JPH11248978A - 双方向光半導体装置 - Google Patents

双方向光半導体装置

Info

Publication number
JPH11248978A
JPH11248978A JP5464198A JP5464198A JPH11248978A JP H11248978 A JPH11248978 A JP H11248978A JP 5464198 A JP5464198 A JP 5464198A JP 5464198 A JP5464198 A JP 5464198A JP H11248978 A JPH11248978 A JP H11248978A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical
semiconductor
signal light
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5464198A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3792040B2 (ja
Inventor
Masahiro Mitsuta
昌弘 光田
Toru Nishikawa
透 西川
Tomoaki Uno
智昭 宇野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP05464198A priority Critical patent/JP3792040B2/ja
Priority to US09/261,960 priority patent/US6264377B1/en
Publication of JPH11248978A publication Critical patent/JPH11248978A/ja
Priority to US09/731,012 priority patent/US6515307B2/en
Priority to US09/886,973 priority patent/US6350064B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3792040B2 publication Critical patent/JP3792040B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光導波路を有する基板、半導体発光素子と、
光分岐器と及び半導体受光素子が一体化されてなる双方
向光半導体装置において、装置全体の小型化と光アイソ
レーションの向上との両立を図る。 【解決手段】 シリコン基板１２の上面に半導体レーザ
素子１３が固定され、ガラス基板１４の溝部１４ａには
光ファイバ１５が埋め込まれている。ガラス基板１４に
は光軸に対して所定の角度を持つ光分岐器１６が挿入さ
れており、該光分岐器１６は、半導体レーザ素子１３か
ら出射された出力信号光を通過させる一方、光ファイバ
１５に入力された入力信号光をガラス基板１４の反対側
に導く。ガラス基板１４の上面には、光分岐器１６によ
り導かれた入力信号光を受ける受光素子１７が固定され
ている。受光素子１７における、受光部を除く下面、レ
ーザ素子側の側面、反レーザ側の側面及び上面に遮光性
樹脂２２が塗布されており、半導体レーザ素子１３から
出射されて受光素子１７に向かう光は遮光性樹脂２２に
よって遮断される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、双方向光半導体装
置に関し、特に高い光アイソレーション機能を有する双
方向光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基地局からデータ等を一般家庭ま
で光ファイバを用いて伝送する光加入者システムが提案
されている。光加入者システムにおいては、基地局側及
び加入者側の両方に光送信器と光受信器とを設置して双
方向の光通信を行なうので、半導体発光素子からなり光
信号を出力する光送信器と、フォトダイオード等の半導
体受光素子からなり光信号を受信する光受信器と、光送
信器と光受信器とを接続する光ファイバからなる光伝送
路とを備えた光送受信装置が必要になる。
【０００３】そこで第１の従来例に係る光送受信装置と
しては、パッケージに実装された半導体レーザを有する
光送信装置の送信用光ファイバと、パッケージに実装さ
れた受光素子を有する光受信装置の受信用光ファイバと
がカプラーで結合されたものが知られている。
【０００４】ところが、第１の従来例に係る光送受信装
置は、光送信装置と光主新装置とをカプラーで結合する
ものであるから、市販されている光送信装置及び光受信
装置を用いることができるが、互いに別体の光送信装置
と光受信装置とを結合する必要があるので、小型化及び
低コスト化の点で問題がある。
【０００５】そこで、第２の従来例に係る光送受信装置
として、石英からなる基板と、該基板に一体的に保持さ
れた半導体レーザ素子及び受光素子と、基板の内部に形
成された光導波路とを有するＰＬＣ（Planer Lightwave
Circuit）が提案されている。
【０００６】ところが、第２の従来例に係る光送受信装
置は、石英からなる基板に半導体レーザ素子及び受光素
子を一体的に設けることによって小型化を図っている
が、基板の内部に形成する導波路の面積の低減に限界が
あるので小型化という点で問題が残ると共に、ＰＬＣと
光ファイバとを結合する必要があるので、低コスト化の
点でも問題がある。
【０００７】そこで、我々は、特願平７−１９８５３８
号において、図９に示すような双方向光半導体装置を提
案した。すなわち、パッケージ１の底部の左側部分にシ
リコン基板２が固定されており、該シリコン基板２の上
面には、例えば波長１．３μｍ帯の信号光を出力する半
導体レーザ素子３（半導体発光素子）が固定されてい
る。パッケージ１の底部の右側部分には、光軸方向に延
びる溝部を有するガラス基板４（基板）が固定されてお
り、該ガラス基板４の溝部には光ファイバ５（光導波
路）が埋め込まれていると共に、光ファイバ５のレーザ
側の端部はシリコン基板２の上面に固定されている。ガ
ラス基板４には光軸に対して所定の角度を持つようにハ
ーフミラー６（光分岐器）が挿入されており、該ハーフ
ミラー６は、光ファイバ５の左方から入射する波長１．
３μｍ帯の出力信号光の約５０％を透過させる一方、光
ファイバ５の右方から入射する波長１．３μｍ帯の入力
信号光の約５０％を上方に反射する。ガラス基板４の上
面には、ハーフミラー６により反射された入力信号光を
受けてフォトカレントを出力する面入射型のフォトダイ
オードからなる受光素子７（半導体受光素子）が固定さ
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記の双方向光半導体
装置においては、内部に光導波路を有する基板、半導体
発光素子、光分岐器が一体化されているため、取り扱い
易さ及び小型化の点で優れているが、光アイソレーショ
ンの点で問題がある。すなわち、半導体発光素子から出
射された出力信号光の一部が半導体受光素子に受光され
てしまうので、光アイソレーションが劣化するという問
題がある。
【０００９】ところで、半導体発光素子をパルス駆動し
た直後には、緩和時間内で出力信号光はテールをひく。
つまり半導体発光素子から出力される出力信号光はテー
ル光を伴う。このため、発光・受光間の光アイソレーシ
ョンが低いと、入力信号光の受光時に、半導体発光素子
から出射された出力信号光のテール光が半導体受光素子
で受光されて、入射してきた入力信号光に対して雑音と
なるので、半導体受光素子における受信特性が劣化す
る。従って、双方向光通信を行なうためには、光アイソ
レーション特性の改善が重要である。
【００１０】第１の従来例に係る光送受信装置において
は、送信用光ファイバと受信用光ファイバとのカプラー
における結合角度をずらすことにより、光アイソレーシ
ョン特性の劣化を防止している。
【００１１】これに対して、第２の従来例に係る光送受
信装置及び前記の双方向光半導体装置においては、光ア
イソレーション特性の劣化に対する対策は現在のところ
講じられていないのが実状である。
【００１２】前記に鑑み、本発明は、出力信号光及び入
力信号光を伝搬する光導波路を内部に有する基板と、光
導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発光素子
と、光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を光導
波路の外部に導く光分岐器と、基板に設けられ、光分岐
器により光導波路の外部に導かれた入力信号光が入射す
る半導体受光素子とが一体化されてなる双方向光半導体
装置において、装置全体の小型化と光アイソレーション
の向上との両立を図ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】以下、前記の双方向光半
導体装置における発光・受光間の光アイソレーション及
び光アイソレーションが劣化する原因について検討を行
なった結果を説明する。
【００１４】まず、前記の双方向光半導体装置における
発光・受光間の光アイソレーションについての検討結果
を説明する。尚、以下の説明は、半導体発光素子として
の半導体レーザ素子から出力された１．３μｍ帯の出力
信号光が光導波路としての光ファイバの一端に入力され
ると共に、該光ファイバ５の他端からは１．３μｍ帯の
入力信号光が入力され、光分岐器がハーフミラー６であ
り、半導体受光素子がフォトダイオード７である場合を
前提としている。
【００１５】半導体レーザ素子３から１０ｍＷの出力信
号光が出射される場合、出力信号光の約２０％が光ファ
イバ５に結合し、光ファイバ５に結合した出力信号光の
約５０％がハーフミラー６を透過して外部に出力され
る。従って、光ファイバ５からは約１ｍＷの出力信号光
が外部に出力される。
【００１６】受光素子７に−３Ｖのバイアス電圧を印加
した状態で、半導体レーザ素子３から出射された後、光
ファイバ５から外部に出力される出力信号光の出力パワ
