JPS60168156A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線７赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は８５０〜８２０　ｎｍの発光波長
を有する）で像記録を行なうことが一般′である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ピンカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−ＳｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

固型ら、感光層を単層構成のＡ−Ｓｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に１層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容ｊ責に可成
りの制限がある。

この設８＋　１の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度
低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る
様にしたものとしては、例えば、特開ＩＪＩ！３５４−
１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特
開昭５７−４１７２号公報に記載されてあに る様な光受容層を伝導特性の異なる層を積層した二層以
上の層構成として、光受容層内部に空乏層を形成したり
、或いは特開昭５７−　５２１７８号、同５２１７９号
、同５２１８０号、同５８１５９号、同５８１８０号、
同５８１６１号の各公報に記載されである様に光受容層
を支持体と感光層の間、又は／及び感光層の上部表面に
障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛ｐ的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受寄層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさけ顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｎと」一部界面　１０２で反射した反射光Ｒ
１、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している
。

均一であると、反射光Ｒ１＋　Ｒ２か２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め合う）と　２ｎｄ＝、ｍ＋のどち
らに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量
に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±　５００人〜±　１００００人の
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を
黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開
昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、５Ｓ１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸
が多数設けられただけである為、確かに光散乱効果によ
る干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱とし
ては依然として正反射光成分が現存している為に、該正
反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層をか 層品質へ著しく低下すること、樹脂層がＡ−９ｉ感光層
形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によるそ
の後のＡ−３ｉ感光層の形成に悪影響を与えること等の
不都合さが有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉ、は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光量、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に工、Ｒ２，Ｒ３・・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多毛反射を防止す
る為に支持対３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ□、支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロッＩ・間に於いてバラ
ツキが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を不規則的に荒した場合、第
５図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ□＝ｍ入また
は２ｎｄｔ　＝　（ｍ＋３’ｊ）入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大が一以
上である様な層厚のｎ 不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

−従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、−・層構成
の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光
受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面で
の反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部
材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。　一本発明の更に別の目的は、画像形
成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を
回持にしかも完全に解消することができる光受容部材を
提供することでもある。

本発明の光受容部材は、シリコン原子を含む非晶質材料
からなる少なくとも１つの感光層を有する多層構成の光
受容層を支持体上に有する光受容部材に於て、前記感光
層がショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し
、該非平行な界面が１層厚方向と垂直な面内の少なくと
も−ブｊ向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って、
１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、第６
図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の層
厚がｄ、ｓからｄ、と連続的に変化している為に、界面
６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従
って、この微小部分（ショートレンジ）文に入射した可
干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な干
渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とか非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０　に対す
る反射光Ｒ１と出射光Ｒ５とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４　とが平行な場合（第７図の
ｒ　（Ｂ）Ｊに較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ｒ　（Ｂ）Ｊよりも非平行な場合ｒ　
（Ａ）Ｊは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得
る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、：５２層６０２の層厚
がマクロ的にも不均一（ｄ７＃ｄ、）でも同様に云える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ
　（Ｄ）Ｊ参照））また、光受容層が多層構成である場
合に於て照射側から第２層まで可干渉性光が透過した場
合に就いて本発明の効果を述べれば、第８図に示す様に
、入射光■。に対して、反射光Ｒ、Ｒ７、Ｒ５、Ｒ、Ｒ
，が存在する。

（４ その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、見≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為に７ は微小部公文に於、る層厚の差（ｄｓ　ｄｓ　）は、偽
照射光の波長を入とすると、 であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）外 に於て、少なくともいずれが２つの層界面が非平行な関
係にある様に各層の層厚が微小カラム内に於て制御され
るが、この条件を満足するならば該微小カラム内にいず
れか２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熟ＣＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るノ曳イトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形
成される。この様な切削加工法によって形成される凹凸
が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした鎖線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の鎖
線構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉鎖線構
造とされても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った遅線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面Ｉ′ｒ 形状は形成される各層の微小カラム内に於る層厚の管理
された不均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられ
る層との間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保
する為に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示さ
れる様に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等
辺三角形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に
二等辺三角形、°直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンシ゛ヨンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は感光層を構成するＡ−３ｉ層は、層形成さ
れる表面の状態に構造敏感であって、表面状態にＩεじ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンシ゛ヨンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、プレートクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００　ｇ　
ｍ　”　０．３　ｐ−ｍ　、より好ましくは２００ｇｍ
　−Ｌ　ｐＬｍ、最適には５０ｇｍ〜５ｐＬｍであるの
が望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｐｍ−５，ｍ
、より好ましくは０．３ＪＬｍ−３ｐｍ。

