば、簡単なプロセスで製造でき、構成が簡単で、サイズが小さく、特に、ＷＤＭ光の径の変換にも適した光導波路回路及び光回路装置を提供できるという効果がある。

図１は、本発明の実施の形態に係る光導波路回路１の構成を概略的に示す平面図である。また、図２は、光導波路回路１のコア層５の形状を概略的に示す斜視図であり、図３は、光導波路回路１の形状を概略的に示す斜視図である。

図１乃至図３に示されるように、光導波路回路１は、基板２と、基板２上に備えられたコア層５と、基板２上であってコア層５の外側に備えられたクラッド層６とを有している。基板２及びコア層５は、例えば、シリコン基板層とシリコン酸化膜層と単結晶シリコン膜とから成るＳＯＩ基板から形成することができる。基板２は、例えば、ＳＯＩ基板のシリコン基板層３とその上に備えられたシリコン酸化膜層４とから形成される。コア層５は、例えば、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン膜から形成される。クラッド層６は、例えば、屈折率がコア層５の屈折率の１．４５〜１．５倍程度のガラス層である。図１又は図３に示されるように、光導波路回路１は、光ビーム径が小径の信号光Ｌ_１を大径の信号光Ｌ_２に又は光ビーム径が大径の信号光Ｌ_２を小径の信号光Ｌ_１に変換する。

また、図１乃至図３に示されるように、コア層５は、ｘｙ平面上に、直線状部１０と、分岐部２０と、１対の曲線部３０ａ，３０ｂとを有している。コア層５は、ＳＯＩ基板の単結晶シリコンから形成され、その断面は、例えば、３００ｎｍ角の矩形である。コア層５の外周を囲うクラッド層６は、２μｍ厚、屈折率１．４５程度のガラス層である。コア層５は、シングルモードで信号光を伝播可能な高屈折率差型の光導波路であり、クラッド層６の屈折率がコア層の屈折率の１．５倍程度であればよい。

コア層５は、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン膜から、フォトリソグラフィーとエッチングにより、形成することができる。この形成方法は、通常のＣＭＯＳトランジスタの製造工程で用いられる、フォトリソグラフィー及びエッチング装置により実施可能である。フォトリソグラフィーにｉ線ステッパを用い、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置によりドライエッチングを行い、本実施の形態のコア層５が製造可能であることを、実際に確認した。

直線状部１０は、基板２の上面に平行なｘｙ直交座標系において、ｘ軸上に中心線を持つように形成され、小径の信号光Ｌ_１の入出力端１１を有している。分岐部２０は、小径の信号光Ｌ_１の入出力端１１と反対側の直線状部１０の端部１２に接続され、ｘ軸上に中心線を持つ幹部分２１と、幹部分２１に接続され、ｘｙ直交座標系の原点（０，０）を分岐点Ｐ_０とする１対の枝部分２２ａ，２２ｂとを有している。なお、直線状部１０は、ｘｙ平面の形状が曲線である曲線部に置き換えてもよい。また、直線状部１０を備えなくてもよく、その場合には、小径の信号光Ｌ_１の入出力端は、分岐部２０の幹部分２１側の端部となる。

１対の曲線部３０ａ，３０ｂは、１対の枝部分２２ａ，２２ｂに接続され、分岐部２０から離れる方向（ｙ軸から離れる方向）に延び、ｘｙ平面上において、分岐部２０から離れるほど互いの間隔が徐々に広がる曲線形状に形成される。１対の曲線部３０ａ，３０ｂは、ｘ軸を中心にして対称に形成される。直線状部１０及び曲線部３０ａ，３０ｂの線幅は、通常、２６０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲内であり、本実施の形態においては、２６０ｎｍである。コア層５の厚さは、通常、２６０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲内であり、本実施の形態においては、２６０ｎｍである。１対の曲線部３０ａ，３０ｂのｘ軸方向の長さＤｘは、例えば、５０μｍ以下である。大径の信号光Ｌ_２の入出力端における１対の曲線部３０ａ，３０ｂの間隔は、例えば、１０μｍ以下である。

ｘ軸と分岐点Ｐ_０における１対の曲線部３０ａ，３０ｂのそれぞれとがなす角度α（図１には、枝部分２２ａの角度αのみを示している）は、４０°以上９０°未満の範囲内である。また、角度αは、４５°以上６０°以下の範囲内とすることが望ましい。また、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの分岐部２０側の部分を、ｘ軸に凸側を向ける１対の第１の円弧状部３１ａ，３１ｂとする。このように構成することによって、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部と１対の曲線部３０ａ，３０ｂに挟まれるクラッド層６の部分６１とを大径の信号光Ｌ_２の入出力端として機能させる。１対の第１の円弧状部３１ａ，３１ｂの曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂは、１μｍ以下であることが望ましい。

