JP2000075155A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JP2000075155A JP2000075155A JP24827898A JP24827898A JP2000075155A JP 2000075155 A JP2000075155 A JP 2000075155A JP 24827898 A JP24827898 A JP 24827898A JP 24827898 A JP24827898 A JP 24827898A JP 2000075155 A JP2000075155 A JP 2000075155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に複数の光半導体素子を搭載して成る
光モジュールにおいて、光導波路や光ファイバ等の上の
空間を通る迷光経路により生じる光クロストークを抑制
する構造を提供する。 【解決手段】 基板上の複数の光半導体素子の間に光吸
収物質を配置する。この該光吸収物質は、複数の光半導
体素子の周囲を透明樹脂で個別に覆った上から、その透
明樹脂を含めて基板表面全体に塗布する。
光モジュールにおいて、光導波路や光ファイバ等の上の
空間を通る迷光経路により生じる光クロストークを抑制
する構造を提供する。 【解決手段】 基板上の複数の光半導体素子の間に光吸
収物質を配置する。この該光吸収物質は、複数の光半導
体素子の周囲を透明樹脂で個別に覆った上から、その透
明樹脂を含めて基板表面全体に塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子や受光素
子等の光半導体素子を基板上に複数搭載する光モジュー
ルにおいてクロストークを抑制する構造を有する光モジ
ュールに関するものである。
子等の光半導体素子を基板上に複数搭載する光モジュー
ルにおいてクロストークを抑制する構造を有する光モジ
ュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光送受信モジュールなど発光素子と受光
素子を同一基板上に集積化した光モジュールにおいて、
光クロストークを抑制することは良好な受信感度を達成
するうえで極めて重要である。
素子を同一基板上に集積化した光モジュールにおいて、
光クロストークを抑制することは良好な受信感度を達成
するうえで極めて重要である。
【０００３】このため従来から光クロストークを抑制す
るために様々な方法が考えられてきた。以下に従来技術
の例を示す。
るために様々な方法が考えられてきた。以下に従来技術
の例を示す。
【０００４】図７は特願平７―１５１６４１号（照井
他、「光導波回路」）に示された構造の例を示す。この
構成では、光導波路２のクラッド部分２ｂの表面に遮光
溝４を形成し、この遮光溝４の側面による反射あるいは
散乱により迷光の伝播を抑制している。この場合、光モ
ジュールは発光素子３ａおよび受光素子３ｂを有し、Ｙ
分岐の光導波路回路コア部２ａを介して同一入出力ポー
トにより外部と接続するよう構成されている。このよう
なモジュールでは発光素子３ａから出た、光導波路２と
結合しない迷光が受光素子３ｂに入り、ノイズとなる。
迷光の幾何学的経路は、例えば図８の断面図中に矢印で
示すようになる。この図から迷光の多くの部分は遮光溝
４の側面で反射あるいは散乱され、受光素子３ｂに入る
迷光の量が低減されていることがわかる。
他、「光導波回路」）に示された構造の例を示す。この
構成では、光導波路２のクラッド部分２ｂの表面に遮光
溝４を形成し、この遮光溝４の側面による反射あるいは
散乱により迷光の伝播を抑制している。この場合、光モ
ジュールは発光素子３ａおよび受光素子３ｂを有し、Ｙ
分岐の光導波路回路コア部２ａを介して同一入出力ポー
トにより外部と接続するよう構成されている。このよう
なモジュールでは発光素子３ａから出た、光導波路２と
結合しない迷光が受光素子３ｂに入り、ノイズとなる。
迷光の幾何学的経路は、例えば図８の断面図中に矢印で
示すようになる。この図から迷光の多くの部分は遮光溝
４の側面で反射あるいは散乱され、受光素子３ｂに入る
迷光の量が低減されていることがわかる。
【０００５】また、図９〜図１１は、特願平９−１５１
