JP3346570B2 - レーザ - Google Patents
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザ、特に動作波長を容易に変更するこ
とができるレーザに関する。
とができるレーザに関する。
小型で比較的に廉価なレーザ、特に半導体レーザ、よ
り最近ではファイバレーザの発達は、光通信システムに
非常に大きな成長をもたらした。最初は光通信システム
のレーザは、単に光周波数雑音のソースとして使用さ
れ、これらのレーザの波長および帯域はあまり重大では
なかった。これらの通信システムの送信手段として使用
される光ファイバも並行して発達したので、特定の波長
の範囲内で動作するレーザが急速に求められるようにな
った。好ましい材料のシリカから作られ、約850nm、130
0nm、および1550nmを中心とする光スペクトル中の３つ
の低損失“ウインドウ”を有する光ファイバが発見され
た。従って単一の波長点から別の波長点への光通信シス
テムはレーザソースを必要とし、その動作波長は使用さ
れる光ファイバの低損失ウインドウの１つの中にある。
これらの簡単な型式の光通信システムは、通信ネットワ
ークにおいて現在主として使用されているものの１つで
あるが、しかし将来的には光ファイバを使用することに
よって得られる非常に大きいスペクトル帯域をより有効
に利用する光通信ネットワークが要求されている。
り最近ではファイバレーザの発達は、光通信システムに
非常に大きな成長をもたらした。最初は光通信システム
のレーザは、単に光周波数雑音のソースとして使用さ
れ、これらのレーザの波長および帯域はあまり重大では
なかった。これらの通信システムの送信手段として使用
される光ファイバも並行して発達したので、特定の波長
の範囲内で動作するレーザが急速に求められるようにな
った。好ましい材料のシリカから作られ、約850nm、130
0nm、および1550nmを中心とする光スペクトル中の３つ
の低損失“ウインドウ”を有する光ファイバが発見され
た。従って単一の波長点から別の波長点への光通信シス
テムはレーザソースを必要とし、その動作波長は使用さ
れる光ファイバの低損失ウインドウの１つの中にある。
これらの簡単な型式の光通信システムは、通信ネットワ
ークにおいて現在主として使用されているものの１つで
あるが、しかし将来的には光ファイバを使用することに
よって得られる非常に大きいスペクトル帯域をより有効
に利用する光通信ネットワークが要求されている。
同じ点から点への光通信リンクにおいて幾つかの波長
を単に利用することに加えて、複数の点のネットワーク
を横切る数百、或いは数千もの種々の波長を使用するた
めの多くの提案がある。そのような提案は、広帯域の光
路方法或いは波長選択性光路方法、或いはこの２つの方
法の幾つかの組合わせに基いている。広帯域方法の特徴
は、ネットワークへ送り込まれた信号が、それが必要と
される、或いはされない全ての受信機に放送することで
ある。これは有効でないと思われるが、それは適度な柔
軟性を与えることができ、これは例えばJ R Stern氏、
他の論文（Electronics Letters Volume 23,number 24,
1255乃至1257頁、1987年11月号参照）の例えば受動の光
ネットワーク構成によって実現される。波長選択性光ネ
ットワークの特徴は、所定の波長の光出力がそれを必要
とする場合のみに導かれ、所定の波長がネットワークの
異なる部分で再使用できることである。これは、例えば
G R Hill氏の論文（IEEE INFOCOM'88）に示されるよう
に、所定のネットワークの処理量に必要な異なる波長の
総数を減らすが、波長の多重化および分離要素をネット
ワーク内に設けることが要求される。
を単に利用することに加えて、複数の点のネットワーク
を横切る数百、或いは数千もの種々の波長を使用するた
めの多くの提案がある。そのような提案は、広帯域の光
路方法或いは波長選択性光路方法、或いはこの２つの方
法の幾つかの組合わせに基いている。広帯域方法の特徴
は、ネットワークへ送り込まれた信号が、それが必要と
される、或いはされない全ての受信機に放送することで
ある。これは有効でないと思われるが、それは適度な柔
軟性を与えることができ、これは例えばJ R Stern氏、
他の論文（Electronics Letters Volume 23,number 24,
1255乃至1257頁、1987年11月号参照）の例えば受動の光
ネットワーク構成によって実現される。波長選択性光ネ
ットワークの特徴は、所定の波長の光出力がそれを必要
とする場合のみに導かれ、所定の波長がネットワークの
異なる部分で再使用できることである。これは、例えば
G R Hill氏の論文（IEEE INFOCOM'88）に示されるよう
に、所定のネットワークの処理量に必要な異なる波長の
総数を減らすが、波長の多重化および分離要素をネット
ワーク内に設けることが要求される。
これらの両方の方法の目的は、その顧客からできる限
り遠くへ光ネットワークを延長し、好ましくは顧客の構
内へ光通信リンクを供給することである。
り遠くへ光ネットワークを延長し、好ましくは顧客の構
内へ光通信リンクを供給することである。
このように、そのような将来の光通信ネットワークの
レーザソースに対する要求は、現在使用されているレー
ザソースに対するものとはかなり異なる。
レーザソースに対する要求は、現在使用されているレー
ザソースに対するものとはかなり異なる。
本発明によると、レーザ空洞を形成する第１および第
２のフィードバック素子と、レーザ空洞内の利得媒体
と、取外し可能な光コネクタと、光導波体とを具備する
レーザにおいて、第２のフィードバック素子が波長を選
択的であり、取外し可能な光コネクタが利得媒体と第２
のフィードバック素子との間に配置され、光導波体が取
外し可能な光コネクタと第２のフィードバック素子との
間に光放射線を導くために配置されているレーザが提供
される。
２のフィードバック素子と、レーザ空洞内の利得媒体
と、取外し可能な光コネクタと、光導波体とを具備する
レーザにおいて、第２のフィードバック素子が波長を選
択的であり、取外し可能な光コネクタが利得媒体と第２
のフィードバック素子との間に配置され、光導波体が取
外し可能な光コネクタと第２のフィードバック素子との
間に光放射線を導くために配置されているレーザが提供
される。
従って、取外し可能な光コネクタがレーザ空洞内にお
いて利得媒体と波長選択性フィードバック素子との間に
設けられ、波長選択性フィードバック素子のみが、レー
ザの動作波長を簡単に安価に変更するために、別のその
ような素子に容易に交換することができる。空洞内で取
外し可能な光コネクタを使用することによって、レーザ
の動作波長の変更が必要とされる時に、レーザの主要な
構成要素がその位置に配置されたままで良く、比較的に
安価に波長選択性光フィードバック素子が別のそのよう
な素子と交換可能になる。取外し可能な光コネクタと波
長選択性光フィードバック素子との間に光導波体を設け
ることによって、レーザ空洞は、整列を困難にすること
無しに光フィードバック素子の交換が容易に再設定され
ることを確実にする。取外し可能な光コネクタは、標準
の機械的コネクタを具備することができる。
いて利得媒体と波長選択性フィードバック素子との間に
設けられ、波長選択性フィードバック素子のみが、レー
ザの動作波長を簡単に安価に変更するために、別のその
ような素子に容易に交換することができる。空洞内で取
外し可能な光コネクタを使用することによって、レーザ
の動作波長の変更が必要とされる時に、レーザの主要な
構成要素がその位置に配置されたままで良く、比較的に
安価に波長選択性光フィードバック素子が別のそのよう
な素子と交換可能になる。取外し可能な光コネクタと波
長選択性光フィードバック素子との間に光導波体を設け
ることによって、レーザ空洞は、整列を困難にすること
無しに光フィードバック素子の交換が容易に再設定され
ることを確実にする。取外し可能な光コネクタは、標準
の機械的コネクタを具備することができる。
波長選択性フィードバック素子は、適切な反射フィル
タ、例えば多数の誘電層のフィルタで構成することがで
きるが、光ファイバ内に格子を具備することが好まし
い。そのような格子は、ここで参考文献として引用され
るR Kashyap氏、他の論文（Electronics Letters,1990
年５月22日,Vol 26,No.11,730−731参照）において説明
される方法によって感光性の光ファイバのコア内に光学
的に書き込まれることができる。
タ、例えば多数の誘電層のフィルタで構成することがで
きるが、光ファイバ内に格子を具備することが好まし
い。そのような格子は、ここで参考文献として引用され
るR Kashyap氏、他の論文（Electronics Letters,1990
年５月22日,Vol 26,No.11,730−731参照）において説明
