JP3261097B2 - 音響光学変調器装置 - Google Patents
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Description
関する。
は、様々な通信分野で使用されるために実現されてい
る。例えば電話システムとデータ伝送システムとは、長
距離にわたり光学信号として音声とデータを伝送するた
めに光ファイバを用いて現在実現されている。このよう
なシステムにおいては、データ信号および/またはディ
ジタル化音声信号は、伝送用に光学キャリア信号でもっ
て変調される。この変調は、別の信号波の特性に従って
信号波の特性を変化させることを言う。
ptic Modulator For Optical Fibers Using Hertzian C
ontact with a Grooved Transducer Substrate" to Kin
o etal)は、光ファイバ内を伝搬する光信号を変調する
ために光ファイバに接続させる非破壊的な構成要素につ
いて記載している。変調器装置は、ガラス製基板の上部
表面に形成された音響トランデューサを有する。この基
板の底部には、正確な半径を有する精密形成された溝を
有する。この溝は、光ファイバと基板の溝との間に光フ
ァイバが溝内に圧入されたときにはヘルツ接触(Herzia
n contact)を提供するよう形成される。ヘルツ接触に
より音響波は、基板からヘルツ接触界面を介して導波路
内に固体材料で形成された音響パスを介して伝搬するこ
とができる。
デューサにより生成された音響波は、基板内に伝搬し、
さらにヘルツ接触を介して光ファイバ内に伝搬される。
その後この音響波は、光ファイバのコア内を伝送モード
で伝搬する光信号を、このコアの伝送モードから光ファ
イバのコアの周囲を包囲する損失性のクラッド層の伝送
モードに信号パワーを結合することにより相互作用し、
変調する。
にコンパクトな変調器への必要性がある。例えば、シリ
カ製光学回路のような光学平面状導波路構造は、光ファ
イバベースの変調器よりもより小型で低価格で製造でき
る。このようなデバイスの基本的構造は、C. H. Henry
et al著の"Glass Waveguides on Silicon for HybridOp
tical Packaging" 7 J. Lightwave Technol.,pp.1530-1
539(1989)に開示されている。通常シリカ製光学回路
は、基板上に形成されたシリカ製ガラス内に配置された
ドープドシリカガラスのコア導波路構造を有し、これに
よりたくさんの光学素子が共通基板上に形成することが
できる。
導波路は、ファイバー系の変調器を生成するために通常
使用される離散型のクラッド状伝送モードが存在しな
い。かくして光ファイバベースの変調器で用いられる音
響光学構成は、平面状導波路構造には不適当であり、従
って平面状導波路型の変調器を必要とする。従って、本
発明の目的は、導波路内を伝搬する光信号を変調するよ
うな音響光学効果を有する光学平面状導波路変調器回路
を提供することである。
いては、本発明は、入力部分と、この入力部分に接続さ
れたマルチモード導波路部分と、このマルチモード導波
路部分に接続された出力部分とを有する導波路構造であ
る。入力部分と出力部分とは、共通の第1の偶伝送モー
ドで光信号を伝搬できる構造である。マルチモード導波
路部分は、光信号が第1および第2(次の高次の奇伝送
モード)の伝送モードで伝搬できるような構造体であ
り、この奇伝送モードは、入力部分と出力部分にはサポ
ートされないものである。この導波路構造により、入力
部分からマルチモード導波路部分を介して出力部分に偶
伝送モードで光学信号が伝搬できるようになる。
音響波を埋め込みマルチモード導波路部分に与えること
のできる弾性表面波(すなわちReylaeigh波)を生成
し、これにより屈折率の周期的変化を引き起こして偶伝
送モードと奇伝送モードとの間で光エネルギーを結合す
る。従って、偶伝送モードで伝搬する光信号のパワーの
一部は、弾性表面波に引き起こされた周期的な屈折率変
動に起因して奇伝送モードに変換する。このパワーの変
換により、偶伝送モードで伝搬する対応する信号の減衰
が引き起こされる。奇伝送モードは、出力部分ではサポ
ートされていないので、マルチモード導波路部分から出
力モード部分へ伝搬する信号は、偶伝送モードであり、
これは減衰した光信号である。
部分内を偶伝送モードで伝搬する光信号の減衰量は、生
成された弾性表面波の強度に依存する。かくして、第2
信号の振幅を変化させることにより、マルチモード導波
路部分内を伝搬する弾性表面波のパワーを変化させ、光
学信号を変調することが可能となる。さらに別の実施例
では、マルチモード導波路の伝送モードのこのような結
合を用いて、マルチモード導波路の偶伝送モードに結合
される伝送モード(エバネセントフィールド)を有する
シングルモード導波路内を伝搬する光学信号を変調でき
る。
響波エネルギーをマルチモード平面状導波路のマルチモ
ード導波路部分に与え、それにより第1の偶伝送モード
で伝搬している光学信号のパワーを第2の次の高次の奇
伝送モードに結合するために、屈折率の周期的変化を引
き起こさせるという原理に基づいている。このような結