ーが１ｍＷであるときの受光素子７から出力されるフォ
トカレントは平均８．５μＡである。また、受光素子７
に−３Ｖのバイアス電圧を印加した状態で、光ファイバ
５から１ｍＷの入力信号光が入力されるときの受光素子
７から出力されるフォトカレントは平均４５０μＡ（平
均感度：０．４５Ａ／Ｗ）である。従って、発光・受光
間の光アイソレーションは１７ｄＢとなる。
【００１７】次に、前記の双方向光半導体装置における
発光・受光間の光アイソレーションが劣化する原因につ
いての検討結果を説明する。
【００１８】光アイソレーションが劣化する原因として
は、半導体レーザ素子３から出射された出力信号光が主
として３つの経路を経て受光素子７に入力されることを
見出した。図１０に示すように、第１の入力経路は、半
導体レーザ素子３から出射された出力信号光のうち光フ
ァイバ５のクラッドを伝搬する光成分がクラッドから漏
れ出てパッケージ１で反射されることなく受光素子７に
到達するもの（以下、この経路を通る光をクラッド漏れ
光と称する。）であり、第２の入力経路は、半導体レー
ザ素子３から出射された出力信号光のうちハーフミラー
６で反射された光成分がパッケージ１の底面で再び乱反
射されて受光素子７に到達するもの（以下、この経路を
通る光をハーフミラー反射光と称する。）であり、第３
の入力経路は、半導体レーザ素子３における光ファイバ
５の反対側から出射された光がパッケージ１の側面及び
上面で乱反射されて受光素子７に到達するもの（以下、
この経路を通過する光をパッケージ散乱光と称する。）
である。
【００１９】本発明は、前記の知見に基づいてなされ、
クラッド漏れ光、ハーフミラー反射光又はパッケージ散
乱光が半導体受光素子に入射することを防止する手段を
講じるものであって、具体的には以下の各双方向光半導
体装置によって実現される。
【００２０】本発明に係る第１の双方向光半導体装置
は、出力信号光及び入力信号光を伝搬する光導波路を内
部に有する基板と、光導波路の一端部に出力信号光を出
射する半導体発光素子と、光導波路に設けられ、出力信
号光の少なくとも一部を通過させると共に入力信号光の
少なくとも一部を光導波路の外部に導く光分岐器と、基
板に設けられ、光分岐器により光導波路の外部に導かれ
た入力信号光が入射する半導体受光素子と、半導体受光
素子の表面に設けられ、半導体発光素子から出射された
光を遮断する遮光部材とを備えている。
【００２１】第１の双方向光半導体装置によると、半導
体受光素子の表面に設けられ、半導体発光素子から出射
された光を遮断する遮光部材を備えているため、半導体
発光素子から出射された後に光導波路を伝搬することな
く半導体受光素子に向かう光は、半導体受光素子の表面
の遮光部材によって遮断される。
【００２２】本発明に係る第２の双方向光半導体装置
は、出力信号光及び入力信号光を伝搬する光導波路を内
部に有する基板と、光導波路の一端部に出力信号光を出
射する半導体発光素子と、光導波路に設けられ、出力信
号光の少なくとも一部を通過させると共に入力信号光の
少なくとも一部を光導波路の外部に導く光分岐器と、基
板に設けられ、光分岐器により光導波路の外部に導かれ
た入力信号光が入射する半導体受光素子と、基板の表面
に設けられ、半導体発光素子から出射された光を遮断す
る遮光部材とを備えている。
【００２３】第２の双方向光半導体装置によると、基板
の表面に設けられ、半導体発光素子から出射された光を
遮断する遮光部材とを備えているため、半導体発光素子
から出射された後に光導波路を伝搬しない光は、基板の
表面の遮光部材によって遮断される。
【００２４】第１又は第２の双方向光半導体装置におい
て、遮光部材は、樹脂膜、金属層又は誘電体薄膜フィル
ターであることが好ましい。
【００２５】本発明に係る第３の双方向光半導体装置
は、出力信号光及び入力信号光を伝搬する光導波路を内
部に有する基板と、光導波路の一端部に出力信号光を出
射する半導体発光素子と、光導波路に設けられ、出力信
号光の少なくとも一部を通過させると共に入力信号光の
少なくとも一部を光導波路の外部に導く光分岐器と、基
板に設けられ、光分岐器により光導波路の外部に導かれ
た入力信号光が入射する半導体受光素子と、基板におけ
る半導体受光素子と反対側の表面に設けられ、半導体発
光素子から出射された光を半導体受光素子と異なる方向
に高反射する高反射層とを備えている。
【００２６】第３の双方向光半導体装置によると、基板
における半導体受光素子と反対側の表面に設けられ、半
導体発光素子から出射された光を半導体受光素子と異な
る方向に高反射する高反射層を備えているため、半導体
発光素子から出射された後に光導波路を伝搬しない光
は、基板における半導体受光素子と反対側の表面の高反
射層によって半導体受光素子と異なる方向に高反射され
る。
【００２７】本発明に係る第４の双方向光半導体装置
は、出力信号光及び入力信号光を伝搬する光導波路を内
部に有する基板と、光導波路の一端部に出力信号光を出
射する半導体発光素子と、光導波路に設けられ、出力信
号光の少なくとも一部を通過させると共に入力信号光の
少なくとも一部を光導波路の外部に導く光分岐器と、基
板に設けられ、光分岐器により光導波路の外部に導かれ
た入力信号光が入射する半導体受光素子と、基板におけ
る光導波路以外の部分に形成され、半導体発光素子から
出射された光を吸収する光吸収部とを備えている。
【００２８】第４の双方向光半導体装置によると、基板
における光導波路以外の部分に形成され、半導体発光素
子から出射された光を吸収する光吸収部を備えているた
め、半導体発光素子から出射された後に光導波路を伝搬
しない光は、基板における光導波路以外の部分に形成さ
れた光吸収部によって吸収される。
【００２９】本発明に係る第５の双方向光半導体装置
は、出力信号光及び入力信号光を伝搬する光導波路を内
部に有する基板と、光導波路の一端部に出力信号光を出
射する半導体発光素子と、光導波路に設けられ、出力信
号光の少なくとも一部を通過させると共に入力信号光の
少なくとも一部を光導波路の外部に導く光分岐器と、基
板に設けられ、光分岐器により光導波路の外部に導かれ
た入力信号光が入射する半導体受光素子と、基板におけ
る光導波路以外の部分に設けられ、半導体発光素子から
出射され光導波路以外の部分を伝搬する光を吸収するか
又は半導体受光素子と異なる方向に反射する光学部材と
を備えている。
【００３０】第５の双方向光半導体装置によると、基板
における光導波路以外の部分に設けられ、半導体発光素
子から出射され光導波路以外の部分を伝搬する光を吸収
するか又は半導体受光素子と異なる方向に反射する光学
部材を備えているため、半導体発光素子から出射された
後に光導波路を伝搬しない光は、光学部材によって吸収
されるか又は半導体受光素子と異なる方向に反射され
る。
【００３１】本発明に係る第６の双方向光半導体装置
は、出力信号光及び入力信号光を伝搬する光導波路を内
部に有する基板と、光導波路の一端部に出力信号光を出
射する半導体発光素子と、光導波路に設けられ、出力信
号光の少なくとも一部を通過させると共に入力信号光の
少なくとも一部を光導波路の外部に導く光分岐器と、基
板に設けられ、光分岐器により光導波路の外部に導かれ
た入力信号光が入射する半導体受光素子と、基板、半導
体発光素子、光分岐器及び半導体受光素子を収納するパ
ッケージと、パッケージの内壁面に設けられ、半導体発
光素子から出射された光を吸収する光吸収膜とを備えて
いる。
【００３２】第６の双方向光半導体装置によると、パッ
ケージの内壁面に設けられ、半導体発光素子から出射さ
れた光を吸収する光吸収膜を備えているため、半導体発
光素子から出射された後に光導波路を伝搬しない光は、
パッケージの内壁面の光吸収膜によって吸収される。
【００３３】第１〜第６の双方向光半導体装置におい
て、基板は、石英系のガラス、シリコン結晶又はポリマ
ーからなることが好ましい。
【００３４】第１〜第６の双方向光半導体装置におい
て、光分岐器は、光導波路と交差するように設けられた
光学素子であることが好ましい。
【００３５】第１〜第６の双方向光半導体装置におい
て、光導波路は基板に形成された溝部に埋め込まれるよ
うに設けられた光ファイバのコア部であることが好まし
い。
【００３６】第１〜第６の双方向光半導体装置における
光導波路が光ファイバのコア部である場合には、光ファ
イバは溝部に埋め込まれた状態で固定部材によって基板
に固定されており、固定部材の屈折率は光ファイバのク
ラッド部の屈折率よりも小さいことが好ましい。
【００３７】第１〜第６の双方向光半導体装置における
光導波路が光ファイバのコア部である場合には、光ファ
イバは溝部に埋め込まれた状態で固定部材によって基板
に固定されており、固定部材における半導体受光素子に
近い領域の屈折率は光ファイバのクラッド部の屈折率よ
りも小さく、且つ固定部材における半導体受光素子から
遠い領域の屈折率は光ファイバのクラッド部の屈折率よ
りも大きいことが好ましい。
【００３８】第１〜第６の双方向光半導体装置における
光導波路が光ファイバのコア部である場合には、基板の
屈折率は光ファイバのクラッド部の屈折率よりも小さい
ことが好ましい。
【００３９】第１〜第６の双方向光半導体装置における
光導波路が光ファイバのコア部である場合には、基板に
おける半導体受光素子に近い領域の屈折率は光ファイバ
のクラッド部の屈折率よりも小さく、且つ基板における
半導体受光素子から遠い領域の屈折率は光ファイバのク
ラッド部の屈折率よりも大きいことが好ましい。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
双方向光半導体装置について説明するが、その前提とし
て、各実施形態に係る双方向光半導体装置に共通する構
成部材について説明する。
【００４１】本発明の各実施形態に係る双方向光半導体
装置に共通する構成部材について、図１〜図８を参照し
ながら説明する。
【００４２】図１〜図８に示すように、パッケージ１１
の底部の左側部分にはシリコン基板１２が固定されてお
り、該シリコン基板１２の上面には、例えば波長１．３
μｍ帯の信号光を出力する半導体発光素子としての半導
