JPH04152306A - 光伝送モジュール - Google Patents
光伝送モジュールInfo
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- JPH04152306A JPH04152306A JP27622590A JP27622590A JPH04152306A JP H04152306 A JPH04152306 A JP H04152306A JP 27622590 A JP27622590 A JP 27622590A JP 27622590 A JP27622590 A JP 27622590A JP H04152306 A JPH04152306 A JP H04152306A
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Links
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、双方向光伝送システムに用いて好適な光伝送
モジュールに関する。
モジュールに関する。
［従来の技術］
従来の光導波路は、特開平１−２３７５０４号公報及び
特開平２−８１００６号公報等に記載のように、高屈折
率物質からなるコア導波路を、低屈折率物質からなるク
ラッド層で覆って形成した構造となっていた。
特開平２−８１００６号公報等に記載のように、高屈折
率物質からなるコア導波路を、低屈折率物質からなるク
ラッド層で覆って形成した構造となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術による光導波路を用いた光合分波素子によ
って双方向光伝送モジュールを構成した場合、光合分波
素子の光送信端導波路に光学的に結合した半導体レーザ
の出射光が入射する際に、両者のニアフィールド分布の
違いにより励起されたクラッドモードは光導波路の形成
された基板内を迷光として伝搬し、上記光合分波素子の
光受信端導波路に光学的に結合した受信用フォトダイオ
ードに入射されて、クロストークを低下させる原因とな
るという問題があった。また、光導波路中の散乱光や、
光導波路の曲がり部で発生する放射光も、基板内を迷光
として伝搬し、同様にクロストークを低下させる原因と
なっていた。
って双方向光伝送モジュールを構成した場合、光合分波
素子の光送信端導波路に光学的に結合した半導体レーザ
の出射光が入射する際に、両者のニアフィールド分布の
違いにより励起されたクラッドモードは光導波路の形成
された基板内を迷光として伝搬し、上記光合分波素子の
光受信端導波路に光学的に結合した受信用フォトダイオ
ードに入射されて、クロストークを低下させる原因とな
るという問題があった。また、光導波路中の散乱光や、
光導波路の曲がり部で発生する放射光も、基板内を迷光
として伝搬し、同様にクロストークを低下させる原因と
なっていた。
本発明の目的は、光導波路基板内を伝搬する迷光の光導
波路への漏れ込み並びに受信用フォトダイオードへの漏
れ込みを防止し、クロストークの劣化を抑止可能な光伝
送モジュールを提供することにある。
波路への漏れ込み並びに受信用フォトダイオードへの漏
れ込みを防止し、クロストークの劣化を抑止可能な光伝
送モジュールを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記した目的を達成するため、屈折率の高いコ
ア導波路を屈折率の低いクラッド層で覆った構造の光導
波路からなる光導波路型光合分波素子と、該光導波路型
光合分波素子の一方端の光送受信端導波路に光学的に結
合された光ファイバと、前記光導波路型光合分波素子の
他方端の複数の光送受信端導波路にそれぞれ光学的に１
対１に結合された半導体レーザもしくは受信用フォトダ
イオードに具備した光伝送モジュールにおいて、前記光
導波路型光合分波素子の前記コア導波路を覆う前記クラ
ッド層の外側に、該クラット層より屈折率の高い光吸収
層を設けるか、もしくは、前記光導波路型光合分波素子
の形成された基板の裏面を粗面とするように、構成され
る。
ア導波路を屈折率の低いクラッド層で覆った構造の光導
波路からなる光導波路型光合分波素子と、該光導波路型
光合分波素子の一方端の光送受信端導波路に光学的に結
合された光ファイバと、前記光導波路型光合分波素子の
他方端の複数の光送受信端導波路にそれぞれ光学的に１
対１に結合された半導体レーザもしくは受信用フォトダ
イオードに具備した光伝送モジュールにおいて、前記光
導波路型光合分波素子の前記コア導波路を覆う前記クラ
ッド層の外側に、該クラット層より屈折率の高い光吸収
層を設けるか、もしくは、前記光導波路型光合分波素子
の形成された基板の裏面を粗面とするように、構成され
る。
［作用］
光導波路のクラッド層の外側に設けられたクラッド層よ
り屈折率の高い光吸収層は、クラッド層を通過する余分
な光を吸収し、その伝搬を防ぐ機能を有する。従って、
光送信端導波路に入射される半導体レーザ出射光あるい
は光送受信端導波路へ光学的に結合された光ファイバよ
り入射される受信光と、光導波路とのニアフィールド分
布の違いにより励起されるクラッドモードや、光導波路
中の散乱光、光導波路の曲がり部で発生する放射光は、
上記クラッド層の外側に設けられたクラッド層より屈折
率の高い光吸収層で吸収されるため。
り屈折率の高い光吸収層は、クラッド層を通過する余分
な光を吸収し、その伝搬を防ぐ機能を有する。従って、
光送信端導波路に入射される半導体レーザ出射光あるい
は光送受信端導波路へ光学的に結合された光ファイバよ
り入射される受信光と、光導波路とのニアフィールド分
布の違いにより励起されるクラッドモードや、光導波路
中の散乱光、光導波路の曲がり部で発生する放射光は、
上記クラッド層の外側に設けられたクラッド層より屈折
率の高い光吸収層で吸収されるため。
光導波路への再漏れ込み、並びに光受信端導波路に光学
的に結合された受信用フォトダイオードへの漏れ込みが
防止されてクロストークの劣化が抑えられ、送信光と受
信光とのアイソレーションを高く確保することができる
。
的に結合された受信用フォトダイオードへの漏れ込みが
防止されてクロストークの劣化が抑えられ、送信光と受
信光とのアイソレーションを高く確保することができる
。
また、光導波路の形成された基板の裏面を粗面とするこ
とにより、クラッド層を通過した光は散乱するため、基
板内を伝搬し受信用フォトダイオードに直接漏れ込む光
を低減できるため、同様にクロストークの劣化を抑える
ことが可能となる。
とにより、クラッド層を通過した光は散乱するため、基
板内を伝搬し受信用フォトダイオードに直接漏れ込む光
を低減できるため、同様にクロストークの劣化を抑える
ことが可能となる。
Ｅ実施例コ
以下１本発明を図示した各実施例によって説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は双方向光伝送モジュールの概要を示す説明図である。
は双方向光伝送モジュールの概要を示す説明図である。
第１図において、１は光導波路型光合分波素子で、該光
導波路型光合分波素子ｌの一方端の光送受信端導波路１
ａには、光信号を送受する単一モード光ファイバ２が、
ＣＯ２レーザにより溶着・接続され光学的に結合されて
いる。３は半導体レーザで、その光軸上に整列された光
出力モニタ用フォトダイオード４並びに光結合用集束形
ロッドレンズ５と共にステム６に搭載されて、光導波路
型光合分波素子１が固定された気密パッケージ８の内壁
面に固定され、且つ、光導波路型光合分波素子１の他方
端の光送信端導波路１ｂと光学的に結合されている。７
は受信用フォトダイオードで、気密パッケージ８内の所
定位置に搭載・固定され、光導波路型光合分波素子１の
他方端の光受信端導波路１ｃと光学的に結合されている
。なお、第１図においては、ステム６、受信用フォトダ
イオード７、気密パッケージ８に具備された電気配線リ
ートの図示は割愛しである。
導波路型光合分波素子ｌの一方端の光送受信端導波路１
ａには、光信号を送受する単一モード光ファイバ２が、
ＣＯ２レーザにより溶着・接続され光学的に結合されて
いる。３は半導体レーザで、その光軸上に整列された光
出力モニタ用フォトダイオード４並びに光結合用集束形
ロッドレンズ５と共にステム６に搭載されて、光導波路
型光合分波素子１が固定された気密パッケージ８の内壁
面に固定され、且つ、光導波路型光合分波素子１の他方
端の光送信端導波路１ｂと光学的に結合されている。７
は受信用フォトダイオードで、気密パッケージ８内の所
定位置に搭載・固定され、光導波路型光合分波素子１の
他方端の光受信端導波路１ｃと光学的に結合されている
。なお、第１図においては、ステム６、受信用フォトダ
イオード７、気密パッケージ８に具備された電気配線リ
ートの図示は割愛しである。
第２図は第１図のＡ部の拡大断面図である。同図におい
て、９は石英ガラス基板で、該基板９上には、電子ビー
ム蒸着法によって屈折率が石英ガラスよりも約０．３％
高い５ｉｎ２−ＴｉＯ２系の光吸収層１０と、屈折率が
石英ガラスにほぼ等しい５１０２系のクラッド層１１が
順次成膜・形成されている。また、該クラッド層１１上
には、屈折率が石英ガラスよりも約０．３％高い５ｉｎ
２− Ｔ ｉ○２系ガタガラス膜ォトリングラフィ・ド
ライエツチングによって形成したコア導波路１２がパタ
ーン化されていると共に、該コア導波路１２を覆うよう
に、屈折率がコア導波路１２より約０．３％低イｓ ｉ
０２−Ｐ２Ｏ，−Ｂ、０３系ガラス膜からなるクラッ
ド層１３が形成されている。
て、９は石英ガラス基板で、該基板９上には、電子ビー
ム蒸着法によって屈折率が石英ガラスよりも約０．３％
高い５ｉｎ２−ＴｉＯ２系の光吸収層１０と、屈折率が
石英ガラスにほぼ等しい５１０２系のクラッド層１１が
順次成膜・形成されている。また、該クラッド層１１上
には、屈折率が石英ガラスよりも約０．３％高い５ｉｎ
２− Ｔ ｉ○２系ガタガラス膜ォトリングラフィ・ド
ライエツチングによって形成したコア導波路１２がパタ
ーン化されていると共に、該コア導波路１２を覆うよう
に、屈折率がコア導波路１２より約０．３％低イｓ ｉ
０２−Ｐ２Ｏ，−Ｂ、０３系ガラス膜からなるクラッ
ド層１３が形成されている。
本実施例においては、コア導波路１２は８μｍ厚、１０
μｍ幅の寸法を有し、波長１６２μｍ以上おいて単一モ
ード導波路となっている。また、半導体レーザ３に発信
波長１．３μｍ及び１．５５μｍを用い、受信用フォト
ダイオード７には受光径１００μｍのＩ ｎＧａＡｓビ
ンフォトダイオードを用いている。送信光が１．３μｍ
の場合には光ファイバ２により受信され受信用フォトダ
イオード７で受光される光は１．５５μｍとなる。
μｍ幅の寸法を有し、波長１６２μｍ以上おいて単一モ
ード導波路となっている。また、半導体レーザ３に発信
波長１．３μｍ及び１．５５μｍを用い、受信用フォト
ダイオード７には受光径１００μｍのＩ ｎＧａＡｓビ
ンフォトダイオードを用いている。送信光が１．３μｍ
の場合には光ファイバ２により受信され受信用フォトダ
イオード７で受光される光は１．５５μｍとなる。
送信光が１．５５μｍの場合はその逆となり、双方向光
伝送が行われる。
伝送が行われる。
光導波路型光合分波素子が従来構造の場合における半導
体レーザ３の出射光の受信用フォトダイオード７への漏
れ込み、すなわち波長間のアイソレーションは３１ｄＢ
であったが、上述した本実施例の光導波路型光合分波素
子１を用いた場合にはこれが３４〜３７ｄＢとなり、約
３〜６ｄＢの改善が図れることが確認された。
体レーザ３の出射光の受信用フォトダイオード７への漏
れ込み、すなわち波長間のアイソレーションは３１ｄＢ
であったが、上述した本実施例の光導波路型光合分波素
子１を用いた場合にはこれが３４〜３７ｄＢとなり、約
３〜６ｄＢの改善が図れることが確認された。
第３図は本発明の第２実施例に係る双方向光伝送モジュ
ールの光導波路型光合分波素子の要部拡大断面図であり
、前記第２図と対応する部位の断面が示されている。
ールの光導波路型光合分波素子の要部拡大断面図であり
、前記第２図と対応する部位の断面が示されている。
本実施例においては、前記第１実施例におけるＳｉ○、
−Ｔｉｅ、系ガラス膜からなる光吸収層１０に代替して
、石英ガラス基板１４の裏面を表面粗度０．１μｍの粗
面１５とした構成としである。
−Ｔｉｅ、系ガラス膜からなる光吸収層１０に代替して
、石英ガラス基板１４の裏面を表面粗度０．１μｍの粗
面１５とした構成としである。
斯様な構成をとる本実施例においては、石英ガラス基板
１４内に漏れ込んだ光は粗面１５で散乱するため、基板
１４内を伝搬し受信用フォトダイオード７に直接漏れ込
む光を低減できるため、アイソレーションは、従来構造
の光導波路型光合分波素子を用いた場合に比し、約２〜
４ｄＢの改善が図れることが確認された。
１４内に漏れ込んだ光は粗面１５で散乱するため、基板
１４内を伝搬し受信用フォトダイオード７に直接漏れ込
む光を低減できるため、アイソレーションは、従来構造
の光導波路型光合分波素子を用いた場合に比し、約２〜
４ｄＢの改善が図れることが確認された。
なお、上述した実施例においては、光導波路型光合分波
素子１の一方端側に半導体レーザ３と受信用フォトダイ
オード７とを配設した構成を示したが、該光導波路型光
合分波素子１の一方端側の各光送受信端導波路に、発信
波長の異なる半導体レーザをそれぞれ配設した構成、あ
るいは受信用フォトダイオードをそれぞれ配設した構成
の光伝送モジュールにも、本発明は適用可能である。
素子１の一方端側に半導体レーザ３と受信用フォトダイ
オード７とを配設した構成を示したが、該光導波路型光
合分波素子１の一方端側の各光送受信端導波路に、発信
波長の異なる半導体レーザをそれぞれ配設した構成、あ
るいは受信用フォトダイオードをそれぞれ配設した構成
の光伝送モジュールにも、本発明は適用可能である。
［発明の効果コ
以上のように本発明によれば、光導波路と入射光のニア
フィールド分布の違いにより励起されるクラッドモード
、光導波路中の散乱光、光導波路の曲がり部で発生する
放射光等のクラッド層を通過し、基板内を迷光として伝
搬する余分の光を。
フィールド分布の違いにより励起されるクラッドモード
、光導波路中の散乱光、光導波路の曲がり部で発生する
放射光等のクラッド層を通過し、基板内を迷光として伝
搬する余分の光を。
クラッド層の外側に設けた屈折率がクラッド層より高い
光吸収層で吸収、もしくは、基板の裏面に設けた粗面で
散乱させることにより、送信光の受信用フォトダイオー
ドへの漏れ込みを低減できるため、波長間のアイソレー
ションを改善でき、りロストークの低い高品質の双方向
光伝送が可能になる。
光吸収層で吸収、もしくは、基板の裏面に設けた粗面で
散乱させることにより、送信光の受信用フォトダイオー
ドへの漏れ込みを低減できるため、波長間のアイソレー
ションを改善でき、りロストークの低い高品質の双方向
光伝送が可能になる。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は双方向光伝送モジュールの概要を示す説明図、第２図