最適には０．６ルｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。支
持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある
場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ま
しくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最
適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはＯ，
１ｇｍ〜２ｇ、ｍ、より好まし次に、本発明に係る多層
構成の光受容部材の具体例を示す。

第１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層ｔｏｏａ。

感光層１００４で構成されている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例え上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロー゛スアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なく
ともその一方の表面を導電処理され、該導電処理された
表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、カラスであればその表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｄ、　Ｉｎｚ０３．　５ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２０３
＋５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付ゲされ、或いはポリエステルフィルム等の合成
樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡＩ、　Ａｇ、　
Ｐｄ。

Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｈａ、　Ｉｒ、　Ｎ
ｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ。

ｐｔ、　ｇの金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等でその表面に設け、又は、前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１Ｏ図の光受容部材１０００を
電子写真用像形成部材として使用するのであれば連続複
写の場合には、無端ベルＩ・状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成
される様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が十分発揮
される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしな
がら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い」二、
機械的強度等の点から、好ましくは１ＯＪｉ、以上とさ
れる。

電荷注入防止層１０００は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１０００は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｉ（以後ｒＡ−５ｉ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性を支
配する物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止層１００
３に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、
いわゆる半導体分野で言われる不純物を挙げることがで
き、本発明に於ては、Ｓｉに対して、ｐ型伝導特性を与
えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を挙
げることができる。具体的には、ｐ型不純物としては周
期律表第！１１族に属する原子（第１１１屈原子）、例
えばＢ（硼素）　、　ＡＩ　（アルミニウム）、Ｇａ（
ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）。

ＴＩ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは
、Ｂ、Ｇａ、である。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ属に属する原子（第Ｖ
属原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アン
チモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前
記電荷特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する
物質の含有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
制御する物質の含有量としては、好適には、０．００１
〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適に
は０．５〜ｌ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最
適には１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

Ｃフ 本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於る物△ 質（Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍ以」二、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には　１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とす
ることによって、例えば含有させる物質（Ｃ）が前記の
ｐ型不純物の場合には、光受容層の自由が■極性に帯電
処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電
子の移動を、より効果的に阻止することか出来、又、前
記含有させる物質（Ｃ“）が前記のｎ５不純物の場合に
は、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から感光層中へ注入される正孔の移動を、よ
り効果的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは、３０人
〜ｌＯル、より好適には４０人〜８ル、最適には５０人
〜５ルとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レ
ーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する電荷
発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両者を有
する。

感光層１００４の層厚としては、好ましくは、１１−１
Ｏ０ｐＬ、より好ましくはｌｌ−８０ｐ、最適には２〜
５０ルｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１０
０３に含有される実際の量よりも一段と少ない量にして
含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最
適には０．１　ｒ〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有さくす せる場合には、感光層１００４のへる含有量としては、
好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが
望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好
適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ　、　ＣＩ、　Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものと
して挙げられる。

第１Ｏ図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁
層を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層
１００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、ＡＲ２（ｈ　、　５ｉ０２　
。

Ｓｉ３　Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット系８０ｇｍの半導体レーザー（波
長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−３ｉ：Ｈを
堆積させる円筒状のＡｎ支持体（長さく　Ｌ　）　３５
７ｍｍ、径（ｒ　）　８０ｍｍ）上に旋盤でピッチ（Ｐ
）２５ｐｍで深さくＤ）　ｏ、ａｓテ螺線状の溝を作製
した。このときの溝の形を第１１図に示す。

このＡｎ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡＪＩ支
持体回転用モータ、１２０５はＡｎ支持体、１２０６は
ＡＭ支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２
０８は高周波導入用カソード電極、スフロコントローラ
ー、１２５１〜１２５５　ｔ＊レギュレーター、１２６
１は水素（Ｂ２）ボンベ、１２６２はシラン（ＳｉＨ４
）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ２　Ｈｓ　）ボンベ
、１２６４は酸化窒素（ＮＯ）ボンベ、１２６７はメタ
ン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１２６１〜１２６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆積
装置内をｌＯ’Ｔｏｒｒまで減圧′した。それと同時に
１２０６のヒータにより１２０５のＡ４Ｑ支持体を２５
０°Ｃまで加熱し２５０　”Ｃ！で一定に保った。１２
０５のＡｆＬ支持体の温度が２５０’Ｏで一定になった
後１２２１−１２２５．１２４１−１２４５．１２５１
〜　′１２５５のバルブを閉じ、１２８１−１２８５の
ボンベの元栓を開け、１２０３の拡散ポンプをメカニカ
ルブースターポンプに代える。１２５１−１２５５のレ
ギ・ニレ−ター付きバルブの二次圧を１．５ｋｇ／ｃｆ
ｆｌに設定した。１２３１のマスフロコントロラーを３
００ＳＣＣＨに設定し、１２４１のバルブと１２２１の
バルブを順に開き堆積装置内にＢ２カスを導入した。