体レーザ素子１３が固定されている。パッケージ１１の
底部の右側部分には、光軸方向に延びる溝部１４ａを有
するガラス基板１４が固定されており、該ガラス基板１
４の溝部１４ａには光導波路としての光ファイバ１５が
埋め込まれていると共に、光ファイバ１５のレーザ側の
端部はシリコン基板１２の上面に固定されている。
【００４３】ガラス基板１４には光軸に対して所定の角
度を持つように光分岐器１６が挿入されており、該光分
岐器１６は、半導体レーザ素子１３から出射された出力
信号光の少なくとも一部を通過させる一方、光ファイバ
１５に入力された入力信号光の少なくとも一部をガラス
基板１４の反対側（上方側）に導く。光分岐器１６とし
ては、ハーフミラー又はＷＤＭフィルター（波長多重フ
ィルター）を用いることができる。
【００４４】また、ガラス基板１４の上面には、光分岐
器１６により導かれた入力信号光を受けてフォトカレン
トを出力する半導体受光素子としての受光素子１７が固
定されており、該受光素子１７としては例えば面受光型
のフォトダイオードを用いることができる。
【００４５】（第１の実施形態）以下、第１の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図１（ａ）、（ｂ）
を参照しながら説明する。尚、図１（ａ）は、第１の実
施形態に係る双方向光半導体装置の側方断面図であり、
図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図であ
る。
【００４６】第１の実施形態の特徴として、受光素子１
７は面受光型のフォトダイオードであると共に、光ファ
イバ１５はガラス基板１４の溝部１４ａの内部において
固定用樹脂２１によって固定されている。
【００４７】また、受光素子１７における、受光部を除
く下面、レーザ素子側の側面（図１の左側の側面）、反
レーザ側の側面（図１の右側の側面）及び上面にそれぞ
れ約０．５ｍｍの膜厚を有する遮光性樹脂２２が塗布さ
れている。
【００４８】遮光性樹脂２２としては、紫外線により硬
化するエポキシ系黒色樹脂、熱により硬化するエポキシ
系黒色樹脂、高温で軟化し且つ常温で硬化するエポキシ
系黒色樹脂、溶剤の蒸発により硬化する黒色塗料等を用
いることができる。
【００４９】第１の実施形態によると、半導体レーザ素
子１３から出射されて光ファイバ１５のコア部を伝搬す
ることなく受光素子１７に向かう光は、遮光性樹脂２２
によって遮断されるため、受光素子１７に入射しないの
で、光アイソレーションは大きく向上する。
【００５０】特に、受光素子１７が面受光型のフォトダ
イオードである場合には、受光面のみならず側面及び上
面から入射する光成分が無視できないが、受光素子１７
の受光部を除く部分に遮光性樹脂２２を塗布しているた
め、半導体レーザ素子１３から出射されて光ファイバ１
５のコア部を伝搬することなく受光素子１７に向かう光
は確実に遮断されるので、光アイソレーションは大きく
向上する。
【００５１】尚、受光素子１７における、受光部を除く
下面、レーザ素子側の側面、反レーザ側の側面及び上面
の全ての面に遮光性樹脂２２が塗布されていなくてもよ
いが、遮光性樹脂２２が塗布される面が多いほど光アイ
ソレーションは向上する。
【００５２】ところで、半導体レーザ素子１３から出射
された後、光ファイバ１５に結合した光は、光ファイバ
１５のコア部及びクラッド部をそれぞれ伝搬するが、光
ファイバ１５のクラッド部を伝搬する光は容易に輻射光
となってクラッド部から外部に漏れ出て受光素子１７に
到達する。特に、光ファイバ１５におけるガラス基板１
４に埋め込まれている部分では、光ファイバ１５のクラ
ッド部とガラス基板１４との屈折率差が小さいので、光
ファイバ１５のクラッド部を伝搬する光は容易に外部に
漏れ出る。従って、光アイソレーションが劣化する原因
としてはクラッド漏れ光が最も大きいと考えられる。
【００５３】そこで、光ファイバ１５から１ｍＷの出力
信号光が出力される場合において、クラッド漏れ光のう
ち直接に受光素子１７に至る光成分（ａで示す経路を通
過する光成分）に起因するフォトカレント、クラッド漏
れ光のうちガラス基板１４の右端面で反射されて受光素
子１７に至る光成分（ｂで示す経路を通過する光成分）
に起因するフォトカレント及びパッケージ散乱光（ｃで
示す経路を通過する光成分）に起因するフォトカレント
をそれぞれ測定した。この結果、ａで示す経路を通過す
る光成分に起因するフォトカレントは約４μＡであって
クロストークの約半分を占めている。尚、半導体レーザ
素子１３から出射された後、受光素子１７に入射される
光に起因するフォトカレントをクロストークと称する。
また、ｂで示す経路を通過する光成分に起因するフォト
カレントは約０．５μＡであり、ｃで示す経路を通過す
る光成分に起因するフォトカレントは約１μＡであっ
た。
【００５４】従って、受光素子１７における、受光部を
除く下面、レーザ素子側の側面、反レーザ側の側面及び
上面にそれぞれ遮光性樹脂２２を塗布すると、受光素子
１７から出力されるフォトカレントは約５．５μＡ低減
されて約３μＡとなる。このため、光アイソレーション
は２２ｄＢまで改善されることになる。
【００５５】尚、遮光性樹脂２２を、受光素子１７の表
面のみならず、ガラス基板１４の上面における光ファイ
バ１５が埋め込まれている領域又はガラス基板１４の上
面の全領域にも塗布すると、光アイソレーションを一層
向上させることができる。
【００５６】また、ガラス基板１４の上面における光フ
ァイバ１５が埋め込まれている領域又はガラス基板１４
の上面の全領域に遮光性樹脂２２を塗布する代わりに、
ガラス基板１４の材料中に信号光に対して吸収特性を有
する色素等を混入しても、光アイソレーションを一層向
上させることができる。
【００５７】（第１の実施形態の変形例）第１の実施形
態においては、受光素子１７における、受光部を除く下
面、レーザ素子側の側面（図１の左側の側面）、反レー
ザ側の側面（図１の右側の側面）及び上面に遮光性樹脂
２２が塗布されていたが、該変形例においては、受光素
子１７における、受光部を除く下面、レーザ素子側の側
面、反レーザ側の側面及び上面にはそれぞれ遮光層が設
けられている。
【００５８】遮光層としては、受光素子１７に貼着され
ており、半導体レーザ素子１３から出射されるレーザ光
の波長帯に対して遮光性を有する誘電体薄膜フィルタ
ー、受光素子１７に貼着された金属薄膜、又は受光素子
１７の表面にメッキ法若しくは蒸着法により形成された
金属層等が挙げられる。
【００５９】第１の実施形態のように、遮光性樹脂２２
を塗布すると、遮光性樹脂２２の膜厚分だけパッケージ
１１の高さが大きくなるが、前記の変形例のように遮光
層を設けると、パッケージ１１の高さが大きくなること
を防止できる。
【００６０】また、受光素子１７の表面に誘電体薄膜フ
ィルターを貼着する場合には、遮断する光の波長帯を容
易に選択できるので、設計上有利である。
【００６１】また、受光素子１７の上面にのみ遮光層を
設けるようにすると、遮光層の面積を確保できると共に
遮光層を設ける工程が容易である。
【００６２】（第２の実施形態）以下、第２の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図２（ａ）、（ｂ）
を参照しながら説明する。尚、図２（ａ）は、第２の実
施形態に係る双方向光半導体装置の側方断面図であり、
図２（ｂ）は図２（ａ）におけるII−II線の断面図であ
る。
【００６３】第２の実施形態の特徴として、受光素子１
７は面受光型のフォトダイオードであると共に、光ファ
イバ１５はガラス基板１４の溝部１４ａの内部におい
て、光ファイバ１５のクラッド部の屈折率よりも低い屈
折率を有する固定用樹脂２１によって固定されている。
【００６４】波長１．３μｍ帯の光を伝搬する石英系の
シングルモードの光ファイバ１５のクラッド部の屈折率
は１．４４７であるので、第２の実施形態においては、
固定用樹脂２１としては、１．４４５の屈折率を有する
樹脂を用いる。
【００６５】前述したように、半導体レーザ素子１３か
ら出射された後、光ファイバ１５に結合した光のうちク
ラッド部を伝搬する光成分は容易に輻射光となってクラ
ッド部から外部に漏れ出て受光素子１７に到達する。
【００６６】ところが、第２の実施形態のように、光フ
ァイバ１５をガラス基板１４の溝部１４ａに光ファイバ
１５のクラッド部よりも低い屈折率を有する固定用樹脂
２１によって固定すると、光ファイバ１５のクラッド部
を伝搬する光は、固定用樹脂２１によって光ファイバ１
５のクラッド部に閉じこめられるため、クラッド部から
外部に漏れ出なくなるので、クラッド漏れ光に起因する
光アイソレーションを低減することができる。
【００６７】第２の実施形態に係る双方向光半導体装置
を用いて、光ファイバ１５から１ｍＷの出力信号光が出
力される場合のフォトカレントを測定したところ約１μ
Ａであって、光アイソレーションは約２７ｄＢに改善さ
れている。
【００６８】第２の実施形態によると、クラッド漏れ光
のうち直接に受光素子１７に至る光成分（図１において
ａで示す経路を通過する光成分）に起因する約４μＡの
クロストーク、クラッド漏れ光のうちガラス基板１４の
右端面で反射されて受光素子１７に至る光成分（図１に
おいてｂで示す経路を通過する光成分）に起因する約
０．５μＡのクロストーク、及びクラッド漏れ光のうち
受光素子１７の受光部に直接に入射する光成分（図２に
おいてｄで示す経路を通過する光成分）に起因する約
１．５μＡのクロストークを低減することができる。特
に、クラッド漏れ光のうち受光素子１７の受光部に直接
に入射する光成分に起因するクロストークは、第１の実
施形態では抑制できないが、第２の実施形態によると抑
制することができる。
【００６９】尚、光ファイバ１５を、該光ファイバ１５
のクラッド部の屈折率よりも低い屈折率を有する固定用
樹脂２１によって固定する代わりに、ガラス基板１４を
構成する材料の屈折率を光ファイバ１５のクラッド部の
屈折率よりも低くしてもよい。このようにすると、光フ
ァイバ１５のクラッド部から横方向又は下方向に漏れ出