される方法によって感光性の光ファイバのコア内に光学
的に書き込まれることができる。
光導波体は光ファイバで構成することが好ましい。こ
の場合、ファイバ格子は、そのファイバの各端部に機械
的コネクタのそれぞれ半分の部分を具備して、短い長
さ、例えば1mの光ファイバに設けることができる。従っ
てそのような長さの光ファイバは、レーザの設置位置
で、波長選択性光フィードバック素子とレーザ空洞の部
分の両方を形成する。動作時に、第１のフィードバック
素子と光ファイバ内のファイバ格子との間にレーザ発光
が生じる。レーザの動作波長を変更する必要があるなら
ば、光ファイバは空洞内の取外し可能な光コネクタの接
続を外すことによって取除かれ、異なるピッチ、即ち反
射波長のファイバ格子を有する同様の長さのファイバが
その位置で接続される。数多くの非常に安価なコネクタ
に使用される光ファイバ（しばしばファイバピッグテイ
ルと呼ばれる）は、各々が異なるピッチのファイバ格子
を有しており、光ネットワークの部分の動作に応答する
技術者に与えられることを認めることができる。技術者
は、本発明のレーザの動作波長を所定の場所で迅速に、
安価に、簡単に、変更することができる。
の場合、ファイバ格子は、そのファイバの各端部に機械
的コネクタのそれぞれ半分の部分を具備して、短い長
さ、例えば1mの光ファイバに設けることができる。従っ
てそのような長さの光ファイバは、レーザの設置位置
で、波長選択性光フィードバック素子とレーザ空洞の部
分の両方を形成する。動作時に、第１のフィードバック
素子と光ファイバ内のファイバ格子との間にレーザ発光
が生じる。レーザの動作波長を変更する必要があるなら
ば、光ファイバは空洞内の取外し可能な光コネクタの接
続を外すことによって取除かれ、異なるピッチ、即ち反
射波長のファイバ格子を有する同様の長さのファイバが
その位置で接続される。数多くの非常に安価なコネクタ
に使用される光ファイバ（しばしばファイバピッグテイ
ルと呼ばれる）は、各々が異なるピッチのファイバ格子
を有しており、光ネットワークの部分の動作に応答する
技術者に与えられることを認めることができる。技術者
は、本発明のレーザの動作波長を所定の場所で迅速に、
安価に、簡単に、変更することができる。
レーザの利得媒体は、半導体レーザダイオードを具備
することが好ましい。半導体レーザダイオードは、簡単
で、安く、電気的にポンピングされ、合理的に広帯域の
光放射線のソースを構成する。この場合の波長選択性フ
ィードバック素子は、半導体レーザダイオードの利得帯
域内の波長が、本発明のレーザの動作波長として選択さ
れることを可能にする。半導体レーザダイオードは、取
外し可能な光コネクタの半分の部分を含むパッケージ内
に装着可能である利点がある。ダイオードおよびコネク
タは、ダイオードからの光放射線が、光コネクタから波
長選択性光フィードバック素子へ通じている導波体に結
合されるように整列される。この配置において、光コネ
クタに光学的に最も近いレーザダイオードのファセット
は、反射防止被覆が施されており、レーザ発光がレーザ
ダイオードの他方のファセットと波長選択性フィードバ
ック素子との間で発生される。従ってパッケージは組込
み型であり、レーザの動作波長が、例えばパッケージに
接続される１つのファイバピッグテイルを他のファイバ
ピッグテイルと交換することによって変更される時に妨
害される必要はない。
することが好ましい。半導体レーザダイオードは、簡単
で、安く、電気的にポンピングされ、合理的に広帯域の
光放射線のソースを構成する。この場合の波長選択性フ
ィードバック素子は、半導体レーザダイオードの利得帯
域内の波長が、本発明のレーザの動作波長として選択さ
れることを可能にする。半導体レーザダイオードは、取
外し可能な光コネクタの半分の部分を含むパッケージ内
に装着可能である利点がある。ダイオードおよびコネク
タは、ダイオードからの光放射線が、光コネクタから波
長選択性光フィードバック素子へ通じている導波体に結
合されるように整列される。この配置において、光コネ
クタに光学的に最も近いレーザダイオードのファセット
は、反射防止被覆が施されており、レーザ発光がレーザ
ダイオードの他方のファセットと波長選択性フィードバ
ック素子との間で発生される。従ってパッケージは組込
み型であり、レーザの動作波長が、例えばパッケージに
接続される１つのファイバピッグテイルを他のファイバ
ピッグテイルと交換することによって変更される時に妨
害される必要はない。
その代りに、本発明のレーザの利得媒体は、ファイバ
を活性にするための適切な素材、例えば希土類元素でド
ープされたファイバを含むことができる。適切な希土類
元素は、特に、エルビウム、ネオジム、プラセオジム、
ホルミウムを含む。希土類元素以外の材料、例えば半導
体は、ファイバのガラスホスト中に選択的にコロイド状
に配布させた代替物として使用することができる。活性
材料を含むファイバピッグテイルは、シリカベース或い
はフッ化ジルコン酸塩ベースのガラスか或いは他の適切
なホストで良い。従って、本発明の利点は、半導体のレ
ーザに関してファイバレーザの既知の長所と組合わせて
与えられることができる。この実施例において、ドープ
されたファイバの第１の端部は、例えばドープされたフ
ァイバの端部を単に反射性にすることによって、或いは
その代りにドープされたファイバをファイバループ反射
鏡に接続することによって広帯域の反射器を構成され、
一方でドープされたファイバの第２の端部は、反射防止
被覆を施すか或いは傾斜させることによって低い反射率
とされ、コネクタに接続される、即ち取外し可能な光コ
ネクタの一方の部分に取付けられるのが有効である。使
用の際に、広帯域の反射器と波長選択性フィードバック
素子、例えばファイバピッグテイル内の格子との間でレ
ーザ発光が発生される。後者の場合に、光放射線は、レ
ーザ空洞の全長に沿って導波体に閉じ込められ、導波体
のインターフェイスに対して自由空間を有する必要は無
くなり、レーザ空洞の整列を簡単にする。
を活性にするための適切な素材、例えば希土類元素でド
ープされたファイバを含むことができる。適切な希土類
元素は、特に、エルビウム、ネオジム、プラセオジム、
ホルミウムを含む。希土類元素以外の材料、例えば半導
体は、ファイバのガラスホスト中に選択的にコロイド状
に配布させた代替物として使用することができる。活性
材料を含むファイバピッグテイルは、シリカベース或い
はフッ化ジルコン酸塩ベースのガラスか或いは他の適切
なホストで良い。従って、本発明の利点は、半導体のレ
ーザに関してファイバレーザの既知の長所と組合わせて
与えられることができる。この実施例において、ドープ
されたファイバの第１の端部は、例えばドープされたフ
ァイバの端部を単に反射性にすることによって、或いは
その代りにドープされたファイバをファイバループ反射
鏡に接続することによって広帯域の反射器を構成され、
一方でドープされたファイバの第２の端部は、反射防止
被覆を施すか或いは傾斜させることによって低い反射率
とされ、コネクタに接続される、即ち取外し可能な光コ
ネクタの一方の部分に取付けられるのが有効である。使
用の際に、広帯域の反射器と波長選択性フィードバック
素子、例えばファイバピッグテイル内の格子との間でレ
ーザ発光が発生される。後者の場合に、光放射線は、レ
ーザ空洞の全長に沿って導波体に閉じ込められ、導波体
のインターフェイスに対して自由空間を有する必要は無
くなり、レーザ空洞の整列を簡単にする。
本発明の第１の或いは第２の実施例のレーザは、複数
の別々の波長の光放射線をレーザ空洞へフィードバック
する第２のフィードバック素子を具備することが有効で
ある。これによって、レーザは複数の別々の波長でレー
ザ発光する。そのようなレーザ多波長動作は、例えばWD
Mネットワークにおいて使用するための波長コム（com
b）を生成するのに有効である。複数の波長の光放射線
を単一のファイバへ発射するために、例えばPONのヘッ
ドエンドで単一の多数の波長光源を使用することは、必
要な波長のカップラと共に多くの単一の波長光源を使用
するものに比較して望ましいことは明白である。
の別々の波長の光放射線をレーザ空洞へフィードバック
する第２のフィードバック素子を具備することが有効で
ある。これによって、レーザは複数の別々の波長でレー
ザ発光する。そのようなレーザ多波長動作は、例えばWD
Mネットワークにおいて使用するための波長コム（com
b）を生成するのに有効である。複数の波長の光放射線
を単一のファイバへ発射するために、例えばPONのヘッ
ドエンドで単一の多数の波長光源を使用することは、必
要な波長のカップラと共に多くの単一の波長光源を使用
するものに比較して望ましいことは明白である。
本発明の実施例のレーザ多波長動作は、各々が単一の
ファイバ格子を具備する複数のファイバピッグテイルを
一緒に接続して、第２のフィードバック素子を形成する
ことによって達成することができるが、多波長動作は、