は第１図のＡ部の拡大断面図、第３図は本発明の第２実
施例に係る双方向光伝送モジュールの光導波路型光合分
波素子の要部拡大断面図である。 １・・・光導波路型光合分波素子、１ａ・・・光送受信
端導波路、ｌｂ・・・光送信端導波路、１ｃ・・・光受
信端導波路、２・・・単一モード光ファイバ、３・・半
導体レーザ、４・・・光出力モニタ用フォトダイオード
、５・・光結合集束形ロンドレンズ、６・・・ステム、
７・・・受信用フォトダイオード、８・・気密パッケー
ジ。 ９・・・石英ガラス基板、１０・・・光吸収層、１１・
・・クラッド層、１２・・・コア導波路、１３・・・ク
ラッド層。 １４・・・石英ガラス基板、１５・・・粗面。 第 口 す４４本し−ブ シ、ｎハ゛・１−ケージ 第 一仮路 １３ フラット漫 １１ フラ・ントノ碕 １４ 石灸力゛ラス耳オル
は双方向光伝送モジュールの概要を示す説明図、第２図
は第１図のＡ部の拡大断面図、第３図は本発明の第２実
施例に係る双方向光伝送モジュールの光導波路型光合分
波素子の要部拡大断面図である。 １・・・光導波路型光合分波素子、１ａ・・・光送受信
端導波路、ｌｂ・・・光送信端導波路、１ｃ・・・光受
信端導波路、２・・・単一モード光ファイバ、３・・半
導体レーザ、４・・・光出力モニタ用フォトダイオード
、５・・光結合集束形ロンドレンズ、６・・・ステム、
７・・・受信用フォトダイオード、８・・気密パッケー
ジ。 ９・・・石英ガラス基板、１０・・・光吸収層、１１・
・・クラッド層、１２・・・コア導波路、１３・・・ク
ラッド層。 １４・・・石英ガラス基板、１５・・・粗面。 第 口 す４４本し−ブ シ、ｎハ゛・１−ケージ 第 一仮路 １３ フラット漫 １１ フラ・ントノ碕 １４ 石灸力゛ラス耳オル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、屈折率の高いコア導波路を屈折率の低いクラッド層
で覆った構造の光導波路からなる光導波路型光合分波素
子と、該光導波路型光合分波素子の一方端の光送受信端
導波路に光学的に結合された光ファイバと、前記光導波
路型光合分波素子の他方端の複数の光送受信端導波路に
それぞれ光学的に１対１に結合された半導体レーザもし
くは受信用フォトダイオードを具備した光伝送モジュー
ルにおいて、 前記光導波路型光合分波素子の前記コア導波路を覆う前
記クラッド層の外側に、該クラッド層より高い屈折率の
光吸収層を設けたことを特徴とする光伝送モジュール。 ２、屈折率の高いコア導波路を屈折率の低いクラッド層
で覆った構造の光導波路からなる光導波路型光合分波素
子と、該光導波路型光合分波素子の一方端の光送受信端
導波路に光学的に結合された光ファイバと、前記光導波
路型光合分波素子の他方端の複数の光送受信端導波路に
それぞれ光学的に１対１に結合された半導体レーザもし
くは受信用フォトダイオードを具備した光伝送モジュー
ルにおいて、 前記光導波路型光合分波素子の形成された基板の裏面を
粗面としたことを特徴とする光伝送モジュール。 ３、請求項１または２記載において、前記光導波路型光
合分波素子の前記他方端には２つの光送受信端導波路が
設けられ、その一つには半導体レーザが、いま一つには
受信用フォトダイオードがそれぞれ配設されたことを特
徴とする光伝送モジュール。 ４、請求項１または２記載において、前記光導波路型光
合分波素子の前記他方端の光送受信端導波路には、発信
波長の異なる半導体レーザがそれぞれ配設されたことを
特徴とする光伝送モジュール。 ５、請求項１または２記載において、前記光導波路型光
合分波素子の前記他方端の光送受信端導波路には、受光
用フォトダイオードがそれぞれ配設されたことを特徴と
する光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27622590A JPH04152306A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27622590A JPH04152306A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光伝送モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152306A true JPH04152306A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17566436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27622590A Pending JPH04152306A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 光伝送モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152306A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