る光をガラス基板１４の溝部１４ａの内部に閉じこめる
ことができる。従って、図２（ｂ）に示すように、受光
素子１７の受光面（下面）が広くてガラス基板１４の側
面を通過する光を受光してしまうような場合における光
アイソレーションを向上させることができると共に、受
光素子１７がガラス基板１４の下面に固定される場合に
おける光アイソレーションを向上させることもできる。
【００７０】（第３の実施形態）以下、第３の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図３を参照しながら
説明する。
【００７１】第３の実施形態の特徴として、光分岐器１
６はハーフミラーであり、受光素子１７は面受光型のフ
ォトダイオードであると共に、ガラス基板１４とパッケ
ージ１０との間に遮光部材２３が設けられている。
【００７２】遮光部材２３としては、紫外線により硬化
するエポキシ系黒色樹脂、熱により硬化するエポキシ系
黒色樹脂、高温で軟化し且つ常温で硬化するエポキシ系
黒色樹脂、溶剤の蒸発により硬化する黒色塗料又は金属
板等のように、半導体レーザ素子１３から出射される出
力信号光の波長帯の光を遮断する部材を適宜用いること
ができる。
【００７３】ところで、半導体レーザ素子１３から出射
された出力信号光は光ファイバ１５に結合するが、出力
信号光のうちの約２０％は光ファイバ１５のコア部に結
合して該コア部を伝搬する。光分岐器１６としてハーフ
ミラーを用いる場合には、光ファイバ１５のコア部を伝
搬する光の約半分の成分は、図３においてｅの経路で示
すように、ハーフミラーによってガラス基板１４側つま
り下側に反射された後、ガラス基板１４の下面又はパッ
ケージ１０の底部の上面で再び乱反射されて受光素子１
７に至る。
【００７４】ところが、第３の実施形態のように、ガラ
ス基板１４とパッケージ１０との間に遮光部材２３が設
けられていると、光ファイバ１５のコア部を伝搬中にハ
ーフミラーにより反射された光は、遮光部材２３に遮断
されて受光素子１７に向かわないので、光アイソレーシ
ョンは大きく向上する。
【００７５】第３の実施形態に係る双方向光半導体装置
を評価するために、光ファイバ１５における半導体レー
ザ素子１３とガラス基板１４との間に位置する部分の長
さを十分に長くすると共にこの部分を屈曲させて光ファ
イバ１５のクラッド部を伝搬する光が完全に除去される
双方向光半導体装置を試作すると共に、ガラス基板１４
の下面の状態及びパッケージ１０の底部の上面の状態を
種々変化させて、光ファイバ１５から１ｍＷの出力信号
光が出力される場合のフォトカレントを測定した。
【００７６】まず、パッケージ１０の底部の上面を切削
加工により粗くした状態でフォトカレントを測定すると
１．５μＡであった。
【００７７】次に、ガラス基板１４とパッケージ１０と
の間に黒色の遮光部材２３を設けた状態でフォトカレン
トを測定すると０．１８μＡであった。従って、第３の
実施形態によると、光アイソレーションを大きく向上で
きることが確認された。
【００７８】（第３の実施形態の変形例）ところで、光
ファイバ１５のコア部におけるガラス基板１４の溝部１
４ａに挿入されている部分を伝搬する光の広がり角度は
５度以内であるから、コア部を伝搬する光の広がり角度
は無視することができる。従って、ガラス基板１４の下
面に、半導体レーザ素子１３から出射された光を受光素
子１７と異なる方向に高反射する高反射層を形成する
と、光ファイバ１５のコア部を伝搬中にハーフミラーに
より反射された光は、ガラス基板１４の下面で乱反射さ
れることなく受光素子１７の反対側に反射されるので、
光アイソレーションは大きく向上する。
【００７９】光分岐器１６が光ファイバ１５に対して垂
直な面と交差する角度を３０度に設定すると共にガラス
基板１４の下面に高反射層を形成した状態でフォトカレ
ントを測定すると０．００９μＡであった。この場合に
は、光アイソレーションは４７ｄＢであって、大きく向
上する。
【００８０】ガラス基板１４の下面に高反射層を形成す
る方法としては、ガラス基板１４の下面に鏡面仕上げさ
れたシリコン基板を固定する方法、ガラス基板１４の下
面を鏡面仕上げする方法、又はガラス基板１４の下面に
Ａｕ、Ｔｉ若しくはＮｉ等の金属をメッキする方法等が
挙げられる。ガラス基板１４の下面に金属のメッキ層を
形成する方法は、反射率の均一化及び安定化並びにコス
トの低減の観点から有効な方法である。
【００８１】尚、光ファイバ１５のコア部におけるガラ
ス基板１４の溝部１４ａに挿入されている部分を伝搬す
る光の広がり角度は無視できる程度に小さいため、ガラ
ス基板１４の下面に高反射層を形成しておくと、光分岐
器１６が光ファイバ１５に対して垂直な面と交差する角
度は３０度でなくても、光アイソレーションを低減する
ことができる。また、光ファイバ１５のコア部における
ガラス基板１４の溝部１４ａに挿入されている部分を伝
搬する光の広がり角度が大きい場合には、光分岐器１６
が光ファイバ１５に対して垂直な面と交差する角度を小
さくすると、光アイソレーションの低減効果は大きくな
る。
【００８２】（第４の実施形態）以下、第４の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図４を参照しながら
説明する。
【００８３】第４の実施形態の特徴として、光分岐器１
６はハーフミラー又はＷＤＭフィルターであり、受光素
子１７は面受光型のフォトダイオードであると共に、光
分岐器１６と受光素子１７との間に、半導体レーザ素子
１３から出射され光ファイバ１５のコア部以外の部分を
伝搬する光を吸収するか又は受光素子１７と異なる方向
に反射する光学部材としてのフィルター２４が光ファイ
バ１５のコア部に掛からないように設けられている。フ
ィルター２４としては、ハーフミラー又はＷＤＭフィル
ター等を用いることができる。
【００８４】ところで、図４においてｆの経路で示すよ
うに、クラッド漏れ光のうち光分岐器１６に到達しない
光成分、又はクラッド漏れ光のうち光分岐器１６を通過
してしまう光成分は受光素子１７に至る。特に、光分岐
器１６がＷＤＭフィルターであるときには、光ファイバ
１５のクラッド部を伝搬する光はＷＤＭフィルターを通
過してしまう。
【００８５】ところが、第４の実施形態のように、光分
岐器１６と受光素子１７との間に半導体レーザ素子１３
から出射される波長帯の光を受光素子１７に向かわせな
いフィルター２４が設けられているため、クラッド漏れ
光のうち光分岐器１６に到達しない光成分及びクラッド
漏れ光のうち光分岐器１６を通過してしまう光成分は受
光素子１７に到達しないので、光アイソレーションを向
上させることができる。
【００８６】（第４の実施形態の変形例）半導体レーザ
素子１３から出射される出力信号光の波長帯（例えば
１．３μｍ）と、光ファイバ１５から入力される入力信
号光の波長帯（例えば１．５５μｍ）とが異なっている
と共に、光分岐器１６がＷＤＭフィルターである場合に
は、光ファイバ１５のクラッド部を伝搬する光は光分岐
器１６を通過してしまう。
【００８７】従って、この場合には、受光素子１７とガ
ラス基板１４との間に受光素子１７の受光面に沿うよう
に、入力信号光を通過させるが出力信号光を通過させな
いＷＤＭフィルターを設ける。このようにすると、半導
体レーザ素子１３から出射された出力信号光のうち光フ
ァイバ１５のクラッド部から漏れ出た光成分が受光素子
１７に到達する事態を防止できるので、光アイソレーシ
ョンを向上させることができる。
【００８８】（第５の実施形態）以下、第５の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図５を参照しながら
説明する。
【００８９】第５の実施形態の特徴として、光分岐器１
６はハーフミラー又はＷＤＭフィルターであり、受光素
子１７は面受光型のフォトダイオードであると共に、光
ファイバ１５における光分岐器１６よりも半導体レーザ
素子１３側の部分はガラス基板１４の溝部１４ａの内部
において遮光性樹脂２５によって固定されている。
【００９０】このようにすると、光ファイバ１５のクラ
ッド部を伝搬する光の広がり角度は小さいため、クラッ
ド漏れ光は遮光性樹脂２５に遮断されて受光素子１７に
は到達しないので、光アイソレーションが向上する。
【００９１】（第５の実施形態の変形例）第５実施形態
の変形例は、光ファイバ１５における光分岐器１６より
も半導体レーザ素子１３側の部分はガラス基板１４の溝
部１４ａの内部において、光ファイバ１５のクラッド部
の屈折率（例えば１．４４７）よりも高い屈折率を有す
る固定用樹脂によって固定されている。
【００９２】このようにすると、光ファイバ１５のクラ
ッド部を伝搬する光は固定用樹脂に予め吸収されて、ク
ラッド漏れ光のうち受光素子１７に到達する光成分が低
減するので、光アイソレーションが向上する。
【００９３】（第６の実施形態）以下、第６の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図６（ａ）、（ｂ）
を参照しながら説明する。尚、図６（ａ）は、第６の実
施形態に係る双方向光半導体装置の側方断面図であり、
図６（ｂ）は図６（ａ）におけるVI−VI線の断面図であ
る。
【００９４】第６の実施形態の特徴として、光分岐器１
６はハーフミラー又はＷＤＭフィルターであり、受光素
子１７は面受光型のフォトダイオードであると共に、光
ファイバ１５は、ガラス基板１４の断面Ｖ字状の溝部１
４ａに挿入された状態で、断面が台形状の溝部を有する
押さえ部材２６によってガラス基板１４に固定されてい
る。
【００９５】また、図６（ｂ）に示すように、光ファイ
バ１５のレーザ側の端部は、シリコン基板１２に形成さ
れた断面Ｖ字状の溝部に挿入された状態で、断面が台形
状の溝部を有する遮光部材２７によってシリコン基板１
２に固定されている。この場合、遮光部材２７は光ファ
イバ１５の端部を押さえ付けた状態でシリコン基板１２
に接着されている。
【００９６】半導体レーザ素子１２から出射されたレー
ザ光の広がり角度は１０数度であるため、半導体レーザ
素子１２から出射されたレーザ光のうち光ファイバ１５