また、上記数値範囲は、以下の計算結果に基づいている。
（１）曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂについて
（１−１）角度αを４５°とし、曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを１μｍとしたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１５ｄＢであった。
（１−２）角度αを４５°とし、曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを１．５μｍとしたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−７ｄＢとなり、８ｄＢ以上の損失がある（したがって、クラッド層６の部分６１からの出力が減少している）。
（１−３）角度αを４５°とし、曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを０．８μｍとしたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−２０ｄＢとなり、十分出力が減少している（したがって、クラッド層６の部分６１からの出力が増加している）。
（２）角度αについて
（２−１）曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを１μｍとし、角度αを４５°としたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１５ｄＢであった。
（２−２）曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを１μｍとし、角度αを６０°としたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１８ｄＢであった。
（２−３）曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを１μｍとし、角度αを９０°としたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１９ｄＢであった。
（２−４）曲率半径Ｒ３１ａ，Ｒ３１ｂを１μｍとし、角度αを４０°としたときに、入出力端１１からの入力を０ｄＢとすると、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１０ｄＢであった。
（３）導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１０ｄＢ程度であれば使用可能である。このため、角度αを４０°以上であれば、使用可能である。また、実用上は、導波路の曲線部３０ａ又は３０ｂからの出力は、−１５ｄＢ程度の値であることが望ましい。このため、角度αを４５°以上とすることが望ましい。

ｘ軸と分岐点Ｐ_０における１対の曲線部３０ａ，３０ｂのそれぞれとがなす角度αを４５°以上９０°未満の範囲内とし、且つ、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの分岐部２０側の部分を、ｘ軸に凸側を向ける１対の第１の円弧状部３１ａ，３１ｂとすることによって、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部と１対の曲線部３０ａ，３０ｂに挟まれるクラッド層６の部分６１とを大径の信号光Ｌ_２の入出力端として機能させることができる。

また、１対の曲線部３０ａ，３０ｂは、１対の第１の円弧状部３１ａ，３１ｂよりもｙ軸から離れた位置に、１対の第１の円弧状部３１ａ，３１ｂに接続され、ｘ軸に凹側を向ける１対の第２の円弧状部３２ａ，３２ｂを有することもできる。１対の第２の円弧状部３２ａ，３２ｂの曲率半径Ｒ３２ａ，Ｒ３２ｂは、１μｍ以下であることが望ましい。１対の第２の円弧状部３２ａ，３２ｂを備える場合には、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部と１対の曲線部３０ａ，３０ｂに挟まれるクラッド層６の部分６１とを大径の信号光Ｌ_２の入出力端として機能させることができる。

以上の構成を有する光導波路回路１においては、入出力端１１から入射した小径の信号光Ｌ_１は、直線状部１０内を進行し、分岐部２０で分岐されて１対の曲線部３０ａ，３０ｂ内を進行すると共に、コア層５（分岐部２０及び１対の曲線部３０ａ，３０ｂの内向きの面３３ａ，３３ｂ）からクラッド層６の部分６１内に進み、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部及びクラッド層６の部分６１の端部から成るサイズの大きい入出力端から大径の信号光Ｌ_２を出射する。

また、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部及びクラッド層６の部分６１の端部から成るサイズの大きい入出力端に入射した大径の信号光Ｌ_２は、コア層５内及びクラッド層６の部分６１内を進み、クラッド層６の部分６１から１対の曲線部３０ａ，３０ｂ内に面３３ａ，３３ｂから入り、分岐部２０及び直線状部１０内を進んで小径の入出力端１１から小径の信号光Ｌ_１として出射する。

図４は、光導波路回路１のコア層５の分岐部２０に入射した信号光のｘ軸方向の各位置（距離）及びｙ軸方向の各位置（幅）における信号光の強度分布を示す図である。図４の信号強度分布は、ＢＰＭ（ＢｅａｍＰｒｏｐａｇａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄ）法によって計算した結果である。図４には、小径の信号光Ｌ_１が分岐部２０から入射することによって、１対の曲線部３０ａ，３０ｂ及びそれらの間のクラッド層６の部分６１から大径の信号光Ｌ６が出射されることを示している。図４において距離（ｍｍ）は、分岐点からのｘ軸方向の位置を示し、０．０００ｍｍ〜０．０５０ｍｍの範囲（曲線部３０ａ，３０ｂのｘ軸方向の長さ）での信号強度分布Ｅ_{Ｆｉｅｌｄ}を示している。図４に示されるように、信号強度分布は、大径の信号光Ｌ_２の出射端側に近づくほど広がり、距離が０．０５０ｍｍのときには、ほぼ−５．０〜＋５．０（μｍ）までの幅に広がっている。