８２５号（井上他、「双方向ＷＤＭ光送受信モジュー
ル」）に示された光波長選択フィルタを用いた構造の例
を示す。これら図９〜図１１に示す光モジュールは受信
波長と送信波長の相互に異なるそれぞれの光λｉｎ、λ
ｏｕｔを持ち、これら両光が光波長選択フィルタ５を介
して各々の透過または反射し、同一ポートから外部へと
繋がるよう構成されている。ここで光波長選択フィルタ
５は波長選択性があるため発光素子３ａから出た迷光に
対しても図１１の断面図に矢印で示したように反射させ
ることができる。しかしながら、この方法には、送信、
受信で同一波長を用いる光モジュールには使えないとい
う事情もある。
８２５号（井上他、「双方向ＷＤＭ光送受信モジュー
ル」）に示された光波長選択フィルタを用いた構造の例
を示す。これら図９〜図１１に示す光モジュールは受信
波長と送信波長の相互に異なるそれぞれの光λｉｎ、λ
ｏｕｔを持ち、これら両光が光波長選択フィルタ５を介
して各々の透過または反射し、同一ポートから外部へと
繋がるよう構成されている。ここで光波長選択フィルタ
５は波長選択性があるため発光素子３ａから出た迷光に
対しても図１１の断面図に矢印で示したように反射させ
ることができる。しかしながら、この方法には、送信、
受信で同一波長を用いる光モジュールには使えないとい
う事情もある。
【０００６】上記したように、発光素子と受光素子を同
一基板上に集積化した光モジュールにおいて、光導波路
や、その下方の基板内部で反射あるいは散乱され、受光
素子に入る迷光量を低減する方法については従来から考
えられてきたが、例えば、光波長選択フィルタを用いた
構造の光モジュールにおいて、発光素子から放出された
迷光はその光フィルタの部分で強く散乱され、多重散乱
を繰り返した後、たとえば図１２に示すように直接ある
いはパッケージ１１の壁面に反射して間接に受光素子に
達する、言わば、第３の経路については考慮されて来な
かった。
一基板上に集積化した光モジュールにおいて、光導波路
や、その下方の基板内部で反射あるいは散乱され、受光
素子に入る迷光量を低減する方法については従来から考
えられてきたが、例えば、光波長選択フィルタを用いた
構造の光モジュールにおいて、発光素子から放出された
迷光はその光フィルタの部分で強く散乱され、多重散乱
を繰り返した後、たとえば図１２に示すように直接ある
いはパッケージ１１の壁面に反射して間接に受光素子に
達する、言わば、第３の経路については考慮されて来な
かった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来技術では基板の上やフィルタの近傍で散乱された基板
より上の空間を伝播する迷光に対して有効に作用しない
という問題があった。
来技術では基板の上やフィルタの近傍で散乱された基板
より上の空間を伝播する迷光に対して有効に作用しない
という問題があった。
【０００８】本発明の目的は、基板から大きく突出した
フィルタ等の構造を基板上に形成した場合や、通常１０
０〜２００μｍ程度厚みのある光半導体素子が通常数十
μｍ程度の厚みの光導波路のクラッドよりも大きく突出
している点に着目し、光導波路の上の空間を通る迷光の
経路により生じる光クロストークを抑制するように構成
した光モジュールを提供することにある。
フィルタ等の構造を基板上に形成した場合や、通常１０
０〜２００μｍ程度厚みのある光半導体素子が通常数十
μｍ程度の厚みの光導波路のクラッドよりも大きく突出
している点に着目し、光導波路の上の空間を通る迷光の
経路により生じる光クロストークを抑制するように構成
した光モジュールを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明光モジュールは、
基板上に複数の光半導体素子を搭載し、その複数の光半
導体素子の間に光吸収物質を配置して該素子間の光の漏
洩を抑制する構成をとるものであり、ここで、前記光吸
収物質は、前記光半導体素子の周囲を透明樹脂で個別に
覆った上から、該透明樹脂を含めて基板表面全体に塗布
したことを特徴とする。
基板上に複数の光半導体素子を搭載し、その複数の光半
導体素子の間に光吸収物質を配置して該素子間の光の漏
洩を抑制する構成をとるものであり、ここで、前記光吸