複数のファイバの格子を有するファイバピッグテイルを
利用することによって、特に簡単に達成される。さら
に、このピッグテイルは、異なるピッチの複数のファイ
バ格子を有する別のピッグテイルか、或いは単一のファ
イバ格子を有する別のピッグテイルと容易に交換するこ
とができるので、レーザの動作は、波長の変更だけでな
く、多数の波長と単一の波長の間でも、簡単で安価に変
更することができる。
ファイバ格子を具備する複数のファイバピッグテイルを
一緒に接続して、第２のフィードバック素子を形成する
ことによって達成することができるが、多波長動作は、
複数のファイバの格子を有するファイバピッグテイルを
利用することによって、特に簡単に達成される。さら
に、このピッグテイルは、異なるピッチの複数のファイ
バ格子を有する別のピッグテイルか、或いは単一のファ
イバ格子を有する別のピッグテイルと容易に交換するこ
とができるので、レーザの動作は、波長の変更だけでな
く、多数の波長と単一の波長の間でも、簡単で安価に変
更することができる。
本発明の実施例は、ここで添付の図面を引用して、例
示的に説明される。
示的に説明される。
図１は、本発明の第１の実施例に関する半導体レーザ
の一部分を形成するパッケージの概略図である。
の一部分を形成するパッケージの概略図である。
図２は、ファイバ格子を有するファイバピッグテイル
を示す。
を示す。
図３は、図２のファイバピッグテイルの光透過スペク
トルである。
トルである。
図４は、通常のファイバピッグテイルに接続された時
の、図１の半導体レーザパッケージの出力スペクトルを
示す。
の、図１の半導体レーザパッケージの出力スペクトルを
示す。
図5a乃至ｇは、異なる駆動電流に対して図２のファイ
バピッグテイルに接続された時の、図１の半導体レーザ
パッケージの出力スペクトルを示す。
バピッグテイルに接続された時の、図１の半導体レーザ
パッケージの出力スペクトルを示す。
図6aおよびｂは、通常のファイバピッグテイルに接続
された時の図１のレーザパッケージのL/Iの特性および
図２に示されるような本発明のファイバピッグテイルに
接続された時のレーザパッケージのL/Iの特性を示す。
された時の図１のレーザパッケージのL/Iの特性および
図２に示されるような本発明のファイバピッグテイルに
接続された時のレーザパッケージのL/Iの特性を示す。
図７は、本発明の第１の実施例のレーザから５本の別
々の出力スペクトルを重ね合わせたものを示し、各スペ
クトルは、本発明の５本の異なるファイバ格子のピッグ
テイルの１つを利用することによって得られる。
々の出力スペクトルを重ね合わせたものを示し、各スペ
クトルは、本発明の５本の異なるファイバ格子のピッグ
テイルの１つを利用することによって得られる。
図８は、本発明の第２の実施例のファイバレーザのパ
ッケージ形成部分の概略図である。
ッケージ形成部分の概略図である。
図９は、本発明の第１のファイバピッグテイルに接続
された時の、図８のファイバレーザの出力スペクトルを
示す。
された時の、図８のファイバレーザの出力スペクトルを
示す。
図10は、本発明の第２のファイバピッグテイルに接続
された時の、図８のファイバレーザの出力スペクトルを
示す。
された時の、図８のファイバレーザの出力スペクトルを
示す。
図11は、本発明の第２の実施例の別の構成の概略図で
ある。
ある。
図12は、図11のファイバレーザの出力スペクトルの概
略図である。
略図である。
図13は、非常に異なる別々のピッチの４つのファイバ
格子を有するファイバピッグテイルに接続された時の、
本発明の第１の実施例の半導体レーザの出力スペクトル
を示す。
格子を有するファイバピッグテイルに接続された時の、
本発明の第１の実施例の半導体レーザの出力スペクトル
を示す。
図14は、僅かに異なるピッチの２つのファイバ格子を
有するファイバピッグテイルの透過スペクトルを示す。
有するファイバピッグテイルの透過スペクトルを示す。
図15は、図14のファイバピッグテイルに接続された時
の、本発明の第１の実施例の半導体レーザの出力スペク
トルを示す。
の、本発明の第１の実施例の半導体レーザの出力スペク
トルを示す。
図１は、容器１、半導体レーザダイオード２、取外し
可能な光コネクタの一方の部分３（即ち、一方の半分の
部分）、および部分３によって保持される光ファイバ４
を具備するパッケージを示す。半導体レーザダイオード
２は、光コネクタの部分３に面するファセット５上に反
射防止被覆を施されており、ダイオード２はヒートシン
ク６上に装着され、変調コネクタ７に電気的に接続され
ている。光ファイバ４は、一方の端部に形成されたレン
ズ８を有し、他方の端部９には反射防止被覆が施されて
いる。コネクタの一方の部分３は、容器１に装着されて
おり、その結果ファイバ４は半導体レーザダイオード２
によって放射される光放射線を受けるように整列され
る。図２は、ファイバ格子11を有する凸凹のあるファイ
バピッグテイル10を示す。ファイバ12は、各端部で、図
１に示されるパッケージの光コネクタの部分３と整合す
ることができる取外し可能なコネクタの他方の部分13、
14とコネクタ接続される。ファイバ格子11に最も近いフ
ァイバ12の端部15は、反射防止被覆が施されており、フ
ァイバ12はバッファ層16によって保護されている。
可能な光コネクタの一方の部分３（即ち、一方の半分の
部分）、および部分３によって保持される光ファイバ４
を具備するパッケージを示す。半導体レーザダイオード
２は、光コネクタの部分３に面するファセット５上に反
射防止被覆を施されており、ダイオード２はヒートシン
ク６上に装着され、変調コネクタ７に電気的に接続され
ている。光ファイバ４は、一方の端部に形成されたレン
ズ８を有し、他方の端部９には反射防止被覆が施されて
いる。コネクタの一方の部分３は、容器１に装着されて
おり、その結果ファイバ４は半導体レーザダイオード２
によって放射される光放射線を受けるように整列され
る。図２は、ファイバ格子11を有する凸凹のあるファイ
バピッグテイル10を示す。ファイバ12は、各端部で、図
１に示されるパッケージの光コネクタの部分３と整合す
ることができる取外し可能なコネクタの他方の部分13、
14とコネクタ接続される。ファイバ格子11に最も近いフ
ァイバ12の端部15は、反射防止被覆が施されており、フ
ァイバ12はバッファ層16によって保護されている。
使用の際に、ファイバピッグテイル10は、取外し可能
な光コネクタの２つの部分３および13を一緒にねじ結合
することによって、図１に示されるパッケージに接続さ
れる。組み立てられたレーザは、半導体レーザダイオー
ド２の被覆されていないファセット17とファイバピッグ
テイル10内のファイバ格子11との間でレーザ発振を生じ
る。レーザの動作波長λは、以下の既に知られている関
係λ＝2neΛ（ここでneはファイバ12によって誘導され
るモードの実効モード指数である）に従って格子のピッ
チΛによって決定され、この式は特定のファイバに対し
て当業者によってファイバ屈折率のグラフから容易に計
算できる。こうしてレーザの異なる予め決められた動作
波長λをそれぞれ生じる異なるピッチのファイバ格子11
を有するファイバピッグテイル10の範囲が得られる。動
作波長の変更が必要とされる時、技術者はただ、図１に
示されるパッケージから光コネクタ13を取外し、ファイ
バピッグテイル10をレーザの望ましい動作波長を与える
別のピッグテイルと交換するだけである。
な光コネクタの２つの部分３および13を一緒にねじ結合
することによって、図１に示されるパッケージに接続さ
れる。組み立てられたレーザは、半導体レーザダイオー
ド２の被覆されていないファセット17とファイバピッグ
テイル10内のファイバ格子11との間でレーザ発振を生じ
る。レーザの動作波長λは、以下の既に知られている関
係λ＝2neΛ（ここでneはファイバ12によって誘導され
るモードの実効モード指数である）に従って格子のピッ
チΛによって決定され、この式は特定のファイバに対し
て当業者によってファイバ屈折率のグラフから容易に計
算できる。こうしてレーザの異なる予め決められた動作
波長λをそれぞれ生じる異なるピッチのファイバ格子11
を有するファイバピッグテイル10の範囲が得られる。動
作波長の変更が必要とされる時、技術者はただ、図１に
示されるパッケージから光コネクタ13を取外し、ファイ
バピッグテイル10をレーザの望ましい動作波長を与える
別のピッグテイルと交換するだけである。
図３には、ファイバ格子11を有する特定のファイバピ
ッグテイル10の光透過スペクトルが示されている。この
ファイバピッグテイル10のファイバ格子11のピッチは、
1.32μｍのレーザの動作波長を与えるように選択され、
図３から、ファイバピッグテイル10の透過スペクトルが
1.332μｍを中心とする約5dBの損失を示すことが分か
る。
ッグテイル10の光透過スペクトルが示されている。この
ファイバピッグテイル10のファイバ格子11のピッチは、