に結合しない光成分は光ファイバ１５の外側に放射され
る。光ファイバ１５の外側に放射された光は、パッケー
ジ１０の内部空間を伝搬した後、パッケージ１０の壁面
で反射されて受光素子１７に至る。
【００９７】ところが、第６の実施形態のように、シリ
コン基板１２の上に遮光部材２７を設けると、半導体レ
ーザ素子１２から出射されたレーザ光のうち光ファイバ
１５に結合しない光成分は、遮光部材２７に遮断され
て、パッケージ１０の内部空間を伝搬しなくなるため、
受光素子１７に到達しなくなるので、光アイソレーショ
ンが向上する。
【００９８】（第７の実施形態）以下、第７の実施形態
に係る双方向光半導体装置について図７を参照しながら
説明する。
【００９９】第７の実施形態の特徴として、光分岐器１
６はハーフミラー又はＷＤＭフィルターであり、受光素
子１７は面受光型のフォトダイオードである。
【０１００】また、パッケージ１７の上底部の下面に
は、半導体レーザ素子１３から出射されるレーザ光を吸
収する光吸収部材２８が貼着されている。
【０１０１】光吸収部材２８としては、半導体レーザ素
子１３から出射されるレーザ光の波長帯に対して吸収性
を有する薄膜層が挙げられ、具体的には、半導体レーザ
素子１３から出射されるレーザ光を吸収する色素が含ま
れる塗布膜等が挙げられる。第７の実施形態によると、
パッケージ１７の上底部の下面に光吸収部材２８が貼着
されているため、パッケージ１７の内部を散乱する散乱
光が受光素子１７に到達することを防止できるので、光
アイソレーションが向上する。
【０１０２】尚、第１〜第７の実施形態においては、半
導体レーザ素子１３から出射された出力信号光を外部に
出力する光導波路として光ファイバ１５を用いたが、ガ
ラス基板１４に代えて、シリコン結晶又はポリマー材等
からなり光に対して透明な材料からなる透明基板を用い
ると共に、該透明基板の内部に光導波路を形成してもよ
い。
【０１０３】また、第１〜第７の実施形態においては、
半導体レーザ素子１３から出射される出力信号光の波長
帯が１．３μｍであり、光ファイバ１５に入力される入
力信号光の波長帯が１．３μｍ又は１．５５μｍである
場合について説明したが、出力信号光の波長帯として
は、１．５５μｍであってもよいと共に、０．８５μ
ｍ、０．７８μｍ帯又は０．６５μｍ帯等の短波長帯で
あってもよいのは当然である。
【０１０４】また、半導体発光素子としては、半導体レ
ーザ素子１３に代えて、ＬＥＤを用いることができる。
【０１０５】さらに、第１〜第７の実施形態及び各変形
例を単独で採用してもよいが、これらを組み合わせる
と、光アイソレーションの向上効果が一層向上する。
【０１０６】（第８の実施形態）以下、本発明の第８の
実施形態として、第１〜第７の実施形態及び各変形例に
係る双方向光半導体装置が適用される双方向光伝送シス
テムについて図８を参照しながら説明する。
【０１０７】図８は、双方向光伝送システムの全体構成
を示しており、基地局側に接地された第１の双方向光半
導体装置３０と、一般家庭に接地された第２の双方向光
半導体装置３１とが伝送用光ファイバ３２を介して接続
されている。
【０１０８】第８の実施形態によると、第１の双方向光
半導体装置３０及び第２の双方向光半導体装置３１とし
て、第１〜第７の実施形態及び各変形例に係る光アイソ
レーション機能が高い双方向光半導体装置を用いている
ので、送信された信号に対するクロストークを避けるた
めに必要なガードタイムを短縮できるので、より高速な
応答を行える双方向光伝送システムを実現することがで
きる。
【０１０９】
【発明の効果】本発明に係る第１の双方向光半導体装置
によると、半導体発光素子から出射された後に光導波路
を伝搬することなく半導体受光素子に向かう光は、半導
体受光素子の表面の遮光部材によって遮断されるため、
半導体受光素子に入射しないので、光アイソレーション
が向上する。
【０１１０】本発明に係る第２の双方向光半導体装置に
よると、半導体発光素子から出射された後に光導波路を
伝搬しない光は、基板の表面の遮光部材によって遮断さ
れるため、半導体受光素子に入射しないので、光アイソ
レーションが向上する。
【０１１１】本発明に係る第３の双方向光半導体装置に
よると、半導体発光素子から出射された後に光導波路を
伝搬しない光は、基板における半導体受光素子と反対側
の表面の高反射層によって半導体受光素子と異なる方向
に高反射されるため、半導体受光素子に入射しないの
で、光アイソレーションが向上する。
【０１１２】本発明に係る第４の双方向光半導体装置に
よると、半導体発光素子から出射された後に光導波路を
伝搬しない光は、基板における光導波路以外の部分に形
成された光吸収部によって吸収されるため、半導体受光
素子に入射しないので、光アイソレーションが向上す
る。
【０１１３】本発明に係る第５の双方向光半導体装置に
よると、半導体発光素子から出射された後に光導波路を
伝搬しない光は、光学部材によって吸収されるか又は半
導体受光素子と異なる方向に反射されるため、半導体受
光素子に入射しないので、光アイソレーションが向上す
る。
【０１１４】本発明に係る第６の双方向光半導体装置に
よると、半導体発光素子から出射された後に光導波路を
伝搬しない光は、パッケージの内壁面の光吸収膜によっ
て吸収されるため、半導体受光素子に入射しないので、
光アイソレーションが向上する。
【０１１５】第１〜第６の双方向光半導体装置における
光導波路が光ファイバのコア部であり、光ファイバが溝
部に埋め込まれた状態で固定部材によって基板に固定さ
れている場合に、固定部材における半導体受光素子に近
い領域の屈折率を光ファイバのクラッド部の屈折率より
も小さく且つ固定部材における半導体受光素子から遠い
領域の屈折率を光ファイバのクラッド部の屈折率よりも
大きいすると、半導体発光素子から出射された後に光フ
ァイバのコア部を伝搬しない光は、半導体受光素子の近
くでは光ファイバに閉じこめられると共に半導体受光素
子から遠くでは固定部材に吸収されるので、光アイソレ
ーションは確実に向上する。
【０１１６】第１〜第６の双方向光半導体装置における
光導波路が光ファイバのコア部である場合に、基板にお
ける半導体受光素子に近い領域の屈折率を光ファイバの
クラッド部の屈折率よりも小さく且つ基板における半導
体受光素子から遠い領域の屈折率を光ファイバのクラッ
ド部の屈折率よりも大きくすると、半導体発光素子から
出射された後に光ファイバのコア部を伝搬しない光は、
半導体受光素子の近くでは光ファイバに閉じこめられる
と共に半導体受光素子から遠くでは基板に吸収されるの
で、光アイソレーションは確実に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る双方向光
半導体装置の側方断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
るＩ−Ｉ線の断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る双方向光
半導体装置の側方断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
るII−II線の断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る双方向光半導体装
置の側方断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る双方向光半導体装
置の側方断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る双方向光半導体装
置の側方断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第６実施形態に係る双方向光
半導体装置の側方断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
るVI−VI線の断面図である。
【図７】本発明の第７実施形態に係る双方向光半導体装
置の側方断面図である。
【図８】本発明に係る第１〜第７の実施形態及び各変形
例に係る双方向光半導体装置が適用される双方向光伝送
システムの概略全体構成図である。
【図９】本発明の前提となる双方向光半導体装置の側方
断面図である。
【図１０】本発明の前提となる双方向光半導体装置にお
ける問題点を説明する側方断面図である。
【符号の説明】
１１ パッケージ １２ シリコン基板 １３ 半導体レーザ素子 １４ ガラス基板 １４ａ 溝部 １５ 光ファイバ １６ 光分岐器 １７ 受光素子 ２１ 固定用樹脂 ２２ 遮光性樹脂 ２３ 遮光部材 ２４ フィルター ２５ 遮光性樹脂 ２６ 押さえ部材 ２７ 遮光部材 ２８ 光吸収部材 ３０ 第１の双方向光半導体装置 ３１ 第２の双方向光半導体装置 ３２ 伝送用光ファイバ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年２月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】ところが、第１の従来例に係る光送受信装
置は、光送信装置と光受信装置とをカプラーで結合する
ものであるから、市販されている光送信装置及び光受信
装置を用いることができるが、互いに別体の光送信装置
と光受信装置とを結合する必要があるので、小型化及び
低コスト化の点で問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７１】第３の実施形態の特徴として、光分岐器１
６はハーフミラーであり、受光素子１７は面受光型のフ
ォトダイオードであると共に、ガラス基板１４とパッケ
ージ１１との間に遮光部材２３が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７３】ところで、半導体レーザ素子１３から出射
された出力信号光は光ファイバ１５に結合するが、出力
信号光のうちの約２０％は光ファイバ１５のコア部に結
合して該コア部を伝搬する。光分岐器１６としてハーフ
ミラーを用いる場合には、光ファイバ１５のコア部を伝