合を本発明では用いて、弾性表面波をマルチモード導波
路に向けることにより、奇伝送モードに光学パワーを転
換することにより偶伝送モードで伝搬している光学信号
を減衰させる。減衰量は、導波路と相互作用する弾性表
面波のパワーの振幅に依存する。従って、第2信号の振
幅を変化させることにより、弾性表面波のパワーを変化
させ、光学信号を第2信号で変調することが可能とな
る。
ード導波路は、シングルモード入力の平面状導波路部分
と出力平面状導波路部分との間に接続されて、入力部分
からの光学信号をマルチモード導波路部分を介して第1
の偶伝送モードで出力部分に伝搬させることができる。
マルチモード導波路部分内を伝搬する弾性表面波によ
り、屈折率の周期的変動を引き起こし、これにより第1
と第2の伝送モード間の光エネルギーの結合ができるよ
うになる。その結果、偶伝送モードで伝搬する光学信号
のパワーの一部は、周期的屈折率変動が引き起こされた
ことにより、次の高次の奇伝送モードに転換される。こ
のパワーの転換により、偶伝送モードで伝搬する対応す
る信号の減衰が引き起こされる。奇伝送モードは、出力
部分にはサポートされていないので、マルチモード領域
から出力用シングルモード部分へ伝搬する信号は、偶伝
送モードで伝搬する減衰した光学信号である。さらにま
た、偶伝送モードで伝搬する光学信号の減衰量は、弾性
表面波のパワーに依存するので、この第2信号に基づい
て弾性表面波のパワーを変化させることにより、光学信
号を変調することが可能となる。
波の一種である。弾性表面波、すなわちRayleigh波は、
指数関数的にその構成材料の深さ方向に振幅が減衰する
ような組成材料の平面状表面に沿って導波される音響波
である。音響波は、通常1Hz〜数十GHzの範囲の周
波数を有する弾性非電磁波である。音響波は、慣性と弾
性(媒体の一部を元の状態に戻すような力の存在)を有
する媒体中を伝搬し、変位した物体が隣接する物体に運
動量を転換して、それ自身が元の位置に戻るようなもの
である。しかし、表面弾性波のエネルギーの約90%
は、平面状表面から弾性波の1波長に相当する深さを伝
搬する(それ故表面弾性波と称する)。弾性表面波に関
しての詳細は、D. P. Morgan著のSurface-Wave Devices
for Signal Processing,(Elsevier Science Pub. C
o., N.Y., 1985)(Surface-Wave Devices文献)に記載
されている。
表面の近傍に形成された光学導波路を有し、弾性表面波
のエネルギーの90%が表面の音響波1波長分の深さの
ところを伝搬するために、本発明の光学信号の変調スイ
ッチ用に比較的短いマルチモード導波路部分の利用が可
能となるような弾性表面波長を選択することができる。
例えば、本発明によりマルチモード導波路部分に接続さ
れた入力、あるいは出力用のシングルモード導波路部分
を介して伝搬する光学信号を変調することに加えて、ま
た本発明によりエバネセントフィールド結合により、導
波路モードに結合されたシングルモード導波路内を伝搬
する光学信号を変調することも可能である。
の第1実施例による平面状導波路構造15を有するシリ
カ製光学構造体10の表面11上に形成された弾性表面
波(SAWソース)5を有する。平面状導波路構造15
は、シリカ製光学構造体10の表面25上に形成された
シリカガラス20内に配置される。弾性表面波(SA
W)ソース5は、生成された弾性表面波が図2に示すよ
うな伝送モード結合を生成する導波路構造15のマルチ
モード導波路部分105に対しある位相適合角を有する
よう導波路構造15に配置される。例えばトレンチ
(溝)ような弾性波ダンパ30は、音響エネルギー吸収
材料から構成され、この弾性波ダンパ30は所望の位相
適合角以外の角度で平面状導波路構造15の方向に向け
られた音響波反射を低減する。
なプロセスは、次の通りである。シリカガラス製のベー
ス層が、シリコン基板のような表面25上に、例えば低
圧VCD法あるいは火炎加水分解法(flame hydrolysi
s)を用いて堆積され、その後ドープしたシリカガラス
製の薄いコア層がこのシリカガラス製のベース層上に堆
積され、その後このコア層は標準のリソグラフ技術(例
えばリソグラフィーとエッチング)を用いて平面状導波
路構造15の所望の構造に合うように成形され、その後
ドープしたシリカガラス製の層が前記のコア層の上に上
部クラッド層として機能するよう堆積される。このドー
プしたシリカガラス用のドーピングプロファイルは、均
一のステップインデックス分布である。上記の説明は、
シリコン製の導波路デバイス上に形成されたシリカにつ
いて説明したものであるが、他の材料、例えば溶融水晶
(fused quartz)、セラミック、III−V族材料(In
PまたはGaAs)上に回路を形成することも可能であ
る。
ガラス製のベース層とは、シリカガラス20を形成す
る。ベース層とコア層と上部クラッド層のそれぞれの厚
さは、10μm〜20μmと4μm〜8μmと0μm〜
20μmである。ベース層に対し10μm以下の厚さ
は、基板に対する光損失が大きくなるため好ましくな
く、20μm以上の厚さは、形成するのに必要な堆積時
間が長くなるために好ましくない。シリコン上のガラス
製導波路とその製造方法の詳細な議論は、例えばC. H.
Henry著の"Glass Waveguides on Silicon for Hybrid O
ptical Packaging" 7J lighitwave Technol., pp.1530-
1539(1989)を参照のこと。
生成する際に用いられるデバイス、あるいは装置は、本
発明の必須要件ではない。弾性表面波(SAW)ソース
5ような代表的なデバイスは、従来のインターディジタ
ルトランデューサ、および他のZnOトランデューサが
あり、これらは前掲のサーフェスウェーブデバイス文献
を参照されたい。
造15の上面図を図2に示す。図1の弾性表面波(SA
W)ソース5と弾性波ダンパ30は図2には示されてい
ない。図2において平面状導波路構造15は、入力部分
100とマルチモード導波路部分105と出力部分11
0を有する。入力部分100はシングルモード部分で偶
伝送モードで光学信号を伝搬する。マルチモード導波路
部分105は、この偶伝搬モードおよび次の高次の奇伝
搬モードで光学信号を伝搬できる。
説明する。
り生成された弾性表面波の位相フロント125は、マル
チモード導波路部分105に対し位相適合角θで傾斜し
ており、これによりマルチモード導波路部分105内に
周期的屈折率変動の条件を形成する。このような位相適
合性により、第1の偶伝送モードと第2の奇伝送モード
間の光学信号のパワーの所望の結合が達成できる。さら
にまた、マルチモード導波路部分105は、その間で弾
性表面波がこのような条件を作り出す相互作用長さLを
有する。
その部分のV数として公知の導波路正規化周波数パラメ
ータから決定できる。このV数は、伝搬すべき信号波長
と導波路部分の断面積と導波路部分と周囲のシリカガラ
ス間の屈折率差によって決まる。このV数の詳細は、D.
Marcuse著のLight Transmission Optics,Ch.8,p.327
(Van Nostrand Reinhold Co.,N.Y.,1992)を参照のこ
と。 V=(2π/λ)a(n1 2−n2 2)1/2 ここでλは光学信号の波長で、aは導波路部分の幅で、
n1はコア層の屈折率で、n2はクラッド層の屈折率であ
る。そしてシリカ製コア層の屈折率n1は1.48であ
り、クラッド層の屈折率n2は1.46である。
面積および/または、マルチモード導波路部分105と
その周囲のシリカガラス20との間の屈折率差は、マル
チモード導波路部分105が第1のすなわち偶伝送モー
ドおよび第2のすなわち次の高次の奇伝送モードで光信
号を伝搬できるように採用される。さらにマルチモード
導波路部分105の断面積とマルチモード導波路部分1
05および/またはその周囲のシリカガラス20との間
の屈折率差は、入力部分100、出力部分110が偶伝
送モードで広いバンド幅にわたって光学信号を伝搬でき
るよう採用されている。しかし、断面積および/または
屈折率差は、出力部分110が偶伝送モードで伝搬する
光学信号のパワーが出力部分110に入り、には入ら
ず、且つ奇伝送モードで伝搬する光学信号のパワーは出
力部分110には入らないように選択される。マルチモ
ード導波路部分105の奇伝送モードで伝搬する光学信
号パワーは、放射して消失する。
m〜8μmの範囲の高さと周囲のシリカガラス20の屈
折率n2を0.64%以上超える共通屈折率n1を有する
入力部分100、出力部分110の代表的なシングルモ
ード導波路構造は、対称(偶)あるいは非対称(奇)の
伝送モードで、1.25μm〜1.6μmの範囲の波長
を有する光学信号を伝搬する。さらにまた、17.0μ
mの幅と4μm〜8μmの範囲の高さと周囲のシリカガ
ラス20の屈折率n2を0.64%以上超える共通屈折
率n1を有するマルチモード導波路部分105のマルチ
モード構造も同様に1.25μm〜1.6μmの範囲の
波長を有する光学信号を伝搬する。
する導波路構造は、前述の製造方法を用いて低コストで
製造することができる。一定の屈折率を有する導波路部
分の製造も従来の技術を用いて比較的低コストで製造す
ることができる。従って、導波路の幅の変化により図
1、図2に示したようなシングルモード導波路部分とマ
ルチモード導波路部分を製造することができる。
について説明する。
ティック(モード変換なし)であるテーパー部分120
は、入力部分100とマルチモード導波路部分105の
間の遷移が入力部分100内の第1の偶伝送モードで放
射される光学信号がマルチモード導波路部分105内で
そのモードでの伝搬を継続できるようにする。このよう
なアディアバティックな遷移は、従来技術の設計のもの
である。例えば、平面状導波路構造15の方向に従来の
アディアバティックな遷移の方向の長さは、伝搬光学信
号で搬送される波長の長さの10〜100倍である。図
に示した弾性表面波(SAW)ソース5は、矩形の断面
積を有するが、他の導波路の断面積、例えば、楕円、環
状も本発明で用いることができる。
響信号(弾性表面波)が入射されない場合には、入力部
分100内へ放射される光学信号は、テーパー部分11
5とマルチモード導波路部分105を介してテーパー部
分120に入り偶伝送モードで出力部分110に伝搬し
続ける。その結果、光学信号は、図2の出力部分110
内に配送される。マルチモード導波路部分105の第2