1.32μｍのレーザの動作波長を与えるように選択され、
図３から、ファイバピッグテイル10の透過スペクトルが
1.332μｍを中心とする約5dBの損失を示すことが分か
る。
図４は、レーザが波長選択性フィードバックを有さな
い時の、図１の半導体レーザパッケージの光出力スペク
トルを示す。図４のグラフは、通常のファイバッピッグ
テイルの一方の端部、即ちファイバ格子11を持たないピ
ッグテイルをレーザパッケージの取外し可能な光コネク
タ３に、またファイバピッグテイルの他方の端部を光ス
ペクトル解析器に接続することによって得られる。図４
から分かるように、出力スペクトルは、予想されるよう
に、非常に広い帯域であり、90mAの駆動電流でも30nmを
占める。図5a乃至ｇは、図１のレーザパッケージの特定
の動作波長が、ファイバ格子11を有する適切なファイバ
ピッグテイル10をレーザパッケージに接続することによ
って、如何にこの広い利得帯域内から選択できるかを示
す。図5a乃至ｇは、図３に示される透過スペクトルのフ
ァイバピッグテイルに接続された時の、レーザパッケー
ジの出力スペクトルを示す。図5a乃至5gに示される各グ
ラフにおいて、半導体レーザダイオード２の駆動電流
は、それぞれ20、23、25、26、27、50、および80mAであ
る。図5d乃至5gにおいて、ファイバ格子11の反射波長、
すなわち1.332μｍにおけるレーザ作用による発光がは
っきりと見える。
い時の、図１の半導体レーザパッケージの光出力スペク
トルを示す。図４のグラフは、通常のファイバッピッグ
テイルの一方の端部、即ちファイバ格子11を持たないピ
ッグテイルをレーザパッケージの取外し可能な光コネク
タ３に、またファイバピッグテイルの他方の端部を光ス
ペクトル解析器に接続することによって得られる。図４
から分かるように、出力スペクトルは、予想されるよう
に、非常に広い帯域であり、90mAの駆動電流でも30nmを
占める。図5a乃至ｇは、図１のレーザパッケージの特定
の動作波長が、ファイバ格子11を有する適切なファイバ
ピッグテイル10をレーザパッケージに接続することによ
って、如何にこの広い利得帯域内から選択できるかを示
す。図5a乃至ｇは、図３に示される透過スペクトルのフ
ァイバピッグテイルに接続された時の、レーザパッケー
ジの出力スペクトルを示す。図5a乃至5gに示される各グ
ラフにおいて、半導体レーザダイオード２の駆動電流
は、それぞれ20、23、25、26、27、50、および80mAであ
る。図5d乃至5gにおいて、ファイバ格子11の反射波長、
すなわち1.332μｍにおけるレーザ作用による発光がは
っきりと見える。
図6aおよびｂはそれぞれ、波長選択性フィードバック
の無い、および波長選択性フィードバックを有する半導
体レーザのL/I特性を示す。波長選択性フィードバック
で動作する時、レーザの傾斜効率はより低く、その閾値
は幾分高い。これは、レーザの動作波長が、そのような
離れた波長におけるレーザ発光を選択できることを示す
ために、材料利得の最高点から離れるように慎重に選択
されたからである。
の無い、および波長選択性フィードバックを有する半導
体レーザのL/I特性を示す。波長選択性フィードバック
で動作する時、レーザの傾斜効率はより低く、その閾値
は幾分高い。これは、レーザの動作波長が、そのような
離れた波長におけるレーザ発光を選択できることを示す
ために、材料利得の最高点から離れるように慎重に選択
されたからである。
従って図５から、この特定の半導体レーザ装置に関し
て、ファイバピッグテイル10のファイバ格子11のピッチ
を適切に選択することによって、動作波長が約80nmの帯
域内で選択できることが分かる。
て、ファイバピッグテイル10のファイバ格子11のピッチ
を適切に選択することによって、動作波長が約80nmの帯
域内で選択できることが分かる。
レーザの動作波長を変更するためのこの方法の柔軟性
を示すために、1529nm乃至1573.6nmの範囲の反射波長を
有する５本のファイバ格子の反射ピッグテイルが形成さ
れた。これらのピッグテイルの１つを採用することによ
って、約1550nmを中心とする利得媒体を有する本発明の
半導体レーザは、これらの５本の波長の何れか１つでレ
ーザ発光を生じることができる。図７は、５本のピッグ
テイルの各々が使用される時に得られる５本の別々のス
ペクトルを重ね合せたものを示す。典型的な格子の帯域
は0.5nmであった。動作波長に応じて25乃至40dBの間の
側波帯の抑制が観察された。
を示すために、1529nm乃至1573.6nmの範囲の反射波長を
有する５本のファイバ格子の反射ピッグテイルが形成さ
れた。これらのピッグテイルの１つを採用することによ
って、約1550nmを中心とする利得媒体を有する本発明の
半導体レーザは、これらの５本の波長の何れか１つでレ
ーザ発光を生じることができる。図７は、５本のピッグ
テイルの各々が使用される時に得られる５本の別々のス
ペクトルを重ね合せたものを示す。典型的な格子の帯域
は0.5nmであった。動作波長に応じて25乃至40dBの間の
側波帯の抑制が観察された。
1.313μｍの反射波長を有するファイバ格子ピッグテ
イルを利用して、10-9のBER（ビット誤り率）が−25dBm
の感度の受信機で50kmのファイバに亘って1.2Gbs-1で測
定された。このBERは、バックトウバック測定で達成さ
れたものと同じであった。
イルを利用して、10-9のBER（ビット誤り率）が−25dBm
の感度の受信機で50kmのファイバに亘って1.2Gbs-1で測
定された。このBERは、バックトウバック測定で達成さ
れたものと同じであった。
従ってこれらの半導体レーザは非常に柔軟性があり、
長さが約18mm（5.55GHzの変調率に相当する）と推定さ
れる小さい外部空洞のために、マルチギガビットの変調
率での単一の周波数で動作ができる。
長さが約18mm（5.55GHzの変調率に相当する）と推定さ
れる小さい外部空洞のために、マルチギガビットの変調
率での単一の周波数で動作ができる。
ファイバピッグテイル10の取外し可能な光コネクタ13
を図１に示される光パッケージの取外し可能な光コネク
タ３へ接続するのに要求される機械的な力によって、光
ファイバ４と半導体のレーザダイオード２との整列が妨
害される危険性がある。そのような危険性を避けるため
に、光コネクタ３を容器１に装着するのではなく、ファ
イバ４を容器１に直接に装着し、コネクタ３によって保
持される端部９が容器１から遠く離れるのに十分な長さ
があるるようにすることができる。この場合、コネクタ
13との接続中に光ファイバ４の端部９の機械的な動揺
は、ファイバ４の反対側の端部８には伝達されないであ
ろう。この構造は、コネクタ接続の応力および歪みに耐
えることができる容器１へコネクタ３を装着するための
部分的組立てを必要としないので、ファイバ４の容器１
への取り付けを簡単にすることができる。さらに、この
構造は、非常に短い長さの光ファイバ４の一方の端部で
レンズ８を形成し、他方の端部９を研磨する際に遭遇す
る可能性のある困難を回避する。
を図１に示される光パッケージの取外し可能な光コネク
タ３へ接続するのに要求される機械的な力によって、光
ファイバ４と半導体のレーザダイオード２との整列が妨
害される危険性がある。そのような危険性を避けるため
に、光コネクタ３を容器１に装着するのではなく、ファ
イバ４を容器１に直接に装着し、コネクタ３によって保
持される端部９が容器１から遠く離れるのに十分な長さ
があるるようにすることができる。この場合、コネクタ
13との接続中に光ファイバ４の端部９の機械的な動揺
は、ファイバ４の反対側の端部８には伝達されないであ
ろう。この構造は、コネクタ接続の応力および歪みに耐
えることができる容器１へコネクタ３を装着するための
部分的組立てを必要としないので、ファイバ４の容器１
への取り付けを簡単にすることができる。さらに、この
構造は、非常に短い長さの光ファイバ４の一方の端部で
レンズ８を形成し、他方の端部９を研磨する際に遭遇す
る可能性のある困難を回避する。
図８は、レーザの利得媒体がエルビウムでドープされ
たファイバを具備する本発明の第２の実施例を示す。半
導体ポンプ装置19が容器18内に装着されており、それは
この実施例においてレーザ装置であり、WDM融着テーパ
カップラ21によって形成されたファイバループ反射鏡20
に接続されている。エルビウムでドープされたファイバ
22は、一方の端部23でファイバループ反射鏡20に、他方
の端部24で取外し可能な光コネクタ25の一方の部品に接
続され、エルビウムでドープされたファイバ22の端部24
は反射防止被覆が施されている。この実施例において、
半導体ダイーオドポンプ19の動作波長は980nmであり、W
DMカップラ21の結合割合の波長依存性は、980nmのポン
プ放射線がファイバループ反射鏡20を通ってエルビウム
でドープされたファイバ22を通り抜け、エルビウムでド