搬する光の約半分の成分は、図３においてｅの経路で示
すように、ハーフミラーによってガラス基板１４側つま
り下側に反射された後、ガラス基板１４の下面又はパッ
ケージ１１の底部の上面で再び乱反射されて受光素子１
７に至る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７４】ところが、第３の実施形態のように、ガラ
ス基板１４とパッケージ１１との間に遮光部材２３が設
けられていると、光ファイバ１５のコア部を伝搬中にハ
ーフミラーにより反射された光は、遮光部材２３に遮断
されて受光素子１７に向かわないので、光アイソレーシ
ョンは大きく向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７５】第３の実施形態に係る双方向光半導体装置
を評価するために、光ファイバ１５における半導体レー
ザ素子１３とガラス基板１４との間に位置する部分の長
さを十分に長くすると共にこの部分を屈曲させて光ファ
イバ１５のクラッド部を伝搬する光が完全に除去される
双方向光半導体装置を試作すると共に、ガラス基板１４
の下面の状態及びパッケージ１１の底部の上面の状態を
種々変化させて、光ファイバ１５から１ｍＷの出力信号
光が出力される場合のフォトカレントを測定した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７６】まず、パッケージ１１の底部の上面を切削
加工により粗くした状態でフォトカレントを測定すると
１．５μＡであった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７７】次に、ガラス基板１４とパッケージ１１と
の間に黒色の遮光部材２３を設けた状態でフォトカレン
トを測定すると０．１８μＡであった。従って、第３の
実施形態によると、光アイソレーションを大きく向上で
きることが確認された。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８１】尚、光ファイバ１５のコア部におけるガラ
ス基板１４の溝部１４ａに挿入されている部分を伝搬す
る光の広がり角度は無視できる程度に小さいため、ガラ
ス基板１４の下面に高反射層を形成しておくと、光分岐
器１６が光ファイバ１５に対して垂直な面と交差する角
度は３０度でなくても、光アイソレーションの劣化を低
減することができる。また、光ファイバ１５のコア部に
おけるガラス基板１４の溝部１４ａに挿入されている部
分を伝搬する光の広がり角度が大きい場合には、光分岐
器１６が光ファイバ１５に対して垂直な面と交差する角
度を小さくすると、光アイソレーションの劣化の低減効
果は大きくなる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９６】半導体レーザ素子１３から出射されたレー
ザ光の広がり角度は１０数度であるため、半導体レーザ
素子１３から出射されたレーザ光のうち光ファイバ１５
に結合しない光成分は光ファイバ１５の外側に放射され
る。光ファイバ１５の外側に放射された光は、パッケー
ジ１１の内部空間を伝搬した後、パッケージ１１の壁面
で反射されて受光素子１７に至る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９７】ところが、第６の実施形態のように、シリ
コン基板１２の上に遮光部材２７を設けると、半導体レ
ーザ素子１３から出射されたレーザ光のうち光ファイバ
１５に結合しない光成分は、遮光部材２７に遮断され
て、パッケージ１１の内部空間を伝搬しなくなるため、
受光素子１７に到達しなくなるので、光アイソレーショ
ンが向上する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１００】また、パッケージ１１の上底部の下面に
は、半導体レーザ素子１３から出射されるレーザ光を吸
収する光吸収部材２８が貼着されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０１】光吸収部材２８としては、半導体レーザ素
子１３から出射されるレーザ光の波長帯に対して吸収性
を有する薄膜層が挙げられ、具体的には、半導体レーザ
素子１３から出射されるレーザ光を吸収する色素が含ま
れる塗布膜等が挙げられる。第７の実施形態によると、
パッケージ１１の上底部の下面に光吸収部材２８が貼着
されているため、パッケージ１１の内部を散乱する散乱
光が受光素子１７に到達することを防止できるので、光
アイソレーションが向上する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０７】図８は、双方向光伝送システムの全体構成
を示しており、基地局側に設置された第１の双方向光半
導体装置３０と、一般家庭に設置された第２の双方向光
半導体装置３１とが伝送用光ファイバ３２を介して接続
されている。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 出力信号光及び入力信号光を伝搬する光
    導波路を内部に有する基板と、 前記光導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発
    光素子と、 前記光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
    を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を前記
    光導波路の外部に導く光分岐器と、 前記基板に設けられ、前記光分岐器により前記光導波路
    の外部に導かれた入力信号光が入射する半導体受光素子
    と、 前記半導体受光素子の表面に設けられ、前記半導体発光
    素子から出射された光を遮断する遮光部材とを備えてい
    ることを特徴とする双方向光半導体装置。
  2. 【請求項２】 出力信号光及び入力信号光を伝搬する光
    導波路を内部に有する基板と、 前記光導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発
    光素子と、 前記光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
    を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を前記
    光導波路の外部に導く光分岐器と、 前記基板に設けられ、前記光分岐器により前記光導波路
    の外部に導かれた入力信号光が入射する半導体受光素子
    と、 前記基板の表面に設けられ、前記半導体発光素子から出
    射された光を遮断する遮光部材とを備えていることを特
    徴とする双方向光半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記遮光部材は樹脂膜であることを特徴
    とする請求項１又は２に記載の双方向光半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記遮光部材は金属層であることを特徴
    とする請求項１又は２に記載の双方向光半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記遮光部材は誘電体薄膜フィルターで
    あることを特徴とする請求項１又は２に記載の双方向光
    半導体装置。
  6. 【請求項６】 出力信号光及び入力信号光を伝搬する光
    導波路を内部に有する基板と、 前記光導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発
    光素子と、 前記光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
    を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を前記
    光導波路の外部に導く光分岐器と、 前記基板に設けられ、前記光分岐器により前記光導波路
    の外部に導かれた入力信号光が入射する半導体受光素子
    と、 前記基板における前記半導体受光素子と反対側の表面に
    設けられ、前記半導体発光素子から出射された光を前記
    半導体受光素子と異なる方向に高反射する高反射層とを
    備えていることを特徴とする双方向光半導体装置。
  7. 【請求項７】 出力信号光及び入力信号光を伝搬する光
    導波路を内部に有する基板と、 前記光導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発
    光素子と、 前記光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
    を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を前記
    光導波路の外部に導く光分岐器と、 前記基板に設けられ、前記光分岐器により前記光導波路
    の外部に導かれた入力信号光が入射する半導体受光素子
    と、 前記基板における前記光導波路以外の部分に形成され、
    前記半導体発光素子から出射された光を吸収する光吸収
    部とを備えていることを特徴とする双方向光半導体装
    置。
  8. 【請求項８】 出力信号光及び入力信号光を伝搬する光
    導波路を内部に有する基板と、 前記光導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発
    光素子と、 前記光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
    を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を前記
    光導波路の外部に導く光分岐器と、 前記基板に設けられ、前記光分岐器により前記光導波路
    の外部に導かれた入力信号光が入射する半導体受光素子