次に１２８１のＳｉＨ４ガスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０ＳＣＣＨに設定して、Ｂ２ガ
スの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置に導入
した。次に１２６３のＢ、　Ｈ６ガス流量をＳｉＨ４ガ
ス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐａ＋　ニなるよ
うニ１２３３（７）マス７０−コントローラーを設定し
て、Ｈ２Ｎスの導入と同様な操作でＢ２　Ｈｓガスを堆
積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２　Ｔｏｒｒで安定した
ら、１２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２の
マツチングボックスを調節して、１２０５のＡＪＩ支持
体と１２０８のカソード電極間にグロー放のＡ−３ｉ：
Ｈ（Ｐ型）を堆積したのち放電を切らずに、１２２３の
バルブを閉めＥ、　Ｈ６の流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗで２０４ｍ厚のＡ−３ｉ：）
１層（ｎｏｎ−ｄｏＰｅｄ）を堆積した（感光層）。そ
の後高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積装
置を排気し、Ａｎ支持体の温度を室温まで下げて、光受
容層を形成した支持体を取り出した。

別に、同一の表面性の同筒状Ａｎ支持体上に高周波電力
を５０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製
手順で電荷注入防止層と感光層とを支持体上に形成した
ところ第１３図に示すように感光層１３０３の表面は、
支持体１３０１の平面に対して平行になっていた。この
ときＡｌｌ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差は
Ｉｇｍであった。

また、前記の高周波電力を１５０Ｗにした場合には第１
４図のように感光層１４０３の表面と支持体１４０１の
表面とは非平行であった。この場合ＡＪｌｊ支持体の中
央と両端部とでの平均層、厚の層厚差は２ＪＬｍであっ
た。

以上２種類の電子写真用の光受容帯部材について、波長
７８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ルｍで第
１５図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写
して画像を得た。層作製時の高周波電力５０Ｗで、第１
３図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様が観察
された。

一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（Ｎｏ、１０１〜１０８）のＡｆＬ
支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消えた条件（高周
波電力１５０Ｗ　）と同様の条件で、電子写真用光受容
部材を作製した（　Ｎｏ、１１１〜１１８）。このとき
の電子写真用光受容部材のＡｌｌ支持体の中央と両端部
での平均層厚の差は２ルｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第２
表のような結果を得た。これらの光受容部材について、
実施例１と同様に第１５図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使い、スポット径８０７１ｍで画像露光
を行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した（Ｎｏ１２１−１２８）。そのとき電荷注入防
止層の層厚な１０ＩＬｍとした・このときの電荷注入防
止層の中央と両端部での平均層厚の差は１μｍ、感光層
の層厚分布中央と両端部での平均の差は２ｇｍであった
Ｎｏ、　１０１〜１０Ｂの各支持体上に作製した各層の
厚さを電子顕微鏡で測定したところ、第３表のような結
果を得た。これらの光受容部材について、実施例１と同
様な像露光装置において、画像露光を行った結果、第３
表の結果を得た。

実施例４ 第４表に示す表面性のシリンダー状Ａｌｌ支持体（Ｎｏ
、２０１〜２０７）上に電荷注入防止層として酸化シリ
コン層を設けた光受容部材を以下の様に作製した。

酸化シリコン層は、５ｉ）１４の流量を５０３ＣＣＭ、
　ＮＯを６０３ＣＣＭとして、他の条件は、実施例２の
電荷注入防止層の作製条件と同様にして、　０．２ｐｍ
厚に形成された。

その醇化シリコン層上に実施例２と同様な条件で２０ル
ｍ厚の感光層を形成した。

こうして作製した電子写真用光受容部材の中央と両端の
平均層厚の差はｌ＃Ｌｍあった。

これらの感光体を電子顕微鏡で観察したところＡＪｌｊ
シリンダーの表面のピッチ内で酸化シリコン層の層厚の
差は０．０８ルｍであった。同様に流側１と同様にレー
ザ光で画像露光したところ第５表に示す結果を得た。