ープされたファイバ22から戻るより長いレーザ光線の波
長で放射線がファイバループ反射鏡20によって反射され
るように選択される。使用の際に、図２に示されるよう
にファイバピッグテイルは、光コネクタ13および24を介
してエルビウムでドープされたファイバ22へ接続され
る。その後ファイバループ反射鏡20とファイバピッグテ
イル10内のファイバ格子11との間にレーザ動作が発生さ
れる。エルビウムでドープされたファイバ22の利得帯域
内のレーザの動作波長は、図１の実施例と同じ方法で選
択することができる。
たファイバを具備する本発明の第２の実施例を示す。半
導体ポンプ装置19が容器18内に装着されており、それは
この実施例においてレーザ装置であり、WDM融着テーパ
カップラ21によって形成されたファイバループ反射鏡20
に接続されている。エルビウムでドープされたファイバ
22は、一方の端部23でファイバループ反射鏡20に、他方
の端部24で取外し可能な光コネクタ25の一方の部品に接
続され、エルビウムでドープされたファイバ22の端部24
は反射防止被覆が施されている。この実施例において、
半導体ダイーオドポンプ19の動作波長は980nmであり、W
DMカップラ21の結合割合の波長依存性は、980nmのポン
プ放射線がファイバループ反射鏡20を通ってエルビウム
でドープされたファイバ22を通り抜け、エルビウムでド
ープされたファイバ22から戻るより長いレーザ光線の波
長で放射線がファイバループ反射鏡20によって反射され
るように選択される。使用の際に、図２に示されるよう
にファイバピッグテイルは、光コネクタ13および24を介
してエルビウムでドープされたファイバ22へ接続され
る。その後ファイバループ反射鏡20とファイバピッグテ
イル10内のファイバ格子11との間にレーザ動作が発生さ
れる。エルビウムでドープされたファイバ22の利得帯域
内のレーザの動作波長は、図１の実施例と同じ方法で選
択することができる。
図９は、そのようなファイバレーザの光出力スペクト
ルを示す。レーザは、1530nmで80dB/mのポンプ無しの吸
収率を有する0.5mの長さのエルビウムでドープされたフ
ァイバと、1551.5nmを中心とする約80％の反射率を有す
るファイバ格子11を採用する。出力を最適にするため
に、偏光制御装置がループ反射鏡内で使用された。レー
ザは、ファイバ内で15mWの光パワーの閾値と、約0.5mW
のレーザ波長の出力パワーを有することが発見された。
スプライス接続の損失を有効にする試みが行われなかっ
たために、著しく異なるファイバ間の融着スプライス接
続が高い損失を伴うために、低いパワーになる。
ルを示す。レーザは、1530nmで80dB/mのポンプ無しの吸
収率を有する0.5mの長さのエルビウムでドープされたフ
ァイバと、1551.5nmを中心とする約80％の反射率を有す
るファイバ格子11を採用する。出力を最適にするため
に、偏光制御装置がループ反射鏡内で使用された。レー
ザは、ファイバ内で15mWの光パワーの閾値と、約0.5mW
のレーザ波長の出力パワーを有することが発見された。
スプライス接続の損失を有効にする試みが行われなかっ
たために、著しく異なるファイバ間の融着スプライス接
続が高い損失を伴うために、低いパワーになる。
ファイバレーザの利得帯域幅内の別のレーザ波長の選
択を証明するために、第１のファイバピッグテイルが取
り外され、中心波長1548.5nmのファイバ格子を有する第
２のファイバピッグテイルが、光コネクタ13、14を介し
てエルビウムでドープされたファイバに接続された。図
10は、第２のファイバピッグテイルによって決定される
動作波長でレーザ発光をする時のファイバレーザの出力
スペクトルを示す。このレーザからの出力パワーは、15
0mWのポンプの光パワーで1mWを越えた。
択を証明するために、第１のファイバピッグテイルが取
り外され、中心波長1548.5nmのファイバ格子を有する第
２のファイバピッグテイルが、光コネクタ13、14を介し
てエルビウムでドープされたファイバに接続された。図
10は、第２のファイバピッグテイルによって決定される
動作波長でレーザ発光をする時のファイバレーザの出力
スペクトルを示す。このレーザからの出力パワーは、15
0mWのポンプの光パワーで1mWを越えた。
利得媒体が希土類のドープされたファイバを含む本発
明の第２の実施例の別の構成が図11に示されている。こ
こでは、１つの広帯域の反射器20と１つの狭帯域の反射
器11を使用するのではなく、２つの狭帯域の反射器11が
レーザ空洞を形成するために使用される。1552.9nmで反
射率70％以下の同様のファイバ反射格子11と各端部のFC
−PCコネクタとを有する２とのファイバピッグテイル10
が、長さ15cmのエルビウムでドープされたファイバ26に
接続された。1480nmのダイオードレーザ27は、ファイバ
格子ピッグテイル10の一方を通ってファイバレーザをポ
ンプするのに使用された。他方のファイバ格子ピッグテ
イル10は、レーザの出力を監視するためにスペクトル分
解器28に接続された。図12は、図11のレーザの一般的な
レーザスペクトルを示す。
明の第２の実施例の別の構成が図11に示されている。こ
こでは、１つの広帯域の反射器20と１つの狭帯域の反射
器11を使用するのではなく、２つの狭帯域の反射器11が
レーザ空洞を形成するために使用される。1552.9nmで反
射率70％以下の同様のファイバ反射格子11と各端部のFC
−PCコネクタとを有する２とのファイバピッグテイル10
が、長さ15cmのエルビウムでドープされたファイバ26に
接続された。1480nmのダイオードレーザ27は、ファイバ
格子ピッグテイル10の一方を通ってファイバレーザをポ
ンプするのに使用された。他方のファイバ格子ピッグテ
イル10は、レーザの出力を監視するためにスペクトル分
解器28に接続された。図12は、図11のレーザの一般的な
レーザスペクトルを示す。
２つの狭帯域の反射器11はそれらが反射する波長、例
えばファイバ反射格子以外の波長に対して透明であり、
それがレーザ発光をする波長以外の全ての波長で透明で
あるために、これらの反射器を採用するのが有効であ
る。従ってそのようなレーザは、例えば追加の波長をネ
ットワークへ入力し、また既にネットワーク内に存在す
る波長を影響されないレーザへ通すために透明な光ネッ
トワークにおいて採用することができる。
えばファイバ反射格子以外の波長に対して透明であり、
それがレーザ発光をする波長以外の全ての波長で透明で
あるために、これらの反射器を採用するのが有効であ
る。従ってそのようなレーザは、例えば追加の波長をネ
ットワークへ入力し、また既にネットワーク内に存在す
る波長を影響されないレーザへ通すために透明な光ネッ
トワークにおいて採用することができる。
本発明の第２の実施例では、シリカ或いはフッ化ジル
コン酸塩ファイバおよびドーパント類のものを利用する
ことができ、ポンプソースの動作波長はレーザの望まし
い動作波長に基いて選択することができる。加えて或い
はその代りに、図３においてファイバループ反射鏡によ
って与えられる広帯域のフィードバック素子は、代替手
段、すなわち別個の光学素子或いは反射被覆或いはそれ
に類似するものによって与えられることができる。
コン酸塩ファイバおよびドーパント類のものを利用する
ことができ、ポンプソースの動作波長はレーザの望まし
い動作波長に基いて選択することができる。加えて或い
はその代りに、図３においてファイバループ反射鏡によ
って与えられる広帯域のフィードバック素子は、代替手
段、すなわち別個の光学素子或いは反射被覆或いはそれ
に類似するものによって与えられることができる。
本発明のファイバピッグテイルは、本発明のレーザを
使用する際に用いられる透過ファイバと両立性があるよ
うに選択されるべきである。すなわち、ファイバピッグ
テイルのコアの寸法および／或いはモード領域の半径
は、その共同して動作する透過ファイバと合理的に整合
されるべきである。単一のモードおよび多モードの両方
のファイバピッグテイルが、全ての型式の格子（すなわ
ち、ピッチ／波長）或いは幾つかの型式の格子だけに具
備されることができる。本発明で使用されるファイバピ
ッグテイルは、特定システムで格子の動作波長がフィー
ルドにおいてはっきりと識別されるように、標識付けさ
れるか、さもなければ（カラースリーブを嵌める等によ
って）区別されるべきである。
使用する際に用いられる透過ファイバと両立性があるよ
うに選択されるべきである。すなわち、ファイバピッグ
テイルのコアの寸法および／或いはモード領域の半径
は、その共同して動作する透過ファイバと合理的に整合
されるべきである。単一のモードおよび多モードの両方
のファイバピッグテイルが、全ての型式の格子（すなわ
ち、ピッチ／波長）或いは幾つかの型式の格子だけに具
備されることができる。本発明で使用されるファイバピ
ッグテイルは、特定システムで格子の動作波長がフィー