図５は、光導波路回路１の１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部を含む面における、信号光の強度分布を示す図である。図５の強度分布は、ＢＰＭ法によって計算した結果である。図５に示されるように、信号強度分布Ｅ_{Ｆｉｅｌｄ}は、大径の信号光Ｌ_２の出射端で（距離が０．０５０ｍｍのときに）、ほぼ−５．０〜＋５．０（μｍ）までの幅に広がっている。

図４及び図５に示される結果から、入出力端１１から入射した小径の信号光Ｌ_１が大径の入出力端から大径の信号光Ｌ_２として出射すること、及び、大径の入出力端に入射した大径の信号光Ｌ_２が小径の入出力端１１から小径の信号光Ｌ_１として出射することが確認できた。

以上に説明したように、本発明の実施の形態に係る光導波路回路１によれば、簡単な構成で、ＷＤＭ光を含む信号光の径を変換することができる。このため、光導波路回路１の大径の入出力端に、光ファイバのような大径の信号光の入出力端を有する光学手段を、容易に接続することができる。

また、図４及び図５に示される結果からわかるように、本発明の実施の形態に係る光導波路回路１によれば、サイズ、特に、１対の曲線部３０ａ，３０ｂのｘ軸方向の長さ（距離）が、０．０５０ｍｍ（＝５０μｍ）と短いにもかかわらず、ＷＤＭ光を含む信号光の径をシングルモードファイバと適合した大きさに拡大して入出力することが可能となった。

また、光導波路回路１のコア層５及びクラッド層６は、フォトリソグラフィー及びエッチングによって形成できるので、製造プロセスの簡素化及び製造コストの削減を実現できる。

さらに、光導波路回路１のコア層５は、均一な厚さで形成できるので、ＳＯＩ基板の単結晶シリコン膜から形成でき、従来のＣＭＯＳデバイスの製造プロセスを転用でき、製造プロセスの簡素化及び製造コストの削減を実現できる。

図６は、本発明の実施の形態に係る光導波路回路１ａの他の形状を概略的に示す斜視図である。図６において、図３の構成と同一又は対応する構成には、同じ符号を付す。図２及び図３においては、コア層５が基板２上に接して形成された場合を説明したが、図６に示されるように、コア層５の下面をクラッド層６ａで囲うように構成してもよい。この場合には、基板２上にクラッド層の下側層を形成し、その上にフォトリソグラフィー及びエッチングによってコア層５を形成し、その上にクラッド層の上側層を形成すればよい。

図６の光導波路回路１ａでは、入出力端１１から入射した小径の信号光Ｌ_１は、直線状部１０内を進行し、分岐部２０で分岐されて１対の曲線部３０ａ，３０ｂ内を進行すると共に、コア層５（分岐部２０及び１対の曲線部３０ａ，３０ｂの内向きの面３３ａ，３３ｂ）から１対の曲線部３０ａ，３０ｂの間の部分６１ａ内に進み、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部及びクラッド層６ａの部分６１ａの端部から成るサイズの大きい入出力端から大径の信号光Ｌ_２を出射する。また、１対の曲線部３０ａ，３０ｂの端部及びクラッド層６ａの部分６１ａの端部から成るサイズの大きい入出力端に入射した大径の信号光Ｌ_２は、コア層５内及びクラッド層６ａの部分６１ａ内を進み、クラッド層６ａの部分６１ａから１対の曲線部３０ａ，３０ｂ内に面３３ａ，３３ｂから入り、分岐部２０及び直線状部１０内を進んで小径の入出力端１１から小径の信号光Ｌ_１として出射する。

図６の光導波路回路１ａによれば、図１乃至図５の場合と同様の効果を得ることができる。また、図６の光導波路回路１ａによれば、コア層５の下側にもクラッド層が存在するので、図１乃至図５の光導波路回路１の場合よりも製造プロセスは複雑になるが、信号光の損失を低減することが可能である。