収物質は、前記光半導体素子の周囲を透明樹脂で個別に
覆った上から、該透明樹脂を含めて基板表面全体に塗布
したことを特徴とする。
【００１０】また、本発明光モジュールは、基板上に複
数の光半導体素子と該光半導体素子による光信号の伝播
を担う光導波路を搭載し、該光導波路中に形成した溝に
光波長選択フィルタを挿入したものにして、前記複数の
光半導体素子の各々と前記フィルタとの各間に光吸収物
質を配置して前記素子間の光の漏洩を抑制するようにし
た構成を取るものであり、前記光吸収物質は、複数の光
半導体素子の周囲を透明樹脂で個別に覆った後、該透明
樹脂および前記光フィルタを埋没させる形で基板表面全
体に塗布したものであることを特徴とする。
数の光半導体素子と該光半導体素子による光信号の伝播
を担う光導波路を搭載し、該光導波路中に形成した溝に
光波長選択フィルタを挿入したものにして、前記複数の
光半導体素子の各々と前記フィルタとの各間に光吸収物
質を配置して前記素子間の光の漏洩を抑制するようにし
た構成を取るものであり、前記光吸収物質は、複数の光
半導体素子の周囲を透明樹脂で個別に覆った後、該透明
樹脂および前記光フィルタを埋没させる形で基板表面全
体に塗布したものであることを特徴とする。
【００１１】さらにまた、本発明光モジュールは、基板
上に複数の光半導体素子と該光半導体素子による光信号
の伝播を担う光導波路を搭載し、該光導波路中に形成し
た溝に光波長選択フィルタを挿入したものにして、前記
複数の光半導体素子と前記フィルタのそれぞれの間に光
遮蔽体を配置して前記素子間の光の漏洩を抑制するよう
な構成をとるものであり、前記光遮蔽体は、前記光半導
体素子の各々の周囲を覆う透明樹脂と前記光フィルタを
個別に覆った複数のキャップであるか、または前記光半
導体素子の各々の周囲を覆う透明樹脂と前記光フィルタ
を一括して覆った、内部に前記各光半導体素子を分離す
る隔壁を有する単一のキャップであることを特徴とす
る。
上に複数の光半導体素子と該光半導体素子による光信号
の伝播を担う光導波路を搭載し、該光導波路中に形成し
た溝に光波長選択フィルタを挿入したものにして、前記
複数の光半導体素子と前記フィルタのそれぞれの間に光
遮蔽体を配置して前記素子間の光の漏洩を抑制するよう
な構成をとるものであり、前記光遮蔽体は、前記光半導
体素子の各々の周囲を覆う透明樹脂と前記光フィルタを
個別に覆った複数のキャップであるか、または前記光半
導体素子の各々の周囲を覆う透明樹脂と前記光フィルタ
を一括して覆った、内部に前記各光半導体素子を分離す
る隔壁を有する単一のキャップであることを特徴とす
る。
【００１２】本発明光モジュールを用いることにより光
モジュール光モジュール中の迷光の伝播を抑制し、迷光
による信号の劣化を抑制できる。
モジュール光モジュール中の迷光の伝播を抑制し、迷光
による信号の劣化を抑制できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は、本発明の
第１の実施形態の光モジュール構成を示す図であり、図
２は、説明のために図１の構造から光吸収体樹脂の一部
を取り去った様子を示している。
第１の実施形態の光モジュール構成を示す図であり、図
２は、説明のために図１の構造から光吸収体樹脂の一部
を取り去った様子を示している。
【００１４】本実施形態ではその基本構成として、異方
性エッチングによりＶ溝を形成したシリコン基板１上
に、発光素子としてのレーザダイオード（ＬＤ）３ａお
よび受光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）３ｂを
搭載し、これら各々の光半導体素子に光ファイバ８ａお
よび８ｂを接続した光モジュールを示している。
性エッチングによりＶ溝を形成したシリコン基板１上
に、発光素子としてのレーザダイオード（ＬＤ）３ａお
よび受光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）３ｂを
搭載し、これら各々の光半導体素子に光ファイバ８ａお
よび８ｂを接続した光モジュールを示している。
【００１５】このような構造の上に、光モジュールの基
板表面には樹脂である光吸収体６が塗布され、光半導体
素子３ａ、３ｂおよび光ファイバ８ａ、８ｂを覆ってい
る。
板表面には樹脂である光吸収体６が塗布され、光半導体
素子３ａ、３ｂおよび光ファイバ８ａ、８ｂを覆ってい
る。
【００１６】発光素子３ａおよび受光素子３ｂのそれぞ
れの周りには光ファイバとの結合において損失がないよ
うどちらも透明な樹脂７が塗られている。ここで透明な
樹脂７はこれら２つの光半導体素子の間では分断されて
いることが重要である。
れの周りには光ファイバとの結合において損失がないよ
うどちらも透明な樹脂７が塗られている。ここで透明な
樹脂７はこれら２つの光半導体素子の間では分断されて
いることが重要である。
【００１７】これによって基板の表面に光吸収体を塗布
した際、光吸収体６が透明樹脂７の分断されている部分
に流れ込んで基板の上を通って発光素子３ａから受光素
子３ｂに到達する迷光を遮ることが可能となる。
した際、光吸収体６が透明樹脂７の分断されている部分
に流れ込んで基板の上を通って発光素子３ａから受光素
子３ｂに到達する迷光を遮ることが可能となる。
【００１８】光吸収体６で基板表面を覆わない場合には
−２３ｄＢ程度しか光クロストークが得られなかった
が、本実施形態の構造を用いることにより約−３８ｄＢ
の良好な低光クロストークモジュールが得られた。
−２３ｄＢ程度しか光クロストークが得られなかった
が、本実施形態の構造を用いることにより約−３８ｄＢ
の良好な低光クロストークモジュールが得られた。
【００１９】ここで、さらにこれら透明樹脂あるいは光
吸収体６を構成する樹脂は、発光素子および受光素子を
封止する効果や光ファイバを固定する効果も有する。
吸収体６を構成する樹脂は、発光素子および受光素子を
封止する効果や光ファイバを固定する効果も有する。
【００２０】尚、本実施形態においては、光導波路とし
て光ファイバを使用した構成を示したが、それがコア部
とクラッド層から成るものであっても同様の効果が期待
できる。
て光ファイバを使用した構成を示したが、それがコア部
とクラッド層から成るものであっても同様の効果が期待
できる。
【００２１】（実施形態２）図３は、図９の構成の光モ
ジュールをさらに簡略に図式化したものであり、図４
は、その構造に対して本発明の第２の実施形態を適用し
た構成を示すものである。尚、ここでは光導波路２の詳
細は本発明とほとんど無関係なので省略した。
ジュールをさらに簡略に図式化したものであり、図４
は、その構造に対して本発明の第２の実施形態を適用し
た構成を示すものである。尚、ここでは光導波路２の詳
細は本発明とほとんど無関係なので省略した。
【００２２】図３の光モジュールの回路においては、基
板１上に発光素子３ａと受光素子３ｂを配設するのに加
えて、光導波路２中に形成した溝２ｃに挿入した光波長
選択フィルタ５を配設する。
板１上に発光素子３ａと受光素子３ｂを配設するのに加
えて、光導波路２中に形成した溝２ｃに挿入した光波長
選択フィルタ５を配設する。
【００２３】この構成において、発光素子３ａから放出
された迷光は強くフィルタ部分で散乱され、迷光が導波
路基板上から受光素子３ｂへと到達し受信特性を劣化さ
せることとなる。そこで、本実施形態においては、図４
に示すように、実施形態１と同様の方法であるが、光フ
ィルタ５を含めて表面全体を光吸収体で覆った。参照番
号９は、フィルタ固定用接着剤を表している。これによ
り光波長選択フィルタ５や発光素子３ａから空間に放出
された光は、光吸収体６に吸収されるため受光素子３ｂ
に到達することなく良好な受信特性が得られる。
された迷光は強くフィルタ部分で散乱され、迷光が導波
路基板上から受光素子３ｂへと到達し受信特性を劣化さ
せることとなる。そこで、本実施形態においては、図４
に示すように、実施形態１と同様の方法であるが、光フ
ィルタ５を含めて表面全体を光吸収体で覆った。参照番
号９は、フィルタ固定用接着剤を表している。これによ
り光波長選択フィルタ５や発光素子３ａから空間に放出
された光は、光吸収体６に吸収されるため受光素子３ｂ
に到達することなく良好な受信特性が得られる。
【００２４】このような構造により、光吸収体６で基板
１の表面を覆わない場合には−２２Ｄｂ程度しか光クロ
ストークが得られなかったが、この実施形態の構造を用
いることによって、約−４１ｄＢの良好な低クロストー
クモジュールが得られた。