ルドにおいてはっきりと識別されるように、標識付けさ
れるか、さもなければ（カラースリーブを嵌める等によ
って）区別されるべきである。
実質的に第２の実施例の変形例である別の実施例で
は、ファイバピッグテイル内に利得媒体と第２のフィー
ドバック素子の両方を具備し、ポンプ19および広帯域反
射器20が容器18内に収容されている。典型的に、そのよ
うな構造において、利得媒体は容器18内の反射器20とコ
ネクタ25との間の光路内に含まれないが、それはそのよ
うな利得媒体を含むことができる。ファイバピッグテイ
ル10内の利得媒体は、一般的に格子11から離れて配置さ
れるが、利得媒体は、容器18のコネクタ部分25と結合す
るコネクタ13と、格子11との間に設けられる。しかしな
がら、格子11と利得媒体を一緒に配置することによって
分布フィードバック効果をレーザに与えることができ
る。
は、ファイバピッグテイル内に利得媒体と第２のフィー
ドバック素子の両方を具備し、ポンプ19および広帯域反
射器20が容器18内に収容されている。典型的に、そのよ
うな構造において、利得媒体は容器18内の反射器20とコ
ネクタ25との間の光路内に含まれないが、それはそのよ
うな利得媒体を含むことができる。ファイバピッグテイ
ル10内の利得媒体は、一般的に格子11から離れて配置さ
れるが、利得媒体は、容器18のコネクタ部分25と結合す
るコネクタ13と、格子11との間に設けられる。しかしな
がら、格子11と利得媒体を一緒に配置することによって
分布フィードバック効果をレーザに与えることができ
る。
そのような構造において、格子11および利得媒体は、
異なるホスト、例えば利得媒体のためのフッ化ジルコン
酸塩ガラスホスト、および格子のためのゲルマニアシリ
カガラスホスト内に与えられ、別々のガラスファイバが
スプライス接続、或いは既に知られているその他の方法
で接合される。
異なるホスト、例えば利得媒体のためのフッ化ジルコン
酸塩ガラスホスト、および格子のためのゲルマニアシリ
カガラスホスト内に与えられ、別々のガラスファイバが
スプライス接続、或いは既に知られているその他の方法
で接合される。
単に、複数のファイバ格子11を有するファイバピッグ
テイルを利用することによって、本発明の実施例に基い
て多数の波長のレーザを得ることができる。そのような
ピッグテイル10は、異なるピッチΛの４つの格子を有し
て作られ、広い波長範囲に亘って４つの波長で同時にレ
ーザ発光するように選択される。このピッグテイル10は
図１の半導体パッケージに接続され、生成された多数の
波長のレーザの出力スペクトルは図13に示される。図13
は、４つの別々のレーザ波長で同時にレーザ発光するも
のを示す。最も短い波長と最も長い波長とは、70nm以上
離れている。
テイルを利用することによって、本発明の実施例に基い
て多数の波長のレーザを得ることができる。そのような
ピッグテイル10は、異なるピッチΛの４つの格子を有し
て作られ、広い波長範囲に亘って４つの波長で同時にレ
ーザ発光するように選択される。このピッグテイル10は
図１の半導体パッケージに接続され、生成された多数の
波長のレーザの出力スペクトルは図13に示される。図13
は、４つの別々のレーザ波長で同時にレーザ発光するも
のを示す。最も短い波長と最も長い波長とは、70nm以上
離れている。
別のファイバピッグテイル10は、僅かに異なるピッチ
Λを有する２つのファイバ格子11を有して形成され、２
つの僅かに離れている波長を同時にレーザ発光するよう
に選択された。図14は、図１の半導体パッケージと２つ
の格子を有するピッグテイルを具備するレーザが閾値以
下で動作する時のレーザの出力スペクトル、従ってファ
イバピッグテイルの透過スペクトルを示す。図14から、
停止帯域が幾分重なり合って、その結果或る放射線は常
にファイバ格子の２つの中心波長の間の全ての波長でレ
ーザ空洞にフィードバックする。このために、図15に示
される出力スペクトルは、２つのレーザ発光モードの間
で幾分重なり合う部分を有する。図15は、このレーザが
閾値より上である時の出力スペクトルを示し、0.3nm未
満の差を有する２つの波長におけるレーザの同時発光を
示す。
Λを有する２つのファイバ格子11を有して形成され、２
つの僅かに離れている波長を同時にレーザ発光するよう
に選択された。図14は、図１の半導体パッケージと２つ
の格子を有するピッグテイルを具備するレーザが閾値以
下で動作する時のレーザの出力スペクトル、従ってファ
イバピッグテイルの透過スペクトルを示す。図14から、
停止帯域が幾分重なり合って、その結果或る放射線は常
にファイバ格子の２つの中心波長の間の全ての波長でレ
ーザ空洞にフィードバックする。このために、図15に示
される出力スペクトルは、２つのレーザ発光モードの間
で幾分重なり合う部分を有する。図15は、このレーザが
閾値より上である時の出力スペクトルを示し、0.3nm未
満の差を有する２つの波長におけるレーザの同時発光を
示す。
本発明の実施例の全てに関して、ファイバピッグテイ
ルは各端部に異なる型式のコネクタを備えて終端してい
る、すなわち一方の端部が雄コネクタで、他方の端部が
雌コネクタであり、および／或いは各端部が異なる形状
および／或いは寸法であることが望ましい。
ルは各端部に異なる型式のコネクタを備えて終端してい
る、すなわち一方の端部が雄コネクタで、他方の端部が
雌コネクタであり、および／或いは各端部が異なる形状
および／或いは寸法であることが望ましい。
本発明の実施例は、特に光通信システムで使用するも
のに関して説明されたが、当業者は本発明が、利得媒体
の利得帯域内の動作波長を安価に簡単に選択することが
要求される光学的試験装置、或いは光学的装置に特に応
用できることが分かるであろう。
のに関して説明されたが、当業者は本発明が、利得媒体
の利得帯域内の動作波長を安価に簡単に選択することが
要求される光学的試験装置、或いは光学的装置に特に応
用できることが分かるであろう。
さらに、他の光構成要素を、ファイバピッグテイル、
例えば光アイソレータへ組込むことができることが認識
されるであろう。
例えば光アイソレータへ組込むことができることが認識
されるであろう。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−127591（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−151819（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−304338（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1803（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−133703（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−501622（ＪＰ，Ａ) 米国特許5257273（ＵＳ，Ａ) Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，1991年，27［13］，ｐ．1115− 1116 Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉ ｆｉｃ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，1991 年，62［12］，ｐ．2936−2939 ＩＥＥ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ− Ｊ．Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ, 1988年，134［６］，ｐ．385−407 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，1985年，21［20］，ｐ．933−934 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，1987年，23［24］，ｐ．1255− 1257 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 G02B 6/42 H04B 10/02 H04B 10/28
Claims (7)
- 【請求項１】レーザ空洞を形成する第１および第２のフ
ィードバック素子と、そのレーザ空洞内の利得媒体と、
取外し可能な光コネクタと、および光導波体を具備する
レーザにおいて、 前記第２のフィードバック素子は波長選択性であり、 前記取外し可能な光コネクタが利得媒体と第２のフィー
ドバック素子との間に配置され、 前記光導波体は、取外し可能な光コネクタと第２のフィ
ードバック素子との間に光放射線を導くように配置され