図７は、本発明の実施の形態に係る光回路装置７の構成を概略的に示す平面図である。図７の光回路装置８は、図１乃至図３に示される光導波路回路１又は１ａと、光導波路回路１の小径の入出力端１１に光学的に接続された他の光導波路回路８とを有している。小径の入出力端１１に接続される他の光導波路回路８を同一基板上に形成することによって、小径の信号光の入出力端の接合が不要になるので、装置の構造の簡素化、及び、製造プロセスの簡素化を実現できる。図７の構成によれば、図１乃至図６の光導波路回路１又は１ａの場合と同様の効果を得ることができる。

本発明の実施の形態に係る光導波路回路の構成を概略的に示す平面図である。本発明の実施の形態に係る光導波路回路のコア層の形状を概略的に示す斜視図である。本発明の実施の形態に係る光導波路回路の形状を概略的に示す斜視図である。本発明の実施の形態に係る光導波路回路のコア層の直線状部に入射した信号光のｘ軸方向の各位置（距離）及びｙ軸方向の各位置（幅）における信号光の強度分布を示す図である。本発明の実施の形態に係る光導波路回路の大径の信号光の入出力端における信号光の強度分布を示す図である。本発明の実施の形態に係る光導波路回路の他の形状を概略的に示す斜視図である。本発明の実施の形態に係る光導波路回路を含む光回路装置の構成を概略的に示す平面図である。

符号の説明

１，１ａ光導波路回路、
２基板、
３シリコン基板層、
４シリコン酸化膜層、
５コア層、
６，６ａクラッド層、
７光回路装置、
８他の光導波路回路、
１０直線状部、
１１小径の信号光の入出力端、
２０分岐部、
２１分岐部の幹部分、
２２ａ，２２ｂ分岐部の枝部分、
３０ａ，３０ｂ１対の曲線部、
３１ａ，３１ｂ１対の第１の円弧状部、
３２ａ，３２ｂ１対の第２の円弧状部、
６１，６１ａ大径の入出力端を構成するクラッド層の部分、
Ｌ_１小径の信号光、
Ｌ_２大径の信号光、
Ｐ_０分岐点。

Claims

基板と、
前記基板上に備えられたコア層と、
前記基板上であって、前記コア層の外側に備えられたクラッド層と
を有し、小径の信号光を大径の信号光に又は大径の信号光を小径の信号光に変換する光導波路回路であって、
前記コア層は、
前記小径の信号光の入出力端を含む幹部分、及び、ｘｙ直交座標系の原点を分岐点として前記幹部分から分岐する１対の枝部分を含み、前記基板に平行な前記ｘｙ直交座標系におけるｘ軸上に中心線を持つ分岐部と、
前記１対の枝部分に接続され、前記分岐部から離れる方向に延び、前記分岐部から離れるほど互いの間隔が徐々に広がる１対の曲線部と
を有し、
前記ｘ軸と前記分岐点における前記１対の曲線部のそれぞれとがなす角度を４０°以上９０°未満の範囲内とし、且つ、前記１対の曲線部の前記分岐部側の部分を、前記ｘ軸に凸側を向ける１対の第１の円弧状部とすることによって、前記１対の曲線部の端部と前記クラッド層のうちの前記１対の曲線部に挟まれる部分とを前記大径の信号光の入出力端として機能させる
ことを特徴とする光導波路回路。
前記ｘ軸と前記分岐点における前記１対の曲線部のそれぞれとがなす角度を４５°以上９０°未満の範囲内とすることを特徴とする請求項１に記載の光導波路回路。
前記基板は、ＳＯＩ基板のシリコン基板層と該シリコン基板層上のシリコン酸化膜層とから構成され、
前記コア層は、前記ＳＯＩ基板の単結晶シリコン膜から構成される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路回路。
前記曲線部の線幅は、２６０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲内であり、
前記コア層の厚さは、２６０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲内である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光導波路回路。
前記１対の曲線部は、前記１対の第１の円弧状部よりも前記ｙ軸から離れた位置に、前記１対の第１の円弧状部に接続され、前記ｘ軸に凹側を向ける１対の第２の円弧状部をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光導波路回路。
前記１対の第２の円弧状部の曲率半径は、１μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の光導波路回路。
前記１対の第１の円弧状部の曲率半径は、１μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光導波路回路。
前記１対の曲線部の前記ｘ軸方向の長さが、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光導波路回路。
前記大径の信号光の入出力端における前記１対の曲線部の間隔は、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光導波路回路。
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光導波路回路と、
前記基板上に形成され、前記光導波路回路の前記小径の信号光の入出力端に光学的に接続された他の光導波路回路と
を有することを特徴とする光回路装置。