１の表面を覆わない場合には−２２Ｄｂ程度しか光クロ
ストークが得られなかったが、この実施形態の構造を用
いることによって、約−４１ｄＢの良好な低クロストー
クモジュールが得られた。
【００２５】（実施形態３）図５は光吸収体の代わりに
光遮蔽体として光を遮るキャップ１０を発光素子３ａ、
受光素子３ｂ、および光フィルタ５のそれぞれに被せた
構成の実施形態である。
光遮蔽体として光を遮るキャップ１０を発光素子３ａ、
受光素子３ｂ、および光フィルタ５のそれぞれに被せた
構成の実施形態である。
【００２６】キャップ１０はそれぞれ基板１上にハンダ
で固定しており、これら遮光キャップ１０はそれぞれ局
所的な気密封止の機能も果している。キャップ１０の素
材は気密性のある焼結したアルミナで光を透過しない。
それ以外の材料としては、樹脂やガラスなどを加工した
ものを用いてもよい。
で固定しており、これら遮光キャップ１０はそれぞれ局
所的な気密封止の機能も果している。キャップ１０の素
材は気密性のある焼結したアルミナで光を透過しない。
それ以外の材料としては、樹脂やガラスなどを加工した
ものを用いてもよい。
【００２７】図５では、３つの領域を個別のキャップで
覆っているが、このようにする代わりに、図６に示すよ
うに、内部に各光半導体素子３ａ、３ｂおよび光波長選
択フィルタ５を分離する壁面２０ａ、２０ｂを有する単
一のキャップ２０で覆うことにより迷光を抑制するよう
にしてもよい。
覆っているが、このようにする代わりに、図６に示すよ
うに、内部に各光半導体素子３ａ、３ｂおよび光波長選
択フィルタ５を分離する壁面２０ａ、２０ｂを有する単
一のキャップ２０で覆うことにより迷光を抑制するよう
にしてもよい。
【００２８】光遮蔽体で基板１の表面を覆わない場合に
は−２２ｄＢ程度しか光クロストークが得られなかった
光回路においても、本実施形態の構造を用いることによ
って、約−４２ｄＢの良好な低クロストークモジュール
が得られた。
は−２２ｄＢ程度しか光クロストークが得られなかった
光回路においても、本実施形態の構造を用いることによ
って、約−４２ｄＢの良好な低クロストークモジュール
が得られた。
【００２９】さらに、湿熱試験にかけたところ、温度８
５℃、湿度９０％で７０００時間以上耐え得ることから
キャップによる気密封止の効果が得られた。
５℃、湿度９０％で７０００時間以上耐え得ることから
キャップによる気密封止の効果が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、従来は
考慮に入れられていなかった光集積基板の上部を経路と
する迷光を有効に抑えることが可能となり、光クロスト
ークが極めて少ない光モジュールを提供できる。
考慮に入れられていなかった光集積基板の上部を経路と
する迷光を有効に抑えることが可能となり、光クロスト
ークが極めて少ない光モジュールを提供できる。
【００３１】特に、発光素子と受光素子が光モジュール
に一体的に含まれる構成は受信特性の優れた光モジュー
ルを実現する上で極めて有効であることがわかる。
に一体的に含まれる構成は受信特性の優れた光モジュー
ルを実現する上で極めて有効であることがわかる。
【図１】本発明の実施形態１の構成を示す斜視図であ
り、光吸収体である樹脂が光半導体素子全体を覆ってい
る様子を示す図である。
り、光吸収体である樹脂が光半導体素子全体を覆ってい
る様子を示す図である。
【図２】図１における光吸収樹脂の一部を取り除いた部
分破断図である。
分破断図である。
【図３】光フィルタが光導波路の溝中に差し込まれたタ
イプのモジュールにおいて、迷光を抑制するための構造
を施す前の光モジュールの形態を示す図である。
イプのモジュールにおいて、迷光を抑制するための構造
を施す前の光モジュールの形態を示す図である。
【図４】迷光を抑制するための本発明の第２実施形態を
示す図である。
示す図である。
【図５】迷光を抑制するための本発明の第３実施形態を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態の変形例を示す図であ
る。
る。
【図７】光導波路のクラッド部分に溝を形成して迷光抑
制する従来技術の実施形態を説明する斜視図である。
制する従来技術の実施形態を説明する斜視図である。