    と、 前記基板における前記光導波路以外の部分に設けられ、
    前記半導体発光素子から出射され前記光導波路以外の部
    分を伝搬する光を吸収するか又は前記半導体受光素子と
    異なる方向に反射する光学部材とを備えていることを特
    徴とする双方向光半導体装置。
  9. 【請求項９】 出力信号光及び入力信号光を伝搬する光
    導波路を内部に有する基板と、 前記光導波路の一端部に出力信号光を出射する半導体発
    光素子と、 前記光導波路に設けられ、出力信号光の少なくとも一部
    を通過させると共に入力信号光の少なくとも一部を前記
    光導波路の外部に導く光分岐器と、 前記基板に設けられ、前記光分岐器により前記光導波路
    の外部に導かれた入力信号光が入射する半導体受光素子
    と、 前記基板、半導体発光素子、光分岐器及び半導体受光素
    子を収納するパッケージと、 前記パッケージの内壁面に設けられ、前記半導体発光素
    子から出射された光を吸収する光吸収膜とを備えている
    ことを特徴とする双方向光半導体装置。
  10. 【請求項１０】 前記基板は石英系のガラスからなるこ
    とを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の双
    方向光半導体装置。
  11. 【請求項１１】 前記基板はシリコン結晶からなること
    を特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の双方
    向光半導体装置。
  12. 【請求項１２】 前記基板はポリマーからなることを特
    徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の双方向光
    半導体装置。
  13. 【請求項１３】 前記光分岐器は、前記光導波路と交差
    するように設けられた光学素子であることを特徴とする
    請求項１〜９のいずれか１項に記載の双方向光半導体装
    置。
  14. 【請求項１４】 前記光導波路は前記基板に形成された
    溝部に埋め込まれるように設けられた光ファイバのコア
    部であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項
    に記載の双方向光半導体装置。
  15. 【請求項１５】 前記光ファイバは前記溝部に埋め込ま
    れた状態で固定部材によって前記基板に固定されてお
    り、 前記固定部材の屈折率は前記光ファイバのクラッド部の
    屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項１４に記載
    の双方向光半導体装置。
  16. 【請求項１６】 前記光ファイバは前記溝部に埋め込ま
    れた状態で固定部材によって前記基板に固定されてお
    り、 前記固定部材における前記半導体受光素子に近い領域の
    屈折率は前記光ファイバのクラッド部の屈折率よりも小
    さく、且つ前記固定部材における前記半導体受光素子か
    ら遠い領域の屈折率は前記光ファイバのクラッド部の屈
    折率よりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の
    双方向光半導体装置。
  17. 【請求項１７】 前記基板の屈折率は前記光ファイバの
    クラッド部の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求
    項１４に記載の双方向光半導体装置。
  18. 【請求項１８】 前記基板における前記半導体受光素子
    に近い領域の屈折率は前記光ファイバのクラッド部の屈
    折率よりも小さく、且つ前記基板における前記半導体受
    光素子から遠い領域の屈折率は前記光ファイバのクラッ
    ド部の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項１４
    に記載の双方向光半導体装置。
JP05464198A 1998-03-06 1998-03-06 双方向光半導体装置 Expired - Fee Related JP3792040B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05464198A JP3792040B2 (ja) 1998-03-06 1998-03-06 双方向光半導体装置
US09/261,960 US6264377B1 (en) 1998-03-06 1999-03-03 Bidirectional optical semiconductor apparatus
US09/731,012 US6515307B2 (en) 1998-03-06 2000-12-07 Bidirectional optical semiconductor apparatus
US09/886,973 US6350064B2 (en) 1998-03-06 2001-06-25 Bidirectional optical semiconductor apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05464198A JP3792040B2 (ja) 1998-03-06 1998-03-06 双方向光半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006025944A Division JP2006126875A (ja) 2006-02-02 2006-02-02 双方向光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11248978A true JPH11248978A (ja) 1999-09-17
JP3792040B2 JP3792040B2 (ja) 2006-06-28

Family

ID=12976413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05464198A Expired - Fee Related JP3792040B2 (ja) 1998-03-06 1998-03-06 双方向光半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US6264377B1 (ja)
JP (1) JP3792040B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001242354A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光伝送モジュール及びその製造方法
US6735366B2 (en) 1999-12-21 2004-05-11 Nec Corporation Optical waveguide module
JP2004145250A (ja) * 2002-08-27 2004-05-20 Sharp Corp 双方向光通信モジュール
US6904209B2 (en) 2002-04-26 2005-06-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communication module
US8449204B2 (en) 2008-10-31 2013-05-28 Hitachi, Ltd. Optical module
JP5834125B1 (ja) * 2014-09-29 2015-12-16 株式会社フジクラ 光ファイバモジュール
JP2016178218A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 日本オクラロ株式会社 光送信モジュール

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6332719B1 (en) * 1997-06-25 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical transmitter/receiver apparatus, method for fabricating the same and optical semiconductor module
DE19748989A1 (de) * 1997-11-06 1999-07-15 Daimler Chrysler Ag Optisches Sende/Empfangsmodul
US6530697B1 (en) 1998-09-22 2003-03-11 Digital Optics Corp. Multi-mode fiber coupler, system and associated methods
US8529139B2 (en) 1998-09-22 2013-09-10 Digitaloptics Corporation East Optical element and system using the same
US6496621B1 (en) * 1998-09-22 2002-12-17 Digital Optics Corp. Fiber coupler system and associated methods for reducing back reflections
JP2000171671A (ja) * 1998-12-09 2000-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光通信用モジュールおよびその実装方法
IT1308402B1 (it) * 1999-03-03 2001-12-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento e dispositivo per accoppiare fibre ottiche e componentioptoelettronici.