ていることを特徴とするレーザ。 - 【請求項２】前記第１および第２のフィードバック素子
は共に波長選択性であり、共に光放射線をフィードバッ
クする波長以外の全ての光波長で実質上透明である請求
項１記載のレーザ。 - 【請求項３】第２のフィードバック素子が、複数の異な
る波長の光放射線をレーザ空洞へフィードバックして、
レーザが使用時に前記複数の異なる波長でレーザを発光
させるように構成されている請求項１または２記載のレ
ーザ。 - 【請求項４】利得媒体が半導体レーザダイオードを具備
し、第１のフィードバック素子が半導体レーザダイオー
ドの第１のファセットによって構成され、半導体レーザ
ダイオードの第２のファセットが反射防止被覆を施され
ている請求項１乃至３の何れか１項記載のレーザ。 - 【請求項５】利得媒体が希土類元素でドープされたファ
イバで構成され、このドープされたファイバの第１の端
部に第１のフィードバック素子を構成する広帯域の反射
器が設けられ、ドープされたファイバの第２の端部が低
い反射率を有し、前記取外し可能な光コネクタのコンポ
ーネントに接続されている請求項１乃至３の何れか１項
記載のレーザ。 - 【請求項６】容器と、半導体レーザダイオードと、取外
し可能な光コネクタ手段と、および光導波体を具備して
いるパッケージにおいて、 前記半導体レーザダイオードが、第１のフィードバック
素子である光導波体から遠い側に位置している第１のフ
ァセットと、低い反射率を有するように構成されている
光導波体に近い側の第２のファセットとを有しており、 前記光導波体の第１の端部が取外し可能なコネクタ手段
によって保持され、光導波体の第２の端部が、使用時に
半導体レーザダイオードからの光放射線を受けるように
整列され、 前記取外し可能なコネクタ手段は、第１のフィードバッ
ク素子と共にレーザ空洞を形成するために波長選択性の
第２のフィードバック素子と取外し可能に接続されるよ
うに構成されていることを特徴とするパッケージ。 - 【請求項７】容器と、半導体レーザダイオードと、取外
し可能な光コネクタ手段と、光導波体と、およびファイ
バピグテールとを具備しているパッケージにおいて、 前記半導体レーザダイオードが、第１のフィードバック
素子である光導波体から遠い側に位置している第１のフ
ァセットと、低い反射率を有するように構成されている
光導波体に近い側の第２のファセットとを有しており、 前記光導波体の第１の端部が取外し可能なコネクタ手段
によって保持され、光導波体の第２の端部が、使用時に
半導体レーザダイオードからの光放射線を受けるように
整列され、 前記ファイバピグテールは別の取外し可能なコネクタ手
段の１つの部品と少なくとも一端において接続されてい
るバッファ光ファイバ素子を具備し、その光ファイバ素
子は波長選択性の第２のフィードバック素子を与えるた
めに第１の波長選択性を有する光ファイバ格子を備えて
おり、 前記ファイバピグテールは前記取外し可能な別のコネク
タ手段によって前記光導波体の第１の端部に取外し可能
に接続され、それによって使用時に半導体レーザダイオ
ードからの光放射線が前記第１のフィードバック素子と
波長選択性の第２のフィードバック素子との間でレーザ
作用を発生させ、レーザ作用の波長は、前記ファイバピ
グテールと異なる波長選択性を有する光ファイバ格子素
子を有する第２のファイバピグテールと交換することに
よって変更可能にされていることを特徴とするパッケー
ジ。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP93302303 | 1993-03-25 | ||
| GB93302303.8 | 1993-11-04 | ||
| GB939322703A GB9322703D0 (en) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | A laser |
| GB9322703.1 | 1993-11-04 | ||
| PCT/GB1994/000556 WO1994022187A1 (en) | 1993-03-25 | 1994-03-18 | A laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08508135A JPH08508135A (ja) | 1996-08-27 |
| JP3346570B2 true JP3346570B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=26134235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52080494A Expired - Lifetime JP3346570B2 (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-18 | レーザ |
Country Status (11)
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|---|---|
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| KR (1) | KR960701495A (ja) |
| CN (1) | CN1119848C (ja) |
| AU (1) | AU680880B2 (ja) |
| CA (1) | CA2155528C (ja) |
| DE (1) | DE69412472T2 (ja) |
| DK (1) | DK0691044T3 (ja) |
| ES (1) | ES2121194T3 (ja) |
| NZ (1) | NZ262483A (ja) |
| WO (1) | WO1994022187A1 (ja) |
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| DE69626950D1 (de) * | 1996-01-12 | 2003-04-30 | Corning Oti Spa | Mit seltenen Erden dotierter Lithiumniobat-DBR-Laser |
| JP4063908B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2008-03-19 | 富士通株式会社 | 光源装置、光増幅器及び光通信システム |
| GB9702124D0 (en) * | 1997-02-03 | 1997-03-26 | Integrated Optical Components | Optical component assemblies |
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| JP2000353845A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュール |
| US6389044B1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-05-14 | Corning Incorporated | Multi-wavelength laser usable for WDM applications and interferometric sensors |
| US6407855B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-06-18 | Sdl, Inc. | Multiple wavelength optical sources |
| US6611544B1 (en) | 2000-04-11 | 2003-08-26 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for narrow bandwidth distributed bragg reflector semiconductor lasers |
| US6661945B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-12-09 | Kaiser Optical Systems, Inc. | Multi-band wavelength dispersive device for use in dense wavelength division multiplexing (DWDM) networks |
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| JP4629852B2 (ja) | 2000-11-02 | 2011-02-09 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールとそれを用いた光増幅器 |
| US6542534B1 (en) | 2000-11-08 | 2003-04-01 | Jds Uniphase Corporation | Field-programmable optical source |
| JP4792656B2 (ja) | 2001-05-09 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール、ファイバスタブ部品 |
| WO2002103867A1 (de) | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Infineon Technologies Ag | Opto-elektronisches lasermodul |
| JP2003008141A (ja) | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光デバイス、光モジュール、及びファイバスタブ部品 |
| JP2004014803A (ja) | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器及び光コネクタ |
| JP4007118B2 (ja) | 2002-08-12 | 2007-11-14 | 住友電気工業株式会社 | 発光デバイス、光モジュール、およびグレーティングチップ |
| DE102004043937A1 (de) * | 2004-09-11 | 2006-03-30 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Ortho-substituierte Pentafluorsulfuranyl-Benzole, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung als Synthese-Zwischenstufen |
| JP4608402B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-01-12 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換装置および蛍光顕微鏡装置 |
| WO2007112196A2 (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Medeikon Corporation | Low reflection lateral output fiber probe |
| US20080088928A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Kaiser Optical Systems | Optical configurations for achieving uniform channel spacing in wdm telecommunications applications |
| US20100296527A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-11-25 | Ofs Fitel Llc | Passively modelocked fiber laser using carbon nanotubes |
| JP5171692B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2013-03-27 | 株式会社渡辺製作所 | 光反射センサ及び結合型光反射センサ |
| CN103280689B (zh) * | 2013-05-29 | 2015-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 实现不同波长输出的光纤激光器 |
| CN111051843B (zh) * | 2017-07-20 | 2022-03-18 | 英国电讯有限公司 | 光纤 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB254183A (en) * | 1925-12-05 | 1926-07-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in automatic and semi-automatic telephone systems |
| JPS5360651A (en) * | 1976-11-12 | 1978-05-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser with optical fibers |
| JPS6164182A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
| US4786132A (en) * | 1987-03-31 | 1988-11-22 | Lytel Corporation | Hybrid distributed bragg reflector laser |
| US4955028A (en) * | 1988-03-25 | 1990-09-04 | At&T Bell Laboratories | Wavelength tunable composite cavity laser |
| JP2608104B2 (ja) * | 1988-05-26 | 1997-05-07 | 日本電信電話株式会社 | 光ファイバレーザ装置 |
| JPH02151819A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子モジュール |
| EP0435217B1 (en) * | 1989-12-26 | 1996-03-27 | United Technologies Corporation | Embedded Bragg grating pumped lasers |
| JPH0777279B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1995-08-16 | パイオニア株式会社 | 光パルス発生装置 |
| GB2254183B (en) * | 1991-03-27 | 1995-01-18 | Marconi Gec Ltd | An amplifier/filter combination |
| US5305336A (en) * | 1992-01-29 | 1994-04-19 | At&T Bell Laboratories | Compact optical pulse source |
| US5485481A (en) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Seastar Optics Inc. | Fibre-grating-stabilized diode laser |
-
1994
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- 1994-03-18 US US08/522,424 patent/US5832011A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-18 ES ES94909260T patent/ES2121194T3/es not_active Expired - Lifetime
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- 1994-03-18 JP JP52080494A patent/JP3346570B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９８５年，２１［２０］，ｐ．９３３−９３４ |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９８７年，２３［２４］，ｐ．１２５５−１２５７ |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９１年，２７［１３］，ｐ．１１１５−１１１６ |
| ＩＥＥ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ−Ｊ．Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，１９８８年，１３４［６］，ｐ．３８５−４０７ |
| Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，１９９１年，６２［１２］，ｐ．２９３６−２９３９ |
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