【図８】図７の断面図である。
【図９】波長多重の送受信信号を分離する波長選択フィ
ルタを用いて迷光抑制する実施形態を説明する斜視図で
ある。
ルタを用いて迷光抑制する実施形態を説明する斜視図で
ある。
【図１０】図９の平面図である。
【図１１】図９の断面図である。
【図１２】光モジュールにおいて、光導波路基板の上の
空間を伝播して光クロストークを発生する迷光の経路を
示す図である。
空間を伝播して光クロストークを発生する迷光の経路を
示す図である。
１ 光半導体素子実装用基板 ２ 光導波路 ２ａ コア部 ２ｂ クラッド層 ３ａ 発光素子 ３ｂ 受光素子 ４ 光遮蔽用溝 ５ 光波長選択フィルタ ６ 光吸収体 ７ 透明樹脂 ８ａ 光ファイバ ８ｂ 光ファイバ ９ フィルタ固定用接着剤 １０ 不透明キャップ １１ パッケージ壁
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に複数の光半導体素子を搭載した
光モジュールにおいて、 前記複数の光半導体素子の間に光吸収物質を配置して、
前記光半導体素子間の光の漏洩を抑制するようにしたこ
とを特徴とする光モジュール。 - 【請求項２】 前記光吸収物質は、前記複数の光半導体
素子の周囲を透明樹脂で個別に覆った上から、該透明樹
脂を含めて基板表面全体に塗布したものであることを特
徴とする請求項１に記載の光モジュール。 - 【請求項３】 基板上に複数の光半導体素子と該光半導
体素子による光信号の伝播を担う光導波路を搭載し、該
光導波路中に形成した溝に光波長選択フィルタを挿入し
た光モジュールにおいて、 前記複数の光半導体素子の各々と前記フィルタとの各間
に光吸収物質を配置して前記光半導体素子間の光の漏洩
を抑制するようにしたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項４】 前記光吸収物質は、前記複数の光半導体
素子の周囲を透明樹脂で個別に覆った上から、該透明樹
脂および前記フィルタを埋没させる形で基板表面全体に
塗布したものであることを特徴とする請求項３に記載の
光モジュール。 - 【請求項５】 基板上に複数の光半導体素子と該光半導
体素子による光信号の伝播を担う光導波路を搭載し、該
光導波路中に形成された溝に光波長選択フィルタを挿入
した光モジュールにおいて、 前記複数の光半導体素子の各々と前記フィルタとの各間
に光遮蔽体を配置して前記半導体素子間の光の漏洩を抑
制するようにしたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項６】 前記光遮蔽体は、前記光半導体素子の各
々の周囲を覆った透明樹脂と前記フィルタとを個別に覆
う光不透過体のキャップであることを特徴とする請求項
５に記載の光モジュール。 - 【請求項７】 前記光遮蔽体は、前記光半導体素子の各
々の周囲を覆った透明樹脂と前記光フィルタとを一括し
て覆う、内部に前記各光半導体素子とフィルタを分離す
る隔壁を有する単一の光不透過体のキャップであること
を特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24827898A JP2000075155A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24827898A JP2000075155A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000075155A true JP2000075155A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17175741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24827898A Pending JP2000075155A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000075155A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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