AU2002220037A1 (en) * 2000-10-30 2002-05-15 Santur Corporation Laser and fiber coupling control
AU2002245062A1 (en) * 2000-10-30 2002-07-30 Santur Corporation Laser thermal tuning
US6914916B2 (en) * 2000-10-30 2005-07-05 Santur Corporation Tunable controlled laser array
US6791694B2 (en) * 2001-01-16 2004-09-14 Santur Corporation Tunable optical device using a scanning MEMS mirror
US6781734B2 (en) 2001-03-30 2004-08-24 Santur Corporation Modulator alignment for laser
WO2002080317A1 (en) 2001-03-30 2002-10-10 Santur Corporation Alignment of an on chip modulator
US6922278B2 (en) 2001-03-30 2005-07-26 Santur Corporation Switched laser array modulation with integral electroabsorption modulator
WO2003096759A1 (en) 2001-03-30 2003-11-20 Santur Corporation High speed modulation of arrayed lasers
US6879442B2 (en) * 2001-08-08 2005-04-12 Santur Corporation Method and system for selecting an output of a VCSEL array
JP2003114336A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光フィルタモジュールおよびその製造方法
US6910780B2 (en) * 2002-04-01 2005-06-28 Santur Corporation Laser and laser signal combiner
US6807218B1 (en) 2002-05-13 2004-10-19 Amkor Technology, Inc. Laser module and optical subassembly
US20030213895A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-20 Lynx Photonic Networks Inc. Optical power and performance monitoring of a PLC chip using sensors mounted on the chip
US6907178B2 (en) * 2002-06-13 2005-06-14 Steve Lerner Optoelectronic assembly with embedded optical and electrical components
JP4348595B2 (ja) * 2002-07-02 2009-10-21 オムロン株式会社 光導波路装置、光導波路装置の製造方法及び光通信用機器
US7418016B2 (en) * 2003-02-13 2008-08-26 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for modifying the spread of a laser beam
US6856717B2 (en) * 2003-03-24 2005-02-15 Hymite A/S Package with a light emitting device
US20050123241A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-09 Moti Margalit Polarization independent frequency selective optical coupler
KR20050079198A (ko) * 2004-02-04 2005-08-09 삼성전자주식회사 양방향 광송수신기
US7251260B2 (en) * 2004-08-24 2007-07-31 Coherent, Inc. Wavelength-locked fiber-coupled diode-laser bar
KR100810312B1 (ko) * 2006-02-07 2008-03-04 삼성전자주식회사 다중 채널 방식의 양방향 광 송수신기
IL204544A (en) * 2009-03-19 2014-06-30 Yoav Sintov METHOD AND SYSTEM FOR PACKING OF HIGH-POWER FIBER OPTIC CLUCH
US9525488B2 (en) 2010-05-02 2016-12-20 Corning Optical Communications LLC Digital data services and/or power distribution in optical fiber-based distributed communications systems providing digital data and radio frequency (RF) communications services, and related components and methods
WO2012024247A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-23 Corning Cable Systems Llc Remote antenna clusters and related systems, components, and methods supporting digital data signal propagation between remote antenna units
US9252874B2 (en) 2010-10-13 2016-02-02 Ccs Technology, Inc Power management for remote antenna units in distributed antenna systems
EP2678972B1 (en) 2011-02-21 2018-09-05 Corning Optical Communications LLC Providing digital data services as electrical signals and radio-frequency (rf) communications over optical fiber in distributed communications systems, and related components and methods
SG11201407373PA (en) * 2012-05-11 2014-12-30 Fci Internat Sas Optical coupling device and optical communication system
EP2981010B1 (en) * 2013-06-24 2018-04-25 Huawei Technologies Co., Ltd. Optical module and optical network system
JPWO2015098854A1 (ja) * 2013-12-27 2017-03-23 株式会社フジクラ 光学装置の製造方法
US10659163B2 (en) 2014-09-25 2020-05-19 Corning Optical Communications LLC Supporting analog remote antenna units (RAUs) in digital distributed antenna systems (DASs) using analog RAU digital adaptors
WO2016071902A1 (en) 2014-11-03 2016-05-12 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Multi-band monopole planar antennas configured to facilitate improved radio frequency (rf) isolation in multiple-input multiple-output (mimo) antenna arrangement
WO2016075696A1 (en) 2014-11-13 2016-05-19 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Analog distributed antenna systems (dass) supporting distribution of digital communications signals interfaced from a digital signal source and analog radio frequency (rf) communications signals
WO2016098109A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Digital interface modules (dims) for flexibly distributing digital and/or analog communications signals in wide-area analog distributed antenna systems (dass)
WO2016098111A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Corning Optical Communications Wireless Ltd. Digital- analog interface modules (da!ms) for flexibly.distributing digital and/or analog communications signals in wide-area analog distributed antenna systems (dass)
WO2018063247A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Intel Corporation Optical free air transmit and receive interconnect

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1255382A (en) * 1984-08-10 1989-06-06 Masao Kawachi Hybrid optical integrated circuit with alignment guides
US5408105A (en) * 1992-02-19 1995-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optoelectronic semiconductor device with mesa
DE69414208T2 (de) * 1993-08-31 1999-03-25 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Optischer Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
US5487124A (en) * 1994-06-30 1996-01-23 The Whitaker Corporation Bidirectional wavelength division multiplex transceiver module
US5485538A (en) * 1994-06-30 1996-01-16 The Whitaker Corporation Bidirectional wavelength division multiplex transceiver module
EP0844503A4 (en) 1995-08-03 1999-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
US5809050A (en) * 1996-01-25 1998-09-15 Hewlett-Packard Company Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission
US5835514A (en) * 1996-01-25 1998-11-10 Hewlett-Packard Company Laser-based controlled-intensity light source using reflection from a convex surface and method of making same
JP3191729B2 (ja) * 1997-07-03 2001-07-23 日本電気株式会社 光半導体モジュールとその製造方法
KR100289040B1 (ko) * 1997-12-22 2001-05-02 이계철 단일광섬유를이용한양방향광통신모듈
US6085005A (en) * 1998-02-26 2000-07-04 Lucent Technologies, Inc. Optical assembly with a coated component
JP2001154067A (ja) * 1999-12-01 2001-06-08 Nec Corp 光導波路を使用した光送受信モジュール

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6735366B2 (en) 1999-12-21 2004-05-11 Nec Corporation Optical waveguide module
JP2001242354A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光伝送モジュール及びその製造方法
US6904209B2 (en) 2002-04-26 2005-06-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communication module
JP2004145250A (ja) * 2002-08-27 2004-05-20 Sharp Corp 双方向光通信モジュール
US8449204B2 (en) 2008-10-31 2013-05-28 Hitachi, Ltd. Optical module
JP5834125B1 (ja) * 2014-09-29 2015-12-16 株式会社フジクラ 光ファイバモジュール
WO2016051866A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 株式会社フジクラ 光ファイバモジュール
JP2016071005A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社フジクラ 光ファイバモジュール
US9897768B2 (en) 2014-09-29 2018-02-20 Fujikura Ltd. Optical fiber module
JP2016178218A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 日本オクラロ株式会社 光送信モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP3792040B2 (ja) 2006-06-28
US6264377B1 (en) 2001-07-24
US20010033719A1 (en) 2001-10-25
US20010000621A1 (en) 2001-05-03
US6515307B2 (en) 2003-02-04
US6350064B2 (en) 2002-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11248978A (ja) 双方向光半導体装置
US6546171B2 (en) Structure for shielding stray light in optical waveguide module
US6480639B2 (en) Optical module
JP2867859B2 (ja) 双方向伝送用光送受信モジュール
JP2003318478A (ja) 光通信装置
US5490227A (en) Light receiving module for SCM transmission
JPH11248954A (ja) 光ハイブリッドモジュール
WO2015008451A1 (ja) 光送受信モジュール
US8449204B2 (en) Optical module
JP2000075155A (ja) 光モジュール
JP2001133645A (ja) 光導波路モジュールにおける迷光遮光構造及びそれを用いた光送受信モジュール
US6735366B2 (en) Optical waveguide module
JP2001154067A (ja) 光導波路を使用した光送受信モジュール
JPH04152306A (ja) 光伝送モジュール
JPH07174946A (ja) 受光モジュール
JP3642967B2 (ja) 光通信デバイスおよび双方向光通信装置
JP2006126875A (ja) 双方向光半導体装置
JP3219781B2 (ja) 光回路
JP2001324655A (ja) 双方向光モジュール
JPS62229207A (ja) 受光装置
US6527454B1 (en) Optical module for receiving and transmitting light signal in optical communication
JPH09145928A (ja) 光減衰器
JPH11101926A (ja) 光モジュール
JP3798380B2 (ja) 導波路型光波長合分波器
CN115079347B (zh) 光发射接收组件和用于光发射接收组件的光路耦合方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050628

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060202

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060404

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees