JP4564502B2 - 光ビームの出力カプラを提供する方法および装置 - Google Patents
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Description
Claims (26)
- 装置であって、
光ビームを導く第1の光路、および、第2の光路と、
前記第1および第2の光路を含み、かつ、前記第1および第2の光路をエバネッセント結合するエバネッセントカプラと、
前記エバネッセントカプラに含まれ、かつ、前記第1および第2の光路に一体化された、前記第1の光路の第1の端部に位置する第1のリフレクタと、
前記第1の光路の第2の端部に設けられた第2のリフレクタと、
前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタとの間で定義され、ゲイン媒体を含むレーザキャビティと
を備え、
前記第1のリフレクタは、前記第1の光路と前記第2の光路とに光ビームが同時にエバネッセント結合されるとき前記第1の光路を介し導かれる光ビームを反射する、エバネッセント結合された前記第1および第2の光路内に一体化されたブラッググレーティングを有し、
前記第1の光路は、前記ブラッググレーティングで反射されて前記ブラッググレーティングのブラッグ波長に中心波長を持つ光ビームを、前記ゲイン媒体に導き、
前記第2の光路は、前記ブラッググレーティングで反射されて前記ブラッググレーティングのブラッグ波長に中心波長を持つ光ビームをレーザ出力として導く
装置。 - 前記第1のリフレクタは、前記エバネッセントカプラの中心にある左右対称の平面において定義される
請求項1に記載の装置。 - 前記エバネッセントカプラの出力から出力された前記第2の光路を介し導かれる光ビームは、前記レーザキャビティを介し導かれる光ビームのキャビティ内スペクトルと同様の出力スペクトルを有する
請求項1または2に記載された装置。 - 前記第1および第2の光路と、前記第1のリフレクタとは、半導体材料内に配置される
請求項1から3のいずれかに記載の装置。 - 前記ゲイン媒体は、前記半導体材料内に配置される
請求項4に記載の装置。 - 前記レーザキャビティは、前記半導体材料内に配置された第1の光導波路を含み、前記第2の光路は、前記半導体材料内に配置された第2の光導波路に含まれる
請求項4または5に記載の装置。 - 前記半導体材料にモノリシックに一体化され、かつ、前記第2の光導波路からの光ビームを受信するよう光学的に結合されたフォトニックデバイスをさらに含む
請求項6に記載の装置。 - 前記第1および第2の光路は、光ファイバを含む
請求項1から7のいずれかに記載の装置。 - 前記半導体材料は、シリコンを含む
請求項4から7のいずれかに記載の装置。 - 前記エバネッセントカプラは、光ビームが前記エバネッセントカプラの中心の左右対称の面に達するまでに、光ビームのモードの略半分を、前記第1の光路から前記第2の光路に伝達する
請求項1から9のいずれかに記載の装置。 - 方法であって、
光ビームを第1の光路に沿い導く工程と、
前記第1の光路の第1の端部に配置された、前記第1の光路および第2の光路に一体化されたブラッググレーティングを有する第1のリフレクタにより、光ビームを反射させ、前記第1および第2の光路を含むエバネッセントカプラにより、光ビームが反射されている間に光ビームを前記第1の光路から前記第2の光路へとエバネッセント結合する工程と、
前記第1の光路により、前記ブラッググレーティングで反射されて前記ブラッググレーティングのブラッグ波長に中心波長を持つ光ビームを、前記第1の光路の第2の端部に配置された第2のリフレクタと前記第1のリフレクタとの間に定義されたレーザキャビティに含まれるゲイン媒体に導く工程と、
前記第2の光路により、前記ブラッググレーティングで反射されて前記ブラッググレーティングのブラッグ波長に中心波長を持つ光ビームをレーザ出力として導く工程と
を備える方法。 - 前記光ビームを反射する工程は、前記エバネッセントカプラの中心にある左右対称の平面における前記第1のリフレクタにより光ビームを反射する工程を含む
請求項11に記載の方法。 - 光ビームを前記ゲイン媒体から誘導放出する工程と、
前記レーザキャビティにおいて前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタとの間で光ビームを反射することにより、光ビームを前記レーザキャビティ内でさらに誘導放出させる工程と
をさらに備える請求項11または12に記載の方法。 - 前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタとの間で反射される光ビームの中心波長は、前記ブラッググレーティングのブラッグ波長と実質的に等しい
請求項13に記載の方法。 - 前記光ビームを反射させるとともに前記エバネッセント結合する工程は、前記レーザキャビティから出力された光ビームを前記エバネッセントカプラの出力へと導くことを含む
請求項13または14に記載の方法。 - 前記第2の光路は、前記第1のリフレクタから反射された光ビームを前記エバネッセントカプラの出力から半導体材料内に配置された光デバイスへと導き、
前記第1のリフレクタは前記半導体材料内に配置される
請求項15に記載の方法。 - 前記光ビームを反射させるとともに前記エバネッセント結合する工程において、前記エバネッセントカプラは、光ビームが前記エバネッセントカプラの中心の左右対称の面に達するまでに、光ビームのモードの略半分を、前記第1の光路から前記第2の光路に伝達する
請求項11から16のいずれかに記載の方法。 - システムであって、
第1のリフレクタと第2のリフレクタとの間に定義されたゲイン媒体を含むレーザキャビティと、第1のリフレクタを含み、前記レーザキャビティに光学的に結合されたエバネッセントカプラとを有するレーザと、
前記エバネッセントカプラからの光ビームを受信するよう光学的に結合された光受信機と
を備え、
前記第1のリフレクタは、前記レーザキャビティ内の光ビームが前記エバネッセントカプラの出力にエバネッセント結合されるとき光ビームを反射する、エバネッセント結合された前記レーザキャビティと前記エバネッセントカプラの出力とに一体化されたブラッググレーティングを有し、
前記レーザキャビティは、前記ブラッググレーティングで反射されて前記ブラッググレーティングのブラッグ波長に中心波長を持つ光ビームをゲイン媒体に導き、
前記エバネッセントカプラの出力は、前記ブラッググレーティングで反射されて前記ブラッググレーティングのブラッグ波長に中心波長を持つ光ビームをレーザ出力として出力する
システム。 - 前記第1のリフレクタは、前記エバネッセントカプラの中心にある左右対称の平面において定義される
請求項18に記載のシステム。 - 前記エバネッセントカプラは、半導体材料内に配置される
請求項18または19に記載のシステム。 - 前記エバネッセントカプラの出力と、前記光受信機との間に光学的に結合される光デバイス
をさらに備える請求項20に記載のシステム。 - 前記光デバイスは、前記半導体材料内に配置される
請求項21に記載のシステム。 - 前記光デバイスは、信号に応答して光ビームを変調するよう適合された光変調器を含む
請求項21または22に記載のシステム。 - 前記レーザは、外部キャビティレーザ(ECL)を含む
請求項18から23のいずれかに記載のシステム。 - 前記半導体材料は、シリコンを含む
請求項20から23のいずれかに記載のシステム。 - 前記エバネッセントカプラは、光ビームが前記エバネッセントカプラの中心の左右対称の面に達するまでに、光ビームのモードの略半分を、前記レーザキャビティから前記エバネッセントカプラの出力に伝達する
請求項18から25のいずれかに記載のシステム。
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