JP5772436B2 - 光結合器及び光デバイス - Google Patents
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Description
20:支持基板
20a:第1主表面
20b:第2主表面
30:光導波路
31:クラッド
33:コア
40:高屈折率層
40a:反射面
50:光結合部
55:平面導波部
60:反射防止膜
70:受光素子
80:発光素子
Claims (7)
- 支持基板の第1主表面にクラッド及びコアが順次積層されて構成された光導波路と、
前記コアの上面上に設けられ、かつ前記光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い高屈折率層と
を具え、
前記高屈折率層の、前記コアの上面に沿った平面形状は、前記光導波路から前記高屈折率層に入射する光の伝播方向に沿って幅が拡大するテーパ形状であり、
前記高屈折率層は、前記コアの上面からの離間距離が、前記伝播方向に沿って連続的に狭まる反射面を有する
ことを特徴とする光結合器。 - 前記光導波路から前記高屈折率層に入射した光は、前記反射面によって反射され、前記支持基板を通過して、該支持基板の前記第1主表面と対向する第2主表面から出射され、
及び前記支持基板の前記第1主表面と対向する前記第2主表面から、該支持基板を通過して前記高屈折率層に入射する光は、前記反射面によって反射され、前記高屈折率層から前記光導波路に入射される
ことを特徴とする請求項1に記載の光結合器。 - 前記光導波路から前記高屈折率層に入射した光の、前記反射面に対する入射角が臨界角以上である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光結合器。 - 前記反射面は、前記コアの上面に対して凹型の湾曲面である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光結合器。 - 前記クラッドは、酸化シリコンを材料として形成され、
前記コアは、単結晶シリコンを材料として形成され、
前記高屈折率層は、アモルファスシリコン又は単結晶シリコンを材料として形成されている
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光結合器。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の光結合器の、前記支持基板の前記第1主表面と対向する前記第2主表面側に、該第2主表面から出射される光を受光する受光素子が設けられている
ことを特徴とする光デバイス。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の光結合器の、前記支持基板の前記第1主表面と対向する前記第2主表面側に、該第2主表面へ入射する光を発光する発光素子が設けられている
ことを特徴とする光デバイス。
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