伝送モードではほとんど伝送しない。
り生成された弾性表面波が、マルチモード導波路部分1
05内を位相適合角θでもって伝搬すると、マルチモー
ド導波路部分105の相互作用長さLにわたって有効屈
折率の周期的変動が発生する。このような周期的な屈折
率変動は、マルチモード導波路部分105内の偶伝送モ
ードと奇伝送モードの結合を引き起こす。従って、入力
部分100から偶伝送モードでマルチモード導波路部分
105内に伝搬する光学信号のパワーは、奇伝送モード
に変換される。このようなパワーの変換は、マルチモー
ド導波路部分105の偶伝送モードで伝搬する光学信号
を減衰させる。
ートされていないので、マルチモード導波路部分105
から出力部分110に伝搬する信号は偶伝送モードで、
これは減衰した光学信号である。パワーの伝送量、そし
て偶伝送モードでマルチモード導波路部分105から伝
搬する光学信号の減衰量は、マルチモード導波路部分1
05の長さLと生成された弾性表面波のパワーの振幅に
依存している。マルチモード導波路部分105の奇伝送
モードで伝搬する、対応する光学信号パワーは、放射し
て消失する。従って、第2信号の振幅を変化させること
に基づいてマルチモード導波路部分105と相互作用す
る弾性表面波のパワーを変えることにより光学信号を第
2信号でもって変調することが可能となる。このように
して光学信号は、第2信号により減衰し、その結果所望
の変調信号がえられる。
性波の波長の距離内にとどまるために十分な弾性波エネ
ルギーを図1の表面11の14μm〜18μmの範囲内
のシリカ製光学回路内に与えることが可能となり、これ
は45MHz〜90MHzの範囲の周波数で行われ、マ
ルチモード導波路部分105の長い相互作用長、あるい
は弾性表面波(SAW)ソース5用の高い電力を必要と
せず行うことができる。
ードと奇伝送モードの間のパワーの結合が行われるの
は、生成された弾性表面波のマルチモード導波路部分1
05に対する角度θが、位相適合条件が2つの伝送モー
ド間に発生するような場合である。例えば、必要な角度
θは次式で与えられる。 sinθ=(βe−βo)/K K=(2πfa)/νa ここでβeとβoはそれぞれマルチモード導波路部分10
5の偶伝送モードと奇伝送モードの伝搬定数であり、ν
aは弾性表面波の速度、例えばシリカガラス中では34
00m/秒であり、faは弾性表面波の周波数である。
従って弾性表面波のマルチモード導波路部分105に対
する角度θは、弾性表面波の周波数に依存している。
伝送モードの間で移行される光学信号パワーの量は、弾
性表面波により引き起こされる屈折率の変化およびこの
ような屈折率変化が発生するマルチモード導波路部分1
05の長さに依存する。約2×10-5〜6×10-5のマ
ルチモード導波路部分105の屈折率変化は、25MH
z〜1GHzの範囲の周波数を有し、マルチモード導波
路部分105の1cmあたり1Wのオーダーのパワーを
与えた弾性表面波(SAW)ソース5を用いて本発明に
より達成できる。さらにまた、光学信号のパワーの90
%〜100%を第2伝送モードに200MHzの周波数
で2cm〜6cmの長さLを有するマルチモード導波路
部分に対し、0.4W〜2.0Wの範囲の弾性表面波の
エネルギーを生成する弾性表面波(SAW)ソース5を
用いて結合することができる。
学信号パワーを次の高次の奇伝送モードに完全に移送す
るために図2のマルチモード導波路部分105の相互作
用長さLと弾性表面波の周波数との関係を表す。グラフ
200の特徴を有するスイッチは、幅5μmで高さ2μ
mで屈折率1.5のマルチモード導波路部分105を有
し、これは表面11の周囲のシリカガラス20の屈折率
1.46に対応するものである。さらに、グラフ200
の特徴を有するスイッチは、マルチモード導波路部分1
05の相互作用長さLにわたって1cm当たり1.0W
の音響パワーを与える弾性表面波(SAW)ソース5を
有する。グラフ200は、2つの伝送モード間での光信
号パワーの完全な交換を実現するためには、約100M
Hz〜900MHzの範囲の弾性表面内の周波数では、
2cm〜5cmのオーダーの相互作用長さに作用するこ
とが可能であることを示している。
音響波エネルギーを吸収および/または減衰させ、平面
状導波路構造15に音響波エネルギーを反射するのを阻
止する。このような音響波の反射は、結合効率を劣化さ
せるような所望の位相適合角以外の角度でマルチモード
導波路部分105内を伝搬することが可能である。この
ような反射は、シリカ製光学構造体10の端部および他
の表面、あるいはシリかガラス20内に形成された他の
要素の端部、あるいは他の表面で発生する。弾性波ダン
パ30の構造は、本発明の必須要件ではない。従って、
音響波エネルギー吸収剤を充填した溝からなる弾性波ダ
ンパ30は、単なる例示である。このような代表的な音
響波エネルギー吸収剤は、エポキシである。
面状導波路構造15が弾性表面波(SAW)ソース5と
弾性波ダンパ30の間に配置され、生成された弾性表面
波が平面状導波路構造15内に伝搬するようにするのが
好ましい。また、本発明の弾性波吸収材料は、例えばエ
ポキシでシリカ製光学構造体10の端部表面および表面
11の上に形成されて、このような表面で弾性波の反射
を阻止するのが好ましい。本発明に使用可能なダンパの
他の例は、例えばシリコンのような他の接着剤を含む。
図1の弾性波ダンパ30を有しない本発明の音響光学ス
イッチを提供することも可能である。
る光学信号を変調するために、入力部分と出力部分との
間に接続されたマルチモード平面状導波路内で伝送モー
ドを結合する。このような変調器の構成は、本発明の単
なる実施例で本発明を限定的に解釈するためのものでは
ない。本発明の他の実施例により、例えばシングルモー
ド導波路内を伝搬する光学信号を変調するために、導波
路間に結合されたエバネセントフィールドを達成するた
めに、このようなマルチモード導波路に対し、シングル
モード導波路を配置するような導波路構造でマルチモー
ド導波路伝送を音響光学的に結合することも可能であ
る。
に放射される光学信号のパワーは、シングルモード、或
いはマルチモードのいずれであろうとも、導波路コア領
域内、およびこの導波路コアを包囲するシリカ製ガラス
内のエバネセントフィールド領域内を伝搬する。エバネ
セントフィールド結合は、導波路を互いに特定の距離だ
け分離して配置することにより、そのエバネセントフィ
ールド領域型の導波路のコアと重なり合うようにするこ
とにより2つの導波路の特定の伝送モードの間で達成さ
れる。エバネセントフィールド結合により、第1導波路
内を伝搬する光学信号のパワーは、このような導波路間
の結合距離が、特定のフィールド相互作用長さに維持さ
れていると、第2導波路に転送されるようになる。
が2倍になると、光学信号のパワーは、第1導波路に戻
される。必要なエバネセントフィールド相互作用長は、
導波路伝送モードのエバネセントフィールドのオーバー
ラップ量に依存し、これに関しては、図4で詳細に説明
する。エバネセントフィールド結合に関しては、D. Mar
cuse著のLight Transmission Optics, ch. 10,pp.407-4
31(Van Nostrand Reinhold Co.,N.Y.,1992)を参照の
こと。
し、この変調器構成300は、エバネセントフィールド
結合によりその伝送モードがマルチモード導波路の偶伝
送モードに結合されるようなシングルモード平面状導波
路305を有する。シングルモード平面状導波路305
は、シングルモード平面状導波路305とマルチモード
平面状導波路310のフィールド相互作用長LEに沿っ
て、マルチモード平面状導波路310から距離Dだけ離
れた場所に形成されている。マルチモード平面状導波路
310は、第1の偶伝送モードと第2の次の高次の奇伝
送モードで光信号を伝搬できるような断面形状をしてい
る。図2に示すように、例えば図1の5により生成され
た弾性表面波は、特定の位相適合角θでもってシングル
モード平面状導波路305に向けられ、シングルモード
平面状導波路305と相互作用をする。弾性表面波の位
相フロントは、図2の音響波位相フロント125で示さ
れている。この音響波位相フロント125を生成するS
AWソースは、図4には示してはいない。
チモード平面状導波路310は、相互作用長LEのにわ
たり分離距離Dだけ離れており、シングルモード平面状
導波路305の伝送モードで伝搬する光学信号のエバネ
セントフィールドとマルチモード平面状導波路310の
偶伝送モードで伝搬する光学信号のエバネセントフィー
ルドがオーバーラップするようにしている。このフィー
ルド相互作用長LEと分離距離Dは、シングルモード平
面状導波路305内を伝搬する光学信号のパワーがマル
チモード平面状導波路310の偶伝送モードにほとんど
転移し、そして再びシングルモード平面状導波路305
の伝送モードに戻るように設定される。代表的なフィー
ルド相互作用長LEは、次式で決定できる。 LE=2×(π/2κ) ただし、Λ=2π/(|β1−
β2|)>>LE ここで、値κの値はシングルモード平面状導波路305
とマルチモード平面状導波路310の結合伝送モード間
の結合係数であり、β1、β2はシングルモード平面状導
波路305とマルチモード平面状導波路310の伝搬定
数である。分離距離Dに基づいて従来方法により結合係
数κを決定する方法は、D. Marcuse著のLight Transmis
sion Optics,ch.10,p.420(Van Nostrand Reinhold C
o.,N.Y.,1992)に開示されている。
するためには、フィールド相互作用長LEは、値Λに対
し少なくとも1桁以上大きいのが好ましい。一般的に好
ましい分離距離Dは、1.25μmから1.6μmの範
囲の波長を有する光学信号を変調するために、数mmの
オーダーから数cmの短いフィールド相互作用長LEを
採用した場合には、マルチモード平面状導波路310内
を伝搬する光学信号の1波長以下でなければならない。
さらに大きな分離距離Dを、本発明によるより長いフィ
ールド相互作用長LEで使用することができる。
る。シングルモード平面状導波路305の入力部分31
5に入射した光学信号のパワーは、エバネセントフィー
ルド結合によりシングルモード平面状導波路305の偶
伝送モードに変換され、そして再びLEにわたってシン
グルモード平面状導波路305に戻され、シングルモー