| JP2007094125A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光導波路装置及び光導波路装置の製造方法 |
| JP2007264548A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調素子 |
| US7308174B2 (en) | 2002-12-20 | 2007-12-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device including a filter member for dividing a portion of signal light |
| US7321703B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-01-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| US7324729B2 (en) | 2003-06-02 | 2008-01-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| JP2008268747A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバの漏洩光処理構造および光ファイバレーザ |
| JP2014194435A (ja) * | 2014-07-01 | 2014-10-09 | Toshiba Corp | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ |
| JP2015087657A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 |
| JP2017032680A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP27622590A patent/JPH04152306A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
| US7308174B2 (en) | 2002-12-20 | 2007-12-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device including a filter member for dividing a portion of signal light |
| US7321703B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-01-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| US7324729B2 (en) | 2003-06-02 | 2008-01-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| JP2007094125A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光導波路装置及び光導波路装置の製造方法 |
| JP2007264548A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調素子 |
| WO2007122877A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-01 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光変調素子 |
| US8031983B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-10-04 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Light modulation device |
| JP2008268747A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバの漏洩光処理構造および光ファイバレーザ |
| JP2015087657A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 |
| JP2014194435A (ja) * | 2014-07-01 | 2014-10-09 | Toshiba Corp | 光導波路型バイオケミカルセンサチップ |
| JP2017032680A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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