実施例５ 第４表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ、
２０１〜２０７）上に、電荷注入阻止層として窒化シリ
コン層を設けた光受容部材を以下の様ＮＨ３ガスにかえ
ＳｉＨ４の流量を３Ｏ５ＣＣＭ　、　ＮＨ３の流量”＊
；＝ｈｉ、　眉 その窒化シリコン層上に高周波電力　１００Ｗで他の条
件は実施例２と同様にして、２０８Ｌｍ圧に感光層を形
成した。こうして作製した電子写真用光受容部材の中央
と両端の平均層厚の差はｌ終ｍであった。

この電子写真用光受容部材の各ピッチ内で−の層厚差を
電子顕微鏡で測定したところ、窒化シリコン層では、層
厚の差は０．０５ｐｍ以下であった。

一方Ａ−Ｓｉ：Ｈ感光層では各ピッチ内での層厚の差は
第６表に示す結果であった。

これらの電子写真用光受容部材（Ｎｏ、　２１１〜２１
７）について実施例１と同様にレーザー光で画像露光し
たところ＄６表に示す結果を得た。

実施例６ ソ 炭化シチコン層を設けた光受容部材を以下の様に作製し
た。

層 炭化シリコン摸は、ＩＩＪＬカスとＳｉ＆カスを用いて
、ＯＨＡカスの流量を６００ＳＣＣＭ、ＳｉＨ４ガス流
量で他の条件は実施例２と同様にして２０μｍＡ−５ｉ
：Ｈ感光層を形成した。

こうして作製したａ−３ｉ電子写真用感光体の中央と両
端の平均の層厚の差は　１．５μｍであった。

このＡ−９ｉの電子写真用感光体を電子顕微鏡で観察し
たところ炭化シリコン層では各ピッチ内で層厚の差は０
．０フルｍ以下であった。

一方、Ａ−３ｉ：Ｈ感光層では、各ピッチ内で層厚の差
は第７表に示す結果であった。

これらの電子写真用光受容部材（Ｎｏ、２２１〜２２７
）について、実施例１と同様にレーザー光で画像露光し
たところ第７表に示す結果を得た。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
成した際に使用したＡｆＬ支持体に代えて、サンドブラ
スト法によりＡｎ支持体の表面を粗面化したＡｎ支持体
を採用したほかは前述の実施倒置の高周波電力１５０Ｗ
で作製した電子写真用光受容部材と全く同様の方法でＡ
−３ｉ電子写真用光受容部材を作成した。この際のサン
ドブラスト法により表面粗面化処理したＡＭ支持体の表
面状態については光受容層を設ける前に小板研究所の万
能表面形状測定器（ＳＥ−３０）で測定したが、この時
平均表面粗きは　１．８ｇｍいた第１５図の装置に取り
付けて、同様の測定を行なったところ、全面黒色画像中
には明瞭な干渉縞が形成されていた。

第　１　表 第　２　表 ×　実用には適さない △　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ＠　実用に最適である 第３表 第４表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良＆Ｉ’である ｑ　実用に最適である 第　５　表 第　６　表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である ○　実用的に良好である ０　実用に最適である 第　７　表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である ０　実用的に良好である ■　実用に最適である

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）　（Ｂ）　（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第＋０図は、光受容部材の説明図である。 第１１図は、実施例１で用いたＡｌ支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１３図、第１４図は、実施例１で作製した光受容部材
の構造である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容層＋００１，１３０１．１４０１・・・・
・・・・・Ａｎ支持体１００２．１３０２．１４０２・
・・・・・・・・電荷注入防止層１００３．１３０’３
．１４０３・・・・・・・・・感光層１５０１・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電子写真用
光受容部材１５０２・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・半導体レーザー１５０３・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆＯレンズ１５
０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ポリゴンミラー１５０５・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・露光装置の上面図１５０６・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露光装
置の側面図第１図 第１ ’ＩＩＩ置 ｒＡ）　（Ｂ） 宜１１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子を含む非晶質材料からなる少なくと
   も１つの感光層を有する多層構成の光受容層を支持体上
   に有する光受容部材に於いて、前記感光層がショートレ
   ンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界
   面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配
   列している事を特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配夕１が周期的である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００ルである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等、辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受
   容部材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆■字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   鎖線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記鎖線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
   の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。