ド平面状導波路305の出力部分320内を伝搬する。
しかし、弾性表面波125が生成されると、この弾性表
面波125はマルチモード平面状導波路310と相互作
用をして、図2で説明したのと同様にシングルモード平
面状導波路305内に周期的な屈折率変動を引き起こ
す。この周期的屈折率変動により、マルチモード平面状
導波路310の偶伝送モードで伝搬する変換された光学
信号は、その導波路のさらに次の高次の奇伝送モードに
変換される。従ってマルチモード平面状導波路310の
偶伝送モードで伝搬した光学信号パワーは減衰する。
の間にシングルモード平面状導波路305に戻る前に発
生する。かくしてシングルモード平面状導波路305の
出力部分320内を伝搬する光学信号は減衰する。同時
に音響光学結合に起因するマルチモード平面状導波路3
10の奇伝送モードへ変換した光学信号パワーは、図2
のマルチモード導波路部分105で説明したのと同様な
メカニズムにより放射により消散する。
モードと奇伝送モードの結合量は、マルチモード平面状
導波路310と相互作用する弾性表面波のパワーに依存
する。従って、この第2信号の振幅の変化に応じてマル
チモード平面状導波路310と相互作用する弾性表面波
のパワーを変化させることにより、シングルモード平面
状導波路305内を伝搬する光学信号を第2信号で変調
することが可能である。
が、これは図4の変調器構成300と比較して、変調器
構成300のシングルモード平面状導波路の代わりに、
シングルモード光ファイバ導波路405を採用している
点のみが異なる。変調器構成300と変調器構成400
のマルチモード平面状導波路310には、ほぼ同一の機
能を実行するため同一番号を付している。しかし、図5
においてマルチモード平面状導波路310は、シリカ製
ガラス構造体415内に形成され、点線で示している。
導波路310の上に形成されたコア420を有する。光
ファイバのコア420を包囲するクラッド層425は、
マルチモード平面状導波路310の近傍領域で除去さ
れ、シングルモード光ファイバ導波路405とマルチモ
ード平面状導波路310のLEに沿ってエバネセントフ
ィールド結合が可能なようにしている。シリカ製ガラス
構造体の全長にわたって延びるLEは、単なる説明のた
めで必ずしも本発明の範囲を制限するものであってはな
らない。或いは別法としてシリカ製ガラス構造体の一部
にのみ延びるようなLEを使用することも可能である。
ルモード光ファイバ導波路405との間にギャップを形
成して、マルチモード平面状導波路310とシリカ製ガ
ラス構造体415との間の物理的接触により弾性表面波
のパワーが消失するのを保護しても良い。マルチモード
平面状導波路310とシリカ製ガラス構造体415との
間の分離距離Dは、0.5μm以下のギャップを、好ま
しくは0.1μm以下のギャップを形成して比較的短い
相互作用長を得るようにしても良い。このようなギャッ
プは、例えば空気ギャップ或いはシングルモード光ファ
イバ導波路405とマルチモード平面状導波路310と
の間のパワーの交換を可能とするような低密度の材料で
充填しても良い。
造体415の上部表面435上に配置して、マルチモー
ド平面状導波路310に対し位相適合角θでもって弾性
表面波を生成するようにする。かくしてシングルモード
光ファイバ導波路405内に放射される光学信号を図4
に関して説明したような方法で、SAWソース430に
より生成された弾性音響波のパワーを変化させることに
より、減衰させたり変調したりすることが可能である。
400は、シングルモード平面状導波路305とシング
ルモード光ファイバ導波路405にエバネセントフィー
ルド結合によりマルチモード平面状導波路310からパ
ワーが完全に戻るようにしている。このようなLEと分
離距離Dは、単なる説明のためである。別法としてLE
とDは、エバネセントフィールド結合によりシングルモ
ード平面状導波路305とシングルモード光ファイバ導
波路405にマルチモード平面状導波路310からパワ
ーの一部のみが戻るようにしても良い。従って、シング
ルモード平面状導波路305とシングルモード光ファイ
バ導波路405内を伝搬する光学信号は、元の入射光学
信号に対して適宜その量を変更することもできる。
カ製光学回路構造体内に形成したが、その変形例として
は、集積光学信号処理構造を小型にするために他のデバ
イスを含む集積光学回路内にこのような変調器を形成し
ても良い。
の容易なる理解のためで、発明を限定的に解釈すべきも
のではない。
調器の斜視図。
波路構造の上面図。
造の一部の弾性表面波周波数と必要な結合長さとの間の
関係を示すグラフ。
上面図。
り、シングルモード導波路に結合されたエバネセントフ
ィールド用に光ファイバ導波路を用いた実施例を表す
図。
Claims (39)
- 【請求項1】 音響−光学変調器装置であって、 シリカガラス内に形成され、入力区画と、この入力区画
に接続されるマルチモード導波路区画と、このマルチモ
ード区画に接続される出力区画とを有する平面状導波路
構造体であって、該入力及び出力区画が第1の伝送モー
ドにおいて光学信号を伝搬することのできるシングルモ
ード区画であり、該マルチモード区画が該第1の伝送モ
ードと、第2の伝送モードで光学信号を伝搬できるよう
になっている平面状導波路構造体と、 該マルチモード区画に対する特定の位相整合角度にて弾
性表面波を選択的に方向づけるために該導波路構造体に
対して位置づけられる制御可能な弾性表面波(SAW)
ソースであって、該入力区画から該マルチモード区画を
通して伝搬する光学信号について、該第1の伝送モード
と第2の伝送モードの間で光学信号パワーを結合して、
この結合により該第1の伝送モードにおける該出力区画
へ伝搬する光学信号の減衰を引き起こすようにするため
の制御可能弾性表面波(SAW)ソースとを含むことを
特徴とする音響光学変調器装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の装置において、 前記第1の伝送モードが、偶数伝送モードであり、 前記第2の伝送モードが、高次の奇数伝送モードである
装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の装置において、 前記マルチモード導波路区画が、前記入力区画と出力区
画の屈折率よりも大きい屈折率を有する装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の装置において、 前記マルチモード導波路区画が、前記入力区画と出力区
画の断面積よりも大きい断面積を有する装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の装置において、 前記平面状導波路構造体が、前記入力区画と、マルチモ
ード導波路区画との間でモード変換のないテーパー形状
をなし、 前記マルチモード導波路区画と入力区画との間でも、モ
ード変換のないテーパー形状をなしている装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載の装置において、 前記SAWソースが、前記導波路構造体を含むシリカ製
光学回路の表面上に配置され、前記SAWソースが、前
記マルチモード導波路区画の第1と第2の伝送モード間
の位相整合条件に対応する周波数を有する弾性表面波を
生成するようになっている装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の装置において、 前記SAWソースが、前記平面状導波路構造体内を伝搬
する光学信号を変調する第2の信号で前記弾性表面波の
パワーを変化させるようにする装置。 - 【請求項8】 請求項1に記載の装置において、 前記弾性表面波の周波数が、25MHz〜1.0GHz
の範囲内にある装置。 - 【請求項9】 請求項1に記載の装置において、 前記SAWソースが、前記平面状導波路構造体を含むシ
リカ製光学回路の表面上に形成されたインタディジタル
トランデューサである装置。 - 【請求項10】 請求項1に記載の装置において、 前記マルチモード導波路部分の長さLが、0.5cm〜
5cmの範囲内である装置。 - 【請求項11】 請求項1に記載の装置において、 前記平面状導波路構造体を含むシリカ製光学回路上に形
成された弾性エネルギーダンパを有し、前記弾性エネル
ギーダンパが、前記平面状導波路構造体内を前記位相整
合角度以外の角度でもって伝搬する弾性波エネルギーを
低減するようになっている装置。 - 【請求項12】 請求項11に記載の装置において、 前記弾性エネルギーダンパが、前記シリカ製光学回路内
の溝のなかに配置された弾性エネルギー吸収材料を含む
装置。 - 【請求項13】 請求項12に記載の装置において、 前記溝が、前記導波路構造体を含むシリカ製光学回路内
に所定の深さまでエポキシを含有する装置。 - 【請求項14】 請求項12に記載の装置において、 前記弾性エネルギー吸収材料が、エポキシである装置。
- 【請求項15】 請求項12に記載の装置において、 前記導波路構造体が、前記弾性エネルギーダンパと前記
SAWソースの間に配置される装置。 - 【請求項16】 請求項11に記載の装置において、 前記弾性エネルギーダンパが、前記光学集積回路の少な
くとも1表面上に配置された弾性エネルギー吸収材料を
含有する装置。 - 【請求項17】 請求項16に記載の装置において、 前記弾性エネルギー吸収材料が、前記光学集積回路の少
なくとも1つのエッジ表面上に配置される装置。 - 【請求項18】 請求項16に記載の装置において、 前記弾性エネルギー吸収材料が、エポキシである装置。
- 【請求項19】 音響−光学変調器装置であって、 シングルモード導波路と、 シリカガラス製構造体内に形成された平面状マルチモー
ド導波路構造体であって、シングルモード導波路内を伝
搬する光学信号を該マルチモード導波路構造体の第1の
伝送モードに実質的にエバネセントフィールド結合する
よう該シングルモード導波路に対して配置され、マルチ
モードの区画が該第1の伝送モードと第2の伝送モード
で光学信号を伝搬することができるようになっている平
面状マルチモード導波路構造体と、 マルチモード導波路に対する特定の位相整合角度でもっ
て弾性表面波を選択的に方向づけるよう該マルチモード
導波路構造体に対して位置づけられた制御可能な弾性表
面波(SAW)ソースであって、該第1および第2の伝
送モードの間で光学信号パワーを結合し、この結合によ
り該シングルモード導波路内を伝搬する光学信号の減衰
を引き起こすようにする制御可能な弾性表面波(SA
W)ソースとを含むことを特徴とする音響光学変調器装
置。 - 【請求項20】 請求項19に記載の装置において、 前記シングルモード導波路が、前記シリカガラス製構造
体内に形成された平面状導波路である装置。 - 【請求項21】 請求項19に記載の装置において、 前記シングルモード導波路が、前記平面状マルチモード
導波路を含むシリカガラス構造体の近傍に配置された光
ファイバである装置。 - 【請求項22】 請求項19に記載の装置において、 前記シングルモード導波路が、少なくとも1つの波長を
含む光学信号を伝搬でき、前記マルチモード導波路と、
前記シングルモード導波路区画との間の分離距離が、前
記波長以下である装置。 - 【請求項23】 請求項19に記載の装置において、 前記第1伝送モードが、偶数伝送モードであり、 前記第2伝送モードが、高次の奇数伝送モードである装
置。 - 【請求項24】 請求項19に記載の装置において、 前記SAWソースが、前記導波路構造体を含むシリカ製
光学回路の表面上に配置され、前記SAWソースが、前
記マルチモード導波路区画の第1と第2の伝送モード間
の位相整合条件に対応する周波数を有する弾性表面波を
生成するものである装置。 - 【請求項25】 請求項19に記載の装置において、 前記SAWソースが、前記導波路構造体内を伝搬する光
学信号を変調する第2信号で前記弾性表面波のパワーを
変化させるようになっている装置。 - 【請求項26】 請求項19に記載の装置において、 前記弾性表面波の周波数が、25MHz〜1.0GHz
の範囲内にある装置。 - 【請求項27】 請求項19に記載の装置において、 前記SAWソースが、前記導波路構造体を含むシリカ製
光学回路の表面上に形成されたインタディジタルトラン
デューサである装置。 - 【請求項28】 請求項19に記載の装置において、 前記マルチモード導波路区画の長さLが、0.5cm〜
5cmの範囲内である装置。 - 【請求項29】 請求項19に記載の装置において、 前記導波路構造体を含むシリカ製光学回路上に形成され
た弾性エネルギーダンパを有し、前記弾性エネルギーダ
ンパが、前記導波路構造体内を前記位相整合角度以外の
角度でもって伝搬する弾性波エネルギーを低減するよう
になっている装置。 - 【請求項30】 請求項29に記載の装置において、 前記弾性エネルギーダンパが、前記シリカ製光学回路内
の溝内に配置された弾性エネルギー吸収材料を含む装
置。 - 【請求項31】 請求項30に記載の装置において、 前記溝が、前記導波路構造体を含むシリカ製光学回路内
に所定の深さまでエポキシを含有する装置。 - 【請求項32】 請求項30に記載の装置において、 前記弾性エネルギー吸収材料が、エポキシである装置。
- 【請求項33】 請求項30に記載の装置において、前
記導波路構造体が、前記弾性エネルギーダンパと前記S
AWソースの間に配置される装置。 - 【請求項34】 請求項29に記載の装置において、 前記弾性エネルギーダンパが、前記光学集積回路の少な
くとも1表面上に配置された弾性エネルギー吸収材料を
含有する装置。 - 【請求項35】 請求項34に記載の装置において、 前記弾性エネルギー吸収材料が、前記光学集積回路の少
なくとも1つのエッジ表面上に配置される装置。 - 【請求項36】 請求項34に記載の装置において、 前記弾性エネルギー吸収材料が、エポキシである装置。
- 【請求項37】 音響−光学変調装置であって、 入力および出力用のシングルモード導波路区画と、 第1および第2の伝送モードで光学信号を伝搬すること
のできる構造を有する平面状マルチモード導波路区画で
あって、該入力区画に送られた光学信号電力を、該マル
チモード区画の該第1の伝送モードに転送し、ついで該
出力区画に再び転送できるように、該入力および出力導
波路区画に対して位置づけられているような平面状マル
チモード導波路区画と、 該マルチモード区画に対して特定の位相整合角度にて弾
性表面波を選択的に方向づけるように、該導波路の構造
に対して位置づけられた制御可能な表面弾性波(SA
W)ソースであって、該第1と第2の伝送モードの間で
信号電力を結合して、この結合により、該シングルモー
ド導波路内を伝搬する光学信号を減衰させるようにする
制御可能な表面弾性波(SAW)ソースとを含むことを
特徴とする音響光学変調器装置。 - 【請求項38】 請求項37に記載の装置において、 前記入力区画とマルチモード導波路区画との間の結合お
よび前記マルチモード導波路区画と出力区画との間の結
合は、モード変換なしの遷移であり、前記入力区画と出
力区画が、前記第1伝搬モードで光学信号を伝搬する構
造体を有する装置。 - 【請求項39】 請求項37に記載の装置において、 前記入力区画とマルチモード導波路区画との間の結合お
よび前記マルチモード導波路部分と出力区画との間の結
合は、エバネセントフィールド結合であり、前記入力区
画が、前記出力区画に直接結合されるようになっている
装置。
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